相關(guān)申請案的交叉參考本申請案主張2014年11月12日申請的第62/078,874號美國臨時專利申請案、2015年3月9日申請的第62/130,426號美國臨時專利申請案以及2015年9月23日申請的第14/863,289號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)。所有這些申請案以全文引用的方式并入本文中。本發(fā)明涉及薄膜晶體管，且更明確地說，涉及p溝道金屬氧化物薄膜晶體管。
背景技術(shù)：
：機(jī)電系統(tǒng)(ems)包含具有電和機(jī)械元件的裝置、致動器、換能器、傳感器、例如鏡面和光學(xué)膜等光學(xué)組件以及電子裝置。ems裝置或元件可以多種尺度制造，包含但不限于微尺度和納米尺度。舉例來說，微機(jī)電系統(tǒng)(mems)裝置可包含大小在約一微米到數(shù)百微米或更大的范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)。納米機(jī)電系統(tǒng)(nems)裝置可包含大小小于一微米(包含(例如)小于數(shù)百納米的大小)的結(jié)構(gòu)?？墒褂贸练e、蝕刻、光刻和/或蝕刻掉襯底和/或所沉積材料層的部分或添加層以形成電和機(jī)電裝置的其它微機(jī)械加工過程來形成機(jī)電元件。一種類型的ems裝置被稱為干涉式調(diào)制器(imod)。術(shù)語imod或干涉式光調(diào)制器是指使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收和/或反射光的裝置。在一些實施方案中，imod顯示元件可包含一對導(dǎo)電板，所述導(dǎo)電板中的一或兩者可能整體或部分地為透明的和/或反射性的，且能夠在施加適當(dāng)電信號后即刻進(jìn)行相對運動。舉例來說，一個板可包含沉積在襯底上方、襯底上或由襯底支撐的靜止層，且另一板可包含與所述靜止層以氣隙隔開的反射膜。一個板相對于另一板的位置可改變?nèi)肷湓趇mod顯示元件上的光的光學(xué)干涉?；趇mod的顯示裝置具有廣泛范圍的應(yīng)用，且預(yù)期用于改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品和創(chuàng)造新產(chǎn)品，尤其是具有顯示能力的產(chǎn)品。硬件和數(shù)據(jù)處理設(shè)備可與機(jī)電系統(tǒng)相關(guān)聯(lián)。此類硬件和數(shù)據(jù)處理設(shè)備可包含薄膜晶體管(tft)。tft是包含金屬和半導(dǎo)體層的薄膜的場效晶體管。技術(shù)實現(xiàn)要素：本公開的系統(tǒng)、方法和裝置各自具有若干創(chuàng)新方面，其中沒有單個方面單獨負(fù)責(zé)本文所揭示的合乎需要的屬性。本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的一個創(chuàng)新方面可在一種方法中實施，所述方法包含：提供襯底；在所述襯底上形成p型金屬氧化物半導(dǎo)體；以及在含有氫氣(h2)的氣氛中使p型金屬氧化物半導(dǎo)體層退火，從而形成氫化的p型金屬氧化物半導(dǎo)體層。在一些實施方案中，氫化的p型金屬氧化物半導(dǎo)體層具有至少1018原子/cm3的氫濃度。p型金屬氧化物半導(dǎo)體的實例包含基于sn(ii)的氧化物半導(dǎo)體層和基于cu(i)的氧化物半導(dǎo)體層。在一些實施方案中，所述p型金屬氧化物半導(dǎo)體可為經(jīng)摻雜或未摻雜cu2o、cuo、sno、nio、pbo、ag2o、mn3o4、znrh2o4、srcu2o2、cuwo4和ln-ru-o化合物中的一者，其中l(wèi)n是除鈰(ce)之外的任何鑭系元素。在一些實施方案中，所述p型金屬氧化物半導(dǎo)體是選自化學(xué)式為cumo2的p型銅銅鐵礦，其中m是金屬。在一些實施方案中，所述p型金屬氧化物半導(dǎo)體是abo2氧化物，表征為銅鐵礦晶體結(jié)構(gòu)。形成氫化的p型金屬氧化物半導(dǎo)體層可包含在含h2的氣氛中沉積所述p型金屬氧化物層。所述方法可進(jìn)一步包含形成柵極電極和柵極電介質(zhì)，其中所述柵極電介質(zhì)位于所述p型金屬氧化物半導(dǎo)體層與所述柵極電極之間。