基板處理裝置以及基板處理方法與流程

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本發(fā)明涉及對基板進(jìn)行處理的技術(shù)。

背景技術(shù)：

以往，在半導(dǎo)體基板(以下僅稱為“基板”。)的制造工序中，使用基板處理裝置對基板實(shí)施各種處理。例如，通過向在表面上形成有抗蝕劑的圖案的基板上供給藥液，對基板的表面實(shí)施蝕刻等的處理。另外，在蝕刻處理的結(jié)束后，還進(jìn)行如下處理，即，向基板上供給除去液來除去抗蝕劑或向基板上供給清洗液來對基板進(jìn)行清洗。

就這種利用處理液對基板的處理而言，在如大氣中那樣存在氧氣的環(huán)境下進(jìn)行的情況下，該氧氣有時(shí)對基板造成不良影響。例如，在用于處理的藥液中溶入氧氣，通過使該藥液與基板的表面接觸，有時(shí)對基板的表面產(chǎn)生不良影響。特別是，在基板的表面上形成有金屬膜的情況下，例如在作為除去液的處理液中溶入氧氣而使處理液的氧氣濃度變高時(shí)，因該處理液而使基板上的金屬膜氧化。由于金屬氧化物被該處理液蝕刻，所以金屬膜的厚度減小。尋求極力防止這種不良影響(金屬膜的氧化)。因此，在日本特開2010-56218號公報(bào)的基板處理裝置中，設(shè)置有與基板保持機(jī)構(gòu)所保持的基板相向的遮斷構(gòu)件。遮斷構(gòu)件具有與基板相向的基板相向面和從基板相向面的周圍向基板保持機(jī)構(gòu)突出的周壁部。在日本特開2010-56218號公報(bào)的基板處理裝置中，通過設(shè)置遮斷構(gòu)件，將基板表面的環(huán)境與遮斷構(gòu)件的外部的環(huán)境之間遮斷，實(shí)現(xiàn)抑制基板表面的環(huán)境的氧氣濃度的上升。另外，在日本特開2011-216607號公報(bào)以及美國專利申請公開第2012/0103522號說明書中，公開了具有密閉腔室的基板處理裝置。在具有密閉腔室的基板處理裝置中，能夠容易降低基板周圍的環(huán)境的氧氣濃度。在日本特開2011-216607號公報(bào)以及美國專利申請公開第2012/0103522號說明書的基板處理裝置中，還將向基板供給處理液的噴嘴設(shè)置在密閉腔室的內(nèi)部空間。

在日本特開2003-45838號公報(bào)中，公開了一種基板處理裝置，該基板處理裝置具有使晶片旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤、在旋轉(zhuǎn)卡盤的上方設(shè)置的遮斷板、容納旋轉(zhuǎn)卡盤的處理杯、向晶片供給處理液的處理液噴嘴。在處理杯的上方，設(shè)置有用于防止來自晶片的處理液向外部飛散的防濺板。在日本特開2003-45838號公報(bào)的基板處理裝置中，通過向旋轉(zhuǎn)的遮斷板的上表面噴出清洗液，清洗液從遮斷板的周緣被甩掉并飛散，附著在防濺板上的處理液被清洗液沖洗掉。

但是，在日本特開2010-56218號公報(bào)以及特開2003-45838號公報(bào)的基板處理裝置中，由于遮斷構(gòu)件的內(nèi)部與外部未完全被隔離，所以基板表面的環(huán)境(基板上的環(huán)境)的氧氣濃度的降低有限。另外，迅速地降低遮斷構(gòu)件的內(nèi)部的氧氣濃度也有限。因此，考慮在腔室(處理室)內(nèi)配置基板，向腔室內(nèi)供給非活性氣體等，來降低基板周圍的環(huán)境的氧氣濃度。但是，在例如在向腔室主體的內(nèi)部搬入基板后，利用腔室蓋部堵塞腔室主體的上部開口來形成腔室，并向被密閉的腔室內(nèi)供給非活性氣體等而形成低氧狀態(tài)的情況下，在腔室內(nèi)供給到基板上的處理液的霧滴或霧氣可能附著在覆蓋基板的上方的腔室蓋部的內(nèi)表面。另外，在基板處理裝置中，在利用處理液對基板進(jìn)行處理后，使基板進(jìn)行干燥。因此，優(yōu)選將用于對基板進(jìn)行干燥的空間保持清潔。但是，將利用處理液進(jìn)行處理的腔室內(nèi)保持清潔并不容易。

另外，在腔室的內(nèi)部設(shè)置有噴出部(噴嘴)的基板處理裝置中，在噴出部的周圍附著處理液等的液體。在該情況下，當(dāng)在搬出基板時(shí)等該液體的液滴落下到基板上時(shí)，導(dǎo)致基板被污染。也考慮向腔室的內(nèi)部供給氣體來使噴出部干燥，但是由于基板處理用的腔室大型，所以需要增大氣體流量，效率低下。

進(jìn)而，要高效地對基板進(jìn)行處理，優(yōu)選在搬入腔室內(nèi)后，使基板周圍迅速處于充分的低氧狀態(tài)。但是，由于基板處理用的腔室大型，所以要在搬入基板后使腔室內(nèi)迅速地處于充分的低氧狀態(tài)，需要增大氣體流量等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明面向?qū)暹M(jìn)行處理的基板處理裝置，其目的在于高效地使噴出部干燥。另一目的在于，將用于對基板進(jìn)行干燥的空間保持清潔以及抑制處理液的霧滴或霧氣進(jìn)入腔室蓋部的內(nèi)部空間。又一目的在于，在搬入腔室內(nèi)后使基板周圍迅速且高效地處于低氧狀態(tài)。

本發(fā)明的一個(gè)方式的基板處理裝置具有：

腔室蓋部，具有下部開口，并形成徑向的大小大于所述下部開口的徑向的大小的蓋內(nèi)部空間；

腔室主體，形成主體內(nèi)部空間，并且具有與所述下部開口在上下方向上相向的上部開口，通過由所述腔室蓋部覆蓋所述上部開口，該腔室主體與所述腔室蓋部一起形成腔室；

基板保持部，在所述腔室內(nèi)將基板保持為水平狀態(tài)；

噴出部，配置在所述蓋內(nèi)部空間，向所述基板的上表面噴出處理液；

噴出部移動(dòng)機(jī)構(gòu)，將所述噴出部有選擇地配置在所述下部開口的上方的噴出位置和在所述蓋內(nèi)部空間內(nèi)相對于所述下部開口在所述徑向上離開的待機(jī)位置；

氣體供給部，向所述蓋內(nèi)部空間供給氣體；

排氣部，排出所述蓋內(nèi)部空間內(nèi)的氣體；

控制部，通過控制所述噴出部移動(dòng)機(jī)構(gòu)，在從所述噴出部向所述基板供給處理液時(shí)，將所述噴出部配置在所述噴出位置，在未從所述噴出部向所述基板供給處理液的期間對所述噴出部進(jìn)行干燥時(shí)，將所述噴出部配置在所述待機(jī)位置。根據(jù)該基板處理裝置，能夠通過供給到蓋內(nèi)部空間的氣體高效地對噴出部進(jìn)行干燥。

在一個(gè)局面中，該基板處理裝置還具有：

遮蔽板，配置在所述蓋內(nèi)部空間，并與所述基板的所述上表面相向，

遮蔽板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使所述遮蔽板在所述蓋內(nèi)部空間相對于所述腔室蓋部在所述上下方向上移動(dòng)；

所述控制部通過控制所述遮蔽板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，在從所述噴出部向所述基板供給處理液時(shí)，將所述遮蔽板配置在所述噴出部的上方，在未從所述噴出部向所述基板供給處理液的期間對所述噴出部進(jìn)行干燥時(shí)，通過所述遮蔽板堵塞所述下部開口。

在另一個(gè)局面中，所述腔室蓋部具有排出所述蓋內(nèi)部空間內(nèi)的液體的排出口，

所述噴出部在配置在所述待機(jī)位置的狀態(tài)下進(jìn)行預(yù)噴出。

本發(fā)明的另一個(gè)方式的基板處理裝置具有：

腔室蓋部，具有下部開口，并形成蓋內(nèi)部空間，

腔室主體，形成主體內(nèi)部空間，并且具有與所述下部開口在上下方向相向的上部開口，通過由所述腔室蓋部覆蓋所述上部開口，該腔室主體與所述腔室蓋部一起形成腔室，

基板保持部，在所述腔室內(nèi)將基板保持為水平狀態(tài)，

基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使所述基板與所述基板保持部一起相對于所述腔室在所述上下方向上移動(dòng)，

處理液供給部，在所述基板配置在所述主體內(nèi)部空間時(shí)向所述基板的上表面供給處理液，

基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，在所述基板配置在所述蓋內(nèi)部空間時(shí)使所述基板與所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，

遮蔽板，配置在所述蓋內(nèi)部空間，并與所述基板的所述上表面相向，

遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使所述遮蔽板以朝向所述上下方向的中心軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，

清洗液供給部，向所述遮蔽板的上表面供給清洗液；

在所述蓋內(nèi)部空間內(nèi)，供給到旋轉(zhuǎn)的所述遮蔽板的所述上表面上的清洗液借助離心力從所述遮蔽板的所述上表面向所述腔室蓋部的內(nèi)側(cè)面飛散。

根據(jù)該基板處理裝置，能夠?qū)⒂糜趯暹M(jìn)行干燥的蓋內(nèi)部空間保持清潔。

該基板處理裝置還具有：

氣體供給部，向所述蓋內(nèi)部空間供給氣體；

排氣部，排出所述蓋內(nèi)部空間內(nèi)的氣體。

另外，該基板處理裝置還具有使所述遮蔽板在所述蓋內(nèi)部空間內(nèi)相對于所述腔室蓋部在所述上下方向上移動(dòng)的遮蔽板移動(dòng)機(jī)構(gòu)。在該情況下，更優(yōu)選，所述處理液供給部具有：

噴出部，配置在所述蓋內(nèi)部空間，向所述基板的所述上表面噴出處理液，

在從所述噴出部向所述基板供給處理液時(shí)，所述噴出部配置在所述噴出位置，且所述遮蔽板配置在所述噴出部的上方，

在未從所述噴出部向所述基板供給處理液時(shí)，所述噴出部配置在所述待機(jī)位置，

在向所述遮蔽板的所述上表面供給清洗液時(shí)，清洗液從所述遮蔽板的所述上表面向位于所述待機(jī)位置的所述噴出部飛散。

本發(fā)明的又一個(gè)方式的基板處理裝置具有：

腔室蓋部，具有下部開口，并形成徑向的大小大于所述下部開口的徑向的大小的蓋內(nèi)部空間，

腔室主體，形成主體內(nèi)部空間，并且與所述腔室蓋部一起形成腔室，

基板保持部，在所述主體內(nèi)部空間內(nèi)將基板保持為水平狀態(tài)，

處理液供給部，向所述基板的上表面供給處理液，

遮蔽板，配置在所述蓋內(nèi)部空間，并與所述基板的所述上表面相向，能夠堵塞所述下部開口，

遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使所述遮蔽板以朝向所述上下方向的中心軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，

膜形成液供給部，向所述遮蔽板的上表面供給膜形成液；

所述腔室蓋部具有：

上下反轉(zhuǎn)的杯狀的蓋主體部，

環(huán)狀的蓋底面部，從所述蓋主體部的下端部向徑向內(nèi)方擴(kuò)展，并且在中央部設(shè)置有所述下部開口；

在所述腔室內(nèi)，在所述遮蔽板從所述腔室蓋部的所述下部開口向上方離開的狀態(tài)下，供給到旋轉(zhuǎn)的所述遮蔽板的所述上表面上的膜形成液借助離心力從所述遮蔽板的所述上表面流向所述蓋底面部的上表面，由此在所述遮蔽板和所述蓋底面部之間形成環(huán)狀的液膜。根據(jù)該基板處理裝置，能夠抑制處理液的霧滴或霧氣進(jìn)入腔室蓋部的內(nèi)部空間。

在一個(gè)局面中，該基板處理裝置還具有氣體供給部，該氣體供給部從在所述遮蔽板的下表面的中央部設(shè)置的氣體噴出口向所述遮蔽板的所述下表面和所述基板的所述上表面之間的空間供給氣體。

在另一個(gè)局面中，所述處理液供給部具有

噴出頭，噴出處理液，

頭支撐部，其為在水平方向上延伸的構(gòu)件，在自由端部固定有所述噴出頭，固定端部在所述蓋內(nèi)部空間內(nèi)安裝在所述腔室蓋部的所述蓋主體部上；

所述基板處理裝置還具有使所述噴出頭與所述頭支撐部一起以所述固定端部為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，

在向所述基板上供給處理液時(shí)，通過所述頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述噴出頭以及所述頭支撐部旋轉(zhuǎn)，所述噴出頭配置在所述遮蔽板和所述下部開口之間，從所述噴出頭經(jīng)由所述下部開口向所述基板的所述上表面噴出處理液。

本發(fā)明的又一個(gè)方式的基板處理裝置具有：

腔室蓋部，具有下部開口以及側(cè)部開口，并形成蓋內(nèi)部空間；

腔室主體，形成主體內(nèi)部空間，并且，具有與所述下部開口在上下方向上相向的上部開口，該腔室主體與覆蓋所述上部開口的所述腔室蓋部一起形成腔室；

基板保持部，在所述腔室內(nèi)將基板保持為水平狀態(tài)；

側(cè)部開口開閉機(jī)構(gòu)，在將所述基板向所述腔室內(nèi)搬入以及向所述腔室外搬出時(shí)，對所述基板通過的所述側(cè)部開口進(jìn)行開閉；

基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使所述基板與所述基板保持部一起相對于所述腔室在所述上下方向上移動(dòng)；

處理液供給部，在所述基板配置在所述主體內(nèi)部空間時(shí)向所述基板的上表面供給處理液；

基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，在所述基板配置在所述蓋內(nèi)部空間時(shí)，使所述基板與所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，由此使所述基板干燥；

氣體供給部，向所述蓋內(nèi)部空間供給氣體。

根據(jù)該基板處理裝置，剛搬入腔室內(nèi)后配置基板的蓋內(nèi)部空間是使用了氣體進(jìn)行干燥處理的空間，由此在搬入腔室內(nèi)后，使基板的周圍迅速處于低氧狀態(tài)且高效供給氣體而處于低氧狀態(tài)。

該基板處理裝置還具有：

遮蔽板，配置在所述蓋內(nèi)部空間，并與所述基板的所述上表面相向；

遮蔽板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，有選擇地使所述遮蔽板配置在與在所述蓋內(nèi)部空間配置的所述基板的所述上表面接近的接近位置和從所述基板的所述上表面離開的離開位置。

在該情況下，優(yōu)選所述蓋內(nèi)部空間的徑向的大小大于所述下部開口的徑向的大小，在所述腔室內(nèi)未配置基板的期間，所述遮蔽板堵塞所述下部開口。另外，所述氣體供給部經(jīng)由在所述遮蔽板的下表面的中央部設(shè)置的氣體噴出口向所述遮蔽板的所述下表面和所述基板的所述上表面之間的空間供給氣體。

本發(fā)明面向在基板處理裝置對基板進(jìn)行處理的基板處理方法。本發(fā)明的一個(gè)方式的基板處理方法中，所述基板處理裝置具有：

腔室蓋部，具有下部開口，并形成蓋內(nèi)部空間，

腔室主體，形成主體內(nèi)部空間，并且具有與所述下部開口在上下方向上相向的上部開口，通過由所述腔室蓋部覆蓋所述上部開口，該腔室主體與所述腔室蓋部一起形成腔室，

基板保持部，在所述腔室內(nèi)將基板保持為水平狀態(tài)，

基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使所述基板與所述基板保持部一起相對于所述腔室在所述上下方向上移動(dòng)，

