本發(fā)明涉及用于處理基板的基板處理裝置。

背景技術(shù)：

以往，在半導(dǎo)體基板(下面，僅稱為“基板”)的制造工序中，使用多種基板處理裝置對(duì)基板進(jìn)行各種各樣的處理。例如，向在表面上形成有抗蝕劑的圖案的基板上供給藥液，來(lái)對(duì)基板的表面進(jìn)行蝕刻等處理。另外，在蝕刻處理結(jié)束之后，還進(jìn)行如下處理，即，向基板上供給除去液來(lái)除去抗蝕劑，或者向基板上供給清洗液來(lái)進(jìn)行清洗。

在存在氧的環(huán)境下(例如，大氣中)進(jìn)行基板的處理的情況下，有時(shí)氧會(huì)對(duì)基板帶來(lái)不良影響。例如，在用于處理的藥液中溶解氧，該藥液與基板的表面發(fā)生接觸，由此可能對(duì)基板的表面產(chǎn)生不良影響。尤其，在對(duì)表面形成有金屬膜的基板進(jìn)行處理時(shí)，該金屬膜可能在處理中氧化。需要盡量防止發(fā)生這樣的金屬膜的氧化。

在日本特開(kāi)2010-56218號(hào)公報(bào)(文獻(xiàn)1)的基板處理裝置中，設(shè)置有與被基板保持機(jī)構(gòu)保持的基板相向的遮擋部。遮擋部具有：基板相向面，與基板的上表面相向；周壁部，從基板相向面的周圍朝向基板保持機(jī)構(gòu)突出。向基板上供給如下藥液，即，將使氧濃度降低的非活性氣體溶解水和藥液原液混合而成的藥液。在文獻(xiàn)1的基板處理裝置中，通過(guò)設(shè)置遮擋部，遮擋基板的上表面上的環(huán)境氣體不受到遮擋部的外部的環(huán)境氣體的影響，從而抑制基板上的環(huán)境氣體的氧濃度上升。若使基板上的氧濃度降低，則抑制設(shè)置于基板的上表面上的金屬膜的氧化等。

但是，在文獻(xiàn)1的基板處理裝置中，遮擋部的內(nèi)部與外部并不完全隔開(kāi)，因此基板上的環(huán)境氣體的氧濃度降低存在限制。另外，將遮擋部的內(nèi)部的氧濃度迅速降低也受到限制。另一方面，考慮如下情況，即，在向腔室本體的內(nèi)部搬入基板之后，用腔室蓋部堵塞腔室本體的上部開(kāi)口來(lái)形成腔室(處理室)，向密閉的腔室內(nèi)供給非活性氣體等來(lái)形成低氧狀態(tài)。此時(shí)，在腔室內(nèi)供給至基板上的處理液的霧、煙塵(fume)可能附著于用于覆蓋基板的上方的腔室蓋部的內(nèi)表面。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明涉及用于對(duì)基板進(jìn)行處理的基板處理裝置，其目的在于，抑制處理液的霧或煙塵進(jìn)入腔室蓋部的內(nèi)部空間的情況。

本發(fā)明的基板處理裝置，具有：腔室蓋部，具有下部開(kāi)口，在所述下部開(kāi)口的上方形成有蓋內(nèi)部空間；腔室本體，形成本體內(nèi)部空間，并且與所述腔室蓋部一起形成腔室；基板保持部，在所述本體內(nèi)部空間以水平狀態(tài)保持基板；處理液供給部，向所述基板的上表面供給處理液；遮擋板，配置于所述蓋內(nèi)部空間，與所述基板的所述上表面相向，該遮擋板能夠堵塞所述下部開(kāi)口；氣體供給部，在所述腔室內(nèi)，所述遮擋板從所述腔室蓋部的所述下部開(kāi)口向上方分離的狀態(tài)下，該氣體供給部通過(guò)從比所述遮擋板高的上方向所述蓋內(nèi)部空間供給氣體，使所述蓋內(nèi)部空間的氣壓大于所述本體內(nèi)部空間的氣壓，從而使所述蓋內(nèi)部空間的所述氣體，從所述遮擋板和所述腔室蓋部之間的間隙經(jīng)由所述下部開(kāi)口向所述本體內(nèi)部空間送出；排出口，在所述本體內(nèi)部空間設(shè)置于比所述基板低的下方，該排出口吸引從所述蓋內(nèi)部空間流入的所述氣體來(lái)向所述腔室的外部排出。

根據(jù)該基板處理裝置，能夠抑制處理液的霧或煙塵進(jìn)入腔室蓋部的內(nèi)部空間的情況。

在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，在所述遮擋板的下表面的中央部設(shè)置有氣體噴出口；通過(guò)所述氣體供給部，經(jīng)由所述氣體噴出口向所述遮擋板的所述下表面和所述基板的所述上表面之間的空間也供給所述氣體。

在本發(fā)明的其它優(yōu)選的實(shí)施方式中，在所述遮擋板的下表面的中央部設(shè)置有處理液噴出口；通過(guò)所述處理液供給部，經(jīng)由所述處理液噴出口向所述基板的所述上表面供給處理液。

在本發(fā)明的其它優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述處理液供給部具有：噴出頭，噴出處理液，頭支撐部，該頭支撐部為沿著水平方向延伸的構(gòu)件，在該頭支撐部的自由端部固定有所述噴出頭，該頭支撐部的固定端部在所述蓋內(nèi)部空間安裝在所述腔室蓋部；所述基板處理裝置還具有頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，該頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述噴出頭以所述固定端部為中心與所述頭支撐部一起旋轉(zhuǎn)；在向所述基板上供給處理液時(shí)，通過(guò)所述頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述噴出頭旋轉(zhuǎn)來(lái)配置于所述遮擋板和所述下部開(kāi)口之間，從所述噴出頭經(jīng)由所述下部開(kāi)口向所述基板的所述上表面噴出處理液。

在本發(fā)明的其它優(yōu)選的實(shí)施方式中，還具有遮擋板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，該遮擋板移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述遮擋板在所述蓋內(nèi)部空間，相對(duì)于所述腔室蓋部沿著所述上下方向相對(duì)地移動(dòng)；在形成所述腔室之前，所述遮擋板重疊于所述腔室蓋部的所述下部開(kāi)口的狀態(tài)下，通過(guò)所述氣體供給部向所述蓋內(nèi)部空間供給所述氣體，從而在所述蓋內(nèi)部空間填充所述氣體。

更優(yōu)選為，所述腔室蓋部具有：上下顛倒的杯子的形狀的蓋本體部，環(huán)狀的蓋底面部，從所述蓋本體部的下端部向徑向內(nèi)側(cè)擴(kuò)展，并且在中央部設(shè)置有所述下部開(kāi)口；重疊于所述下部開(kāi)口的所述遮擋板的下表面，在所述下部開(kāi)口的周圍的整周上，與所述蓋底面部的上表面相接觸，從而堵塞所述下部開(kāi)口。

在本發(fā)明的其它優(yōu)選的實(shí)施方式中，還具有：基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使所述基板與所述基板保持部一起相對(duì)于所述腔室沿著所述上下方向相對(duì)地移動(dòng)，基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使所述基板以朝向所述上下方向的中心軸為中心，與所述基板保持部一起旋轉(zhuǎn)；在向所述基板供給處理液的動(dòng)作結(jié)束之后，通過(guò)所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述基板從所述本體內(nèi)部空間向所述蓋內(nèi)部空間移動(dòng)；在所述蓋內(nèi)部空間通過(guò)所述基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述基板旋轉(zhuǎn)時(shí)，所述遮擋板在接近所述基板的位置，以所述中心軸為中心旋轉(zhuǎn)。