本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的另一創(chuàng)新方面可實施于一種包含薄膜晶體管(tft)的設(shè)備中。所述tft可包含源電極；漏極電極；以及連接所述源電極和所述漏極電極的半導(dǎo)體溝道，所述半導(dǎo)體溝道包含氫化的p型金屬氧化物，其具有至少1018原子/cm3的氫濃度。舉例來說，可通過在含h2的氣氛中使p型金屬氧化物退火來產(chǎn)生tft。根據(jù)各種實施方案，氫化的p型金屬氧化物半導(dǎo)體可具有至少1019原子/cm3、至少1020原子/cm3，或至少1021原子/cm3的氫濃度。在一些實施方案中，所述半導(dǎo)體溝道的至少95％是p型金屬氧化物半導(dǎo)體。在一些實施方案中，所述p型金屬氧化物半導(dǎo)體可為基于sn(ii)的氧化物半導(dǎo)體層或基于cu(i)的氧化物半導(dǎo)體層。在一些實施方案中，所述p型金屬氧化物半導(dǎo)體可為經(jīng)摻雜或未摻雜cu2o、cuo、sno、nio、pbo、ag2o、mn3o4、znrh2o4、srcu2o2、cuwo4和ln-ru-o化合物中的一者，其中l(wèi)n是除鈰(ce)之外的任何鑭系元素。在一些實施方案中，所述p型金屬氧化物半導(dǎo)體是選自化學(xué)式為cumo2的p型銅銅鐵礦，其中m是金屬，例如第iiia或iiib族金屬。在一些實施方案中，所述p型金屬氧化物半導(dǎo)體是abo2氧化物，表征為銅鐵礦晶體結(jié)構(gòu)。tft的特征可在于以下各項中的兩個或更多個：至少1.0cm2/v·s的飽和遷移率、小于10v/十進(jìn)制的s值，以及至少1×104的電流開/關(guān)比率。在一些實施方案中，所述tft是互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)tft裝置的一部分。所述設(shè)備可進(jìn)一步包含：顯示器；處理器，其經(jīng)配置以與所述顯示器通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；以及存儲器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。在一些實施方案中，所述設(shè)備可包含驅(qū)動器電路，其經(jīng)配置以將至少一個信號發(fā)送到所述顯示器；以及控制器，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動器電路。所述驅(qū)動器電路可包含所述tft。在附圖和下文描述中陳述本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的一或多個實施方案的細(xì)節(jié)。盡管本發(fā)明中所提供的實例主要是依據(jù)基于ems和mems的顯示器的方面來描述，但本文中所提供的概念可適用于其它類型的顯示器，例如液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管(“oled”)顯示器以及場發(fā)射顯示器。其它特征、方面和優(yōu)點將從描述、圖式和所附權(quán)利要求書而變得顯而易見。注意，以下各圖的相對尺寸可能未按比例繪制。附圖說明圖1是描繪干涉式調(diào)制器(imod)顯示裝置的一系列顯示元件或顯示元件陣列中的兩個鄰近的imod顯示元件的等角視圖說明。圖2是說明并入有基于imod的顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖，所述基于imod的顯示器包含imod顯示元件的三元件乘三元件陣列。圖3a和3b是包含機(jī)電系統(tǒng)(ems)元件陣列和背板的ems封裝的一部分的示意性分解局部透視圖。圖4a是說明根據(jù)一些實施方案的底部柵極薄膜晶體管(tft)的橫截面圖的實例。圖4b是說明根據(jù)一些實施方案的頂部柵極tft的橫截面圖的實例。圖5是說明根據(jù)一些實施方案的制造氫化的p型金屬氧化物層的方法的實例的流程圖。圖6是示出具有p型錫(ii)氧化物(sno)溝道的未退火tft和在真空、氫氣或氧氣氣氛中退火的具有p型sno溝道的tft的ids-vgs曲線的曲線圖的實例。圖7a示出沉積時的膜和在250℃下在若干氣氛中退火的膜的掠入射x射線衍射(gixrd)模式。圖7b示出在250℃下在若干氣氛中退火的膜的電穴遷移率和電穴密度的溫度相依性。