本發(fā)明涉及薄膜晶體管及其制造方法。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管被廣泛用于液晶顯示裝置(lcd)、有機(jī)電致發(fā)光(el)顯示裝置、電子紙顯示裝置等顯示裝置或者各種傳感器等中。

作為薄膜晶體管的半導(dǎo)體材料，使用了非晶質(zhì)硅或多晶硅或者氧化物半導(dǎo)體等的材料成為主流。一般來說，對于使用了這些半導(dǎo)體材料的薄膜晶體管，通過在使用真空成膜法進(jìn)行成膜之后利用光刻法等進(jìn)行布圖來制作。

近年來，作為半導(dǎo)體層使用了有機(jī)材料的有機(jī)薄膜晶體管備受關(guān)注。有機(jī)半導(dǎo)體材料在此之前與硅系材料或氧化物系材料相比遷移率小，難以制作高性能的薄膜晶體管。但是，有機(jī)材料的材料分子的設(shè)計(jì)自由度高，隨著近年的技術(shù)進(jìn)步，也報(bào)告了很多具有超過非晶質(zhì)硅的遷移率的有機(jī)薄膜晶體管。

有機(jī)薄膜晶體管從以下方面出發(fā)受到期待：具有通過使用將半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電性材料和絕緣性材料等的溶液進(jìn)行涂布、印刷技術(shù)等濕式成膜法即有可能進(jìn)行低溫下的塑料基板上的器件形成及低成本的器件制造；印刷法由于同時(shí)進(jìn)行成膜和布圖的工序，因此與以往使用了光刻工藝的真空成膜工藝相比材料利用效率高，不需要抗蝕圖案形成工序、刻蝕工序、剝離工序，因而環(huán)境負(fù)荷少。

作為通過印刷法形成的有機(jī)薄膜晶體管的元件構(gòu)造，多采用在源電極及漏電極上形成有機(jī)半導(dǎo)體層的底接觸構(gòu)造。另外，為了減少半導(dǎo)體材料與源電極及漏電極的接觸電阻、獲得更高性能的有機(jī)薄膜晶體管，還有使用在源電極及漏電極上利用自組裝膜等進(jìn)行表面處理等方法(專利文獻(xiàn)1)。

特別是，在使用p型有機(jī)半導(dǎo)體材料時(shí)，利用氟化合物等具有吸電子性的材料進(jìn)行表面處理。

作為有機(jī)半導(dǎo)體材料，多使用稠合多環(huán)系芳香族化合物或π電子系高分子材料，但顯示晶體管特性高(載流子遷移率高)的特性的有機(jī)半導(dǎo)體材料一般來說對溶劑的溶解度低，在利用噴墨印刷或凸版印刷法等各種印刷法或光刻法形成有機(jī)半導(dǎo)體油墨時(shí)，有機(jī)半導(dǎo)體油墨多制成低濃度且低粘度的油墨來進(jìn)行使用。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2012-234923號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

因此，具有上述那樣底接觸構(gòu)造的有機(jī)薄膜晶體管中，柵極絕緣層中要形成半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域中的柵極絕緣層表面與源電極及漏電極上表面的表面性(表面能量)不同。因而具有以下問題：產(chǎn)生柵極絕緣層表面與源電極及漏電極表面的對有機(jī)半導(dǎo)體油墨的潤濕性差異，在低粘度(0.5cp～100cp)的半導(dǎo)體油墨的涂布時(shí)會發(fā)生油墨的涂膜凹陷，無法良好地形成半導(dǎo)體層的圖案。

特別是，當(dāng)利用氟系化合物進(jìn)行源電極及漏電極的表面處理時(shí)，源電極及漏電極表面由于氟系化合物而成為疏液性非常高的狀態(tài)，因此源電極及漏電極表面的對溶劑的潤濕性顯著降低，利用作為通過印刷法等涂布半導(dǎo)體油墨的方式的濕式成膜法是非常難以在實(shí)施了表面處理的源電極及漏電極上形成半導(dǎo)體層的。