在本發(fā)明的其它優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述腔室本體具有罩部，該罩部在所述腔室蓋部的下方在整周上位于所述基板保持部的徑向外側(cè)；在所述罩部的下方設(shè)置有所述排出口。

下面，通過(guò)參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，來(lái)更加明確上述的目的以及其它目的、特征、方式以及優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1是示出一個(gè)實(shí)施方式的基板處理裝置的剖視圖。

圖2是示出氣液供給部以及氣液排出部的框圖。

圖3是示出基板處理裝置的剖視圖。

圖4是示出基板處理裝置的剖視圖。

圖5是示出基板的處理的流程的圖。

圖6是示出基板處理裝置的其它例的剖視圖。

圖7是示出基板處理裝置的其它例的剖視圖。

圖8是示出基板處理裝置的其它例的剖視圖。

具體實(shí)施方式

圖1是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板處理裝置1的結(jié)構(gòu)的剖視圖。基板處理裝置1是向大致圓板狀的半導(dǎo)體基板9(以下，僅稱為“基板9”)供給處理液來(lái)逐張地處理基板9的單張式的裝置。在圖1中，對(duì)基板處理裝置1的一部分結(jié)構(gòu)的剖面省略賦予平行斜線(在其他剖視圖中也同樣)。

基板處理裝置1具有腔室21、基板保持部31、基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35、第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41、第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42、第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43、遮擋板51、遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55以及殼體11。殼體11容納腔室21、基板保持部31以及遮擋板51等。

腔室21形成為，以朝向上下方向的中心軸J1為中心的有蓋且有底的大致圓筒狀。腔室21具有腔室本體22、腔室蓋部23。腔室本體22和腔室蓋部23在上下方向上相向。在圖1所示的狀態(tài)下，腔室本體22和腔室蓋部23在上下方向上分離。腔室本體22形成為，以中心軸J1為中心的有底的大致圓筒狀，該腔室本體22形成本體內(nèi)部空間221。腔室蓋部23形成為，以中心軸J1為中心的有蓋的大致圓筒狀，該腔室蓋部23形成蓋內(nèi)部空間231。腔室本體22的外徑和腔室蓋部23的外徑大致相同。

腔室本體22具有大致圓形的上部開(kāi)口222。腔室蓋部23具有大致圓形的下部開(kāi)口232。腔室本體22的上部開(kāi)口222和腔室蓋部23的下部開(kāi)口232在上下方向上相向。腔室本體22的上部開(kāi)口222的直徑和腔室蓋部23的下部開(kāi)口232的直徑大致相同。另外，以中心軸J1為中心的徑向上的腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231的大小，大于下部開(kāi)口232的徑向的大小(即，直徑)。對(duì)于腔室本體22以及腔室蓋部23的詳細(xì)結(jié)構(gòu)，在后面進(jìn)行說(shuō)明。

基板保持部31形成為，以中心軸J1為中心的大致圓板狀?；灞３植?1配置于基板9的下方，以水平狀態(tài)保持基板9的外緣部。在圖1所示的狀態(tài)下，基板保持部31在上下方向上位于腔室本體22和腔室蓋部23之間。基板保持部31的直徑大于基板9的直徑。基板保持部31的直徑小于腔室本體22的上部開(kāi)口222的直徑以及腔室蓋部23的下部開(kāi)口232的直徑。在上下方向上，腔室本體22的上部開(kāi)口222以及腔室蓋部23的下部開(kāi)口232，與基板9以及基板保持部31相向。基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35配置于基板保持部31的下方。基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使基板9以中心軸J1為中心與基板保持部31一起旋轉(zhuǎn)。

遮擋板51形成為，以中心軸J1為中心的大致圓板狀。遮擋板51配置于作為腔室蓋部23的內(nèi)部空間的蓋內(nèi)部空間231。優(yōu)選遮擋板51的徑向的大小(即，直徑)大于腔室蓋部23的下部開(kāi)口232的直徑。遮擋板51能夠堵塞腔室蓋部23的下部開(kāi)口232。在上下方向上，遮擋板51和保持于基板保持部31的基板9的上表面91隔著下部開(kāi)口232相向。

遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55配置于遮擋板51的上側(cè)。遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55例如為中空軸馬達(dá)。通過(guò)遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55，使遮擋板51在腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231以中心軸J1為中心旋轉(zhuǎn)。通過(guò)遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55進(jìn)行的遮擋板51的旋轉(zhuǎn)，與通過(guò)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35進(jìn)行的基板9的旋轉(zhuǎn)是相互獨(dú)立進(jìn)行的。

遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55的旋轉(zhuǎn)軸551經(jīng)由設(shè)置于殼體11的上部的貫通孔、以及設(shè)置于腔室蓋部23的上部的貫通孔與遮擋板51連接。殼體11的該貫通孔的周圍的部位和腔室蓋部23的該貫通孔的周圍的部位，通過(guò)能夠在上下方向上伸縮的大致圓筒狀的伸縮構(gòu)件111(例如，波紋管)連接。另外，在旋轉(zhuǎn)軸551設(shè)置有大致圓板狀的凸緣部553，凸緣部553的外周部和殼體11的上述貫通孔的周圍的部位，通過(guò)能夠在上下方向上伸縮的大致圓筒狀的伸縮構(gòu)件552(例如，波紋管)連接。在基板處理裝置1中，通過(guò)凸緣部553以及伸縮構(gòu)件552，將殼體11內(nèi)的空間與殼體11外的空間隔開(kāi)。另外，通過(guò)伸縮構(gòu)件111，將腔室蓋部23內(nèi)的空間、與殼體11內(nèi)且腔室蓋部23外的空間隔開(kāi)。

圖2是示出基板處理裝置1所具有的氣液供給部18以及氣液排出部19的框圖。氣液供給部18具有處理液供給部811、氣體供給部812。處理液供給部811具有上部中央噴嘴181、藥液供給部813、純水供給部814。藥液供給部813以及純水供給部814分別通過(guò)閥與上部中央噴嘴181連接。氣體供給部812具有上部中央噴嘴181、多個(gè)蓋噴嘴182、非活性氣體供給部816。非活性氣體供給部816通過(guò)閥與上部中央噴嘴181連接。非活性氣體供給部816還通過(guò)閥與多個(gè)蓋噴嘴182連接。

如圖1以及圖2所示，多個(gè)蓋噴嘴182設(shè)置于腔室蓋部23的上部。多個(gè)蓋噴嘴182以中心軸J1為中心配置為周狀。如圖2所示，在各蓋噴嘴182的下端設(shè)置有第一氣體噴出口184。從非活性氣體供給部816送出的非活性氣體，從設(shè)置于腔室蓋部23的上部的多個(gè)第一氣體噴出口184供給至蓋內(nèi)部空間231。