圖8a和8b示出rb/hfs測量結(jié)果所獲得的沉積時和經(jīng)氫退火的膜的氫的化學(xué)組成深度分布圖。圖9a示出經(jīng)氫退火的tft的測得和模擬轉(zhuǎn)移特性。圖9b示出sno溝道的對應(yīng)所提取次間隙態(tài)密度(dos)。圖10a示出具有10到55nm的厚度的經(jīng)氫退火的sno溝道的tft特性的變化。圖10b示出對經(jīng)氫退火的sno溝道tft和參考igzotft的dit+tnsg與厚度關(guān)系的線性配合。圖11示出sno中的以下能量上有利的原生缺陷的局部原子結(jié)構(gòu)：氧空缺缺陷(vo)、錫空缺缺陷(vsn)和氧間隙缺陷(oi)。圖12示出在富sn限制下作為費米(fermi)能級的函數(shù)的原生缺陷的形成能。圖13是說明根據(jù)一些實施方案的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)tft裝置的橫截面圖的實例。圖14a和14b是說明包含多個imod顯示元件的顯示裝置的系統(tǒng)框圖。各個圖式中的相同參考標(biāo)號和名稱指示相同元件。具體實施方式以下描述是針對出于描述本發(fā)明的創(chuàng)新方面的目的的某些實施方案。然而，所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將容易認(rèn)識到，可以許多不同方式應(yīng)用本文中的教示。所描述的實施方案可在可經(jīng)配置以顯示圖像的任何裝置、設(shè)備或系統(tǒng)中實施，而不論圖像是在運動中(例如，視頻)還是靜止的(例如，靜態(tài)圖像)，且不論圖像為文字的、圖形的還是圖片的。更明確地說，預(yù)期所描述的實施方案可包含于例如(但不限于)以下各者的多種電子裝置中或與所述電子裝置相關(guān)聯(lián)：移動電話、具多媒體因特網(wǎng)功能的蜂窩式電話、移動電視接收器、無線裝置、智能電話、裝置、個人數(shù)據(jù)助理(pda)、無線電子郵件接收器、手持式或便攜式計算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本計算機(jī)、智能本、平板計算機(jī)、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、掃描器、傳真裝置、全球定位系統(tǒng)(gps)接收器/導(dǎo)航器、相機(jī)、數(shù)字媒體播放器(例如mp3播放器)、攝錄影機(jī)、游戲控制臺、腕表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀裝置(例如，電子閱讀器)、計算機(jī)監(jiān)視器、汽車顯示器(包含里程表和速度計顯示器等)，駕駛艙控制件和/或顯示器、相機(jī)視圖顯示器(例如，車輛中的后視相機(jī)的顯示器)、電子照片、電子廣告牌或標(biāo)志、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、微波、冰箱、立體聲系統(tǒng)、卡匣記錄器或播放器、dvd播放器、cd播放器、vcr、收音機(jī)、便攜式存儲器芯片、洗滌器、干燥器、洗滌干燥器、停車計時器、封裝(例如，在包含微機(jī)電系統(tǒng)(mems)應(yīng)用的機(jī)電系統(tǒng)(ems)應(yīng)用以及非ems應(yīng)用中)、美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，關(guān)于一件珠寶或服裝的圖像的顯示)以及多種ems裝置。本文中的教示還可用于非顯示器應(yīng)用中，例如(但不限于)電子切換裝置、射頻濾波器、傳感器、加速度計、陀螺儀、運動感測裝置、磁力計、用于消費型電子裝置的慣性組件、消費型電子產(chǎn)品的零件、變?nèi)萜鳌⒁壕аb置、電泳裝置、驅(qū)動方案、制造工藝和電子測試裝備。因此，所述教示無意僅限于附圖中所描繪的實施方案，而是具有對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將顯而易見的廣泛適用性。本文所述的實施方案涉及p型金屬氧化物膜。