本發(fā)明鑒于以上方面，提供對于在利用印刷法等濕式成膜法形成半導(dǎo)體層的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管中顯示良好特性(載流子遷移率高)的薄膜晶體管及其制造方法。

用于解決課題的方法

用于解決上述課題的本發(fā)明的一個(gè)方面為一種薄膜晶體管，其為在基板上至少具有柵電極、柵極絕緣層、源電極、漏電極、連接于源電極及漏電極的半導(dǎo)體層、以及保護(hù)層的薄膜晶體管，其中，源電極及漏電極表面具有凹凸構(gòu)造。

另外，半導(dǎo)體層可以使用溶解了半導(dǎo)體材料或半導(dǎo)體材料的前體的溶液、利用噴墨法、凸版印刷法、平版印刷法、凹版印刷法中的任一種方法來形成。

另外，源電極及漏電極表面的至少與半導(dǎo)體層相接觸之處的表面粗糙度ra可以為3nm以上且50nm以下。

另外，源電極及漏電極可以通過噴墨法、凸版印刷法、平版印刷法、凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法中的任一種方法形成。

另外，源電極及漏電極的至少與半導(dǎo)體層相接觸之處可以由金屬材料構(gòu)成。

另外，可以對源電極及漏電極表面的至少與半導(dǎo)體層相接觸之處實(shí)施表面處理。

另外，保護(hù)層可以是使用溶解或分散了保護(hù)層材料或其前體的溶液、利用噴墨法、凸版印刷法、平版印刷法、凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法中的任一種方法來形成。

另外，本發(fā)明的另一方面為一種薄膜晶體管的制造方法，其具有以下工序：

在基板上依次形成柵電極、柵極絕緣層、源電極及漏電極的工序；

在源電極和漏電極表面上形成凹凸的工序；

在源電極、漏電極及其之間涂布半導(dǎo)體材料、形成連接于源電極及漏電極的半導(dǎo)體層的工序；以及

形成保護(hù)層的工序。

另外，本發(fā)明的又一方面為一種薄膜晶體管的制造方法，其具有以下工序：

在基板上形成源電極及漏電極的工序；

在源電極及漏電極上形成凹凸的工序；

在源電極、漏電極及其之間涂布半導(dǎo)體材料、形成連接于源電極及漏電極的半導(dǎo)體層的工序；以及

依次形成柵極絕緣層和柵電極的工序。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供即便是在對源電極及漏電極表面利用疏液性高的材料進(jìn)行了表面處理的狀態(tài)下、也可將半導(dǎo)體油墨在不發(fā)生涂膜凹陷的情況下進(jìn)行涂布、在利用印刷法等濕式成膜法形成半導(dǎo)體層的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管中顯示良好特性的薄膜晶體管。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第1實(shí)施方式的薄膜晶體管的概略截面圖。

圖2為本發(fā)明第2實(shí)施方式的薄膜晶體管的概略截面圖。

具體實(shí)施方式

以下一邊參照附圖一邊說明本發(fā)明的實(shí)施方式。此外，各實(shí)施方式中，對于相應(yīng)的構(gòu)成要素帶有相同的符號，在各實(shí)施方式之間重復(fù)的說明省略。

圖1為表示本發(fā)明第1實(shí)施方式的薄膜晶體管(底柵型)的概略截面圖。

本實(shí)施方式的薄膜晶體管至少具備：形成于基板1上的柵電極2；形成于柵電極上的柵極絕緣層3；在柵極絕緣層3上分開地形成的源電極4及漏電極5；連接于源電極4及漏電極5的半導(dǎo)體層6；以及用于保護(hù)半導(dǎo)體層6的保護(hù)層7。

