1.一種基板處理裝置，對基板進行處理，其特征在于，具有：
腔室蓋部，具有下部開口，并形成徑向的大小大于所述下部開口的徑向的大小的蓋內部空間；
腔室主體，形成主體內部空間，并且具有與所述下部開口在上下方向上相向的上部開口，通過由所述腔室蓋部覆蓋所述上部開口，該腔室主體與所述腔室蓋部一起形成腔室；
基板保持部，在所述腔室內將基板保持為水平狀態(tài)；
噴出部，配置在所述蓋內部空間，向所述基板的上表面噴出處理液；
噴出部移動機構，將所述噴出部有選擇地配置在所述下部開口的上方的噴出位置和在所述蓋內部空間內相對于所述下部開口在所述徑向上離開的待機位置；
氣體供給部，向所述蓋內部空間供給氣體；
排氣部，排出所述蓋內部空間內的氣體；
控制部，通過控制所述噴出部移動機構，在從所述噴出部向所述基板供給處理液時，將所述噴出部配置在所述噴出位置，在未從所述噴出部向所述基板供給處理液的期間對所述噴出部進行干燥時，將所述噴出部配置在所述待機位置。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，
該基板處理裝置還具有：
遮蔽板，配置在所述蓋內部空間，并與所述基板的所述上表面相向，
遮蔽板移動機構，使所述遮蔽板在所述蓋內部空間相對于所述腔室蓋部在所述上下方向上移動；
所述控制部通過控制所述遮蔽板移動機構，在從所述噴出部向所述基板供給處理液時，將所述遮蔽板配置在所述噴出部的上方，在未從所述噴出部向所述基板供給處理液的期間對所述噴出部進行干燥時，通過所述遮蔽板堵塞所述下部開口。
3.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述腔室蓋部具有排出所述蓋內部空間內的液體的排出口，
所述噴出部在配置在所述待機位置的狀態(tài)下進行預噴出。
4.如權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述腔室蓋部還具有：
蓋主體部，呈上下反轉的杯狀，
環(huán)狀的蓋底面部，從所述蓋主體部的下端部向所述徑向內方擴展，并且在中央部設置有所述下部開口；
所述蓋底面部的上表面越接近所述徑向外方則越接近下方，
所述排出口設置在所述腔室蓋部的所述蓋底面部和所述蓋主體部的連接部。
5.如權利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述噴出部具有：
噴出頭，噴出處理液，
頭支撐部，其為在水平方向上延伸的構件，在自由端部固定有所述噴出頭，固定端部在所述蓋內部空間內安裝在所述腔室蓋部上；
所述噴出部移動機構具有使所述噴出頭與所述頭支撐部一起以所述固定端部為中心進行旋轉的頭旋轉機構。
6.如權利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述頭旋轉機構設置在所述腔室蓋部的上表面。
7.如權利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，
該基板處理裝置還具有腔室開閉機構，該腔室開閉機構使所述腔室蓋部相對于所述腔室主體在所述上下方向上移動，通過由所述腔室蓋部覆蓋所述腔室主體的所述上部開口，形成所述基板配置在內部的所述腔室。
8.如權利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，
在形成所述腔室之前，通過所述氣體供給部向所述蓋內部空間供給氣體，在所述蓋內部空間填充所述氣體。
9.一種基板處理裝置，對基板進行處理，其特征在于，
具有：
腔室蓋部，具有下部開口，并形成蓋內部空間，
腔室主體，形成主體內部空間，并且具有與所述下部開口在上下方向相向的上部開口，通過由所述腔室蓋部覆蓋所述上部開口，該腔室主體與所述腔室蓋部一起形成腔室，
基板保持部，在所述腔室內將基板保持為水平狀態(tài)，
基板移動機構，使所述基板與所述基板保持部一起相對于所述腔室在所述上下方向上移動，
處理液供給部，在所述基板配置在所述主體內部空間時向所述基板的上表面供給處理液，
基板旋轉機構，在所述基板配置在所述蓋內部空間時使所述基板與所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心軸為中心進行旋轉，
遮蔽板，配置在所述蓋內部空間，并與所述基板的所述上表面相向，
遮蔽板旋轉機構，使所述遮蔽板以朝向所述上下方向的中心軸為中心進行旋轉，
清洗液供給部，向所述遮蔽板的上表面供給清洗液；
在所述蓋內部空間內，供給到旋轉的所述遮蔽板的所述上表面上的清洗液借助離心力從所述遮蔽板的所述上表面向所述腔室蓋部的內側面飛散。
10.如權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，
該基板處理裝置還具有：
氣體供給部，向所述蓋內部空間供給氣體；
排氣部，排出所述蓋內部空間內的氣體。
11.如權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，
該基板處理裝置還具有使所述遮蔽板在所述蓋內部空間內相對于所述腔室蓋部在所述上下方向上移動的遮蔽板移動機構。
12.如權利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述處理液供給部具有：