處理液供給部，在所述基板配置在所述主體內(nèi)部空間時(shí)向所述基板的上表面供給處理液，

遮蔽板，配置在所述蓋內(nèi)部空間，并與所述基板的所述上表面相向；

所述基板處理方法包括：

a)工序，使所述遮蔽板以朝向所述上下方向的中心軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，

b)工序，與所述a)工序并行，向所述遮蔽板的上表面供給清洗液；

在所述b)工序中，所述清洗液借助離心力從所述遮蔽板的所述上表面向所述腔室蓋部的內(nèi)側(cè)面飛散。

根據(jù)該基板處理方法，能夠?qū)⒂糜趯暹M(jìn)行干燥的蓋內(nèi)部空間保持清潔。

在本發(fā)明的另一個(gè)方式的基板處理方法中，該基板處理裝置具有：

腔室蓋部，具有下部開口，并形成徑向的大小大于所述下部開口的徑向的大小的蓋內(nèi)部空間，

腔室主體，形成主體內(nèi)部空間，并且與所述腔室蓋部一起形成腔室，

遮蔽板，配置在所述蓋內(nèi)部空間，并與所述基板的上表面相向，能夠堵塞所述下部開口，

遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使所述遮蔽板以朝向所述上下方向的中心軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；

所述腔室蓋部具有：

蓋主體部，以所述中心軸為中心，

環(huán)狀的蓋底面部，從所述蓋主體部的下端部向徑向內(nèi)方擴(kuò)展，并且在中央部設(shè)置有所述下部開口；其特征在于，

該基板處理方法包括：

a)工序，在所述腔室內(nèi)，向以從所述腔室蓋部的所述下部開口向上方離開的狀態(tài)下進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的所述遮蔽板的所述上表面供給膜形成液，通過借助離心力從所述遮蔽板的所述上表面流向所述蓋底面部的上表面的所述膜形成液，在所述遮蔽板和所述蓋底面部之間形成環(huán)狀的液膜，

b)工序，在形成有所述液膜的狀態(tài)下，向所述基板的上表面供給處理液。

根據(jù)該基板處理方法，能夠抑制處理液的霧滴或霧氣進(jìn)入腔室蓋部的內(nèi)部空間。

上述的目的以及其他目的、特征、方式以及優(yōu)點(diǎn)通過以下參照附圖進(jìn)行的本發(fā)明的詳細(xì)的說明更加清楚。

附圖說明

圖1是表示第一實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖2是表示基板處理裝置的剖視圖。

圖3是表示基板處理裝置的剖視圖。

圖4是表示腔室蓋部內(nèi)的掃描噴嘴的圖。

圖5是表示氣液供給部以及氣液排出部的框圖。

圖6是表示基板的處理的流程的圖。

圖7是表示基板處理裝置的剖視圖。

圖8是表示對腔室蓋部的內(nèi)部進(jìn)行清洗的處理的流程的圖。

圖9是用于說明對腔室蓋部的內(nèi)部進(jìn)行清洗的動(dòng)作的圖。

圖10是表示基板處理裝置的其他例子的剖視圖。

圖11是表示第二實(shí)施方式的氣液供給部以及氣液排出部的框圖。

圖12是表示基板的處理的流程的圖。

圖13是表示基板處理裝置的剖視圖。

圖14是表示基板處理裝置的剖視圖。

圖15是表示基板處理裝置的其他例子的剖視圖。

圖16是表示第三實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖17是表示基板處理裝置的剖視圖。

圖18是表示氣液供給部以及氣液排出部的框圖。

圖19是表示基板的處理的流程的圖。

圖20是表示基板處理裝置的剖視圖。

圖21是表示基板處理裝置的剖視圖。

具體實(shí)施方式

圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置1的結(jié)構(gòu)的剖視圖?；逄幚硌b置1是向大致圓板狀的半導(dǎo)體基板9(以下僅稱為“基板9”。)供給處理液來對基板9一張一張進(jìn)行處理的單張式的裝置。在圖1中，對基板處理裝置1的一部分的結(jié)構(gòu)的剖面省略標(biāo)注平行斜線(在其他剖視圖也同樣)。

基板處理裝置1具有腔室21、基板保持部31、基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35、第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41、第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42、第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43、遮蔽板51、遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55、殼體11。殼體11容納腔室21、基板保持部31、遮蔽板51等。

腔室21呈以朝向上下方向的中心軸J1為中心的有蓋且有底的大致圓筒狀。腔室21具有腔室主體22和腔室蓋部23。腔室主體22和腔室蓋部23在上下方向上相向。在圖1所示的狀態(tài)下，腔室主體22和腔室蓋部23在上下方向上分離。腔室主體22呈以中心軸J1為中心的有底大致圓筒狀，形成主體內(nèi)部空間221。腔室蓋部23呈以中心軸J1為中心的有蓋大致圓筒狀，形成蓋內(nèi)部空間231。腔室主體22的外徑和腔室蓋部23的外徑大致相等。

腔室主體22具有大致圓形的上部開口222。腔室蓋部23具有大致圓形的下部開口232。腔室主體22的上部開口222與腔室蓋部23的下部開口232在上下方向上相向。腔室主體22的上部開口222的直徑和腔室蓋部23的下部開口232的直徑大致相等。另外，腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231的在以中心軸J1為中心的徑向上的大小，大于下部開口232的徑向的大小(即，直徑)。關(guān)于腔室主體22以及腔室蓋部23的詳細(xì)結(jié)構(gòu)在后面敘述。

基板保持部31呈以中心軸J1為中心的大致圓板狀?；灞３植?1配置在基板9的下方，將基板9的外緣部保持為水平狀態(tài)。在圖1所示的狀態(tài)下，基板保持部31在上下方向上位于腔室主體22和腔室蓋部23之間。基板保持部31的直徑大于基板9的直徑。基板保持部31的直徑小于腔室主體22的上部開口222的直徑、以及腔室蓋部23的下部開口232的直徑。腔室主體22的上部開口222以及腔室蓋部23的下部開口232與基板9以及基板保持部31在上下方向上相向?；逍D(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35配置在基板保持部31的下方?；逍D(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使基板9以中心軸J1為中心與基板保持部31一起進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。

遮蔽板51呈以中心軸J1為中心的大致圓板狀。遮蔽板51配置在作為腔室蓋部23的內(nèi)部空間的蓋內(nèi)部空間231。期望遮蔽板51的徑向的大小(即，直徑)大于腔室蓋部23的下部開口232的直徑。遮蔽板51能夠堵塞腔室蓋部23的下部開口232。遮蔽板51經(jīng)由下部開口232與基板保持部31所保持的基板9的上表面91在上下方向上相向。

遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55配置在遮蔽板51的上方。遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55例如是中空軸馬達(dá)。通過遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55，遮蔽板51在腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231以中心軸J1為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55對遮蔽板51的旋轉(zhuǎn)與基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35對基板9的旋轉(zhuǎn)彼此獨(dú)立進(jìn)行。

遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55的旋轉(zhuǎn)軸551經(jīng)由在殼體11的上部設(shè)置的貫通孔、以及、在腔室蓋部23的上部設(shè)置的貫通孔，與遮蔽板51連接。殼體11的該貫通孔的周圍的部位和腔室蓋部23的該貫通孔的周圍的部位通過能夠在上下方向上伸縮的大致圓筒狀的伸縮構(gòu)件111(例如波紋管)連接。另外，在旋轉(zhuǎn)軸551上設(shè)置有大致圓板狀的凸緣部553，凸緣部553的外周部與殼體11的上述貫通孔的周圍的部位通過能夠在上下方向上伸縮的大致圓筒狀的伸縮構(gòu)件552(例如波紋管)連接。在基板處理裝置1中，通過凸緣部553以及伸縮構(gòu)件552，將殼體11內(nèi)的空間與殼體11外的空間隔離。另外，通過伸縮構(gòu)件111，腔室蓋部23內(nèi)的空間與殼體11內(nèi)且腔室蓋部23外的空間隔離。

第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41例如配置在殼體11的上側(cè)。第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41將遮蔽板51與遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55一起在上下方向上移動(dòng)。遮蔽板51通過第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41在腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231在上下方向上移動(dòng)。如上所述，由于遮蔽板51大于腔室蓋部23的下部開口232，所以遮蔽板51不會(huì)經(jīng)由下部開口232向腔室蓋部23的外部(后述的蓋底面部234的下方)移動(dòng)。第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41例如具有馬達(dá)和滾珠絲桿(在第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43中也同樣)。

腔室蓋部23具有蓋主體部233和蓋底面部234。蓋主體部233呈以中心軸J1為中心的有蓋大致圓筒狀。換言之，蓋主體部233呈上下反轉(zhuǎn)的杯狀。如已經(jīng)敘述那樣，蓋主體部233的中央部的貫通孔、即腔室蓋部23的上部上的貫通孔由伸縮構(gòu)件111、552、殼體11的上部的一部分、以及、凸緣部553堵塞。對該貫通孔堵塞的這些構(gòu)件可以作為蓋主體部233的一部分。另外，由伸縮構(gòu)件111、552形成的筒狀的空間是蓋內(nèi)部空間231的一部分。

蓋底面部234呈以中心軸J1為中心的大致圓環(huán)板狀，在中央部設(shè)置有上述的下部開口232。蓋底面部234從蓋主體部233的下端部向徑向內(nèi)方擴(kuò)展。蓋底面部234的上表面235以及下表面236是越接近徑向外方則越接近下方的傾斜面。在腔室蓋部23的蓋底面部234和蓋主體部233的連接部設(shè)置有蓋部排出口237。蓋內(nèi)部空間231內(nèi)的液體以及氣體經(jīng)由蓋部排出口237排出。

在圖1所示的狀態(tài)下，與腔室蓋部23的下部開口232重疊的遮蔽板51的下表面512，在下部開口232的整個(gè)周圍與蓋底面部234的上表面235接觸。具體地說，遮蔽板51的下表面512的外周部在整周與蓋底面部234的上表面235中的下部開口232附近的部位接觸。由此，腔室蓋部23的下部開口232被遮蔽板51堵塞，下部開口232的上方的蓋內(nèi)部空間231成為封閉空間。此外，在本實(shí)施方式中，遮蔽板51和蓋底面部234的接觸部并不是完全的氣密結(jié)構(gòu)，所以蓋內(nèi)部空間231與外部的空間并未完全遮斷，但是，也可以采用該接觸部具有密封構(gòu)件等的氣密結(jié)構(gòu)，形成蓋內(nèi)部空間231與外部的空間隔離的密閉空間。

第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42配置在腔室主體22的側(cè)方，使腔室蓋部23在上下方向上移動(dòng)。具體地說，腔室蓋部23通過第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42在圖1所示的“上位置”和圖2所示的“下位置”之間移動(dòng)。在腔室蓋部23配置在上位置的狀態(tài)下，下部開口232相比基板保持部31上的基板9位于上方，在腔室蓋部23配置在下位置的狀態(tài)下，下部開口232相比基板保持部31上的基板9位于下方。在腔室蓋部23從上位置向位于上位置的下方的下位置移動(dòng)時(shí)，通過第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41，遮蔽板51也在上下方向上移動(dòng)。實(shí)際上，遮蔽板51相對于腔室蓋部23在上下方向上的相對位置被變更。這樣，第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41以及第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42是使遮蔽板51在腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231相對于腔室蓋部23在上下方向相對移動(dòng)的遮蔽板移動(dòng)機(jī)構(gòu)。

如圖1所示，腔室主體22具有外筒部223、外筒連接部224、杯部225、主體底部226。杯部225呈以中心軸J1為中心的大致圓筒狀。杯部225位于腔室蓋部23的下方并在整周位于基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35的徑向外側(cè)。杯部225具有以中心軸J1為中心的大致圓筒狀的杯側(cè)壁部227a和從杯側(cè)壁部227a的上端向徑向內(nèi)方擴(kuò)展的大致圓環(huán)板狀的杯頂蓋部227b。

外筒部223呈以中心軸J1為中心的大致圓筒狀。外筒部223在整周位于杯部225的徑向外側(cè)。外筒部223例如是各自呈周狀的多個(gè)山形折線和各自呈周狀的多個(gè)谷形折線在上下方向交替排列的波紋管。在外筒部223、杯部225以及基板保持部31的下方配置了有底大致圓筒狀的主體底部226。外筒部223的下端部在整周與主體底部226的側(cè)壁部的上端部連接。在主體底部226的底面部設(shè)置有主體排出口226a。主體排出口226a在作為腔室主體22的內(nèi)部空間的主體內(nèi)部空間221中配置在基板9、基板保持部31以及杯部225的下方。腔室主體22內(nèi)的液體以及氣體經(jīng)由主體排出口226a向腔室主體22外(即，腔室21外)排出。在主體底部226也可以設(shè)置有在周向排列的多個(gè)主體排出口226a。

外筒連接部224呈以中心軸J1為中心的大致圓環(huán)板狀。外筒連接部224將外筒部223的上端部與杯部225的外緣部連接。具體地說，外筒連接部224將外筒部223的上端部與杯頂蓋部227b的外緣部連接。通過外筒連接部224，將外筒部223的上端部和杯部225之間的間隙堵塞。

第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43配置在腔室主體22的側(cè)方，使腔室主體22的一部分在上下方向上移動(dòng)。具體地說，通過第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，腔室主體22的杯部225在圖1以及圖2所示的“下位置”和圖3所示的“上位置”之間移動(dòng)。在杯部225配置在下位置的狀態(tài)下，上部開口222相比基板保持部31上的基板9位于下方，在杯部225配置在上位置的狀態(tài)下，上部開口222相比基板保持部31上的基板9位于上方。在杯部225在上下方向上移動(dòng)時(shí)，外筒部223在上下方向上伸縮。此外，在基板處理裝置1中，腔室主體22的主體底部226以及基板保持部31不會(huì)在上下方向上移動(dòng)。

如圖2所示，在腔室蓋部23位于下位置，并且腔室主體22的杯部225也位于下位置的狀態(tài)下，使腔室主體22的上部開口222與腔室蓋部23的下部開口232相向，并且該上部開口222由腔室蓋部23覆蓋。由此，在內(nèi)部具有密閉空間(即，包括蓋內(nèi)部空間231以及主體內(nèi)部空間221的空間，以下稱為“腔室空間”。)的腔室21由腔室蓋部23以及腔室主體22形成。詳細(xì)地說，腔室蓋部23中的蓋主體部233和蓋底面部234的連接部經(jīng)由外筒連接部224在整周與腔室主體22的外筒部223接觸，從而形成腔室21。

另外，如圖3所示，在腔室主體22的杯部225位于上位置且腔室蓋部23也位于上位置的狀態(tài)下也同樣，腔室主體22的上部開口222與腔室蓋部23的下部開口232接近，腔室蓋部23覆蓋上部開口222。由此，腔室主體22與腔室蓋部23一起形成腔室21。如圖2以及圖3所示，在腔室21的內(nèi)部(即，腔室空間)容納基板9以及基板保持部31。另一方面，如圖1所示，在腔室蓋部23位于上位置且腔室主體22的杯部225位于下位置的狀態(tài)下，腔室蓋部23的下部開口232從上部開口222向上方離開。因此，在基板保持部31上的基板9的周圍，在腔室蓋部23的蓋底面部234和杯部225的杯頂蓋部227b之間形成有環(huán)狀的間隙，腔室21被開放(即，上部開口222實(shí)質(zhì)上被開放。)。如上所述，第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43是使腔室蓋部23相對于腔室主體22在上下方向上相對移動(dòng)，通過腔室蓋部23覆蓋腔室主體22的上部開口222來形成腔室21的腔室開閉機(jī)構(gòu)。