如圖1所示，上部中央噴嘴181設(shè)置于遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55的旋轉(zhuǎn)軸551內(nèi)。如圖2所示，在上部中央噴嘴181的下端的中央部，設(shè)置有用于朝向基板9的上表面91供給處理液(即，來(lái)自藥液供給部813的藥液、以及來(lái)自純水供給部814的純水)的處理液噴出口183。另外，在上部中央噴嘴181的下端的處理液噴出口183的周圍，設(shè)置有大致環(huán)狀的第二氣體噴出口185。從非活性氣體供給部816送出的非活性氣體，從第二氣體噴出口185朝向遮擋板51的下方的空間(即，遮擋板51的下表面512和基板9的上表面91之間的空間)供給。在上下方向上，上部中央噴嘴181的下端配置于與遮擋板51的下表面512大致相同的位置。即，上部中央噴嘴181的處理液噴出口183以及第二氣體噴出口185設(shè)置于遮擋板51的下表面512的中央部。

氣液排出部19具有本體排出口226a、蓋部排出口237、氣液分離部193、本體排氣部194、藥液回收部195、排液部196、氣液分離部197、蓋排氣部198、排液部199。本體排出口226a設(shè)置于腔室本體22，而且與氣液分離部193連接。氣液分離部193分別通過(guò)閥與本體排氣部194、藥液回收部195以及排液部196連接。蓋部排出口237設(shè)置于腔室蓋部23，而且與氣液分離部197連接。氣液分離部197分別通過(guò)閥與蓋排氣部198以及排液部199連接。通過(guò)控制部10控制氣液供給部18以及氣液排出部19的各結(jié)構(gòu)。第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41、第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42、第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43、基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35以及遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55(參照?qǐng)D1)也被控制部10控制。

從藥液供給部813經(jīng)由上部中央噴嘴181供給至基板9上的藥液，例如為聚合物除去液或者氫氟酸或羥化四甲銨(Tetramethylammonium hydroxide)水溶液等的蝕刻液。純水供給部814經(jīng)由上部中央噴嘴181向基板9供給純水(DIW：deionized water)。處理液供給部811也可以具有用于供給除了上述藥液以及純水之外的處理液的其它供給部。非活性氣體供給部816所供給的氣體例如為氮(N2)氣。氣體供給部812也可以具有用于供給除了氮?dú)庵獾姆腔钚詺怏w或者用于供給除了非活性氣體之外的氣體的其它供給部。

如圖1所示，腔室本體22具有外筒部223、外筒連接部224、罩部225、本體底部226。罩部225形成為，以中心軸J1為中心的大致圓筒狀。在腔室蓋部23的下方，罩部225在整周上位于基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35的徑向外側(cè)。罩部225具有以中心軸J1為中心的大致圓筒狀的罩側(cè)壁部227a、從罩側(cè)壁部227a的上端向徑向內(nèi)側(cè)擴(kuò)展的大致圓環(huán)板狀的罩頂蓋部227b。罩頂蓋部227b的中央的開(kāi)口為上述的上部開(kāi)口222。

外筒部223形成為，以中心軸J1為中心的大致圓筒狀。外筒部223在整周上位于罩部225的徑向外側(cè)。外筒部223例如為，分別為周狀的多個(gè)山頂線和分別為周狀的多個(gè)山谷線沿著上下方向交替地排列而成的波紋管。在外筒部223、罩部225以及基板保持部31的下方，配置有有底的大致圓筒狀的本體底部226。外筒部223的下端部在整周上與本體底部226的側(cè)壁部的上端部連接。在本體底部226的底面部設(shè)置有上述的本體排出口226a。在作為腔室本體22的內(nèi)部空間的本體內(nèi)部空間221，本體排出口226a配置于基板9、基板保持部31以及罩部225的下方。腔室本體22內(nèi)的液體以及氣體經(jīng)由本體排出口226a向腔室本體22的外部(即，腔室21外)排出。也可以在本體底部226設(shè)置有沿著周向排列的多個(gè)本體排出口226a。

外筒連接部224形成為，以中心軸J1為中心的大致圓環(huán)板狀。外筒連接部224用于連接外筒部223的上端部和罩部225的外緣部。具體地說(shuō)，外筒連接部224用于連接外筒部223的上端部和罩頂蓋部227b的外緣部。通過(guò)外筒連接部224堵塞外筒部223的上端部和罩部225之間的間隙。

腔室蓋部23具有蓋本體部233、蓋底面部234。蓋本體部233形成為，以中心軸J1為中心的有蓋的大致圓筒狀。換句話說(shuō)，蓋本體部233為上下顛倒的杯子的形狀。如上所述，蓋本體部233的中央部的貫通孔、即腔室蓋部23的上部的貫通孔被伸縮構(gòu)件111、552、殼體11的上部的一部分以及凸緣部553堵塞。用于堵塞該貫通孔的上述構(gòu)件，可以作為蓋本體部233的一部分。另外，由伸縮構(gòu)件111、552形成的筒狀的空間為蓋內(nèi)部空間231的一部分。

蓋底面部234形成為，以中心軸J1為中心的大致圓環(huán)板狀，在該蓋底面部234的中央部設(shè)置有上述的下部開(kāi)口232。蓋底面部234從蓋本體部233的下端部向徑向內(nèi)側(cè)擴(kuò)展。蓋底面部234的上表面235以及下表面236為，隨著朝向徑向外側(cè)而朝向下方傾斜的傾斜面。在腔室蓋部23的蓋底面部234和蓋本體部233之間的連接部，設(shè)置有上述的蓋部排出口237。通過(guò)蓋部排出口237排出蓋內(nèi)部空間231內(nèi)的液體以及氣體。

在如圖1所示的狀態(tài)下，遮擋板51與腔室蓋部23的下部開(kāi)口232重疊。此時(shí)，在下部開(kāi)口232的周圍的整周上，遮擋板51的下表面512與蓋底面部234的上表面235接觸。具體地說(shuō)，遮擋板51的下表面512的外周部，在整周上與蓋底面部234的上表面235中的下部開(kāi)口232附近的部位相接觸。由此，腔室蓋部23的下部開(kāi)口232被遮擋板51堵塞，下部開(kāi)口232的上方的蓋內(nèi)部空間231成為密閉空間。此外，在本實(shí)施方式中，遮擋板51和蓋底面部234之間的接觸部并不是完全的氣密結(jié)構(gòu)，因此蓋內(nèi)部空間231并未與外部的空間完全切斷，但是該接觸部也可以是具有密封構(gòu)件等的氣密結(jié)構(gòu)，從而使蓋內(nèi)部空間231成為與外部的空間隔開(kāi)的密閉空間。

第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41例如配置于殼體11的上側(cè)。第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41與遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55一起使遮擋板51在上下方向上移動(dòng)。通過(guò)第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41，使遮擋板51在腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231在上下方向上移動(dòng)。如上所述，遮擋板51大于腔室蓋部23的下部開(kāi)口232，因此遮擋板51不會(huì)經(jīng)過(guò)下部開(kāi)口232向腔室蓋部23的外部(即，蓋底面部234的下方)移動(dòng)。第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41例如具有馬達(dá)和滾珠螺桿(第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43也同樣)。

第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42配置于腔室本體22的側(cè)方，使腔室蓋部23在上下方向上移動(dòng)。具體地說(shuō)，通過(guò)第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42使腔室蓋部23在圖1所示的“上位置”和圖3所示的“下位置”之間移動(dòng)。在腔室蓋部23配置于上位置的狀態(tài)下，下部開(kāi)口232位于基板保持部31上的基板9的上方，在腔室蓋部23配置于下位置的狀態(tài)下，下部開(kāi)口232位于基板保持部31上的基板9的下方。在腔室蓋部23從上位置向上位置的下方的下位置移動(dòng)時(shí)，通過(guò)第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41使遮擋板51也在上下方向上移動(dòng)，變更在上下方向上遮擋板51相對(duì)于腔室蓋部23的相對(duì)位置。即，第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41以及第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42為遮擋板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，該遮擋板移動(dòng)機(jī)構(gòu)使遮擋板51在腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231相對(duì)于腔室蓋部23在上下方向上移動(dòng)。