噴出部，配置在所述蓋內部空間，向所述基板的所述上表面噴出處理液，
噴出部移動機構，將所述噴出部有選擇地配置在所述下部開口的上方的噴出位置和在所述蓋內部空間內相對于所述下部開口在所述徑向上離開的待機位置；
在從所述噴出部向所述基板供給處理液時，所述噴出部配置在所述噴出位置，且所述遮蔽板配置在所述噴出部的上方，
在未從所述噴出部向所述基板供給處理液時，所述噴出部配置在所述待機位置，
在向所述遮蔽板的所述上表面供給清洗液時，清洗液從所述遮蔽板的所述上表面向位于所述待機位置的所述噴出部飛散。
13.如權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，
在向所述遮蔽板的所述上表面供給清洗液的期間，通過所述處理液供給部向在所述主體內部空間配置的所述基板的所述上表面供給處理液。
14.如權利要求9至13中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述腔室蓋部具有：
蓋主體部，呈上下反轉的杯狀，
環(huán)狀的蓋底面部，從所述蓋主體部的下端部向所述徑向內方擴展，并且，在中央部設置有所述下部開口，該蓋底面部的上表面越接近所述徑向外方則越接近下方，
排出口，設置在所述蓋底面部和所述蓋主體部的連接部，用于排出所述蓋內部空間內的液體。
15.如權利要求9至13中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述清洗液供給部還向所述遮蔽板的下表面供給清洗液。
16.如權利要求9至13中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，
該基板處理裝置還具有腔室開閉機構，該腔室開閉機構使所述腔室蓋部相對于所述腔室主體在所述上下方向上移動，通過由所述腔室蓋部覆蓋所述腔室主體的所述上部開口，形成所述基板配置在內部的所述腔室。
17.如權利要求16所述的基板處理裝置，其特征在于，
在形成所述腔室之前，在所述遮蔽板堵塞所述腔室蓋部的所述下部開口的狀態(tài)下，向所述蓋內部空間供給氣體，在所述蓋內部空間填充所述氣體。
18.一種基板處理裝置，對基板進行處理，其特征在于，
具有：
腔室蓋部，具有下部開口，并形成徑向的大小大于所述下部開口的徑向的大小的蓋內部空間，
腔室主體，形成主體內部空間，并且與所述腔室蓋部一起形成腔室，
基板保持部，在所述主體內部空間內將基板保持為水平狀態(tài)，
處理液供給部，向所述基板的上表面供給處理液，
遮蔽板，配置在所述蓋內部空間，并與所述基板的所述上表面相向，能夠堵塞所述下部開口，
遮蔽板旋轉機構，使所述遮蔽板以朝向所述上下方向的中心軸為中心進行旋轉，
膜形成液供給部，向所述遮蔽板的上表面供給膜形成液；
所述腔室蓋部具有：
蓋主體部，呈上下反轉的杯狀，
環(huán)狀的蓋底面部，從所述蓋主體部的下端部向徑向內方擴展，并且在中央部設置有所述下部開口；
在所述腔室內，在所述遮蔽板從所述腔室蓋部的所述下部開口向上方離開的狀態(tài)下，供給到旋轉的所述遮蔽板的所述上表面上的膜形成液借助離心力從所述遮蔽板的所述上表面流向所述蓋底面部的上表面，由此在所述遮蔽板和所述蓋底面部之間形成環(huán)狀的液膜。
19.如權利要求18所述的基板處理裝置，其特征在于，
該基板處理裝置還具有氣體供給部，該氣體供給部從在所述遮蔽板的下表面的中央部設置的氣體噴出口向所述遮蔽板的所述下表面和所述基板的所述上表面之間的空間供給氣體。
20.如權利要求18所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述處理液供給部具有：
噴出頭，噴出處理液，
頭支撐部，其為在水平方向上延伸的構件，在自由端部固定有所述噴出頭，固定端部在所述蓋內部空間內安裝在所述腔室蓋部的所述蓋主體部上；
所述基板處理裝置還具有使所述噴出頭與所述頭支撐部一起以所述固定端部為中心進行旋轉的頭旋轉機構，
在向所述基板上供給處理液時，通過所述頭旋轉機構使所述噴出頭以及所述頭支撐部旋轉，所述噴出頭配置在所述遮蔽板和所述下部開口之間，從所述噴出頭經(jīng)由所述下部開口向所述基板的所述上表面噴出處理液。
21.如權利要求18至20中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述膜形成液供給部具有多個膜形成液噴出口，所述多個膜形成液噴出口以所述中心軸為中心呈周狀配置，并且向所述遮蔽板的所述上表面噴出膜形成液。
22.如權利要求18至20中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述遮蔽板的所述上表面相對于從所述膜形成液供給部供給的膜形成液具有親液性。
23.如權利要求18至20中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述遮蔽板的所述上表面是越接近所述徑向外方則越接近下方的傾斜面。
24.如權利要求18至20中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述蓋底面部的所述上表面越接近所述徑向外方則越接近下方，
在所述腔室蓋部的所述蓋底面部和所述蓋主體部的連接部設置有排出所述蓋內部空間內的膜形成液的排出口。