以下，按照薄膜晶體管的制造工序?qū)Ρ緦?shí)施方式的各構(gòu)成要素進(jìn)行說明。

首先，在基板1上形成柵電極2。作為基板1的材料，可以使用聚碳酸酯、聚乙烯硫化物、聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、環(huán)烯烴聚合物、三乙酰纖維素、聚氟乙烯膜、乙烯-四氟乙烯共聚樹脂、耐候性聚對苯二甲酸乙二醇酯、耐候性聚丙烯、玻璃纖維強(qiáng)化丙烯酸樹脂膜、玻璃纖維強(qiáng)化聚碳酸酯、聚酰亞胺、氟系樹脂、環(huán)狀聚烯烴系樹脂、玻璃、石英玻璃等，但并非限定于這些。這些材料可以單獨(dú)使用，也可將2種以上層疊來作為基板1進(jìn)行使用。

基板1為有機(jī)物膜時(shí)，為了提高薄膜晶體管的耐久性，還可以形成透明的阻氣層(未圖示)。作為阻氣層，可以舉出氧化鋁(al2o3)、氧化硅(sio)、氮化硅(sin)、氧化氮化硅(sion)、碳化硅(sic)及類金剛石碳(dlc)等，但并非限定于這些。另外，這些阻氣層還可以層疊2層以上進(jìn)行使用。阻氣層可以僅形成在使用了有機(jī)物膜的基板1的單面上，也可形成在兩面上。阻氣層可以使用真空蒸鍍法、離子鍍法、濺射法、激光燒蝕法、等離子體cvd(chemicalvapordeposition，化學(xué)氣相沉積)法、熱線cvd法及凝膠-溶膠法等進(jìn)行形成，但并非限定于此。

另外，為了提高形成在基板1上的柵電極2與基板1的密合性，還可設(shè)置密合層。

柵電極2、源電極4及漏電極5并無必要明確地分為電極部分及布線部分，本說明書中特別地作為各薄膜晶體管的構(gòu)成要素而稱呼為電極。另外，當(dāng)沒必要區(qū)別電極和布線時(shí)，相應(yīng)地記為柵極、源極、漏極等。

柵電極2的材料可以使用鋁(al)、銅(cu)、鉬(mo)、銀(ag)、鉻(cr)、鈦(ti)、金(au)、鉑(pt)、鎢(w)、錳(mn)等金屬材料、或者氧化銦(ino)、氧化錫(sno)、氧化鋅(zno)、氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)等導(dǎo)電性金屬氧化物材料、聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸酯(pedot/pss)或聚苯胺等導(dǎo)電性高分子，但并非限定于這些。這些材料可以以單層進(jìn)行使用，也可作為疊層及合金進(jìn)行使用。

柵電極2可以通過真空蒸鍍法、濺射法等真空成膜法、使用導(dǎo)電性材料的前體或納米粒子等的濕式成膜法、例如噴墨法、凸版印刷法、平版印刷法、凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法等方法進(jìn)行形成，但并非限定于這些。布圖可以是例如使用光刻法、用抗蝕劑等保護(hù)圖案形成部分、利用刻蝕將不需要部分除去來進(jìn)行，也可以使用印刷法等直接進(jìn)行布圖，但并非限定于這些方法，可以使用公知一般的布圖方法。

接著，在基板1及柵電極2上形成柵極絕緣層3。柵極絕緣層3按照除了柵電極2與其他電極的連接部及與外部的連接部之外、將薄膜晶體管部分的至少柵電極2被覆的方式來形成。

本實(shí)施方式的柵極絕緣層3可以使用氧化硅(siox)、氧化鋁(alox)、氧化鉭(taox)、氧化釔(yox)、氧化鋯(zrox)、氧化鉿(hfox)等氧化物系絕緣材料或氮化硅(sinx)、氧化氮化硅(sion)或者聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)等聚丙烯酸酯、聚乙烯醇(pva)、聚乙烯基苯酚(pvp)等樹脂材料、聚倍半硅氧烷(psq)等有機(jī)/無機(jī)混合樹脂，但并非限定于這些。它們可以是單層或?qū)盈B2層以上，還可以是朝著成長方向組成發(fā)生了傾斜。