圖4是表示腔室蓋部23的內(nèi)部的圖，表示與中心軸J1垂直的腔室蓋部23的剖面。在圖4中，遮蔽板51用雙點(diǎn)劃線表示。如圖3以及圖4所示，在腔室蓋部23安裝有作為噴出部的掃描噴嘴186。掃描噴嘴186配置在蓋內(nèi)部空間231內(nèi)，向基板9的上表面91噴出處理液。掃描噴嘴186具有噴出頭861和頭支撐部862。噴出頭861向下方噴出處理液。頭支撐部862是支撐噴出頭861的在大致水平方向上延伸的構(gòu)件。頭支撐部862在俯視下(參照圖4)向徑向外側(cè)凸出彎曲。換言之，掃描噴嘴186呈大致圓弧狀，在蓋內(nèi)部空間231中，掃描噴嘴186配置成，頭支撐部862沿著蓋主體部233的側(cè)壁部。頭支撐部862的一個(gè)端部(即，固定端部)在蓋內(nèi)部空間231安裝在腔室蓋部23的蓋主體部233的頂蓋部238(參照圖3)。在頭支撐部862的另一個(gè)端部(即，自由端部)固定有噴出頭861。

在腔室蓋部23的頂蓋部238的上表面設(shè)置有頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863。頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863使噴出頭861與頭支撐部862一起以頭支撐部862的固定端部為中心大致水平地旋轉(zhuǎn)。通過頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863，噴出頭861有選擇地配置在下部開口232的上方的噴出位置(參照圖4中的雙點(diǎn)劃線所示的掃描噴嘴186)和在蓋內(nèi)部空間231相對于下部開口232在徑向上離開的待機(jī)位置(參照圖4中的實(shí)線所示的掃描噴嘴186)。換言之，頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863能夠?qū)呙鑷娮?86配置在噴出頭861與基板9的上表面91相向的噴出位置和掃描噴嘴186的整體位于蓋底面部234的上方的待機(jī)位置(也是杯頂蓋部227b的上方的位置。)。這樣，頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863是使作為噴出部的掃描噴嘴186在蓋內(nèi)部空間231移動(dòng)的噴出部移動(dòng)機(jī)構(gòu)。配置在待機(jī)位置的掃描噴嘴186不會(huì)與在上下方向移動(dòng)的遮蔽板51接觸。此外，噴出部移動(dòng)機(jī)構(gòu)可以包括使噴出頭861以及頭支撐部862在上下方向上移動(dòng)的頭升降機(jī)構(gòu)。

如圖1所示，在遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55的旋轉(zhuǎn)軸551內(nèi)設(shè)置有上部中央噴嘴181。在上部中央噴嘴181的下端的中央部設(shè)置有向基板9的上表面91噴出處理液的處理液噴出口。從后述的純水供給部814(參照圖5)送出的純水從處理液噴出口噴出。另外，在上部中央噴嘴181的下端中，在處理液噴出口的周圍設(shè)置有大致環(huán)狀的氣體噴出口。從后述的非活性氣體供給部816送出的非活性氣體從氣體噴出口向遮蔽板51的下方的空間(即，遮蔽板51的下表面512和基板9的上表面91之間的空間)供給。上部中央噴嘴181的下端在上下方向上配置在與遮蔽板51的下表面512大致相同的位置。即，上部中央噴嘴181的處理液噴出口以及氣體噴出口設(shè)置在遮蔽板51的下表面512的中央部。

在基板保持部31的中央設(shè)置有下部噴嘴180。下部噴嘴180隔著基板9與上部中央噴嘴181相向。下部噴嘴180的上端部從基板9的下表面92稍微離開。在腔室蓋部23的蓋主體部233的頂蓋部238上設(shè)置有多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182以及多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189。多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182以及多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189位于遮蔽板51的上方，在上下方向上與遮蔽板51的上表面511相向。多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182以中心軸J1為中心呈周狀配置。多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189比多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182靠徑向內(nèi)側(cè)(中心軸J1側(cè))。

圖5是表示基板處理裝置1具有的氣液供給部18以及氣液排出部19的框圖。氣液供給部18具有處理液供給部811、氣體供給部812、清洗液供給部810。處理液供給部811具有掃描噴嘴186、上部中央噴嘴181、下部噴嘴180、藥液供給部813、純水供給部814。藥液供給部813經(jīng)由閥與掃描噴嘴186連接。純水供給部814經(jīng)由閥與上部中央噴嘴181連接。純水供給部814還經(jīng)由閥與下部噴嘴180連接。

氣體供給部812具有上部中央噴嘴181、多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182、非活性氣體供給部816。非活性氣體供給部816經(jīng)由閥與上部中央噴嘴181連接。非活性氣體供給部816還經(jīng)由閥與多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182連接。清洗液供給部810具有多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189、下部噴嘴180、純水供給部814。如已經(jīng)敘述那樣，純水供給部814與下部噴嘴180連接。純水供給部814還經(jīng)由閥與多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189。

在氣液供給部18中，上部中央噴嘴181由處理液供給部811以及氣體供給部812共有，下部噴嘴180由處理液供給部811以及清洗液供給部810共有。另外，純水供給部814由處理液供給部811以及清洗液供給部810共有。處理液供給部811、氣體供給部812以及清洗液供給部810也可以由彼此獨(dú)立的結(jié)構(gòu)構(gòu)件構(gòu)成。另外，在腔室21設(shè)置的噴嘴的配置可以適當(dāng)變更。

氣液排出部19具有主體排出口226a、蓋部排出口237、氣液分離部193、主體排氣部194、藥液回收部195a、排液部196、氣液分離部197、蓋排氣部198、藥液回收部195b、排液部199。在腔室主體22設(shè)置的主體排出口226a與氣液分離部193連接。氣液分離部193分別經(jīng)由閥與主體排氣部194、藥液回收部195a以及排液部196連接。在腔室蓋部23設(shè)置的蓋部排出口237與氣液分離部197連接。氣液分離部197分別經(jīng)由閥與蓋排氣部198、藥液回收部195b以及排液部199連接。氣液供給部18以及氣液排出部19的各結(jié)構(gòu)由控制部10控制。第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41、第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42、第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43、基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35以及遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55(參照圖1)也由控制部10控制。

從藥液供給部813經(jīng)由掃描噴嘴186向基板9上供給的藥液例如是聚合物除去液、或氫氟酸、氫氧化四甲銨水溶液等的蝕刻液。純水供給部814經(jīng)由上部中央噴嘴181以及下部噴嘴180向基板9供給純水(DIW：deionized water，去離子水)。處理液供給部811可以具有供給除了上述藥液以及純水以外的處理液(例如、異丙醇(IPA)等的溶劑、或者其他酸、堿溶液、除去液等)的其他供給部。如后述那樣，從純水供給部814向蓋內(nèi)部空間231供給的純水也是對腔室蓋部23的內(nèi)部進(jìn)行清洗的清洗液。清洗液供給部810可以具有供給除了純水以外的清洗液的其他供給部。從非活性氣體供給部816供給的氣體例如是氮?dú)?N₂)。氣體供給部812可以具有供給除了氮?dú)庖酝獾姆腔钚詺怏w、或供給除了非活性氣體以外的氣體的其他供給部。

接著，參照圖6來說明基板處理裝置1對基板9的處理的流程。在基板處理裝置1中，首先，如圖1所示，腔室蓋部23位于上位置，腔室主體22的杯部225位于下位置。換言之，處于腔室21被開放的狀態(tài)。另外，遮蔽板51與腔室蓋部23的下部開口232重疊，遮蔽板51的下表面512與蓋底面部234的上表面235接觸，從而堵塞下部開口232，蓋內(nèi)部空間231成為封閉空間。進(jìn)而，在基板處理裝置1中，從氣體供給部812(參照圖5)的多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)?，并且，蓋內(nèi)部空間231內(nèi)的氣體從蓋部排出口237向腔室蓋部23的外部排出。因此，向蓋內(nèi)部空間231填充氮?dú)?步驟S111)。在基板處理裝置中，作為原則，向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)?、以及從蓋內(nèi)部空間231內(nèi)排出氣體總是進(jìn)行。

在步驟S111中，腔室蓋部23的下部開口232未必由遮蔽板51密閉，如果遮蔽板51與下部開口232重疊，則遮蔽板51和蓋底面部234之間也可以存在微小的間隙。即使在該狀態(tài)下，通過控制從氣體供給部812向蓋內(nèi)部空間231供給的氮?dú)獾墓┙o量，使向蓋內(nèi)部空間231流入的氮?dú)獾牧魅肓颗c從該間隙以及蓋部排出口237流出的氣體的流出量大約相等，從而能夠向蓋內(nèi)部空間231填充氮?dú)?。此外，在圖1中，圖示了基板9，但步驟S111在基板9向基板處理裝置1搬入之前進(jìn)行。

接著，如上所述，在腔室蓋部23從腔室主體22離開的狀態(tài)下，通過外部的搬送機(jī)構(gòu)從在殼體11設(shè)置的搬入搬出口(省略圖示)向殼體11內(nèi)搬入基板9?；?通過蓋底面部234的下表面236和杯頂蓋部227b的上表面之間的間隙向遮蔽板51的下方移動(dòng)，并由基板保持部31保持(步驟S112)。在步驟S112中，基板9在腔室主體22的上部開口222的上方由基板保持部31保持。

當(dāng)基板9由基板保持部31保持時(shí)，第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，來使腔室蓋部23下降，腔室蓋部23從圖1所示的上位置向圖2所示的下位置移動(dòng)。換言之，腔室蓋部23相對于腔室主體22在上下方向上相對移動(dòng)。并且，腔室主體22的上部開口222由腔室蓋部23覆蓋，腔室21被堵塞(步驟S113)。即，形成在內(nèi)部容納基板9以及基板保持部31的腔室21。此時(shí)，通過第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，遮蔽板51相對于腔室蓋部23相對上升，在腔室21內(nèi)，遮蔽板51從腔室蓋部23的下部開口232向上方離開。

如上所述，通過使腔室蓋部23從上位置向下位置移動(dòng)，由基板保持部31保持的基板9通過腔室蓋部23的下部開口232向蓋內(nèi)部空間231移動(dòng)。換言之，在步驟S113中形成了腔室21的狀態(tài)下，基板9位于腔室空間中的蓋內(nèi)部空間231。如上所述，由于蓋內(nèi)部空間231填充了氮?dú)猓酝ㄟ^使基板9向蓋內(nèi)部空間231移動(dòng)，能夠使基板9的周圍迅速處于氮?dú)猸h(huán)境(即，低氧環(huán)境)。在蓋內(nèi)部空間231中，基板9的上表面91和遮蔽板51的下表面512在上下方向上相向并接近。

在圖2所示的狀態(tài)下，從位于遮蔽板51的上方的多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)猓瑥亩w內(nèi)部空間231的氣壓高于主體內(nèi)部空間221的氣壓。因此，蓋內(nèi)部空間231的氮?dú)鈴恼诒伟?1和腔室蓋部23的蓋底面部234之間的間隙，經(jīng)由下部開口232以及上部開口222向主體內(nèi)部空間221送出(供給)。另外，主體內(nèi)部空間221內(nèi)的氣體從主體排出口226a向腔室21的外部排出。由此，從形成腔室21起經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，還向主體內(nèi)部空間221供給來自氣體供給部812的氮?dú)狻Q言之，通過氣體供給部812向腔室21內(nèi)供給并填充氮?dú)?步驟S114)。以下將步驟S114的處理稱為“氣體置換處理”。

在步驟S114的氣體置換處理中，除了多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182外，上部中央噴嘴181也用于向腔室21內(nèi)供給氮?dú)狻＜?，來自氣體供給部812的氮?dú)饨?jīng)由上部中央噴嘴181的氣體噴出口向遮蔽板51的下表面512和基板9的上表面91之間的空間供給。由此，能夠?qū)⒄诒伟?1和基板9之間的空間的環(huán)境迅速地置換為氮?dú)猸h(huán)境。

接著，第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，使腔室蓋部23以及腔室主體22的杯部225上升，腔室蓋部23以及杯部225分別從圖2所示的下位置向圖7所示的上位置移動(dòng)。換言之，通過第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，基板9與基板保持部31一起相對于腔室21相對地下降。第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43是使基板9與基板保持部31一起相對于腔室21在上下方向上相對移動(dòng)的基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)。此時(shí)，第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，遮蔽板51相對于腔室蓋部23的相對位置沒有變更。即，通過第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41，維持遮蔽板51從腔室蓋部23的下部開口232向上方離開的狀態(tài)。

如上所述，通過腔室21從下位置向上位置移動(dòng)，在腔室21內(nèi)，基板9從蓋內(nèi)部空間231經(jīng)由下部開口232以及上部開口222向主體內(nèi)部空間221移動(dòng)(步驟S115)。由此，杯部225位于腔室蓋部23的下方并在整周位于基板9以及基板保持部31的徑向外側(cè)。

當(dāng)基板9位于主體內(nèi)部空間221時(shí)，開始通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使基板9旋轉(zhuǎn)。另外，從藥液供給部813(參照圖5)向在下部開口232的徑向外側(cè)的待機(jī)位置配置的掃描噴嘴186供給規(guī)定量的藥液。由此，從處于在待機(jī)位置配置的狀態(tài)的噴出頭861(參照圖4)噴出藥液、即進(jìn)行預(yù)噴出(步驟S116)。從噴出頭861噴出的藥液由蓋底面部234的上表面235接受，被向蓋部排出口237引導(dǎo)。通過了蓋部排出口237的藥液流入圖5所示的氣液分離部197。在藥液回收部195b中，從氣液分離部197回收藥液，經(jīng)由過濾器等從藥液除去雜質(zhì)等后，被再次利用。

當(dāng)預(yù)噴出結(jié)束時(shí)，通過圖7所示的頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863使掃描噴嘴186旋轉(zhuǎn)。由此，如圖3所示，噴出頭861通過遮蔽板51的下表面512和蓋底面部234的上表面235之間，配置在遮蔽板51和下部開口232之間、即配置在基板9的上方的噴出位置。進(jìn)而，頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863由控制部10控制，使噴出頭861在基板9的上方開始往復(fù)移動(dòng)。噴出頭861沿著連接基板9的中心部和外緣部的規(guī)定的移動(dòng)路徑在水平方向上持續(xù)往復(fù)移動(dòng)。并且，從藥液供給部813向噴出頭861供給藥液，從蓋內(nèi)部空間231內(nèi)的噴出頭861經(jīng)由下部開口232向主體內(nèi)部空間221內(nèi)的基板9的上表面91供給藥液(步驟S117)。

來自噴出頭861的藥液向旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91連續(xù)地供給。藥液借助離心力在上表面91上向徑向外方擴(kuò)展，整個(gè)上表面91由藥液覆蓋。通過從在水平方向上擺動(dòng)的噴出頭861向旋轉(zhuǎn)中的基板9供給藥液，能夠向基板9的上表面91大致均勻地供給藥液。另外，還能提高基板9上的藥液的溫度的均勻性。其結(jié)果，能夠提高對基板9的藥液處理的均勻性。

從旋轉(zhuǎn)的基板9的外周緣飛散的藥液由杯部225接受，并向在杯部225的下方配置的主體排出口226a引導(dǎo)。通過了主體排出口226a的藥液流入圖5所示的氣液分離部193。在藥液回收部195a中，從氣液分離部193回收藥液，經(jīng)由過濾器等從藥液中除去雜質(zhì)等后，被再次利用。

另外，在形成有腔室21的狀態(tài)下，作為上部開口222的邊緣的杯頂蓋部227b的內(nèi)緣部與作為下部開口232的邊緣的蓋底面部234的內(nèi)緣部抵接。由此，防止從基板9的上表面91飛散的藥液附著在蓋底面部234的下表面236(在后述的步驟S118的處理中也同樣)。因此，在后述的基板9的搬出(以及、下一個(gè)基板9的搬入)時(shí)，能夠防止液體從形成基板9通過的路徑的蓋底面部234的下表面236落下到基板9的上表面91。