25.如權利要求18至20中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，
與形成所述液膜并行，從所述遮蔽板的上方向所述蓋內部空間供給氣體，在所述蓋內部空間填充所述氣體。
26.如權利要求18至20中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，
在形成所述腔室之前，在所述遮蔽板與所述腔室蓋部的所述下部開口重疊的狀態(tài)下，從所述遮蔽板的上方向所述蓋內部空間供給氣體，在所述蓋內部空間填充所述氣體。
27.一種基板處理裝置，對基板進行處理，其特征在于，具有：
腔室蓋部，具有下部開口以及側部開口，并形成蓋內部空間；
腔室主體，形成主體內部空間，并且，具有與所述下部開口在上下方向上相向的上部開口，該腔室主體與覆蓋所述上部開口的所述腔室蓋部一起形成腔室；
基板保持部，在所述腔室內將基板保持為水平狀態(tài)；
側部開口開閉機構，在將所述基板向所述腔室內搬入以及向所述腔室外搬出時，對所述基板通過的所述側部開口進行開閉；
基板移動機構，使所述基板與所述基板保持部一起相對于所述腔室在所述上下方向上移動；
處理液供給部，在所述基板配置在所述主體內部空間時向所述基板的上表面供給處理液；
基板旋轉機構，在所述基板配置在所述蓋內部空間時，使所述基板與所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心軸為中心進行旋轉，由此使所述基板干燥；
氣體供給部，向所述蓋內部空間供給氣體。
28.如權利要求27所述的基板處理裝置，其特征在于，
該基板處理裝置還具有：
遮蔽板，配置在所述蓋內部空間，并與所述基板的所述上表面相向；
遮蔽板移動機構，有選擇地使所述遮蔽板配置在與在所述蓋內部空間配置的所述基板的所述上表面接近的接近位置和從所述基板的所述上表面離開的離開位置。
29.如權利要求28所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述蓋內部空間的徑向的大小大于所述下部開口的徑向的大小，
在所述腔室內未配置基板的期間，所述遮蔽板堵塞所述下部開口。
30.如權利要求28所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述氣體供給部經(jīng)由在所述遮蔽板的下表面的中央部設置的氣體噴出口向所述遮蔽板的所述下表面和所述基板的所述上表面之間的空間供給氣體。
31.如權利要求27至30中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，
該基板處理裝置還具有排出所述蓋內部空間內的氣體的排氣部。
32.如權利要求27至30中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，
該基板處理裝置還具有：
殼體，覆蓋所述腔室蓋部以及所述腔室主體的側方以及上方，并且具有在水平方向上與所述側部開口相向的外側開口；
外側開口開閉機構，對所述外側開口進行開閉。
33.一種基板處理方法，在基板處理裝置中對基板進行處理，其特征在于，
所述基板處理裝置具有：
腔室蓋部，具有下部開口，并形成蓋內部空間，
腔室主體，形成主體內部空間，并且具有與所述下部開口在上下方向上相向的上部開口，通過由所述腔室蓋部覆蓋所述上部開口，該腔室主體與所述腔室蓋部一起形成腔室，
基板保持部，在所述腔室內將基板保持為水平狀態(tài)，
基板移動機構，使所述基板與所述基板保持部一起相對于所述腔室在所述上下方向上移動，
處理液供給部，在所述基板配置在所述主體內部空間時向所述基板的上表面供給處理液，
基板旋轉機構，在所述基板配置在所述蓋內部空間時使所述基板與所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心軸為中心進行旋轉，
遮蔽板，配置在所述蓋內部空間，并與所述基板的所述上表面相向；
所述基板處理方法包括：
a)工序，使所述遮蔽板以朝向所述上下方向的中心軸為中心進行旋轉，
b)工序，與所述a)工序并行，向所述遮蔽板的上表面供給清洗液；
在所述b)工序中，所述清洗液借助離心力從所述遮蔽板的所述上表面向所述腔室蓋部的內側面飛散。
34.一種基板處理方法，在基板處理裝置中對基板進行處理，
該基板處理裝置具有：
腔室蓋部，具有下部開口，并形成徑向的大小大于所述下部開口的徑向的大小的蓋內部空間，
腔室主體，形成主體內部空間，并且與所述腔室蓋部一起形成腔室，
遮蔽板，配置在所述蓋內部空間，并與所述基板的上表面相向，能夠堵塞所述下部開口，
遮蔽板旋轉機構，使所述遮蔽板以朝向所述上下方向的中心軸為中心進行旋轉；
所述腔室蓋部具有：
蓋主體部，以所述中心軸為中心，
環(huán)狀的蓋底面部，從所述蓋主體部的下端部向徑向內方擴展，并且在中央部設置有所述下部開口；其特征在于，
該基板處理方法包括：
a)工序，在所述腔室內，向以從所述腔室蓋部的所述下部開口向上方離開的狀態(tài)下進行旋轉的所述遮蔽板的所述上表面供給膜形成液，通過借助離心力從所述遮蔽板的所述上表面流向所述蓋底面部的上表面的所述膜形成液，在所述遮蔽板和所述蓋底面部之間形成環(huán)狀的液膜，
b)工序，在形成有所述液膜的狀態(tài)下，向所述基板的上表面供給處理液。