柵極絕緣層3為了抑制薄膜晶體管的柵漏電流，優(yōu)選其電阻率為10¹¹ωcm以上、更優(yōu)選為10¹⁴ωcm以上。

對于柵極絕緣層3的形成方法，可以根據(jù)材料適當(dāng)?shù)厥褂谜婵照翦兎?、離子鍍法、濺射法、激光燒蝕法、等離子體cvd法、光cvd法、熱線cvd法等真空成膜法或者旋涂法、模涂法、絲網(wǎng)印刷法等濕式成膜法。

接著，在柵極絕緣層3上形成源電極4及漏電極5。源電極4及漏電極5的材料可以使用鋁(al)、銅(cu)、銀(ag)、金(au)、鉑(pt)等金屬材料或者氧化銦(ino)、氧化錫(sno)、氧化鋅(zno)、氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)等導(dǎo)電性金屬氧化物材料。這些材料可以以單層使用，也可作為疊層及合金進(jìn)行使用。

源電極4及漏電極5的形成優(yōu)選利用使用導(dǎo)電性材料的前體或納米粒子等的濕式成膜法。例如，可以使用噴墨法、凸版印刷法、平版印刷法、凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法等方法。布圖例如可以使用光刻法利用抗蝕劑等保護(hù)圖案形成部分、利用刻蝕將不需要部分除去來進(jìn)行，也可以利用印刷法直接進(jìn)行布圖，但并非限定于這些。

當(dāng)在源電極4及漏電極5上形成半導(dǎo)體層6時(shí)，可以利用使用溶解及分散有半導(dǎo)體材料的溶液及糊料等的濕式成膜法來形成。使用濕式成膜法時(shí)，通過源電極4及漏電極5的表面具有微細(xì)的表面凹凸，可以抑制源電極4及漏電極5上的半導(dǎo)體材料的涂膜凹陷。表面凹凸的尺寸、形狀等只要是能夠以抑制所用半導(dǎo)體材料的涂膜凹陷的程度獲得潤濕性，則無任何限定，根據(jù)半導(dǎo)體材料的粘度等適當(dāng)?shù)卦O(shè)定表面粗糙度等即可，以下作為標(biāo)準(zhǔn)示出其一例。

源電極4及漏電極5通過使至少與半導(dǎo)體層6相接觸之處的表面的算術(shù)平均粗糙度ra(以下稱作表面粗糙度)優(yōu)選為3nm以上且50nm以下、更優(yōu)選為12nm以上且40nm以下、最優(yōu)選為15nm以上且30nm以下，則半導(dǎo)體層6可以獲得與源電極4及漏電極5的良好密合性。超過50nm時(shí)，由于膜厚不均的影響，有布線電阻降低的可能，小于3nm時(shí)，有在源電極4及漏電極5的表面上半導(dǎo)體材料無法形成均質(zhì)的半導(dǎo)體層6的可能。

另外，形成于源電極4及漏電極5表面上的微細(xì)的表面凹凸通過在表面凹凸的凸部與凹部的周期(間距)的平均周期為20nm以上且500nm以下的范圍內(nèi)、表面凹凸的高度(凸部的高度與凹部的深度)的平均為20nm以上且200nm以下的范圍內(nèi)、以不定期的周期制作表面凹凸的形狀，可以獲得良好的覆膜和密合性。進(jìn)而，對于保護(hù)層7也同樣，通過源電極4及漏電極5具有表面凹凸，可以提高密合性。