在基板處理裝置1中，在向基板9供給藥液的期間，優(yōu)選也如上述那樣，持續(xù)通過氣體供給部812供給氮?dú)猓_保腔室空間內(nèi)的氮?dú)猸h(huán)境(在后述的純水的供給時(shí)也同樣)。另外，也可以從上部中央噴嘴181的氣體噴出口噴出氮?dú)?，更可靠地確?；?的周圍的氮?dú)猸h(huán)境。

當(dāng)從開始供給藥液起經(jīng)過規(guī)定時(shí)間時(shí)，停止從掃描噴嘴186向基板9供給藥液。另外，通過頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863，使掃描噴嘴186通過遮蔽板51的下表面512和蓋底面部234的上表面235之間，如圖7所示，移動(dòng)到在上下方向上與下部開口232不重疊的待機(jī)位置。這樣，在從掃描噴嘴186向基板9供給處理液時(shí)，通過頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863將掃描噴嘴186配置在噴出位置，在不從掃描噴嘴186向基板9供給處理液時(shí)，通過頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863將掃描噴嘴186配置在待機(jī)位置。

當(dāng)掃描噴嘴186移動(dòng)到待機(jī)位置時(shí)，通過純水供給部814(參照圖5)，經(jīng)由上部中央噴嘴181以及下部噴嘴180向基板9的上表面91以及下表面92供給作為沖洗液的純水(步驟S118)。來自純水供給部814的純水連續(xù)地向基板9的上表面91以及下表面92的中央部供給。純水通過基板9的旋轉(zhuǎn)向上表面91以及下表面92的外周部擴(kuò)展，并從基板9的外周緣向外側(cè)飛散。從基板9飛散的純水由杯部225接受，并被引導(dǎo)至主體排出口226a。通過主體排出口226a的純水經(jīng)由氣液分離部193以及排液部196(參照圖5)被廢棄。由此，與基板9的上表面91的沖洗處理以及下表面92的清洗處理一起，杯部225內(nèi)的清洗也實(shí)質(zhì)上被進(jìn)行。當(dāng)從開始供給純水起經(jīng)過規(guī)定時(shí)間時(shí)，停止從純水供給部814供給純水。

當(dāng)對基板9的處理液(藥液以及純水)的供給結(jié)束時(shí)，第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，腔室蓋部23以及腔室主體22的杯部225下降，腔室蓋部23以及杯部225分別從圖7所示的上位置向圖2所示的下位置移動(dòng)。換言之，通過第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，基板9與基板保持部31一起相對于腔室21相對地上升。此時(shí)，第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，遮蔽板51相對于腔室蓋部23的相對位置沒有變更。即，通過第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41，維持遮蔽板51從腔室蓋部23的下部開口232向上方離開的狀態(tài)。

如上述那樣，通過腔室21從上位置移動(dòng)到下位置，在腔室21內(nèi)，基板9從主體內(nèi)部空間221經(jīng)由上部開口222以及下部開口232移動(dòng)到蓋內(nèi)部空間231(步驟S119)。如圖2所示，在蓋內(nèi)部空間231中，基板9的上表面91和遮蔽板51的下表面512在上下方向上相向并接近。

接著，在蓋內(nèi)部空間231配置的基板9通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35與基板保持部31一起以中心軸J1為中心并以比較高的速度旋轉(zhuǎn)。由此，基板9上的處理液(主要為純水)在上表面91以及下表面92上向徑向外方移動(dòng)，從基板9的外緣周圍飛散。其結(jié)果，除去基板9上的處理液(步驟S120)。以下，將步驟S120的處理稱為“干燥處理”。步驟S120中的基板9的旋轉(zhuǎn)速度大于步驟S117、S118中的基板9的旋轉(zhuǎn)速度。

在步驟S120中，從旋轉(zhuǎn)的基板9飛散的處理液由蓋主體部233的內(nèi)側(cè)面以及蓋底面部234的上表面235接受，并向蓋主體部233和蓋底面部234的連接部移動(dòng)。該處理液(即，在步驟S120中從基板9上除去的處理液)經(jīng)由蓋部排出口237、氣液分離部197以及排液部199(參照圖5)被廢棄。在腔室蓋部23中，如上所述，蓋底面部234的上表面235是越接近徑向外方則越接近下方的傾斜面。因此，防止上表面235上的處理液向中央的下部開口232移動(dòng)。另外，由于上表面235上的處理液快速地向徑向外方移動(dòng)，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)來自蓋內(nèi)部空間231的處理液的快速的排出。

在蓋內(nèi)部空間231中基板9進(jìn)行旋轉(zhuǎn)時(shí)，通過遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55，遮蔽板51在上下方向上接近基板9的上表面91的位置，向與基板9相同的旋轉(zhuǎn)方向以與基板9的旋轉(zhuǎn)速度大致相等的旋轉(zhuǎn)速度并以中心軸J1為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。通過與基板9的上表面91接近地配置遮蔽板51，能夠抑制(或防止)從基板9飛散的處理液在蓋主體部233的內(nèi)側(cè)面彈回而再次附著在基板9的上表面91。另外，通過遮蔽板51進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使在遮蔽板51的上表面511以及下表面512附著的處理液向周圍飛散，從遮蔽板51上除去。

在步驟S120的干燥處理中，除了多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182，上部中央噴嘴181也噴出氮?dú)?。即，?jīng)由上部中央噴嘴181的氣體噴出口，向遮蔽板51的下表面512和基板9的上表面91之間的空間供給氮?dú)?。由此，能夠從基?和遮蔽板51之間的空間更快速地排出處理液，促進(jìn)基板9的干燥。

當(dāng)基板9的干燥處理結(jié)束時(shí)，停止通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使基板9旋轉(zhuǎn)。另外，第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，腔室蓋部23從圖2所示的位置上升，配置在圖1所示的上位置。由此，腔室蓋部23和腔室主體22在上下方向上分離，腔室21被開放(步驟S121)。然后，利用外部的搬送機(jī)構(gòu)，將實(shí)施了上述的一系列處理的基板9通過蓋底面部234的下表面236和杯頂蓋部227b的上表面之間的間隙，并經(jīng)由在殼體11設(shè)置的搬入搬出口(省略圖示)，向殼體11外搬出(步驟S122)。

實(shí)際上，與第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42的驅(qū)動(dòng)并行，第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41也進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，在圖1所示的腔室21的開放狀態(tài)下，遮蔽板51堵塞腔室蓋部23的下部開口232。另外，持續(xù)向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)庖约芭懦錾w內(nèi)部空間231內(nèi)的氣體。因此，與上述步驟S122中的基板9的搬出并行，作為針對下一個(gè)基板9的步驟S111，進(jìn)行向蓋內(nèi)部空間231填充氮?dú)獾奶幚怼Ａ硗?，通過向蓋內(nèi)部空間231供給的氮?dú)猓€進(jìn)行蓋內(nèi)部空間231的干燥(濕度的降低)、即腔室蓋部23的內(nèi)面、遮蔽板51的上表面511、以及、在待機(jī)位置配置的掃描噴嘴186的干燥。步驟S111的處理能作為腔室蓋部23的內(nèi)面以及掃描噴嘴186的干燥處理。并且，當(dāng)搬入下一個(gè)基板9并由基板保持部31保持時(shí)(步驟S112)，與上述同樣地進(jìn)行步驟S113～S122的處理。

接著，關(guān)于對腔室蓋部23的內(nèi)部進(jìn)行清洗的處理，參照圖8進(jìn)行說明。由于腔室蓋部23的內(nèi)部被在干燥處理時(shí)從基板9飛散的處理液稍微污染，因此，例如每當(dāng)處理規(guī)定張數(shù)的基板9，通過圖8的處理進(jìn)行清洗腔室蓋部23的內(nèi)部。在對腔室蓋部23的內(nèi)部進(jìn)行清洗時(shí)，如圖9所示，腔室蓋部23以及腔室主體22的杯部225都位于上位置，并且在腔室21內(nèi)未配置基板9。另外，掃描噴嘴186配置在待機(jī)位置。在基板處理裝置1中，首先，開始利用遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55使遮蔽板51的旋轉(zhuǎn)(步驟S131)。遮蔽板51的旋轉(zhuǎn)速度與基板9的干燥處理時(shí)同樣，為比較高的速度。另外，通過第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，在蓋內(nèi)部空間231中，遮蔽板51開始反復(fù)進(jìn)行上升以及下降的動(dòng)作、即遮蔽板51開始上下移動(dòng)(步驟S132)。

接著，從純水供給部814(參照圖5)向多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189送出純水，從多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189向遮蔽板51的上表面511噴出純水。另外，還從純水供給部814向在主體內(nèi)部空間221配置的下部噴嘴180送出純水，從下部噴嘴180向上方噴出純水。即，從下部噴嘴180經(jīng)由上部開口222以及下部開口232向遮蔽板51的下表面512施加純水。這樣，與遮蔽板51的旋轉(zhuǎn)以及上下移動(dòng)并行，通過具有多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189以及下部噴嘴180的清洗液供給部810(參照圖5)，向遮蔽板51的上表面511以及下表面512供給純水作為清洗液，對遮蔽板51的上表面511以及下表面512進(jìn)行清洗(步驟S133)。

此時(shí)，在上下移動(dòng)并旋轉(zhuǎn)的遮蔽板51的外周緣，上表面511以及下表面512上的清洗液被甩掉，并向腔室蓋部23的內(nèi)面、即蓋主體部233的內(nèi)側(cè)面以及蓋底面部234的上表面235飛散(參照圖9中帶有附圖標(biāo)記A1的箭頭)。另外，清洗液還向在待機(jī)位置配置的掃描噴嘴186飛散。其結(jié)果，在腔室蓋部23的內(nèi)面、以及、掃描噴嘴186的表面附著的藥液成分等被清洗液沖洗掉。清洗液向蓋主體部233和蓋底面部234的連接部移動(dòng)，經(jīng)由蓋部排出口237向腔室蓋部23外排出。在向遮蔽板51供給清洗液時(shí)，優(yōu)選通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使基板保持部31也旋轉(zhuǎn)，由此，防止在基板保持部31上滯留清洗液。另外，在從上部中央噴嘴181向旋轉(zhuǎn)的基板保持部31的上表面供給純水作為清洗液的情況下，也能通過從基板保持部31的上表面飛散的清洗液對腔室主體22的內(nèi)面進(jìn)行清洗。

在腔室蓋部23中，如上所述，蓋底面部234的上表面235是越接近徑向外方則越接近下方的傾斜面，因此，能夠防止上表面235上的清洗液向中央的下部開口232移動(dòng)。另外，由于上表面235上的清洗液快速地向徑向外方移動(dòng)，能夠?qū)崿F(xiàn)來自蓋內(nèi)部空間231的清洗液的快速的排出。進(jìn)而，通過使杯頂蓋部227b的內(nèi)緣部與蓋底面部234的內(nèi)緣部抵接，能夠防止清洗液附著在蓋底面部234的下表面236。因此，在腔室蓋部23的內(nèi)部的清洗后開放腔室21的狀態(tài)下，在處理對象的基板9通過蓋底面部234和杯頂蓋部227b之間的間隙時(shí)，防止液體從蓋底面部234的下表面236落下到基板9的上表面91。

在向遮蔽板51供給清洗液持續(xù)規(guī)定時(shí)間后，停止供給。接著，停止通過第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41使遮蔽板51上下移動(dòng)(步驟S134)。在停止向遮蔽板51供給清洗液后，遮蔽板51還繼續(xù)旋轉(zhuǎn)規(guī)定時(shí)間。由此，除去上表面511以及下表面512上的清洗液。在遮蔽板51干燥后，停止通過遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55使遮蔽板51旋轉(zhuǎn)，完成腔室蓋部23的內(nèi)部的清洗處理(步驟S135)。在基板處理裝置1中，總是從氣體供給部812(參照圖5)的多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)?可以在向遮蔽板51供給清洗液時(shí)停止。)。因此，清洗后的腔室蓋部23的內(nèi)面、以及、掃描噴嘴186高效地進(jìn)行干燥。

如以上說明那樣，在基板處理裝置1中，在腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231設(shè)置有徑向的大小大于下部開口232的遮蔽板51。并且，在搬入基板9并形成腔室21之前，在遮蔽板51堵塞下部開口232的狀態(tài)下，從氣體供給部812供給的氣體填充在腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231。由此，在形成腔室21后，能夠使腔室21內(nèi)迅速成為所希望的氣體環(huán)境。其結(jié)果，能夠縮短從形成腔室21到開始在該氣體環(huán)境中處理基板9為止的時(shí)間，從而能夠提高基板處理裝置1的生產(chǎn)性。

如上述那樣，通過使從氣體供給部812供給的氣體為氮?dú)獾鹊姆腔钚詺怏w，從而能夠迅速地在低氧環(huán)境中利用處理液對基板9進(jìn)行處理。其結(jié)果，能夠抑制在基板9的上表面91上設(shè)置的金屬膜的氧化等。另外，在剛形成腔室21后(與形成腔室21同時(shí))，基板9位于預(yù)先填充有氣體的蓋內(nèi)部空間231，因此，在將基板9搬入裝置內(nèi)后，能夠快速地使基板9的周圍成為所希望的氣體環(huán)境。

在基板處理裝置1中，通過控制部10的控制，在從掃描噴嘴186向基板9供給處理液時(shí)，掃描噴嘴186配置在噴出位置，且遮蔽板51配置在掃描噴嘴186的上方。另外，在未從掃描噴嘴186向基板9供給處理液的期間對掃描噴嘴186進(jìn)行干燥時(shí)，掃描噴嘴186配置在待機(jī)位置，且通過遮蔽板51堵塞下部開口232。因此，通過向與主體內(nèi)部空間221相比小的蓋內(nèi)部空間231供給的氣體，能夠高效地對掃描噴嘴186進(jìn)行干燥，將掃描噴嘴186保持清潔。此外，下部開口232的徑向的大小小于蓋內(nèi)部空間231的徑向的大小，因此，即使在不通過遮蔽板51堵塞下部開口232的情況下，也能夠通過向比較小的蓋內(nèi)部空間231供給的氣體，某種程度高效地對掃描噴嘴186進(jìn)行干燥。另外，當(dāng)與將掃描噴嘴186設(shè)置在腔室蓋部23的外側(cè)且腔室21的外側(cè)，在向基板9供給處理液供給時(shí)為了使掃描噴嘴186移動(dòng)到基板9上方而將腔室蓋部23開放或在腔室蓋部23設(shè)置噴嘴進(jìn)入用的開口的情況相比，在供給處理液時(shí)外部空氣不會(huì)侵入基板9周邊，能夠?qū)⒒?保持在更加低氧狀態(tài)。

腔室蓋部23具有對蓋內(nèi)部空間231內(nèi)的液體進(jìn)行排出的蓋部排出口237，在掃描噴嘴186配置在待機(jī)位置的狀態(tài)下，進(jìn)行預(yù)噴出。由此，在基板處理裝置1中，能夠省略預(yù)噴出用的液體接受結(jié)構(gòu)。另外，通過將頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863設(shè)置在腔室蓋部23的上表面，與在腔室蓋部23的外側(cè)面設(shè)置的情況相比，能夠縮短掃描噴嘴186中的頭支撐部862。

在基板處理裝置1中，基板9的干燥處理在與利用處理液對基板9進(jìn)行處理的主體內(nèi)部空間221不同的蓋內(nèi)部空間231進(jìn)行。另外，在蓋內(nèi)部空間231中，向旋轉(zhuǎn)的遮蔽板51的上表面511供給清洗液，通過離心力使該清洗液從遮蔽板51的上表面511向腔室蓋部23的內(nèi)側(cè)面等飛散，從而能夠容易對腔室蓋部23的內(nèi)側(cè)面等進(jìn)行清洗。其結(jié)果，能夠?qū)⒂糜趯?進(jìn)行干燥的蓋內(nèi)部空間231保持極其清潔。另外，通過將包括蓋內(nèi)部空間231的腔室空間密閉，還能夠防止清洗液的霧滴等向外部(腔室21外)飛散。進(jìn)而，在對腔室蓋部23的內(nèi)部進(jìn)行清洗時(shí)，遮蔽板51在蓋內(nèi)部空間231相對于腔室蓋部23在上下方向上相對移動(dòng)，從而能夠?qū)η皇疑w部23的內(nèi)面的寬范圍進(jìn)行清洗。