所述p型金屬氧化物膜可氫化，使得它們具有至少1018原子/cm3的氫含量，且在一些實施方案中，至少1019原子/cm3、至少1020原子/cm3，或至少1021原子/cm3或更高的氫含量氫化的p型金屬氧化物膜的實例包含氫化的基于錫(ii)的膜以及氫化的基于銅(i)的膜。特定且進(jìn)一步實例包含經(jīng)摻雜或未摻雜銅(i)氧化物(cu2o)、銅(ii)氧化物(cuo)、錫(ii)氧化物(sno)、鎳(ii)氧化物(nio)、鉛(ii)氧化物(pbo)、銀(i)氧化物(ag2o)；znrh2o4(鋅銠氧化物；zro)以及化學(xué)式為cumo2的p型銅銅鐵礦，其中m是金屬，以及包含一或多個進(jìn)一步金屬陽離子從而形成第三、第四或更高階化合物的化合物。本文所述的實施方案涉及具有包含氫化p型金屬氧化物膜的p型溝道的p型薄膜晶體管(tft)。與常規(guī)tft相比，本文所揭示的tft具有較高遷移率、較低亞閾值擺幅(s值)，和/或較高開/關(guān)電流比。在一些實施方案中，本文所述的p型tft可用于互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)tft裝置中，所述裝置包含n型tft和p型tft?？蓪嵤┍景l(fā)明中描述的標(biāo)的物的特定實施方案以實現(xiàn)下列潛在優(yōu)點中的一或多者。氫化p型金屬氧化物半導(dǎo)體層可在p型tft中實施，以提供良好的tft特性，包含高遷移率、快速切換特性和高開/關(guān)電流比。包含氫化p型金屬氧化物半導(dǎo)體的p型tft可在cmostft電路中實施。此類tft電路可集成在顯示器背板上，例如作為驅(qū)動電路或在其它電子裝置中。這減少了分別與經(jīng)封裝集成電路(ic)驅(qū)動器相關(guān)聯(lián)的制造成本和故障。tft的所描述實施方案可應(yīng)用于的合適的ems或mems裝置或設(shè)備的實例是反射式顯示裝置。反射式顯示裝置可并入有干涉式調(diào)制器(imod)顯示元件，所述干涉式調(diào)制器(imod)顯示元件可經(jīng)實施以使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收和/或反射入射在其上的光。imod顯示元件可包含部分光學(xué)吸收器、可相對于吸收器移動的反射器、以及界定在吸收器與反射器之間的光學(xué)諧振腔。在一些實施方案中，反射器可移動到兩個或多于兩個不同位置，所述位置可改變光學(xué)諧振腔的大小且借此影響imod的反射率。imod顯示元件的反射光譜可產(chǎn)生相當(dāng)寬廣的光譜帶，所述光譜帶可跨越可見光波長移位以產(chǎn)生不同色彩?？赏ㄟ^改變光學(xué)諧振腔的厚度來調(diào)整光譜帶的位置。一種改變光學(xué)諧振空腔的方式是通過改變反射器相對于吸收器的位置。圖1是描繪干涉式調(diào)制器(imod)顯示裝置的一系列顯示元件或顯示元件陣列中的兩個鄰近的imod顯示元件的等角視圖說明。imod顯示裝置包含一或多個干涉式ems(例如，mems)顯示元件。在這些裝置中，干涉式mems顯示元件可按亮或暗狀態(tài)來配置。在亮(“松弛”、“開啟”或“接通”等)狀態(tài)下，顯示元件反射大部分入射可見光。相反地，在暗(“經(jīng)致動”、“關(guān)閉”或“切斷”等)狀態(tài)下，顯示元件反射極少入射可見光。mems顯示元件可經(jīng)配置以主要在特定光波長下反射，從而允許除黑白顯示器之外的彩色顯示。在一些實施方案中，通過使用多個顯示元件，可實現(xiàn)原色的不同強(qiáng)度以及灰度。imod顯示裝置可包含可按行和列布置的imod顯示元件陣列。陣列中的每一顯示元件可包含至少一對反射和半反射層，例如可移動反射層(即，可移動層，還被稱作機(jī)械層)和固定的部分反射層(即，靜止層)，所述層定位于彼此相距可變且可控制的距離以形成氣隙(還被稱作光學(xué)間隙、空腔或光學(xué)諧振腔)。可移動反射層可在至少兩個位置之間移動。舉例來說，在第一位置(即，松弛位置)中，可移動反射層可定位在距固定部分反射層一定距離處。在第二位置(即，致動位置)中，可移動反射層可更接近于部分反射層而定位。從兩個層反射的入射光可取決于可移動反射層的位置以及入射光的波長而相長地和/或相消地干涉，從而產(chǎn)生用于每一顯示元件的全反射或非反射狀態(tài)。在一些實施方案中，當(dāng)顯示元件未經(jīng)致動時，顯示元件可能處于反射狀態(tài)，從而反射可見光譜內(nèi)的光，且當(dāng)顯示元件經(jīng)致動時，顯示元件可能處于暗狀態(tài)，從而吸收和/或相消地干涉可見范圍內(nèi)的光。