另外，表面凹凸的平均周期是在任意的測定區(qū)域中對任意的相鄰的凸部之間或凹部之間的間隔測定50點(diǎn)以上，將其平均作為表面凹凸的平均周期(間距)。另外，表面凹凸的平均高度是在任意的測定區(qū)域中對任意的凸部的高度最高的測定點(diǎn)及與該凸部相鄰的凹部的最低測定點(diǎn)之間的距離測定50點(diǎn)以上，將其平均作為表面凹凸的平均高度。

對于表面粗糙度的控制方法，可以在形成平滑地形成的膜后利用濕式刻蝕等方法對進(jìn)行刻蝕，按照達(dá)到所希望的表面粗糙度的方式進(jìn)行控制；也可以使用等離子體刻蝕或?yàn)R射刻蝕等干式刻蝕法等；還可以使用電暈處理或大氣壓等離子體處理等方法。另外，還可以按照在形成源電極4及漏電極5時(shí)形成所希望的表面粗糙度的電極的方式，對電極材料的印刷版的表面形狀或電極圖案進(jìn)行控制，當(dāng)源電極4及漏電極5使用導(dǎo)電性材料的前體或納米粒子等時(shí)，還有為了能夠通過源電極4及漏電極5形成時(shí)的熱處理等控制表面粗糙度來調(diào)整源電極4及漏電極5的前體或納米粒子的尺寸的方法，但并非限定于這些。對于表面粗糙度的測定方法，可以使用原子力顯微鏡(afm：atomicforcemicroscope)等測定設(shè)備進(jìn)行測定。

另外，當(dāng)在源電極4及漏電極5上形成半導(dǎo)體層時(shí)，優(yōu)選源電極4及漏電極5的表面的表面積率為1.05以上且1.3以下。其中，表面積率sratio是指實(shí)際上所測得的表面積s相對于假定測定面是理想地平整面時(shí)的面積s0的比率(s/s0)。源電極4及漏電極5的表面的表面積率為1.05以上且1.3以下時(shí)，在使用半導(dǎo)體材料形成半導(dǎo)體層6時(shí)，可以抑制半導(dǎo)體材料在源電極4及漏電極5上的涂膜凹陷或潤展。對于表面積率的測定方法，可以使用原子力顯微鏡等測定設(shè)備進(jìn)行測定。

對于源電極4及漏電極5，為了降低與半導(dǎo)體層6的半導(dǎo)體材料的接觸電阻，可以進(jìn)行電極表面的表面處理。表面處理優(yōu)選對電極表面的至少與半導(dǎo)體層相接觸之處進(jìn)行。作為表面處理方法，優(yōu)選使用通過表面處理材料與源電極4及漏電極5化學(xué)地反應(yīng)、從而進(jìn)行表面處理的自組裝膜(sam)等方法。

接著，按照連接于柵極絕緣層3、源電極4及漏電極5上的方式形成半導(dǎo)體層6。作為半導(dǎo)體層6的材料，可以使用并五苯、并四苯、酞菁、苝、噻吩、苯并二噻吩、雙噻吩蒽及它們的衍生物等低分子系有機(jī)半導(dǎo)體材料及富勒烯、碳納米管等碳化合物、聚噻吩、聚烯丙胺、芴雙噻吩共聚物及它們的衍生物等高分子系有機(jī)半導(dǎo)體材料，但并非限定于這些。

半導(dǎo)體層6可以優(yōu)選利用使用溶解或分散有半導(dǎo)體材料或半導(dǎo)體材料的前體的溶液或糊料等的濕式成膜法。例如，可以使用噴墨法、凸版印刷法、平版印刷法、凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法等方法，但并非限定于這些，可以使用公知一般的方法。

接著，在半導(dǎo)體層6上形成保護(hù)層7。保護(hù)層7是用于保護(hù)半導(dǎo)體層6而形成的。保護(hù)層7需要按照至少將半導(dǎo)體層6與溝槽部分相重疊的區(qū)域覆蓋的方式來形成。