在蓋內(nèi)部空間231內(nèi)設(shè)置有掃描噴嘴186的基板處理裝置1中，在向遮蔽板51的上表面511供給清洗液時(shí)，清洗液還從遮蔽板51的上表面511向位于待機(jī)位置的掃描噴嘴186飛散。由此，也能夠?qū)崿F(xiàn)容易對掃描噴嘴186進(jìn)行清洗，將掃描噴嘴186保持清潔。進(jìn)而，通過氣體供給部812向蓋內(nèi)部空間231供給氣體，并且通過蓋排氣部198排出蓋內(nèi)部空間231內(nèi)的氣體。由此，能夠高效地進(jìn)行腔室蓋部23的內(nèi)面的干燥、以及、掃描噴嘴186的干燥，另外，還能夠抑制清洗液落下到基板9。

在基板處理裝置1中，也能夠與利用處理液對基板9進(jìn)行處理并行，對腔室蓋部23的內(nèi)部進(jìn)行清洗。例如，在圖7所示的狀態(tài)下，與向基板9供給處理液的步驟S117、S118的處理并行，從多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189向旋轉(zhuǎn)的遮蔽板51的上表面511供給清洗液。換言之，在向遮蔽板51的上表面511供給清洗液的期間，通過處理液供給部811向在主體內(nèi)部空間221配置的基板9的上表面91供給處理液。由此，能夠在利用處理液對基板9進(jìn)行處理中對腔室蓋部23的內(nèi)面進(jìn)行清洗，能夠提高基板處理裝置1中的基板處理的吞吐量。

在上述基板處理裝置1中能夠進(jìn)行各種變形。

也可以從上部中央噴嘴181噴出藥液，從掃描噴嘴186噴出純水。在該情況下，在從上部中央噴嘴181噴出藥液時(shí)，通過使遮蔽板51接近下部開口232，防止從基板9的上表面91飛散的藥液附著在掃描噴嘴186上。另外，藥液供給部813以及純水供給部814可以都經(jīng)由閥與上部中央噴嘴181(或掃描噴嘴186)連接，有選擇地從上部中央噴嘴181噴出藥液以及純水。

也可以根據(jù)基板處理裝置1的設(shè)計(jì)，將噴出相互不同的種類的處理液的多個(gè)掃描噴嘴設(shè)置在蓋內(nèi)部空間231。在該情況下，可以在蓋底面部234的上表面235上設(shè)置分別回收來自多個(gè)掃描噴嘴的藥液的多個(gè)容器。多個(gè)掃描噴嘴在分別獨(dú)立的容器中進(jìn)行預(yù)噴出，從而能容易分別獨(dú)立地回收藥液。

在上述實(shí)施方式中，使掃描噴嘴186旋轉(zhuǎn)的頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863設(shè)置在腔室蓋部23上，但是，頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863也可以設(shè)置在殼體11外、例如殼體11的上表面上。在該情況下，能夠使頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863遠(yuǎn)離藥液等的環(huán)境，能夠?qū)崿F(xiàn)頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863的長期間的使用。

另外，根據(jù)基板處理裝置1的設(shè)計(jì)，還能將噴出處理液的噴出部做成除了懸臂狀的掃描噴嘴以外的形式。另外，將噴出部有選擇地配置在噴出位置和待機(jī)位置的噴出部移動(dòng)機(jī)構(gòu)可以是使噴出部直線地移動(dòng)的機(jī)構(gòu)等。

可以根據(jù)對基板9的處理的種類，通過處理液供給部811向基板9的上表面91供給處理液的液滴或蒸汽。

在圖1所示的例子中，上述的腔室開閉機(jī)構(gòu)包括使腔室蓋部23移動(dòng)的第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42和使腔室主體22的杯部225移動(dòng)的第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，但是，例如也可以省略第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42以及第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43中的一個(gè)，僅將另一個(gè)用作腔室開閉機(jī)構(gòu)。另外，在圖1所示的例子中，遮蔽板移動(dòng)機(jī)構(gòu)包括使遮蔽板51移動(dòng)的第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41和使腔室蓋部23移動(dòng)的第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42，但是，也可以省略第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41以及第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42中的一個(gè)，而僅將另一個(gè)用作遮蔽板移動(dòng)機(jī)構(gòu)。

在圖1所示的例子中，上述的基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)包括使腔室蓋部23移動(dòng)的第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42和使腔室主體22的杯部225移動(dòng)的第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，但是基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)也可以是例如使基板保持部31在腔室21內(nèi)在上下方向上移動(dòng)的機(jī)構(gòu)。

在腔室主體22中，也可以將呈同心圓狀配置的多個(gè)杯設(shè)置為杯部225。在該情況下，優(yōu)選在切換向基板9上供給的處理液的種類時(shí)，也切換接受來自基板9的處理液的杯。由此，在利用多個(gè)種類的處理液時(shí)，能夠容易分別回收或廢棄多個(gè)處理液。

如圖10所示，也可以采用腔室蓋部23和腔室主體22的杯部225作為一體連接構(gòu)件形成的腔室21a。在圖10的基板處理裝置1a中，也通過腔室蓋部23覆蓋腔室主體22的上部開口222來形成腔室21a。在腔室21a中，在腔室蓋部23設(shè)置有側(cè)部開口239，在將基板9向腔室21a內(nèi)搬入以及向腔室21a外搬出時(shí)，基板9通過側(cè)部開口239。側(cè)部開口239通過側(cè)部開口開閉機(jī)構(gòu)39開閉。在圖10的基板處理裝置1a中，省略圖1的基板處理裝置1中的第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，通過第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42使腔室蓋部23以及杯部225在上下方向上移動(dòng)。由此，基板9有選擇地配置在蓋內(nèi)部空間231和主體內(nèi)部空間221。在基板處理裝置1a中，也在將基板9配置在主體內(nèi)部空間221內(nèi)時(shí)，利用處理液進(jìn)行處理，在基板9配置在蓋內(nèi)部空間231時(shí)，對基板9進(jìn)行干燥處理。對腔室蓋部23的內(nèi)部進(jìn)行清洗的處理也與上述基板處理裝置1同樣。

在基板處理裝置1、1a中，可以對半導(dǎo)體基板以外的各種基板進(jìn)行處理。另外，并不限于聚合物除去和蝕刻，能夠使用鹽酸和氫氟酸等各種液體，進(jìn)行期望在低氧環(huán)境下進(jìn)行的各種液體處理。用于實(shí)現(xiàn)低氧狀態(tài)的氣體也并不限于氮?dú)猓部梢允菤鍤獾绕渌腔钚詺怏w，也可以是其他所希望的氣體環(huán)境、例如多種氣體組成比被管理的氣體。

接著，對本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板處理裝置1進(jìn)行說明。第二實(shí)施方式的基板處理裝置1的基本結(jié)構(gòu)與圖1的基板處理裝置1相同。

圖11是表示第二實(shí)施方式的基板處理裝置1具有的氣液供給部18以及氣液排出部19的框圖。氣液供給部18具有處理液供給部811、氣體供給部812、膜形成液供給部810a。處理液供給部811具有掃描噴嘴186、上部中央噴嘴181、下部噴嘴180、藥液供給部813、純水供給部814。藥液供給部813經(jīng)由閥與掃描噴嘴186連接。純水供給部814經(jīng)由閥與上部中央噴嘴181連接。純水供給部814還經(jīng)由閥與下部噴嘴180。

氣體供給部812具有上部中央噴嘴181、多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182和非活性氣體供給部816。非活性氣體供給部816經(jīng)由閥與上部中央噴嘴181連接。非活性氣體供給部816還經(jīng)由閥與多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182連接。膜形成液供給部810a具有多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189和純水供給部814。純水供給部814經(jīng)由閥與多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189連接。此外，在第二實(shí)施方式的基板處理裝置1中，多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189在多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182的徑向內(nèi)側(cè)(中心軸J1側(cè))，以中心軸J1為中心呈周狀配置(參照圖1)。在各內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189的下端設(shè)置有噴出后述的膜形成液的膜形成液噴出口。多個(gè)膜形成液噴出口在遮蔽板51的上方，以中心軸J1為中心呈周狀配置。

在氣液供給部18中，上部中央噴嘴181由處理液供給部811以及氣體供給部812共有。另外，純水供給部814由處理液供給部811以及膜形成液供給部810a共有。處理液供給部811、氣體供給部812以及膜形成液供給部810a可以由彼此獨(dú)立的結(jié)構(gòu)構(gòu)件構(gòu)成。另外，在腔室21設(shè)置的噴嘴的配置也可以適當(dāng)變更。

從藥液供給部813經(jīng)由掃描噴嘴186向基板9上供給的藥液例如是聚合物除去液、或氫氟酸、氫氧化四甲銨水溶液等的蝕刻液。純水供給部814經(jīng)由上部中央噴嘴181以及下部噴嘴180向基板9供給純水(DIW：deionized water)。處理液供給部811可以具有供給除了上述藥液以及純水以外的處理液(例如異丙醇(IPA)等的溶剤、或其他的酸、堿溶液、除去液等)的其他供給部。

如后面敘述那樣，從純水供給部814經(jīng)由多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189向遮蔽板51的上表面511供給的純水也是在蓋內(nèi)部空間231形成液膜的膜形成液。膜形成液供給部810a可以具有供給除了純水以外的膜形成液的其他供給部。從非活性氣體供給部816供給的氣體例如是氮?dú)?N₂)。氣體供給部812也可以具有供給除了氮?dú)庖酝獾姆腔钚詺怏w、或除了非活性氣體以外的氣體的其他供給部。

接著，參照圖12來說明基板處理裝置1對基板9的處理的流程。在基板處理裝置1中，首先，如圖1所示，腔室蓋部23位于上位置，腔室主體22的杯部225位于下位置。換言之，處于腔室21被開放的狀態(tài)。另外，以遮蔽板51的下表面512與蓋底面部234的上表面235接觸的方式，遮蔽板51與腔室蓋部23的下部開口232在俯視下重疊。由此，堵塞下部開口232，蓋內(nèi)部空間231成為封閉空間。進(jìn)而，在基板處理裝置1中，從氣體供給部812(參照圖11)的多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)?，并且，蓋內(nèi)部空間231內(nèi)的氣體從蓋部排出口237向腔室蓋部23的外部排出。因此，向蓋內(nèi)部空間231填充氮?dú)?步驟S211)。在基板處理裝置1中，作為原則，向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)狻⒁约皬纳w內(nèi)部空間231內(nèi)排出氣體總是進(jìn)行。

此外，在步驟S211中，腔室蓋部23的下部開口232未必由遮蔽板51密閉為氣密狀態(tài)，如果是遮蔽板51與下部開口232重疊的狀態(tài)，則在也可以是在遮蔽板51和蓋底面部234之間存在一些間隙的堵塞形式。即使是這樣的堵塞形式，控制從氣體供給部812向蓋內(nèi)部空間231供給的氮?dú)獾墓┙o量，使向蓋內(nèi)部空間231流入的氮?dú)獾牧魅肓亢蛷脑撻g隙以及蓋部排出口237流出的氣體的流出量大致相等，從而在蓋內(nèi)部空間231填充氮?dú)狻２⑶?，通過適當(dāng)控制該氮?dú)獾牧魅肓康?，能夠使蓋內(nèi)部空間231內(nèi)的氧氣濃度為降低到工藝上所需的程度的低氧狀態(tài)。此外，在圖1中，圖示了基板9，但步驟S211在基板9搬入基板處理裝置1之前進(jìn)行。

接著，如上所述，在腔室蓋部23從腔室主體22離開的狀態(tài)下，通過外部的搬送機(jī)構(gòu)從在殼體11設(shè)置的搬入搬出口(省略圖示)向殼體11內(nèi)搬入基板9?；?通過蓋底面部234的下表面236和杯頂蓋部227b的上表面之間的間隙向遮蔽板51的下方移動(dòng)，并由基板保持部31保持(步驟S212)。在步驟S212中，基板9在腔室主體22的上部開口222的上方由基板保持部31保持。

當(dāng)基板9由基板保持部31保持時(shí)，第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，來使腔室蓋部23下降，腔室蓋部23從圖1所示的上位置向圖2所示的下位置移動(dòng)。換言之，腔室蓋部23相對于腔室主體22在上下方向上相對移動(dòng)。并且，腔室主體22的上部開口222由腔室蓋部23覆蓋，腔室21被堵塞(步驟S213)。即，形成在內(nèi)部容納基板9以及基板保持部31的腔室21。此時(shí)，通過第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，遮蔽板51相對于腔室蓋部23相對上升，在腔室21內(nèi)，遮蔽板51從腔室蓋部23的下部開口232向上方離開。

如上所述，通過使腔室蓋部23從上位置向下位置移動(dòng)，由基板保持部31保持的基板9通過腔室蓋部23的下部開口232向蓋內(nèi)部空間231移動(dòng)。換言之，在步驟S213中形成了腔室21的狀態(tài)下，基板9位于腔室空間中的蓋內(nèi)部空間231。如上所述，由于在蓋內(nèi)部空間231在形成腔室21之前填充了氮?dú)?，所以通過使基板9向蓋內(nèi)部空間231移動(dòng)，能夠使基板9的周圍迅速處于氮?dú)猸h(huán)境(即，低氧環(huán)境)。在蓋內(nèi)部空間231中，基板9的上表面91和遮蔽板51的下表面512在上下方向上相向并接近。

在圖2所示的狀態(tài)下，從位于遮蔽板51的上方的多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)猓瑥亩w內(nèi)部空間231的氣壓高于主體內(nèi)部空間221的氣壓。換言之，蓋內(nèi)部空間231為正壓狀態(tài)。因此，蓋內(nèi)部空間231的氮?dú)鈴恼诒伟?1和腔室蓋部23的蓋底面部234之間的間隙，經(jīng)由下部開口232以及上部開口222向主體內(nèi)部空間221流出(即，從蓋內(nèi)部空間231向主體內(nèi)部空間221送出。)。另外，主體內(nèi)部空間221內(nèi)的氣體從主體排出口226a向腔室21的外部排出。由此，在從形成腔室21起經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，還向主體內(nèi)部空間221供給來自氣體供給部812的氮?dú)?。換言之，通過氣體供給部812向腔室21內(nèi)供給并填充氮?dú)?步驟S214)。以下，將步驟S214的處理稱為“氣體置換處理”。

在步驟S214的氣體置換處理中，除了多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182外，上部中央噴嘴181也用于向腔室21內(nèi)供給氮?dú)?。即，來自氣體供給部812的氮?dú)饨?jīng)由上部中央噴嘴181的氣體噴出口向遮蔽板51的下表面512和基板9的上表面91之間的空間供給。由此，能夠?qū)⒄诒伟?1和基板9之間的空間的環(huán)境迅速地置換為氮?dú)猸h(huán)境。此外，在步驟S211～S213中的任意步驟中，也可以根據(jù)需要從第二氣體噴出口185供給氮?dú)狻Ｌ貏e是，通過在步驟S213從第二氣體噴出口185供給氮?dú)猓軌蚋咝У剡M(jìn)行步驟S214的氣體置換處理。

如上所述，通過腔室21從下位置向上位置移動(dòng)，在腔室21內(nèi)，基板9以及基板保持部31從蓋內(nèi)部空間231經(jīng)由下部開口232以及上部開口222向主體內(nèi)部空間221移動(dòng)(步驟S215)。由此，杯部225位于腔室蓋部23的下方并在整周位于基板9以及基板保持部31的徑向外側(cè)。