第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43配置于腔室本體22的側(cè)方，使腔室本體22的一部分在上下方向上移動(dòng)。具體地說(shuō)，通過(guò)第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，使腔室本體22的罩部225在圖1以及圖3所示的“下位置”和圖4所示的“上位置”之間移動(dòng)。在罩部225配置于下位置的狀態(tài)下，上部開(kāi)口222位于基板保持部31上的基板9的下方，在罩部225配置于上位置的狀態(tài)下，上部開(kāi)口222位于基板保持部31上的基板9的上方。在罩部225在上下方向上移動(dòng)時(shí)，外筒部223在上下方向上進(jìn)行伸縮。在基板處理裝置1中，在腔室本體22的罩部225從下位置向下位置的上方的上位置移動(dòng)時(shí)，也變更在上下方向上遮擋板51相對(duì)于腔室蓋部23的相對(duì)位置。此外，在基板處理裝置1中，腔室本體22的本體底部226以及基板保持部31在上下方向上不移動(dòng)。

如圖3所示，在腔室蓋部23位于下位置且腔室本體22的罩部225也位于下位置的狀態(tài)下，使腔室蓋部23的下部開(kāi)口232與腔室本體22的上部開(kāi)口222相向，并且通過(guò)腔室蓋部23覆蓋該上部開(kāi)口222。由此，形成在內(nèi)部具有密閉空間(即，包括蓋內(nèi)部空間231以及本體內(nèi)部空間221的空間，下面稱為“腔室空間”)的腔室21。具體地說(shuō)，通過(guò)使腔室蓋部23的蓋本體部233和蓋底面部234之間的連接部，與腔室本體22的外筒部223接觸，來(lái)形成腔室21。

另外，如圖4所示，在腔室本體22的罩部225位于上位置且腔室蓋部23也位于上位置的狀態(tài)下，也同樣地，通過(guò)腔室蓋部23覆蓋腔室本體22的上部開(kāi)口222，從而形成腔室21。如圖3以及圖4所示，在腔室21的內(nèi)部(即，腔室空間)容納有基板9以及基板保持部31。即，第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43為如下腔室開(kāi)閉機(jī)構(gòu)，即，使腔室蓋部23相對(duì)于腔室本體22在上下方向上移動(dòng)，通過(guò)腔室蓋部23覆蓋腔室本體22的上部開(kāi)口222，從而形成腔室21。

接著，一邊參照?qǐng)D5，一邊對(duì)于通過(guò)基板處理裝置1處理基板9的流程進(jìn)行說(shuō)明。在基板處理裝置1中，首先，如圖1所示，使腔室蓋部23位于上位置，使腔室本體22的罩部225位于下位置。換句話說(shuō)，腔室21處于開(kāi)放的狀態(tài)。另外，以使遮擋板51的下表面512與蓋底面部234的上表面235相接觸的方式，在俯視時(shí)使遮擋板51與腔室蓋部23的下部開(kāi)口232重疊。由此，堵塞下部開(kāi)口232來(lái)使蓋內(nèi)部空間231成為密閉空間。在該狀態(tài)下，通過(guò)氣體供給部812(參照?qǐng)D2)，經(jīng)由多個(gè)第一氣體噴出口184向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)狻Ａ硗?，將蓋內(nèi)部空間231的氣體從蓋部排出口237向腔室蓋部23的外部排出。由此，在蓋內(nèi)部空間231填充氮?dú)?步驟S11)。

此外，在步驟S11中，不必一定通過(guò)遮擋板51氣密地堵塞腔室蓋部23的下部開(kāi)口232，只要遮擋板51與下部開(kāi)口232重疊即可，也可以采用在遮擋板51和蓋底面部234之間存在微小的間隙的堵塞方式。即使是這樣的堵塞方式，也控制從氣體供給部812向蓋內(nèi)部空間231供給的氮?dú)獾墓┙o量，使向蓋內(nèi)部空間231流入的氮?dú)獾牧魅肓俊脑撻g隙以及蓋部排出口237流出的氣體的流出量大致相同，由此在蓋內(nèi)部空間231填充氮?dú)狻２⑶?，通過(guò)恰當(dāng)?shù)乜刂圃摰獨(dú)獾牧魅肓康?，形成將蓋內(nèi)部空間231內(nèi)的氧濃度降低至工序上所需的程度的低氧狀態(tài)。此外，在圖1中圖示了基板9，但是，在將基板9搬入基板處理裝置1之前執(zhí)行步驟S11。

接著，在上述那樣腔室蓋部23與腔室本體22分離的狀態(tài)下，從設(shè)置于殼體11的搬入搬出口(省略圖示)向殼體11內(nèi)搬入基板9，通過(guò)基板保持部31進(jìn)行保持(步驟S12)。在步驟S12中，在腔室本體22的上部開(kāi)口222的上方，基板9被基板保持部31保持。

當(dāng)基板9保持在基板保持部31時(shí)，驅(qū)動(dòng)第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41以及第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42，從而使遮擋板51以及腔室蓋部23向下方移動(dòng)。腔室蓋部23從圖1所示的上位置向圖3所示的下位置移動(dòng)。換句話說(shuō)，腔室蓋部23在上下方向上相對(duì)于腔室本體22移動(dòng)。然后，通過(guò)腔室蓋部23覆蓋腔室本體22的上部開(kāi)口222，從而形成在內(nèi)部容納有基板9以及基板保持部31的腔室21(步驟S13)。另外，與步驟S13并行地，遮擋板51相對(duì)于腔室蓋部23上升，在腔室21內(nèi)，遮擋板51從腔室蓋部23的下部開(kāi)口232向上方分離(步驟S14)。

如上所述，通過(guò)使腔室蓋部23從上位置向下位置移動(dòng)，使保持在基板保持部31的基板9，經(jīng)過(guò)腔室蓋部23的下部開(kāi)口232向蓋內(nèi)部空間231移動(dòng)。換句話說(shuō)，在步驟S13、S14中形成腔室21的狀態(tài)下，基板9位于腔室空間中的蓋內(nèi)部空間231。如上所述，在蓋內(nèi)部空間231填充有氮?dú)?，因此通過(guò)使基板9向蓋內(nèi)部空間231移動(dòng)，能夠?qū)⒒?的周圍迅速地變成氮?dú)獾沫h(huán)境氣體(即，低氧環(huán)境氣體)。在蓋內(nèi)部空間231，基板9的上表面91和遮擋板51的下表面512在上下方向上相向且接近。