作為保護(hù)層7的材料，可舉出氧化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化釔、氧化鉿、鋁酸鉿、氧化鋯、氧化鈦等無機(jī)材料，或者pmma(聚甲基丙烯酸甲酯)等聚丙烯酸酯、pva(聚乙烯醇)、pvp(聚乙烯苯酚)、氟系樹脂等絕緣材料，但并非限定于這些。

對于保護(hù)層7的材料，為了將薄膜晶體管的漏電流抑制在較低，優(yōu)選其電阻率為10¹¹ωcm以上、更優(yōu)選為10¹⁴ωcm以上。

保護(hù)層7通過使用溶解或分散有保護(hù)層材料或其前體的溶液、利用噴墨法、凸版印刷法、平版印刷法、凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法中的任一種方法來形成。這些保護(hù)層7可以作為單層使用，也可層疊2層以上進(jìn)行使用。另外，還可以是朝向成長方向組成發(fā)生了傾斜。

如以上說明的那樣，第1實(shí)施方式的薄膜晶體管的制造方法具有以下工序：在基板上依次形成柵電極、柵極絕緣層、源電極及漏電極的工序；在源電極和漏電極表面上形成凹凸的工序；以及依次形成半導(dǎo)體層和保護(hù)層的工序。

圖2表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的薄膜晶體管(頂柵型)的概略截面圖。對于對應(yīng)于第1實(shí)施方式的薄膜晶體管的構(gòu)成要素，賦予相同的參照符號，說明適當(dāng)?shù)厥÷浴?/p>

本實(shí)施方式的薄膜晶體管的制造方法具有以下工序：在基板上形成源電極及漏電極的工序；在源電極及漏電極上形成凹凸的工序；以及依次形成半導(dǎo)體層、柵極絕緣層和柵電極的工序。

實(shí)施例

作為本發(fā)明的實(shí)施例，制作圖1所示的薄膜晶體管。

作為基板1使用厚度為0.7mm的無堿玻璃。在玻璃基板上，使用dc磁控濺射法以200nm的膜厚成膜mo合金，利用光刻法布圖成所希望的形狀。具體地說，涂布感光性正型光致抗蝕劑之后，進(jìn)行掩模曝光、利用堿顯影液的顯影，形成所希望形狀的抗蝕圖案。進(jìn)而，利用刻蝕液進(jìn)行刻蝕，將不需要的mo合金溶解。之后，使用抗蝕劑剝離液將光致抗蝕劑除去，形成所希望形狀的mo合金的電極，形成柵電極2。

接著，在柵電極2上使用模涂法涂布丙烯酸樹脂，在230℃下進(jìn)行燒成，形成膜厚為1μm的柵極絕緣層3。

之后，按照成為源電極4及漏電極5的圖案形狀的方式，使用噴墨法涂布分散有銀納米粒子的油墨，在200℃下燒成1小時(shí)。源電極4及漏電極5的膜厚為100nm。之后，使用afm測定源電極4及漏電極5的表面粗糙度時(shí)，其表面粗糙度ra為4.5nm。所使用的銀納米粒子使用按照源電極4及漏電極5的表面粗糙度滿足所希望的值的方式調(diào)整了納米粒子的尺寸及濃度的粒子。

作為源電極4及漏電極5的表面處理，將基板浸漬在以10mm濃度溶解了五氟苯硫酚的異丙醇中。為了將多余的五氟苯硫酚除去，利用異丙醇進(jìn)行洗滌之后干燥。

接著，利用撓性印刷法涂布以2wt％的濃度在四氫化萘中溶解了6,13-雙(三異丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯的半導(dǎo)體油墨。半導(dǎo)體油墨可以在不在源電極4及漏電極5上形成涂膜缺陷的情況下進(jìn)行涂布。之后，在100℃下進(jìn)行干燥，形成半導(dǎo)體層6。