當(dāng)基板9以及基板保持部31位于主體內(nèi)部空間221時(shí)，開始通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使基板9旋轉(zhuǎn)。另外，從藥液供給部813(參照圖11)向在下部開口232的徑向外側(cè)的待機(jī)位置配置的掃描噴嘴186供給規(guī)定量的藥液。由此，從處于在待機(jī)位置配置的狀態(tài)的噴出頭861(參照圖4)噴出藥液、即進(jìn)行預(yù)噴出(步驟S216)。從噴出頭861噴出的藥液由蓋底面部234的上表面235接受，被向蓋部排出口237引導(dǎo)。通過了蓋部排出口237的藥液流入圖11所示的氣液分離部197。在藥液回收部195b中，從氣液分離部197回收藥液，經(jīng)由過濾器等從藥液除去雜質(zhì)等后，被再次利用。

當(dāng)預(yù)噴出結(jié)束時(shí)，通過圖7所示的頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863使掃描噴嘴186的噴出頭861以及頭支撐部862旋轉(zhuǎn)。由此，如圖13所示，噴出頭861通過遮蔽板51的下表面512和蓋底面部234的上表面235之間，配置在遮蔽板51和下部開口232之間、即基板9的上方的噴出位置。進(jìn)而，頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)863由控制部10控制，使噴出頭861在基板9的上方開始往復(fù)移動(dòng)。噴出頭861沿著連接基板9的中心部和外緣部的規(guī)定的移動(dòng)路徑在水平方向上持續(xù)往復(fù)移動(dòng)。

接著，開始通過遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55使遮蔽板51旋轉(zhuǎn)。另外，在膜形成液供給部810a(參照圖11)中，從純水供給部814向多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189供給作為膜形成液的純水，從多個(gè)膜形成液噴出口向遮蔽板51的上表面511噴出膜形成液。在腔室21內(nèi)，供給到旋轉(zhuǎn)的遮蔽板51的上表面511上的膜形成液借助離心力在遮蔽板51的上表面511上擴(kuò)展。遮蔽板51的上表面511相對于膜形成液具有親液性。在本實(shí)施方式中，遮蔽板51的上表面511具有親水性。因此，膜形成液在遮蔽板51的上表面511上大致均勻地?cái)U(kuò)展。

在遮蔽板51的上表面511上擴(kuò)展的膜形成液借助離心力從遮蔽板51的上表面511流向蓋底面部234的上表面235。膜形成液從遮蔽板51的上表面511的外緣在整周流向徑向外方，由此，在遮蔽板51和蓋底面部234之間形成環(huán)狀的液膜95(步驟S217)。在圖13中，用粗虛線描繪液膜95(在圖14以及圖15中也同樣)。如圖13所示，掃描噴嘴186的頭支撐部862貫通液膜95。由蓋底面部234的上表面235接受的形成液膜95的純水(即，膜形成液)被向蓋部排出口237引導(dǎo)。通過了蓋部排出口237的膜形成液經(jīng)由圖11所示的氣液分離部197以及排液部199被廢棄。

在腔室蓋部23中，如上所述，蓋底面部234的上表面235是越接近徑向外方則越接近下方的傾斜面。因此，防止上表面235上的膜形成液向中央的下部開口232移動(dòng)。另外，由于上表面235上的膜形成液快速地向徑向外方移動(dòng)，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)快速從蓋內(nèi)部空間231排出膜形成液。

步驟S217中的液膜95的形成也可以在掃描噴嘴186位于待機(jī)位置的狀態(tài)下進(jìn)行，可以與掃描噴嘴186從待機(jī)位置向噴出位置移動(dòng)并行地進(jìn)行。另外，在無需再次利用預(yù)噴出時(shí)的藥液的情況等，上述液膜95的形成也可以在步驟S215和步驟S216之間進(jìn)行。

在基板處理裝置1中，與在步驟S217中形成液膜95并行，從多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)鈦碓谏w內(nèi)部空間231填充氮?dú)?。從多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182供給氮?dú)庖圆皇挂耗?5紊亂的程度的比較小的流量進(jìn)行。

在蓋內(nèi)部空間231形成液膜95時(shí)，從藥液供給部813向噴出頭861藥液，從在蓋內(nèi)部空間231內(nèi)在水平方向上擺動(dòng)的噴出頭861經(jīng)由下部開口232向主體內(nèi)部空間221內(nèi)的基板9的上表面91噴出藥液(步驟S218)。向基板9供給藥液在形成液膜95的狀態(tài)下進(jìn)行。

來自噴出頭861的藥液連續(xù)向旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91供給。藥液借助離心力在上表面91上向徑向外方擴(kuò)展，上表面91整體被藥液覆蓋。通過從在水平方向上擺動(dòng)的噴出頭861向旋轉(zhuǎn)中的基板9供給藥液，能夠向基板9的上表面91大致均勻地供給藥液。另外，能夠提高基板9上的藥液的溫度的均勻性。其結(jié)果，能夠提高對基板9的藥液處理的均勻性。

從旋轉(zhuǎn)的基板9的外周緣飛散的藥液由杯部225接受，并向在杯部225的下方配置的主體排出口226a引導(dǎo)。通過了主體排出口226a的藥液流入圖11所示的氣液分離部193。在藥液回收部195a中，從氣液分離部193回收藥液，經(jīng)由過濾器等從藥液中除去雜質(zhì)等后，被再次利用。

另外，在形成有腔室21的狀態(tài)下，作為上部開口222的邊緣的杯頂蓋部227b的內(nèi)緣部與作為下部開口232的邊緣的蓋底面部234的內(nèi)緣部抵接。由此，防止從基板9的上表面91飛散的藥液附著在蓋底面部234的下表面236(在后述的步驟S219的處理中也同樣)。因此，在后述的基板9的搬出(以及、下一個(gè)基板9的搬入)時(shí)，能夠防止液體從形成基板9通過的路徑的蓋底面部234的下表面236落下到基板9的上表面91。

在基板處理裝置1中，在向基板9供給藥液的期間，優(yōu)選也如上述那樣，持續(xù)通過氣體供給部812供給氮?dú)?，確保腔室空間內(nèi)的氮?dú)猸h(huán)境(在后述的純水的供給時(shí)也同樣)。另外，也可以從上部中央噴嘴181的氣體噴出口噴出氮?dú)?，更可靠地確保基板9的周圍的氮?dú)猸h(huán)境。

當(dāng)掃描噴嘴186移動(dòng)到待機(jī)位置時(shí)，通過純水供給部814(參照圖11)，經(jīng)由上部中央噴嘴181以及下部噴嘴180向基板9的上表面91以及下表面92供給作為沖洗液的純水(步驟S219)。向基板9供給純水在形成上述的液膜95的狀態(tài)下進(jìn)行。

來自純水供給部814的純水連續(xù)地向基板9的上表面91以及下表面92的中央部供給。純水通過基板9的旋轉(zhuǎn)向上表面91以及下表面92的外周部擴(kuò)展，并從基板9的外周緣向外側(cè)飛散。從基板9飛散的純水由杯部225接受，并被引導(dǎo)至主體排出口226a。通過主體排出口226a的純水經(jīng)由氣液分離部193以及排液部196(參照圖11)被廢棄。由此，與基板9的上表面91的沖洗處理以及下表面92的清洗處理一起，杯部225內(nèi)的清洗也實(shí)質(zhì)上被進(jìn)行。當(dāng)從開始供給純水起經(jīng)過規(guī)定時(shí)間時(shí)，停止從純水供給部814供給純水。另外，停止向遮蔽板51的上表面511供給純水以及停止遮蔽板51的旋轉(zhuǎn)，結(jié)束液膜95的形成。

如上述那樣，通過腔室21從上位置移動(dòng)到下位置，在腔室21內(nèi)，基板9從主體內(nèi)部空間221經(jīng)由上部開口222以及下部開口232移動(dòng)到蓋內(nèi)部空間231(步驟S220)。如圖2所示，在蓋內(nèi)部空間231中，基板9的上表面91和遮蔽板51的下表面512在上下方向上相向并接近。

接著，在蓋內(nèi)部空間231配置的基板9通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35與基板保持部31一起以中心軸J1為中心并以比較高的速度旋轉(zhuǎn)。由此，基板9上的處理液(主要為純水)在上表面91以及下表面92上向徑向外方移動(dòng)，從基板9的外緣周圍飛散。其結(jié)果，除去基板9上的處理液(步驟S221)。以下、將步驟S221的處理稱為“干燥處理”。步驟S221中的基板9的旋轉(zhuǎn)速度大于步驟S218、S219中的基板9的旋轉(zhuǎn)速度。

在步驟S221中，從旋轉(zhuǎn)的基板9飛散的處理液由蓋主體部233的內(nèi)側(cè)面以及蓋底面部234的上表面235接受，并向蓋主體部233和蓋底面部234的連接部移動(dòng)。該處理液(即，在步驟S221中從基板9上除去的處理液)經(jīng)由蓋部排出口237、氣液分離部197以及排液部199(參照圖11)被廢棄。在腔室蓋部23中，如上所述，蓋底面部234的上表面235是越接近徑向外方則越接近下方的傾斜面。因此，防止上表面235上的處理液向中央的下部開口232移動(dòng)。另外，由于上表面235上的處理液快速地向徑向外方移動(dòng)，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)來自蓋內(nèi)部空間231的處理液的快速的排出。

在步驟S221的干燥處理中，除了多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182，上部中央噴嘴181也噴出氮?dú)?。即，?jīng)由上部中央噴嘴181的氣體噴出口，向遮蔽板51的下表面512和基板9的上表面91之間的空間供給氮?dú)?。由此，能夠從基?和遮蔽板51之間的空間更快速地排出處理液，促進(jìn)基板9的干燥。

當(dāng)基板9的干燥處理結(jié)束時(shí)，停止通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使基板9旋轉(zhuǎn)。另外，第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，腔室蓋部23從圖2所示的位置上升，配置在圖1所示的上位置。由此，腔室蓋部23和腔室主體22在上下方向上分離，腔室21被開放(步驟S222)。然后，利用外部的搬送機(jī)構(gòu)，將實(shí)施了上述的一系列處理的基板9通過蓋底面部234的下表面236和杯頂蓋部227b的上表面之間的間隙，并經(jīng)由在殼體11設(shè)置的搬入搬出口(省略圖示)，向殼體11外搬出(步驟S223)。

另外，通過向蓋內(nèi)部空間231供給的氮?dú)?，還進(jìn)行蓋內(nèi)部空間231的干燥(濕度的降低)、即腔室蓋部23的內(nèi)面、遮蔽板51的上表面511、以及、在待機(jī)位置配置的掃描噴嘴186的干燥。步驟S211的處理能作為腔室蓋部23的內(nèi)面以及掃描噴嘴186的干燥處理。并且，當(dāng)搬入下一個(gè)基板9并由基板保持部31保持時(shí)(步驟S212)，與上述同樣地進(jìn)行步驟S213～S223的處理。

如以上說明那樣，在第二實(shí)施方式的基板處理裝置1中，也在腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231設(shè)置有徑向的大小大于下部開口232的徑向的大小的遮蔽板51。并且，在搬入基板9并形成腔室21之前，在遮蔽板51堵塞下部開口232的狀態(tài)下，從氣體供給部812供給的氣體填充在腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231。由此，在形成腔室21后，能夠使腔室21內(nèi)迅速成為所希望的氣體環(huán)境。其結(jié)果，能夠縮短從形成腔室21到開始在該氣體環(huán)境中處理基板9為止的時(shí)間，從而能夠提高基板處理裝置1的生產(chǎn)性。

在步驟S218以及步驟S219中，通過膜形成液供給部810a在遮蔽板51和蓋底面部234之間形成環(huán)狀的液膜95的狀態(tài)下，從處理液供給部811向基板9的上表面91供給處理液。因此，能夠抑制處理液的霧滴或霧氣等通過液膜95從遮蔽板51和蓋底面部234之間的間隙進(jìn)入蓋內(nèi)部空間231。

如上所述，在形成液膜95時(shí)，在膜形成液供給部810a中，從以中心軸J1為中心并呈周狀配置的多個(gè)膜形成液噴出口向遮蔽板51的上表面511噴出膜形成液。由此，能夠提高遮蔽板51上的膜形成液的液膜的厚度的均勻性。其結(jié)果，能夠提高周向上的液膜95的均勻性。另外，遮蔽板51的上表面511相對于從膜形成液供給部810a供給的膜形成液具有親液性，從而能夠進(jìn)一步提高遮蔽板51上的膜形成液的液膜的厚度的均勻性。其結(jié)果，能夠進(jìn)一步提高周向上的液膜95的均勻性。

在步驟S218的藥液處理中，頭支撐部862位于遮蔽板51和腔室蓋部23的蓋底面部234之間的間隙。如上所述，在遮蔽板51和蓋底面部234之間形成環(huán)狀的液膜95，上述間隙中的除了頭支撐部862以外的區(qū)域由液膜95堵塞。因此，即使在通過位于蓋內(nèi)部空間231的掃描噴嘴186向基板9供給處理液時(shí)，也能抑制處理液的霧滴或霧氣等進(jìn)入蓋內(nèi)部空間231。

如上所述，氣體供給部812經(jīng)由在遮蔽板51的下表面512的中央部設(shè)置的氣體噴出口向遮蔽板51的下表面512和基板9的上表面91之間的空間供給氣體。由此，在步驟S218以及步驟S219中，能夠在所希望的氣體環(huán)境中利用處理液對基板9進(jìn)行處理。另外，通過形成液膜95，能夠使從上述氣體噴出口供給氣體的空間小于腔室空間。

在基板處理裝置1中，如上所述，與在步驟S217形成液膜95并行，從多個(gè)外側(cè)蓋噴嘴182向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)?，來向蓋內(nèi)部空間231填充氮?dú)?。因此，在利用處理液結(jié)束基板9的處理后使基板9向蓋內(nèi)部空間231移動(dòng)，在所希望的氣體環(huán)境中迅速開始基板9的干燥處理。

在基板處理裝置1中，如圖14所示，遮蔽板51的上表面511可以是越接近徑向外方則越接近下方的傾斜面。在該情況下，從多個(gè)內(nèi)側(cè)蓋噴嘴189供給到遮蔽板51的上表面511上的膜形成液因重力也向徑向外方移動(dòng)。由此，即使在遮蔽板51的旋轉(zhuǎn)速度比較低的情況下，也能在遮蔽板51和蓋底面部234之間適當(dāng)形成環(huán)狀的液膜95。

在上述基板處理裝置1中能夠進(jìn)行各種變形。

例如，也可以從上部中央噴嘴181噴出藥液，從掃描噴嘴186噴出純水。在該情況下，在從上部中央噴嘴181噴出藥液時(shí)，通過使遮蔽板51接近下部開口232，防止從基板9的上表面91飛散的藥液附著在掃描噴嘴186上。另外，藥液供給部813以及純水供給部814可以都經(jīng)由閥與上部中央噴嘴181以及掃描噴嘴186中的一個(gè)連接，從該一個(gè)噴嘴有選擇地噴出藥液以及純水。即使在該情況下，也與上述同樣，通過在遮蔽板51和蓋底面部234之間形成環(huán)狀的液膜95，能夠抑制處理液的霧滴或霧氣等進(jìn)入蓋內(nèi)部空間231。

可以根據(jù)對基板9的處理的種類，通過處理液供給部811向基板9的上表面91供給處理液的液滴或蒸汽。

在膜形成液供給部810a中，未必設(shè)置呈周狀配置的多個(gè)膜形成液噴出口，也可以將1個(gè)膜形成液噴出口設(shè)置在腔室蓋部23。例如，以中心軸J1為中心的環(huán)狀的膜形成液噴出口可以設(shè)置在腔室蓋部23。即使在該情況下，也能提高遮蔽板51上的膜形成液的液膜的厚度的均勻性，其結(jié)果，能夠提高周向上的液膜95的均勻性。

