技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種寬帶隙半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括:第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(32)；第二導(dǎo)電型區(qū)域(41)、(42)，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(32)上；第一電極(10)，其一部分位于第二導(dǎo)電型區(qū)域(41)、(42)上，其殘余部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(32)上；絕緣層(51)、(52)、(53)，在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(32)上與所述第一電極(10)鄰接設(shè)置，并延伸至所述寬帶隙半導(dǎo)體裝置的端部；以及,第二電極(20)，設(shè)置在所述第一電極(10)與所述寬帶隙半導(dǎo)體裝置的端部之間，并與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(32)形成肖特基接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：前山雄介;中村俊一;小笠原淳;大澤良平;涉川昭彥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新電元工業(yè)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.27
技術(shù)公布日：2017.08.18