利用撓性印刷法將氟樹脂涂布在半導(dǎo)體層6上，在100℃下干燥，制成保護(hù)層7。

(比較例)

作為比較例，制作以下說明的薄膜晶體管。

作為基板1使用厚度為0.7mm的無堿玻璃。在玻璃基板上，使用dc磁控濺射法以200nm的膜厚成膜mo合金，利用光刻法布圖成所希望的形狀。具體地說，涂布感光性正型光致抗蝕劑之后，進(jìn)行掩模曝光、利用堿顯影液的顯影，形成所希望形狀的抗蝕圖案。進(jìn)而，利用刻蝕液進(jìn)行刻蝕，將不需要的mo合金溶解。之后，使用抗蝕劑剝離液將光致抗蝕劑除去，形成所希望形狀的mo合金的電極，形成柵電極2。

接著，在柵電極2上使用模涂法涂布丙烯酸樹脂，在230℃下進(jìn)行燒成，形成膜厚為1μm的柵極絕緣層3。

之后，使用金屬掩模，利用使用了電子束的真空蒸鍍法對銀進(jìn)行成膜，形成源電極4及漏電極5。源電極4及漏電極5的膜厚與實(shí)施例同樣地為100nm。本比較例的源電極4及漏電極5的表面粗糙度為可稱為基本平滑的程度的1.5nm。

作為源電極4及漏電極5的表面處理，將基板浸漬在以10mm濃度溶解了五氟苯硫酚的異丙醇中。為了將多余的五氟苯硫酚除去，利用異丙醇進(jìn)行洗滌之后干燥。

接著，利用噴墨法涂布以2wt％的濃度在四氫化萘中溶解了6,13-雙(三異丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯的溶液，在100℃下進(jìn)行干燥，形成半導(dǎo)體層6。

在半導(dǎo)體層6上利用噴墨法涂布氟樹脂，在100℃下干燥，制成保護(hù)層7。

比較例所記載的薄膜晶體管中，由于在半導(dǎo)體層6的印刷時(shí)對源電極4及漏電極5實(shí)施了疏液性高的表面處理，因此源電極4及漏電極5上的半導(dǎo)體油墨的潤濕性差，因而發(fā)生了半導(dǎo)體油墨的涂膜凹陷，無法均勻地涂布，半導(dǎo)體層6無法連接于源電極4及漏電極5或者無法充分地連接，無法獲得作為薄膜晶體管的功能。另外，對將比較例所記載的薄膜晶體管在基板上形成了100元件的樣品的各個(gè)晶體管特性進(jìn)行測定的結(jié)果是，由于是半導(dǎo)體層6與源電極4及漏電極5的連接不充分的元件，因此各個(gè)元件的晶體管特性可見不均。

本發(fā)明的實(shí)施例中，由于源電極4及漏電極5表面具有微細(xì)的凹凸，因此即便是對源電極4及漏電極5表面利用疏液性高的材料進(jìn)行了表面處理的狀態(tài)下，也能夠在半導(dǎo)體油墨不發(fā)生涂膜缺陷的情況下進(jìn)行涂布，半導(dǎo)體層6能夠良好地連接于源電極4及漏電極5，確認(rèn)到形成了顯示良好特性的薄膜晶體管。另外，對將實(shí)施例所記載的薄膜晶體管在基板上形成了100元件的樣品的各個(gè)晶體管特性進(jìn)行測定的結(jié)果是，在所有元件中，由于半導(dǎo)體層6與源電極4及漏電極5的連接充分，因此各個(gè)元件的晶體管特性未見不均。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明對于薄膜晶體管是有用的，對于液晶顯示裝置(lcd)、有機(jī)電致發(fā)光(el)顯示裝置、電子紙顯示裝置等顯示裝置或各種傳感器等是有用的。

符號說明

1基板

2柵電極

3柵極絕緣層

4源電極

5漏電極

6半導(dǎo)體層

7保護(hù)層