如圖15所示，也可以采用腔室蓋部23和腔室主體22的杯部225作為一體連接構(gòu)件形成的腔室21a。換言之，腔室主體22與腔室蓋部23一起形成腔室21a。在基板處理裝置1a中，杯頂蓋部227b的中央的開口(即，腔室主體22的上部開口)由腔室蓋部23覆蓋，從而形成腔室21a。腔室主體22的上部開口也是腔室蓋部23的下部開口232。

在腔室21a中，在腔室蓋部23設(shè)置有側(cè)部開口239，在將基板9向腔室21a內(nèi)搬入以及向腔室21a外搬出時(shí)，基板9通過側(cè)部開口239。側(cè)部開口239通過側(cè)部開口開閉機(jī)構(gòu)39開閉。在圖15的基板處理裝置1a中，省略圖1的基板處理裝置1中的第三移動(dòng)機(jī)構(gòu)43，通過第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42使腔室蓋部23以及杯部225在上下方向上移動(dòng)。由此，在基板處理裝置1a中，也在將基板9配置在主體內(nèi)部空間221內(nèi)時(shí)，利用處理液進(jìn)行處理，在基板9配置在蓋內(nèi)部空間231時(shí)，對基板9進(jìn)行干燥處理。

在利用處理液進(jìn)行處理中，與上述同樣，在遮蔽板51和杯頂蓋部227b(也是腔室蓋部23的蓋底面部。)之間形成環(huán)狀的液膜95的狀態(tài)下，向基板9的上表面91供給處理液。因此，能夠抑制處理液的霧滴或霧氣等通過液膜95從遮蔽板51和杯頂蓋部227b之間的間隙向蓋內(nèi)部空間231進(jìn)入。

在基板處理裝置1、1a中，可以對半導(dǎo)體基板以外的各種基板進(jìn)行處理。另外，在基板處理裝置1、1a中，并不限于聚合物除去和蝕刻，能夠使用鹽酸和氫氟酸等各種液體，進(jìn)行期望在低氧環(huán)境下進(jìn)行的各種液體處理。為了實(shí)現(xiàn)低氧狀態(tài)而向腔室21供給的氣體也并不限于氮?dú)?，也可以是氬氣等的其他非活性氣體。向腔室21供給的氣體可是用于使腔室21內(nèi)處于所希望的氣體環(huán)境的氣體、例如氣體組成比被管理的混合氣體(即，混合多種的氣體的混合氣體)。

圖16是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的基板處理裝置1b的結(jié)構(gòu)的剖視圖?；逄幚硌b置1b是向大致圓板狀的半導(dǎo)體基板9(以下僅稱為“基板9”。)供給處理液來對基板9一張一張進(jìn)行處理的單張式的裝置。在圖16中，對基板處理裝置1b的一部分的結(jié)構(gòu)的剖面省略表示平行斜線(在其他剖視圖也同樣)。

基板處理裝置1b具有腔室21、基板保持部31、基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35、第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41、第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42、遮蔽板51、遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55、殼體11。殼體11容納腔室21、基板保持部31、遮蔽板51等。在殼體11的側(cè)部設(shè)置有外側(cè)開口112。在將基板9向殼體11內(nèi)搬入以及向殼體11外搬出時(shí)，基板9通過外側(cè)開口112。在殼體11上還設(shè)置有外側(cè)開口開閉機(jī)構(gòu)12。外側(cè)開口開閉機(jī)構(gòu)12通過使閘門121在上下方向上移動(dòng)，對外側(cè)開口112進(jìn)行開閉。外側(cè)開口開閉機(jī)構(gòu)12也可以使閘門121轉(zhuǎn)動(dòng)。

腔室21呈以朝向上下方向的中心軸J1為中心的有蓋且有底的大致圓筒狀。腔室21具有腔室主體22和腔室蓋部23。腔室主體22和腔室蓋部23在上下方向上相向。腔室主體22呈以中心軸J1為中心的有底大致圓筒狀，形成主體內(nèi)部空間221。腔室蓋部23呈以中心軸J1為中心的有蓋大致圓筒狀，形成蓋內(nèi)部空間231。腔室主體22的外徑和腔室蓋部23的外徑大致相等。

腔室蓋部23具有蓋主體部233、蓋底面部234、筒狀部230。蓋主體部233呈以中心軸J1為中心的有蓋大致圓筒狀。換言之，蓋主體部233呈上下反轉(zhuǎn)的杯狀。在蓋主體部233的側(cè)壁部設(shè)置有側(cè)部開口239。在圖16所示的狀態(tài)下，側(cè)部開口239與外側(cè)開口112在水平方向上相向。在將基板9向腔室21內(nèi)搬入以及向腔室21外搬出時(shí)，基板9通過側(cè)部開口239。在蓋主體部233還設(shè)置有側(cè)部開口開閉機(jī)構(gòu)39。側(cè)部開口開閉機(jī)構(gòu)39通過使閘門391轉(zhuǎn)動(dòng)，對側(cè)部開口239進(jìn)行開閉。側(cè)部開口開閉機(jī)構(gòu)39也可以使閘門391在上下方向上移動(dòng)。

蓋底面部234呈以中心軸J1為中心的大致圓環(huán)板狀，在中央部設(shè)置有大致圓形的下部開口232。蓋底面部234從蓋主體部233的下端部向徑向內(nèi)方擴(kuò)展。已述的蓋內(nèi)部空間231是由蓋主體部233以及蓋底面部234包圍的空間。在以中心軸J1為中心的徑向上，蓋內(nèi)部空間231的大小大于下部開口232的大小(即，直徑)。蓋底面部234的上表面235以及下表面236是越接近徑向外方則越接近下方的傾斜面。在腔室蓋部23的蓋底面部234和蓋主體部233的連接部，設(shè)置有蓋部排出口237。經(jīng)由蓋部排出口237來排出蓋內(nèi)部空間231內(nèi)的液體以及氣體。筒狀部230呈以中心軸J1為中心的大致圓筒狀，從蓋底面部234的外緣部向下方延伸。

腔室主體22具有外筒部223和主體底部226。外筒部223呈以中心軸J1為中心的大致圓筒狀。外筒部223在整周位于腔室蓋部23的筒狀部230的徑向外側(cè)。外筒部223例如是各自呈周狀的多個(gè)山形折線和各自呈周狀的多個(gè)谷形折線在上下方向交替排列的波紋管。在外筒部223的下方，配置了有底大致圓筒狀的主體底部226。外筒部223的下端部在整周與主體底部226的側(cè)壁部的上端部連接。在主體底部226的底面部設(shè)置有主體排出口226a。腔室主體22內(nèi)的液體以及氣體經(jīng)由主體排出口226a向腔室主體22外(即，腔室21外)排出。在主體底部226中，可以設(shè)置在周向上排列的多個(gè)主體排出口226a。

腔室主體22具有通過外筒部223的上端部形成(包圍)的大致圓形的上部開口222。上部開口222與腔室蓋部23的下部開口232在上下方向上相向。上部開口222大于腔室蓋部23的下部開口232。上部開口222由腔室蓋部23覆蓋。外筒部223的上端部通過外筒連接部224與腔室蓋部23的外緣部連接。具體地說，外筒連接部224是以中心軸J1為中心的大致圓環(huán)板狀，在筒狀部230的外側(cè)將外筒部223的上端部和蓋底面部234的外緣部連接。通過外筒連接部224，堵塞外筒部223的上端部和筒狀部230之間的間隙。在基板處理裝置1b中，通過腔室蓋部23以及腔室主體22，形成在內(nèi)部具有密閉空間(即，包含蓋內(nèi)部空間231以及主體內(nèi)部空間221的空間，以下稱為“腔室空間”。)的腔室21。已述的殼體11覆蓋腔室蓋部23以及腔室主體22的側(cè)方、上方以及下方。

基板保持部31呈以中心軸J1為中心的大致圓板狀，設(shè)置在腔室21內(nèi)?；灞３植?1配置在基板9的下方，將基板9的外緣部保持為水平狀態(tài)?；灞３植?1的直徑大于基板9的直徑?；灞３植?1的直徑稍小于腔室蓋部23的下部開口232的直徑。在沿上下方向觀察的情況下，基板9以及基板保持部31配置在腔室蓋部23的下部開口232內(nèi)?；逍D(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35在腔室21內(nèi)配置在基板保持部31的下方。基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使基板9與基板保持部31一起以中心軸J1為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。

遮蔽板51呈以中心軸J1為中心的大致圓板狀。遮蔽板51配置在作為腔室蓋部23的內(nèi)部空間的蓋內(nèi)部空間231。優(yōu)選遮蔽板51的徑向的大小(即，直徑)大于腔室蓋部23的下部開口232的直徑。如后面所述，遮蔽板51能夠堵塞腔室蓋部23的下部開口232。遮蔽板51與由基板保持部31保持的基板9的上表面91在上下方向上相向。

遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55的旋轉(zhuǎn)軸551經(jīng)由在殼體11的上部設(shè)置的貫通孔、以及在腔室蓋部23的上部設(shè)置的貫通孔，與遮蔽板51連接。殼體11的該貫通孔的周圍的部位和腔室蓋部23的該貫通孔的周圍的部位通過能夠在上下方向上伸縮的大致圓筒狀的伸縮構(gòu)件111(例如波紋管)連接。另外，在旋轉(zhuǎn)軸551上設(shè)置有大致圓板狀的凸緣部553，凸緣部553的外周部和殼體11的上述貫通孔的周圍的部位通過能夠在上下方向上伸縮的大致圓筒狀的伸縮構(gòu)件552(例如波紋管)連接。在基板處理裝置1b中，通過凸緣部553以及伸縮構(gòu)件552，將殼體11內(nèi)的空間與殼體11外的空間隔離。另外，通過伸縮構(gòu)件111，將腔室蓋部23內(nèi)的空間與殼體11內(nèi)且腔室蓋部23外的空間隔離。這樣，蓋主體部233的中央部的貫通孔由伸縮構(gòu)件111、552、殼體11的上部的一部分、以及凸緣部553堵塞。堵塞該貫通孔的這些構(gòu)件可以作為蓋主體部233的一部分。另外，通過伸縮構(gòu)件111、552形成的筒狀的空間是蓋內(nèi)部空間231的一部分。

第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41例如配置在殼體11的上側(cè)。第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41將遮蔽板51與遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55一起在上下方向上移動(dòng)。遮蔽板51通過第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41在腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231在上下方向上移動(dòng)。在圖16所示的狀態(tài)下，遮蔽板51配置在與腔室蓋部23的頂蓋部238接近的位置、即從基板保持部31上的基板9的上表面91離開的位置(以下稱為“離開位置”。)。如上所述，遮蔽板51大于腔室蓋部23的下部開口232，因此，遮蔽板51不會(huì)經(jīng)由下部開口232向蓋底面部234的下方移動(dòng)。換言之，遮蔽板51能夠堵塞下部開口232。第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41例如具有馬達(dá)和滾珠絲桿(在第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42中也同樣)。

第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42配置在腔室主體22的側(cè)方，使腔室蓋部23在上下方向上移動(dòng)。具體地說，腔室蓋部23通過第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42在圖16所示的“下位置”和圖17所示的“上位置”之間移動(dòng)。在腔室蓋部23配置在下位置的狀態(tài)下，下部開口232位于基板保持部31上的基板9的下方，在腔室蓋部23配置在下位置的上方的上位置的狀態(tài)下，下部開口232位于基板保持部31上的基板9的上方。在腔室蓋部23從下位置向上位置移動(dòng)時(shí)，通過第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41，遮蔽板51也在上下方向上移動(dòng)。實(shí)際上，遮蔽板51相對于腔室蓋部23的在上下方向上的相對位置變更。這樣，第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41以及第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42是使遮蔽板51在腔室蓋部23的蓋內(nèi)部空間231相對于腔室蓋部23在上下方向上相對移動(dòng)的遮蔽板移動(dòng)機(jī)構(gòu)。此外，在基板處理裝置1b中，腔室主體22的主體底部226以及基板保持部31不在上下方向上移動(dòng)。

如圖16所示，在遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55的旋轉(zhuǎn)軸551內(nèi)設(shè)置有上部中央噴嘴181。在上部中央噴嘴181的下端的中央部設(shè)置有向基板9的上表面91噴出處理液的處理液噴出口。從后述的純水供給部814(參照圖18)送出的純水從處理液噴出口噴出。另外，在上部中央噴嘴181的下端，在處理液噴出口的周圍設(shè)置有大致環(huán)狀的氣體噴出口。從后述的非活性氣體供給部816送出的非活性氣體從氣體噴出口向遮蔽板51的下方的空間(即，遮蔽板51的下表面512和基板9的上表面91之間的空間)供給。上部中央噴嘴181的下端在上下方向上配置在與遮蔽板51的下表面512大致相同的位置。即，上部中央噴嘴181的處理液噴出口以及氣體噴出口設(shè)置在遮蔽板51的下表面512的中央部。

在腔室蓋部23，在蓋主體部233的頂蓋部238設(shè)置有多個(gè)蓋噴嘴182。多個(gè)蓋噴嘴182在上下方向上與遮蔽板51的上表面相向。多個(gè)蓋噴嘴182以中心軸J1為中心呈周狀配置。

圖18是表示基板處理裝置1b具有的氣液供給部18以及氣液排出部19的框圖。氣液供給部18具有處理液供給部811和氣體供給部812。處理液供給部811具有上部中央噴嘴181、藥液供給部813和純水供給部814。藥液供給部813以及純水供給部814經(jīng)由閥與上部中央噴嘴181連接。氣體供給部812具有上部中央噴嘴181、多個(gè)蓋噴嘴182和非活性氣體供給部816。非活性氣體供給部816經(jīng)由閥與上部中央噴嘴181連接。非活性氣體供給部816還經(jīng)由閥與多個(gè)蓋噴嘴182連接。在氣液供給部18中，上部中央噴嘴181由處理液供給部811以及氣體供給部812共有。處理液供給部811以及氣體供給部812可以由彼此獨(dú)立的結(jié)構(gòu)構(gòu)件構(gòu)成。另外，在腔室21設(shè)置的噴嘴的配置也可以適當(dāng)變更。

氣液排出部19具有主體排出口226a、蓋部排出口237、氣液分離部193、主體排氣部194、藥液回收部195、排液部196、氣液分離部197、蓋排氣部198、排液部199。在腔室主體22設(shè)置的主體排出口226a與氣液分離部193連接。氣液分離部193分別經(jīng)由閥與主體排氣部194、藥液回收部195以及排液部196連接。在腔室蓋部23設(shè)置的蓋部排出口237與氣液分離部197連接。氣液分離部197分別經(jīng)由閥與蓋排氣部198以及排液部199連接。氣液供給部18以及氣液排出部19的各結(jié)構(gòu)由控制部10控制。第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41、第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42、基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35以及遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55(參照圖16)也由控制部10控制。

從藥液供給部813經(jīng)由上部中央噴嘴181向基板9上供給的藥液例如是聚合物除去液、或氫氟酸、氫氧化四甲銨水溶液等的蝕刻液。純水供給部814經(jīng)由上部中央噴嘴181向基板9供給純水(DIW：deionized water，去離子水)。處理液供給部811可以具有供給除了上述藥液以及純水以外的處理液(例如、異丙醇(IPA)等的溶劑、或者其他酸、堿溶液、除去液等)的其他供給部。從非活性氣體供給部816供給的氣體例如是氮?dú)?N₂)。氣體供給部812可以具有供給除了氮?dú)庖酝獾姆腔钚詺怏w、或供給除了非活性氣體以外的氣體的其他供給部。

接著，參照圖19來說明基板處理裝置1b對基板9的處理的流程。在基板處理裝置1b中，首先，如圖16所示，在腔室蓋部23位于下位置的狀態(tài)下，通過側(cè)部開口開閉機(jī)構(gòu)39將側(cè)部開口239開放，并且通過外側(cè)開口開閉機(jī)構(gòu)12，將外側(cè)開口112開放。換言之，將腔室21以及殼體11開放。