在基板處理裝置1中，在步驟S11之后也繼續(xù)通過(guò)氣體供給部812供給氮?dú)?，直到?duì)基板9進(jìn)行的一系列處理結(jié)束為止。在圖3所示的狀態(tài)下，從位于遮擋板51的上方的多個(gè)蓋噴嘴182的第一氣體噴出口184(參照?qǐng)D2)向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)猓瑥亩股w內(nèi)部空間231的氣壓大于本體內(nèi)部空間221的氣壓。換句話說(shuō)，使蓋內(nèi)部空間231成為正壓狀態(tài)。因此，蓋內(nèi)部空間231的氮?dú)?，從遮擋?1和腔室蓋部23的蓋底面部234之間的間隙經(jīng)由下部開(kāi)口232以及上部開(kāi)口222向本體內(nèi)部空間221流出(即，從蓋內(nèi)部空間231向本體內(nèi)部空間221送出)。另外，本體內(nèi)部空間221的氣體從本體排出口226a向腔室21的外部排出。由此，向本體內(nèi)部空間221也供給來(lái)自氣體供給部812的氮?dú)鈦?lái)進(jìn)行填充。換句話說(shuō)，通過(guò)氣體供給部812向腔室21內(nèi)供給氮?dú)鈦?lái)進(jìn)行填充(步驟S15)。下面，將步驟S15的處理稱為“氣體置換處理”。

在步驟S15中，來(lái)自氣體供給部812的氮?dú)膺€通過(guò)上部中央噴嘴181的第二氣體噴出口185(參照?qǐng)D2)供給至遮擋板51的下表面512和基板9的上表面91之間的空間。由此，能夠?qū)⒄趽醢?1和基板9之間的空間的環(huán)境氣體迅速地置換為氮?dú)獾沫h(huán)境氣體。此外，在步驟S11～S14之間的任一步驟中，也可以根據(jù)需要從第二氣體噴出口185供給氮?dú)?。尤其，在步驟S14中從第二氣體噴出口185供給氮?dú)猓瑥亩軌蜻M(jìn)一步高效地進(jìn)行步驟S15的氣體置換處理。

接著，通過(guò)驅(qū)動(dòng)第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41、第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，使遮擋板51、腔室蓋部23以及腔室本體22的罩部225向上方移動(dòng)。腔室蓋部23以及腔室本體22的罩部225分別從圖3所示的下位置向圖4所示的上位置移動(dòng)。換句話說(shuō)，通過(guò)第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，使基板9與基板保持部31一起相對(duì)于腔室21下降。第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43為，用于使基板9與基板保持部31一起相對(duì)于腔室21向上下方向移動(dòng)的基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)。不變更遮擋板51相對(duì)于腔室蓋部23的相對(duì)位置，維持遮擋板51從腔室蓋部23的下部開(kāi)口232向上方分離的狀態(tài)。

如上所述，通過(guò)使腔室21從下位置向上位置移動(dòng)，在腔室21內(nèi)，使基板9從蓋內(nèi)部空間231經(jīng)由下部開(kāi)口232以及上部開(kāi)口222向本體內(nèi)部空間221移動(dòng)(步驟S16)。由此，在腔室蓋部23的下方，罩部225在整周上位于基板9以及基板保持部31的徑向外側(cè)。

當(dāng)基板9位于本體內(nèi)部空間221時(shí)，通過(guò)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使基板9開(kāi)始旋轉(zhuǎn)。然后，通過(guò)處理液供給部81，經(jīng)由上部中央噴嘴181的處理液噴出口183(參照?qǐng)D2)，向正在旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91上供給處理液(步驟S17)。供給至旋轉(zhuǎn)的基板9的中央部的處理液，借助離心力在上表面91上向徑向外側(cè)移動(dòng)，然后從基板9的外緣向罩部225飛散。被罩部225接受的處理液，經(jīng)由配置于罩部225的下方的本體排出口226a向腔室21的外部排出。

在基板處理裝置1中，通過(guò)向基板9的上表面91供給處理液規(guī)定的時(shí)間，對(duì)基板9的上表面91進(jìn)行規(guī)定的處理。下面，將步驟S17的處理稱為“液處理”。在步驟S17中，在將藥液供給部813所供給的藥液(例如，聚合物除去液或蝕刻液等)向基板9上供給規(guī)定的時(shí)間之后，停止供給藥液。由此，對(duì)基板9的上表面91進(jìn)行藥液處理?；?上的藥液因基板9旋轉(zhuǎn)而向罩部225飛散，從而從基板9上除去該藥液。被罩部225接受的藥液，經(jīng)由本體排出口226a向腔室21的外部排出，被藥液回收部195(參照?qǐng)D2)回收。接著，將純水供給部814所供給的純水向基板9上供給規(guī)定的時(shí)間，從而對(duì)基板9的上表面91進(jìn)行沖洗處理。被罩部225接受的純水經(jīng)由本體排出口226a向腔室21的外部排出，被排液部196廢棄。

在基板處理裝置1中，也可以在罩部225設(shè)置以同心圓狀配置的多個(gè)罩。此時(shí)，優(yōu)選，在切換向基板9上供給的處理液的種類時(shí)，也切換用于接受來(lái)自基板9的處理液的罩。由此，能夠在步驟S17中利用多種處理液時(shí)，容易地將多個(gè)處理液區(qū)分來(lái)回收或者廢棄。

在步驟S17中對(duì)基板9供給處理液的期間，也如上述那樣，繼續(xù)通過(guò)氣體供給部812供給氮?dú)?。在圖4所示的狀態(tài)下，也與圖3所示的狀態(tài)同樣地，從位于遮擋板51的上方的多個(gè)蓋噴嘴182的第一氣體噴出口184向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)狻Ｓ纱?，?yōu)選，使蓋內(nèi)部空間231的氣壓大于本體內(nèi)部空間221的氣壓，從而使蓋內(nèi)部空間231形成正壓狀態(tài)。通過(guò)使蓋內(nèi)部空間231形成正壓狀態(tài)，使蓋內(nèi)部空間231的氮?dú)鈴恼趽醢?1和腔室蓋部23的蓋底面部234之間的間隙經(jīng)由下部開(kāi)口232以及上部開(kāi)口222向本體內(nèi)部空間221送出。另外，從蓋內(nèi)部空間231流入本體內(nèi)部空間221的氮?dú)?，?jīng)由本體排出口226a被吸引而向腔室21的外部排出。

由此，在腔室21內(nèi)形成：依次通過(guò)遮擋板51的外周緣附近、下部開(kāi)口232的外周緣附近、上部開(kāi)口222的外周緣附近以及基板9的外周緣附近的大致圓筒狀的氮?dú)獾臍饬?。在該大致圓筒狀的氣流的內(nèi)部，向基板9的上表面91供給處理液，因此能夠抑制處理液的霧或煙塵等經(jīng)過(guò)大致圓筒狀的氣流從遮擋板51和蓋底面部234之間的間隙進(jìn)入蓋內(nèi)部空間231的情況。另外，通過(guò)該氣流，使處理液的霧或煙塵等迅速地向下方移動(dòng)，來(lái)迅速地向腔室21的外部排出。

在基板處理裝置1中，通過(guò)將本體排出口226a配置于罩部225的下方，能夠容易地形成該氣流。此外，能夠通過(guò)變更來(lái)自多個(gè)蓋噴嘴182的氮?dú)獾墓┙o量、以及遮擋板51和蓋底面部234之間的間隙的大小等，來(lái)容易地調(diào)整該氣流的流速等。另外，只要能夠形成該氣流即可，本體排出口226a并不一定配置于罩部225的下方，而只要配置于位于本體內(nèi)部空間221的基板9以及基板保持部31的下方即可。