然而，在一些其它實施方案中，imod顯示元件可在未經(jīng)致動時處于暗狀態(tài)，且在經(jīng)致動時處于反射狀態(tài)。在一些實施方案中，所施加電壓的引入可驅(qū)動顯示元件改變狀態(tài)。在一些其它實施方案中，所施加電荷可驅(qū)動顯示元件改變狀態(tài)。圖1中的陣列的所描繪部分包含呈imod顯示元件12的形式的兩個鄰近干涉式mems顯示元件。在右側(cè)(如所說明)的顯示元件12中，說明可移動反射層14在光學(xué)堆疊16附近、鄰近或觸碰光學(xué)堆疊16，處于致動位置中。在右側(cè)的顯示元件12上施加的電壓v偏壓足夠移動可移動反射層14并且將其維持在致動位置中。在左側(cè)的顯示元件12(如所說明)中，說明可移動反射層14處于距光學(xué)堆疊16一定距離(所述距離可基于設(shè)計參數(shù)來預(yù)定)的松弛位置，所述光學(xué)堆疊包含部分反射層?？缱髠?cè)的顯示元件12施加的電壓v0不足以引起如同右側(cè)的顯示元件12的情形那樣可移動反射層14到致動位置的致動。在圖1中，一般通過指示入射在imod顯示元件12上的光13以及從左側(cè)的顯示元件12反射的光15的箭頭來說明imod顯示元件12的反射性質(zhì)。入射在顯示元件12上的大部分光13可透射穿過透明襯底20朝向光學(xué)堆疊16。入射在光學(xué)堆疊16上的一部分光可透射穿過光學(xué)堆疊16的部分反射層，且一部分光將被反射回穿過透明襯底20。光13的透射穿過光學(xué)堆疊16的部分可從可移動反射層14朝向(且穿過)透明襯底20往回反射。從光學(xué)堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動反射層14反射的光之間的干涉(相長和/或相消)將部分地確定在裝置的查看或襯底側(cè)上從顯示元件12反射的光15的波長的強(qiáng)度。在一些實施方案中，透明襯底20可為玻璃襯底(有時被稱作玻璃板或面板)。玻璃襯底可為或包含(例如)硼硅酸鹽玻璃、堿石灰玻璃、石英、派熱克斯玻璃(pyrex)或其它合適的玻璃材料。在一些實施方案中，玻璃襯底可具有0.3、0.5或0.7毫米的厚度，但在一些實施方案中，玻璃襯底可能較厚(例如，幾十毫米)或較薄(例如，小于0.3毫米)。在一些實施方案中，可使用非玻璃襯底，例如聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)或聚醚醚酮(peek)襯底。在此類實施方案中，非玻璃襯底很可能將具有小于0.7毫米的厚度，但襯底可取決于設(shè)計考量而較厚。在一些實施方案中，可使用非透明襯底，例如基于金屬箔或不銹鋼的襯底。舉例來說，基于反向imod的顯示器(其包含固定反射層和部分透射且部分反射的可移動層)可經(jīng)配置以從襯底的與圖1的顯示元件12相對的一側(cè)來查看且可通過非透明襯底來支撐。光學(xué)堆疊16可包含單個層或若干層。所述層可包含以下各項中的一或多者：電極層、部分反射且部分透射層以及透明電介質(zhì)層。在一些實施方案中，光學(xué)堆疊16是導(dǎo)電的、部分透明的且部分反射的，且可例如通過將以上層中的一或多者沉積到透明襯底20上來制造。所述電極層可由多種材料形成，例如各種金屬，例如氧化銦錫(ito)。部分反射層可由部分反射的多種材料形成，所述材料例如各種金屬(例如，鉻和/或鉬)、半導(dǎo)體以及電介質(zhì)。部分反射層可由一或多個材料層形成，且所述層中的每一者可由單個材料或材料的組合形成。在一些實施方案中，光學(xué)堆疊16的某些部分可包含用作部分光學(xué)吸收器和電導(dǎo)體兩者的單個半透明厚度的金屬或半導(dǎo)體，但不同的導(dǎo)電性更好的層或部分(例如，光學(xué)堆疊16或顯示元件的其它結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層或部分)可用以在imod顯示元件之間用總線傳送信號。光學(xué)堆疊16還可包含覆蓋一或多個導(dǎo)電層或?qū)щ?部分吸收層的一或多個絕緣或電介質(zhì)層。在一些實施方案中，可將光學(xué)堆疊16的層中的至少一些層圖案化成平行條帶，且所述平行條帶可形成如下文進(jìn)一步描述的顯示裝置中的行電極。