接著，通過外部的搬送機(jī)構(gòu)，基板9依次通過外側(cè)開口112以及側(cè)部開口239，被搬入蓋內(nèi)部空間231內(nèi)?；?向配置在離開位置的遮蔽板51的下方移動(dòng)，被從該搬送機(jī)構(gòu)交給基板保持部31(步驟S311)。在步驟S311中，基板9在腔室蓋部23的下部開口232的上方由基板保持部31保持。當(dāng)搬送機(jī)構(gòu)移動(dòng)到殼體11外時(shí)，堵塞側(cè)部開口239以及外側(cè)開口112。

在此，在基板處理裝置1b中，作為原則，從氣體供給部812(參照圖18)的多個(gè)蓋噴嘴182向蓋內(nèi)部空間231供給氮?dú)狻⒁约皬纳w部排出口237將蓋內(nèi)部空間231內(nèi)的氣體排出總是進(jìn)行。另外，如后述那樣，在剛開放腔室21之前，在蓋內(nèi)部空間231中維持填充有氮?dú)獾臓顟B(tài)(即，成為氮?dú)猸h(huán)境(低氧環(huán)境)的狀態(tài)，以下稱為“氣體填充狀態(tài)”。)。因此，在將基板9配置在蓋內(nèi)部空間231后，能夠使基板9的周圍迅速處于氣體填充狀態(tài)。

接著，第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，腔室蓋部23從圖16所示的下位置上升，向圖17所示的上位置移動(dòng)。換言之，通過第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42，基板9與基板保持部31一起相對于腔室21相對地下降。第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42是使基板9與基板保持部31一起相對于腔室21在上下方向上相對地移動(dòng)的基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)。此時(shí)，第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，遮蔽板51的相對于腔室蓋部23的相對位置稍微變更。具體地說，通過第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41，遮蔽板51稍微接近腔室蓋部23的下部開口232，配置在蓋底面部234和頂蓋部238之間的大致中間的位置。

如上所述，通過腔室蓋部23從下位置移動(dòng)到上位置，在腔室21內(nèi)，基板9從蓋內(nèi)部空間231經(jīng)由下部開口232移動(dòng)到主體內(nèi)部空間221(步驟S312)。由此，筒狀部230在蓋底面部234的下方在整周位于基板9以及基板保持部31的徑向外側(cè)。實(shí)際上，通過腔室蓋部23從下位置移動(dòng)到上位置，由腔室主體22以及腔室蓋部23的下表面(蓋底面部234的下表面236)包圍的主體內(nèi)部空間221變大。此時(shí)，通過使蓋內(nèi)部空間231處于氣體填充狀態(tài)，主體內(nèi)部空間221中的基板9的周圍也處于氮?dú)獾臐舛雀?氧氣濃度低)的狀態(tài)。

當(dāng)基板9位于主體內(nèi)部空間221時(shí)，開始通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使基板9旋轉(zhuǎn)。另外，從藥液供給部813(參照圖18)向上部中央噴嘴181供給藥液，從蓋內(nèi)部空間231內(nèi)的上部中央噴嘴181經(jīng)由下部開口232向主體內(nèi)部空間221內(nèi)的基板9的上表面91供給藥液(步驟S313)。

來自上部中央噴嘴181的藥液連續(xù)地供給到旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91。藥液借助離心力在上表面91上向徑向外方擴(kuò)展，上表面91整體被藥液覆蓋。從旋轉(zhuǎn)的基板9的外周緣飛散的藥液由蓋底面部234的下表面236以及筒狀部230的內(nèi)側(cè)面接受，并被向在筒狀部230的下方配置的主體排出口226a引導(dǎo)。這樣，蓋底面部234以及筒狀部230發(fā)揮接受從基板9飛散的處理液的杯部的作用。通過了主體排出口226a的藥液流入圖18所示的氣液分離部193。在藥液回收部195中，從氣液分離部193回收藥液，經(jīng)由過濾器等從藥液除去雜質(zhì)等后，被再次利用。

在基板處理裝置1b中，在向基板9供給藥液的期間，優(yōu)選也如上述那樣，持續(xù)通過氣體供給部812供給氮?dú)?，確保腔室空間內(nèi)的氮?dú)猸h(huán)境(在后述的純水的供給時(shí)也同樣)。另外，也可以從上部中央噴嘴181的氣體噴出口噴出氮?dú)?，更可靠地確?；?的周圍的氮?dú)猸h(huán)境。

當(dāng)從開始供給藥液起經(jīng)過規(guī)定時(shí)間時(shí)，停止從上部中央噴嘴181向基板9供給藥液。接著，通過純水供給部814(參照圖18)經(jīng)由上部中央噴嘴181向基板9的上表面91供給作為沖洗液的純水(步驟S314)。來自純水供給部814的純水連續(xù)供給到基板9的上表面91的中央部。純水借助基板9的旋轉(zhuǎn)向上表面91的外周部擴(kuò)展，從基板9的外周緣向外側(cè)飛散。從基板9飛散的純水由蓋底面部234的下表面236以及筒狀部230的內(nèi)側(cè)面接受，并被向主體排出口226a引導(dǎo)。通過了主體排出口226a的純水經(jīng)由氣液分離部193以及排液部196(參照圖18)被廢棄。當(dāng)從開始供給純水起經(jīng)過規(guī)定時(shí)間時(shí)，停止從純水供給部814供給純水。

當(dāng)結(jié)束向基板9供給處理液(藥液以及純水)時(shí)，通過第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，腔室蓋部23從圖17所示的上位置下降，移動(dòng)到圖20所示的下位置。換言之，通過第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42，基板9與基板保持部31一起相對于腔室21相對地上升。此時(shí)，第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，遮蔽板51的相對于腔室蓋部23的相對位置不變更。即，通過第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41，維持遮蔽板51配置在蓋底面部234和頂蓋部238之間的大致中間的位置的狀態(tài)。

如上所述，腔室蓋部23從上位置移動(dòng)到下位置，在腔室21內(nèi)，基板9從主體內(nèi)部空間221經(jīng)由下部開口232移動(dòng)到蓋內(nèi)部空間231(步驟S315)。如圖20所示，在蓋內(nèi)部空間231中，基板9的上表面91和遮蔽板51的下表面512在上下方向上相向并接近。即，遮蔽板51配置在與基板9的上表面91在上下方向上接近的位置(以下稱為“接近位置”。)。另外，基板保持部31的外緣和蓋底面部234的內(nèi)緣(下部開口232的邊緣)之間的間隙的寬度微小，大致通過基板保持部31將蓋內(nèi)部空間231和主體內(nèi)部空間221隔開。

接著，在蓋內(nèi)部空間231配置的基板9通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35與基板保持部31一起以中心軸J1為中心以比較高的速度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。由此，基板9上的處理液(主要是純水)向徑向外方移動(dòng)，并從基板9的外緣向周圍飛散。其結(jié)果，除去基板9上的處理液(步驟S316)。以下，將步驟S316的處理稱為“干燥處理”。步驟S316中的基板9的旋轉(zhuǎn)速度大于步驟S313、S314中的基板9的旋轉(zhuǎn)速度。

在步驟S316中，從旋轉(zhuǎn)的基板9飛散的處理液由蓋主體部233的內(nèi)側(cè)面以及蓋底面部234的上表面235接受，并向蓋主體部233和蓋底面部234的連接部移動(dòng)。該處理液(即，在步驟S316中從基板9上除去的處理液)經(jīng)由蓋部排出口237、氣液分離部197以及排液部199(參照圖18)被廢棄。在腔室蓋部23中，如上所述，蓋底面部234的上表面235是越接近徑向外方則越接近下方的傾斜面。因此，防止上表面235上的處理液向中央的下部開口232移動(dòng)。另外，由于上表面235上的處理液快速地向徑向外方移動(dòng)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)蓋內(nèi)部空間231快速地排出處理液。

在蓋內(nèi)部空間231內(nèi)基板9進(jìn)行旋轉(zhuǎn)時(shí)，通過遮蔽板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)55，遮蔽板51在接近位置，向與基板9相同的旋轉(zhuǎn)方向以與基板9的旋轉(zhuǎn)速度大致相等的旋轉(zhuǎn)速度并以中心軸J1為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。通過將遮蔽板51配置在接近位置，能夠抑制(或防止)從基板9飛散的處理液在蓋主體部233的內(nèi)側(cè)面彈回而再次附著在基板9的上表面91。另外，通過遮蔽板51進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使在遮蔽板51的上表面511以及下表面512附著的處理液向周圍飛散，從遮蔽板51上除去。

在步驟S316的干燥處理中，除了多個(gè)蓋噴嘴182，上部中央噴嘴181也噴出氮?dú)?。即，?jīng)由上部中央噴嘴181的氣體噴出口向遮蔽板51的下表面512和基板9的上表面91之間的空間供給氮?dú)狻Ｓ纱耍軌驈幕?和遮蔽板51之間的空間更快速地排出處理液，促進(jìn)基板9的干燥。在干燥處理中，通過從氣體供給部812向蓋內(nèi)部空間231連續(xù)地供給氮?dú)?，蓋內(nèi)部空間231處于由干燥的氮?dú)馓畛涞臍怏w填充狀態(tài)。此時(shí)，主要通過蓋排氣部198將蓋內(nèi)部空間231內(nèi)的氣體排出。

當(dāng)基板9的干燥處理結(jié)束時(shí)，停止通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)35使基板9旋轉(zhuǎn)。另外，第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，遮蔽板51從圖20所示的接近位置上升，如圖16所示那樣配置在離開位置。接著，開放側(cè)部開口239以及外側(cè)開口112，從而開放腔室21以及殼體11。實(shí)施了上述的一系列處理的基板9在腔室21內(nèi)交給外部的搬送機(jī)構(gòu)。并且，該基板9由該搬送機(jī)構(gòu)依次通過側(cè)部開口239以及外側(cè)開口112，并搬出到殼體11外(步驟S317)。當(dāng)搬送機(jī)構(gòu)移動(dòng)到殼體11外時(shí)，堵塞側(cè)部開口239以及外側(cè)開口112。

在基板處理裝置1b中，在存在下一個(gè)處理對象的基板9的情況下(步驟S318)，返回到步驟S311，將該基板9搬入蓋內(nèi)部空間231。此時(shí)，由于在剛開放腔室21之前的干燥處理(剛剛之前的步驟S316中的干燥處理)中，蓋內(nèi)部空間231處于氣體填充狀態(tài)，所以在將基板9配置在蓋內(nèi)部空間231后，能夠使基板9的周圍迅速地處于氣體填充狀態(tài)。并且，與上述同樣，進(jìn)行步驟S312～S317的處理。

另一方面，在不存在下一個(gè)處理對象的基板9的情況下(步驟S318)，第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41以及第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，如圖21所示，腔室蓋部23移動(dòng)到上位置，并且遮蔽板51與腔室蓋部23的下部開口232重疊。具體地說，遮蔽板51的下表面512的外周部在整周與蓋底面部234的上表面235中的下部開口232附近的部位接觸。由此，腔室蓋部23的下部開口232由遮蔽板51堵塞，將蓋內(nèi)部空間231和主體內(nèi)部空間221隔開(步驟S319)。另外，通過從多個(gè)蓋噴嘴182向蓋內(nèi)部空間231持續(xù)供給氮?dú)?，維持蓋內(nèi)部空間231由干燥的氮?dú)馓畛涞臍怏w填充狀態(tài)。因此，也進(jìn)行蓋內(nèi)部空間231的干燥(濕度的低減)、即腔室蓋部23的內(nèi)面、以及、遮蔽板51的上表面的干燥。

此時(shí)，下部開口232未必由遮蔽板51密閉，如果遮蔽板51與下部開口232重疊，則在遮蔽板51和蓋底面部234之間也可以存在微小的間隙。實(shí)際上，直到準(zhǔn)備下一個(gè)處理對象的基板9為止，維持下部開口232由遮蔽板51堵塞的狀態(tài)。并且，當(dāng)準(zhǔn)備下一個(gè)處理對象的基板9時(shí)，開始(再開始)圖19所示的基板9的處理。

如以上說明那樣，在基板處理裝置1b中，在基板9配置在主體內(nèi)部空間221時(shí)，向基板9的上表面91供給處理液，在基板9配置在蓋內(nèi)部空間231時(shí)，使基板9旋轉(zhuǎn)，并使用來自氣體供給部812的氣體使基板9干燥。這樣，在剛搬入腔室21內(nèi)后配置有基板9的蓋內(nèi)部空間231是使用了氣體進(jìn)行干燥處理(對剛剛被處理的基板9的干燥處理)的空間，從而在搬入腔室21內(nèi)后，使基板9的周圍迅速且高效地處于氣體填充狀態(tài)。

另外，通過使從氣體供給部812供給的氣體為氮?dú)獾鹊姆腔钚詺怏w，能夠迅速地在低氧環(huán)境下利用處理液對基板9進(jìn)行處理。其結(jié)果，能夠抑制在基板9的上表面91上的金屬膜的氧化等。在干燥處理中，氣體供給部812經(jīng)由在遮蔽板51的下表面512的中央部設(shè)置的氣體噴出口向遮蔽板51的下表面512和基板9的上表面91之間的空間供給氣體，從而能夠高效地干燥基板9。

在殼體11中，通過設(shè)置能夠開閉的外側(cè)開口112，能夠抑制外部氣體進(jìn)入蓋內(nèi)部空間231。另外，在腔室21內(nèi)未配置基板9的期間，遮蔽板51堵塞下部開口232。從而在蓋內(nèi)部空間231能夠容易維持氣體填充狀態(tài)。

在上述基板處理裝置1b中能夠進(jìn)行各種變形。

可以在殼體11設(shè)置氣體供給部812的氣體噴出口，除了向蓋內(nèi)部空間231供給氣體，還向殼體11內(nèi)供給氣體。在該情況下，能夠進(jìn)一步抑制外部氣體進(jìn)入蓋內(nèi)部空間231。

可以根據(jù)對基板9的處理的種類，通過處理液供給部811向基板9的上表面91供給處理液的液滴或蒸汽。

在圖16所示的例子中，上述的基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)包括使腔室蓋部23移動(dòng)的第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42，但是基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)例如可以是使基板保持部31在腔室21內(nèi)在上下方向上移動(dòng)的機(jī)構(gòu)。

另外，在圖16所示的例子中，遮蔽板移動(dòng)機(jī)構(gòu)包括使遮蔽板51移動(dòng)的第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)41和使腔室蓋部23移動(dòng)的第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)42，但是從將遮蔽板51有選擇地配置在接近位置和離開位置的觀點(diǎn)，如上述那樣使基板保持部31在上下方向上移動(dòng)的基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)可以兼作遮蔽板移動(dòng)機(jī)構(gòu)。

在腔室主體22中，呈同心圓狀配置的多個(gè)杯可以設(shè)置在筒狀部230的內(nèi)側(cè)。在該情況下，優(yōu)選在切換向基板9上供給的處理液的種類時(shí)，也切換接受來自基板9的處理液的杯(也包含筒狀部230。)。由此，在利用多個(gè)種類的處理液時(shí)，能夠容易分別回收或廢棄多個(gè)處理液。

在基板處理裝置1b中，可以對除了半導(dǎo)體基板以外的各種基板進(jìn)行處理。

上述實(shí)施方式以及各變形例中的結(jié)構(gòu)只要不相互矛盾，可以適當(dāng)組合。

詳細(xì)描繪說明了本發(fā)明，但是已述的說明僅是例示而不是進(jìn)行限定。因此，只要不脫離本發(fā)明的范圍，能夠存在各種變形和方式。

附圖標(biāo)記的說明

1、1a、1b 基板處理裝置

9 基板

10 控制部

11 殼體

12 外側(cè)開口開閉機(jī)構(gòu)

21、21a 腔室

22 腔室主體

23 腔室蓋部