在步驟S17中，也可以通過(guò)上部中央噴嘴181的第二氣體噴出口185，向遮擋板51的下表面512和基板9的上表面91之間的空間也供給氮?dú)?。這樣，在上述的大致圓筒狀的氣流的內(nèi)側(cè)，形成朝向基板9的上表面91的朝下的氣流，從而能夠?qū)⒋嬖谟诨?的上方的空間的處理液的霧或煙塵等，朝向該大致圓筒狀的氣流推送。結(jié)果，能夠進(jìn)一步抑制處理液的霧或煙塵等進(jìn)入蓋內(nèi)部空間231的情況，并且能夠?qū)⒃撿F或煙塵等更加迅速地向腔室21的外部排出。

當(dāng)向基板9供給處理液的動(dòng)作結(jié)束時(shí)，通過(guò)驅(qū)動(dòng)第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41、第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，使遮擋板51、腔室蓋部23以及腔室本體22的罩部225向下方移動(dòng)。腔室蓋部23以及腔室本體22的罩部225分別從圖4所示的上位置向圖3所示的下位置移動(dòng)。換句話說(shuō)，通過(guò)第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，使基板9與基板保持部31一起相對(duì)于腔室21上升。不變更遮擋板51相對(duì)于腔室蓋部23的相對(duì)位置，維持遮擋板51從腔室蓋部23的下部開(kāi)口232向上方分離的狀態(tài)。

如上所述，腔室21從上位置向下位置移動(dòng)，由此在腔室21內(nèi)，使基板9從本體內(nèi)部空間221經(jīng)由上部開(kāi)口222以及下部開(kāi)口232向蓋內(nèi)部空間231移動(dòng)(步驟S18)。在蓋內(nèi)部空間231內(nèi)，基板9的上表面91和遮擋板51的下表面512在上下方向上相向并接近。

接著，通過(guò)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35，使基板9與基板保持部31一起以中心軸J1為中心以比較大的速度高速旋轉(zhuǎn)。由此，使基板9上的處理液(例如，純水)在上表面91上向徑向外側(cè)移動(dòng)，然后從基板9的外緣向周圍飛散。結(jié)果，除去基板9上的處理液(步驟S19)。以下，將步驟S19的處理稱為“干燥處理”。步驟S19中的基板9的轉(zhuǎn)速大于步驟S17中的基板9的轉(zhuǎn)速。

在步驟S19中，從旋轉(zhuǎn)的基板9飛散的處理液被蓋本體部233的內(nèi)表面以及蓋底面部234的上表面235接受，向蓋本體部233和蓋底面部234之間的連接部移動(dòng)。并且，該處理液(即，在步驟S19中從基板9上除去的處理液)由蓋部排出口237向腔室蓋部23的外部(即，腔室21外)排出。在腔室蓋部23中，如上所述，蓋底面部234的上表面235為隨著朝向徑向外側(cè)而朝向下方傾斜的傾斜面。因此，防止上表面235上的處理液朝向下部開(kāi)口232移動(dòng)的情況。另外，由于上表面235上的處理液迅速地向徑向外側(cè)移動(dòng)，因此能夠使來(lái)自蓋內(nèi)部空間231的處理液迅速地排出。

在通過(guò)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使基板9在蓋內(nèi)部空間231旋轉(zhuǎn)時(shí)(即，在步驟S19中)，通過(guò)遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55，使遮擋板51在沿著上下方向接近基板9的上表面91的位置，以與基板9的轉(zhuǎn)速大致相同的轉(zhuǎn)速，以中心軸J1為中心，向與基板9相同的旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)。通過(guò)使遮擋板51接近基板9的上表面91配置，能夠抑制(或者防止)從基板9飛散的處理液再次附著于基板9的上表面91的情況。另外，通過(guò)使遮擋板51旋轉(zhuǎn)，能夠使附著于遮擋板51的上表面511以及下表面512的處理液向周圍飛散，從而從遮擋板51上除去該處理液。

在基板處理裝置1中，在步驟S19中，通過(guò)上部中央噴嘴181的第二氣體噴出口185(參照?qǐng)D2)，向遮擋板51的下表面512和基板9的上表面91之間的空間供給氮?dú)?。由此，能夠從基?和遮擋板51之間的空間進(jìn)一步迅速地排出處理液，從而能夠促進(jìn)基板9的干燥。

當(dāng)基板9的干燥處理結(jié)束時(shí)，通過(guò)驅(qū)動(dòng)第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41以及第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42，使遮擋板51以及腔室蓋部23向上方移動(dòng)。腔室蓋部23從圖3所示的下位置向圖1所示的上位置移動(dòng)。由此，使腔室蓋部23和腔室本體22在上下方向上分離，從而開(kāi)放腔室21。然后，將實(shí)施了上述的一系列處理的基板9，從設(shè)置于殼體11的搬入搬出口(省略圖示)向殼體11的外部搬出(步驟S20)。另外，使遮擋板51相對(duì)于腔室蓋部23下降，與蓋底面部234接觸來(lái)堵塞下部開(kāi)口232。并且，與步驟S11同樣地，通過(guò)從氣體供給部812供給的氮?dú)?，向蓋內(nèi)部空間231填充氮?dú)狻Ｔ诨逄幚硌b置1中，對(duì)多個(gè)基板9依次執(zhí)行上述的步驟S11～S20。

如在上面說(shuō)明那樣，在基板處理裝置1中，在腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231，設(shè)置有徑向的大小大于下部開(kāi)口232的徑向的大小的遮擋板51。并且，在搬入基板9來(lái)形成腔室21之前，在步驟S11中，在遮擋板51重疊于下部開(kāi)口232的狀態(tài)下，將氣體供給部812所供給的氣體填充于腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231。由此，在形成腔室21之后，能夠?qū)⑶皇?1內(nèi)迅速地變成所希望的氣體的環(huán)境氣體。結(jié)果，能夠縮短從形成腔室21起到開(kāi)始在該氣體的環(huán)境氣體中處理基板9為止的時(shí)間，從而能夠提高基板處理裝置1的生產(chǎn)性。

在基板處理裝置1中，如上所述，通過(guò)使從氣體供給部812供給的氣體為氮?dú)獾确腔钚詺怏w，能夠迅速地在低氧環(huán)境氣體中進(jìn)行基板9的液處理。結(jié)果，能夠抑制設(shè)置于基板9的上表面91上的金屬膜的氧化等。

如上所述，腔室蓋部23具有蓋本體部233、蓋底面部234。在步驟S11中，使遮擋板51的下表面512與蓋底面部234的上表面235相接觸，從而堵塞腔室蓋部23的下部開(kāi)口232。由此，能夠迅速且容易地向蓋內(nèi)部空間231填充氣體。

在步驟S13中形成腔室21的狀態(tài)下，基板9位于預(yù)先填充氣體的蓋內(nèi)部空間231。由此，能夠在剛剛形成腔室21之后，迅速地使基板9的周圍變成所希望的氣體的環(huán)境氣體。

如上所述，在步驟S15中，在將基板9配置于蓋內(nèi)部空間231的狀態(tài)下進(jìn)行氣體置換處理，在步驟S16中，通過(guò)第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43使腔室21向上位置移動(dòng)，從而使基板9相對(duì)地從蓋內(nèi)部空間231向本體內(nèi)部空間221移動(dòng)。另外，在步驟S17中，在將基板9配置于本體內(nèi)部空間221的狀態(tài)下對(duì)基板9進(jìn)行液處理，在步驟S18中，通過(guò)第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43使腔室21向下位置移動(dòng)，從而使基板9相對(duì)地從本體內(nèi)部空間221向蓋內(nèi)部空間231移動(dòng)。并且，在步驟S19中，在將基板9配置于蓋內(nèi)部空間231的狀態(tài)下對(duì)基板9進(jìn)行干燥處理。

這樣，在基板處理裝置1中，第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43發(fā)揮基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)的功能，來(lái)使基板9在蓋內(nèi)部空間231和本體內(nèi)部空間221之間相對(duì)于腔室21相對(duì)地移動(dòng)。通過(guò)該基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)進(jìn)行的基板9的相對(duì)移動(dòng)是，在腔室21內(nèi)，遮擋板51從腔室蓋部23的下部開(kāi)口232向上方分離的狀態(tài)下，經(jīng)由下部開(kāi)口232以及上部開(kāi)口222來(lái)進(jìn)行的。由此，能夠?qū)?duì)基板9進(jìn)行多個(gè)處理(即，氣體置換處理、液處理以及干燥處理的一系列處理)的空間，根據(jù)處理內(nèi)容，在本體內(nèi)部空間221和蓋內(nèi)部空間231之間切換。

在步驟S17中的液處理中，通過(guò)配置于腔室蓋部23的下方的罩部225，接受從旋轉(zhuǎn)的基板9飛散的處理液。由此，能夠容易地回收在液處理中使用的處理液。如上所述，在罩部225的周圍，設(shè)置有用于與腔室蓋部23相接觸來(lái)形成腔室21的外筒部223。通過(guò)外筒連接部224堵塞外筒部223的上部和罩部225之間的間隙，從而能夠?qū)⒃谇皇?1內(nèi)填充來(lái)自氣體供給部812的氣體的空間變小。結(jié)果，能夠縮短在步驟S15中進(jìn)行氣體置換處理所需要的時(shí)間。

在步驟S17中的液處理中，不必一定形成上述的大致圓筒狀的氣流。即使不在腔室21內(nèi)形成上述的大致圓筒狀的氣流的情況下，也通過(guò)使蓋內(nèi)部空間231的氣壓大于本體內(nèi)部空間221的氣壓來(lái)使蓋內(nèi)部空間231變成正壓狀態(tài)，能夠防止處理液的霧或煙塵等從遮擋板51和蓋底面部234之間的間隙進(jìn)入蓋內(nèi)部空間231的情況。

在基板處理裝置1中，如圖6所示，也可以使處理液供給部811(參照?qǐng)D2)具有掃描噴嘴186。掃描噴嘴186安裝在腔室蓋部23，配置于蓋內(nèi)部空間231。掃描噴嘴186用于向基板9上供給處理液。掃描噴嘴186具有噴出頭861和頭支撐部862。噴出頭861為朝向下方噴出處理液的噴出部。頭支撐部862為用于支撐噴出頭861的大致沿著水平方向延伸的構(gòu)件。頭支撐部862的一個(gè)端部(即，固定端部)在蓋內(nèi)部空間231安裝在腔室蓋部23的蓋本體部233的頂蓋部。在頭支撐部862的另一個(gè)端部(即，自由端部)固定有噴出頭861。

如圖6所示的基板處理裝置1具有頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863。頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863安裝在腔室蓋部23的頂蓋部的上表面。頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863使噴出頭861與頭支撐部862一起以頭支撐部862的固定端部為中心大致水平地旋轉(zhuǎn)。在圖6中，示出了從掃描噴嘴186向基板9的上表面91上供給處理液的狀態(tài)，但是在掃描噴嘴186不用于供給處理液而待機(jī)的狀態(tài)下，掃描噴嘴186在腔室蓋部23的下部開(kāi)口232的徑向外側(cè)配置于蓋底面部234的上方。

圖6所示的基板處理裝置1中的基板9的處理流程，與上述的步驟S11～S20(參照?qǐng)D5)大致相同。在圖6所示的例子中，也與上述說(shuō)明同樣地，步驟S17的液處理是，在腔室21(即，腔室蓋部23以及腔室本體22)位于上位置且遮擋板51從腔室蓋部23的下部開(kāi)口232向上方分離的狀態(tài)下進(jìn)行的。在向基板9上供給處理液時(shí)，首選，通過(guò)頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863使在下部開(kāi)口232的徑向外側(cè)正在待機(jī)的噴出頭861旋轉(zhuǎn)，如圖6所示那樣，使所述噴出頭861配置于遮擋板51和下部開(kāi)口232之間。

接著，從噴出頭861經(jīng)由下部開(kāi)口232向在本體內(nèi)部空間221正在旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91噴出處理液。并且，通過(guò)將向基板9供給處理液的動(dòng)作維持規(guī)定的時(shí)間，對(duì)基板9的上表面91進(jìn)行液處理。在對(duì)基板9進(jìn)行液處理時(shí)，通過(guò)頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863，使位于下部開(kāi)口232的上方的噴出頭861，持續(xù)地在與基板9的中央部相向的位置和與基板9的外周部相向的位置之間進(jìn)行往復(fù)移動(dòng)。由此，提高對(duì)基板9的上表面91進(jìn)行的液處理的均勻性。

在圖6所示的例子中，在進(jìn)行步驟S17的液處理時(shí)，頭支撐部862位于遮擋板51和腔室蓋部23的蓋底面部234之間的間隙中。但是，在該間隙的除了頭支撐部862之外的區(qū)域，存在上述的大致圓筒狀的氣流，因此能夠與上述說(shuō)明同樣地，防止處理液的霧或煙塵等從遮擋板51和蓋底面部234之間的間隙進(jìn)入蓋內(nèi)部空間231的情況。另外，在進(jìn)行液處理時(shí)，頭支撐部862在上述間隙中移動(dòng)，但是無(wú)論頭支撐部862的位置如何，在該間隙的除了頭支撐部862之外的區(qū)域都存在大致圓筒狀的氣流。因此，無(wú)論噴出頭861以及頭支撐部862的移動(dòng)情況如何，都能夠抑制處理液的霧或煙塵等進(jìn)入蓋內(nèi)部空間231的情況。

另一方面，如上所述，在步驟S17的液處理中，從上部中央噴嘴181的處理液噴出口611(參照?qǐng)D2)供給處理液的情況下，在遮擋板51和蓋底面部234之間的間隙不存在頭支撐部862等構(gòu)件，因此與利用掃描噴嘴186的情況相比，能夠抑制上述的大致圓筒狀的氣流破壞。

在上述基板處理裝置1中，能夠進(jìn)行各種變更。

例如，在步驟S15的氣體置換處理中，也可以不從設(shè)置于遮擋板51的下表面512的第二氣體噴出口185噴出氣體。步驟S17的液處理以及步驟S19的干燥處理也同樣。此時(shí)，也可以省略第二氣體噴出口185。

在步驟S17的液處理中，也可以通過(guò)使遮擋板51的下表面512與腔室蓋部23的蓋底面部234相接觸，來(lái)由遮擋板51堵塞腔室蓋部23的下部開(kāi)口232。此時(shí)，也能夠抑制處理液的霧或煙塵等進(jìn)入蓋內(nèi)部空間231的情況。

在步驟S19的干燥處理中，也可以將接近基板9的上表面91的遮擋板51沿著周向固定在基板保持部31，通過(guò)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使遮擋板51與基板9以及基板保持部31一起旋轉(zhuǎn)。此時(shí)，也可以與上述情況同樣地，能夠防止在進(jìn)行干燥處理時(shí)處理液再次附著于基板9，并且還能夠從遮擋板51上除去處理液。在通過(guò)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使遮擋板51旋轉(zhuǎn)的情況下，也可以省略遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55。

在圖1所示的例子中，上述的腔室開(kāi)閉機(jī)構(gòu)包括用于使腔室蓋部23移動(dòng)的第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42和用于使腔室本體22移動(dòng)的第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，但是例如也可以省略第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43中的一個(gè)，而僅將另一個(gè)用作腔室開(kāi)閉機(jī)構(gòu)。另外，在圖1所示的例子中，遮擋板移動(dòng)機(jī)構(gòu)包括用于使遮擋板51移動(dòng)的第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41和用于使腔室蓋部23移動(dòng)的第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42，但是也可以省略第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41以及第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42中的一個(gè)，而僅將另一個(gè)用作遮擋板移動(dòng)機(jī)構(gòu)。

在圖1所示的例子中，上述的基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)包括用于使腔室蓋部23移動(dòng)的第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42、用于使腔室本體22移動(dòng)的第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，但是基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)例如也可以是在腔室21停止的狀態(tài)下，使基板保持部31在腔室21內(nèi)沿著上下方向移動(dòng)的機(jī)構(gòu)。

在基板處理裝置1中，在步驟S13中形成腔室21時(shí)，不必一定使腔室蓋部23從上位置向下位置移動(dòng)。在步驟S13中，例如也可以通過(guò)第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43使腔室本體22從圖1所示的下位置向圖3所示的上位置移動(dòng)，由此形成腔室21。此時(shí)，在與步驟S13并行進(jìn)行的步驟S14中，通過(guò)第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41使遮擋板51向上方移動(dòng)，來(lái)使該遮擋板51從腔室蓋部23的下部開(kāi)口232向上方分離。另外，在步驟S15中，在基板9位于本體內(nèi)部空間221的狀態(tài)下進(jìn)行氣體置換處理。因此，省略基板9從蓋內(nèi)部空間231向本體內(nèi)部空間221進(jìn)行的相對(duì)移動(dòng)(步驟S16)，緊接著步驟S15，進(jìn)行基板9的液處理(步驟S17)。

在基板處理裝置1中，例如也可以如圖7所示那樣，設(shè)置外徑小于腔室本體22的外徑的腔室蓋部23a，來(lái)代替圖1所示的腔室蓋部23。在圖7所示的例子中，通過(guò)使有蓋的大致圓筒狀的腔室蓋部23a的外周下端部與腔室本體22的罩部225的上表面相接觸，由腔室蓋部23a堵塞腔室本體22的上部開(kāi)口222，從而形成腔室21。另外，不在腔室蓋部23a設(shè)置蓋底面部234(參照?qǐng)D1)，下部開(kāi)口232的徑向的大小與腔室蓋部23a的徑向的大小大致相同。在蓋內(nèi)部空間231，配置有徑向的大小略小于腔室蓋部23a的外徑的遮擋板51。遮擋板51配置為，在上下方向上與腔室蓋部23的下部開(kāi)口232大致相同的位置，在俯視時(shí)與下部開(kāi)口232重疊，由此雖然在遮擋板51的周圍留有一點(diǎn)間隙，但是遮擋板51實(shí)際上堵塞下部開(kāi)口232。在該狀態(tài)下，來(lái)自氣體供給部71的氣體填充在蓋內(nèi)部空間231。

如圖8所示，也可以采用腔室蓋部23和腔室本體22的罩部225形成為連接為一體的構(gòu)件的腔室21a。換句話說(shuō)，腔室本體22與腔室蓋部23一起形成腔室21a。在基板處理裝置1a中，通過(guò)腔室蓋部23覆蓋罩頂蓋部227b的中央的開(kāi)口(即，腔室本體22的上部開(kāi)口)，來(lái)形成腔室21a。腔室本體22的上部開(kāi)口還是腔室蓋部23的下部開(kāi)口232。

在腔室21a中，在腔室蓋部23設(shè)置側(cè)部開(kāi)口239，在將基板9搬入腔室21a內(nèi)以及向腔室21a外搬出基板9時(shí)，使基板9通過(guò)側(cè)部開(kāi)口239。通過(guò)側(cè)部開(kāi)口開(kāi)閉機(jī)構(gòu)39對(duì)側(cè)部開(kāi)口239進(jìn)行開(kāi)閉。在圖8的基板處理裝置1a中，省略圖1的基板處理裝置1中的第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，通過(guò)第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42使腔室蓋部23以及罩部225在上下方向上移動(dòng)。由此，使基板9選擇性地配置于蓋內(nèi)部空間231和本體內(nèi)部空間221。在基板處理裝置1a中，也在基板9配置于本體內(nèi)部空間221時(shí)，通過(guò)處理液進(jìn)行液處理，在基板9配置于蓋內(nèi)部空間231時(shí)，對(duì)基板9進(jìn)行干燥處理。

在上述液處理中，與上述情況同樣地，能夠通過(guò)使蓋內(nèi)部空間231的氣壓大于本體內(nèi)部空間221的氣壓，抑制處理液的霧或煙塵等從遮擋板51和罩頂蓋部227b(還可以是腔室蓋部23的蓋底面部)之間的間隙進(jìn)入蓋內(nèi)部空間231的情況。

在基板處理裝置1中，也可以對(duì)除了半導(dǎo)體基板之外的各種基板進(jìn)行處理。另外，在基板處理裝置1中，并不限定于除去聚合物或蝕刻，能夠進(jìn)行希望利用鹽酸或氫氟酸等各種處理液在低氧環(huán)境下進(jìn)行的各種液處理。為了實(shí)現(xiàn)低氧狀態(tài)而供給至腔室21的氣體，也并不限定于氮?dú)猓部梢允菤宓绕渌腔钚詺怏w。供給至腔室21的氣體，也可以是用于將腔室21內(nèi)變成所希望的氣體的環(huán)境氣體的氣體，例如，氣體成分比被調(diào)節(jié)的混合氣體(即，多種氣體混合而成的氣體)。

只要相互不矛盾，可對(duì)上述實(shí)施方式以及各變形例的結(jié)構(gòu)進(jìn)行恰當(dāng)?shù)慕M合。

詳細(xì)敘述并說(shuō)明了發(fā)明，但是上述說(shuō)明僅僅是例示性的而并非限定。因此，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可實(shí)施為多種變形或方式。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

1、1a：基板處理裝置；

9：基板；

21、21a：腔室；

22：腔室本體；

23、23a：腔室蓋部；

31：基板保持部；

35：基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；

41：第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)；

42：第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)；

43：第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)：

51：遮擋板；

91：上表面；

183：處理液噴出口；

185：第二氣體噴出口；

221：本體內(nèi)部空間；

222：上部開(kāi)口；

223：外筒部；

224：外筒連接部；

225：罩部；

226a：本體排出口；

231：蓋內(nèi)部空間；

232：下部開(kāi)口；

233：蓋本體部；

234：蓋底面部；

235：(蓋底面部的)上表面；

237：蓋部排出口；

512：(遮擋板的)下表面；

811：處理液供給部；

812：氣體供給部；

J1：中心軸；

S11～S20：步驟。