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，術(shù)語“經(jīng)圖案化”在本文中用來指代掩蔽以及蝕刻過程。在一些實施方案中，高度導(dǎo)電且反射材料(例如，鋁(al))可用于可移動反射層14，且這些條帶可形成顯示裝置中的列電極?？梢苿臃瓷鋵?4可形成為一或多個經(jīng)沉積金屬層的一系列平行條帶(與光學(xué)堆疊16的行電極正交)以形成沉積于支撐件(例如所說明的柱18，以及位于柱18之間的介入犧牲材料)頂部的柱狀物。當(dāng)蝕刻掉犧牲材料時，可在移動反射層14與光學(xué)堆疊16之間形成所界定的間隙19或光學(xué)腔室。在一些實施方案中，柱18之間的間距可為大約1μm到1000μm，而間隙19可為大約小于10,000埃在一些實施方案中，每一imod顯示元件(不管處于致動還是松弛狀態(tài))均可被視為由固定反射層和移動反射層形成的電容器。當(dāng)未施加電壓時，可移動反射層14保持處于機(jī)械松弛狀態(tài)(如由圖1中左側(cè)的顯示元件12所說明)，其中間隙19介于可移動反射層14與光學(xué)堆疊16之間。然而，在將電位差(即，電壓)應(yīng)用于選定行和列中的至少一者時，對在對應(yīng)顯示元件處的行和列電極的交叉點處形成的電容器充電，且靜電力將電極拉在一起。如果所施加的電壓超出閾值，那么可移動反射層14可變形且移近或移動地抵靠光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層(未圖示)可防止短路，且控制層14與16之間的分隔距離，如由在圖1中右側(cè)的經(jīng)致動顯示元件12所說明。與施加的電位差的極性無關(guān)，行為可為相同的。盡管陣列中的一系列顯示元件在一些情況下可被稱作“行”或“列”，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解，將一個方向稱作“行”且將另一方向稱作“列”是任意的。重新申明，在一些定向上，行可被視為列，且列可被視為行。在一些實施方案中，行可被稱作“共用”排，且列可被稱作“分段”排，或反之亦然。此外，顯示元件可按正交行和列(“陣列”)均勻地布置，或按非線性配置布置，例如具有相對于彼此的某些位置偏移(“馬賽克”)。術(shù)語“陣列”和“馬賽克”可指任一配置。因此，盡管顯示器被稱作包含“陣列”或“馬賽克”，但元件本身并不需要在任何情況下彼此正交地布置，或按均勻分布安置，而是可包含具有不對稱形狀和不均勻分布的元件的布置。圖2是說明并入有基于imod的顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖，所述基于imod的顯示器包含imod顯示元件的三元件乘三元件陣列。電子裝置包含可經(jīng)配置以執(zhí)行一或多個軟件模塊的處理器21。除執(zhí)行操作系統(tǒng)之外，處理器21還可經(jīng)配置以執(zhí)行一或多個軟件應(yīng)用程序，包含網(wǎng)絡(luò)瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應(yīng)用程序。處理器21可經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動器22通信。陣列驅(qū)動器22可包含將信號提供到(例如)顯示器陣列或面板30的行驅(qū)動器電路24和列驅(qū)動器電路26。通過圖2中的線1-1示出圖1中所說明的imod顯示裝置的橫截面。盡管為清楚起見，圖2說明imod顯示元件的3×3陣列，但顯示器陣列30可含有大量imod顯示元件，且與列中的情形相比，可在行中具有不同數(shù)目的imod顯示元件，且反之亦然。圖3a和3b是包含ems元件陣列36和背板92的ems封裝91的一部分的示意性分解局部透視圖。圖3a示出切掉背板92的兩個拐角的情形以更好地說明背板92的某些部分，而圖3b示出未切掉拐角的情形。ems陣列36可包含襯底20、支撐柱18和可移動層14。在一些實施方案中，ems陣列36可包含在透明襯底上具有一或多個光學(xué)堆疊部分16的imod顯示元件陣列，且可移動層14可實施為可移動反射層。背板92可基本上為平面的或可具有至少一個波狀表面(例如，背板92可形成有凹部和/或突起)。背板92可由任何合適的材料制成，而不管透明的還是不透明的、導(dǎo)電的還是絕緣的。用于背板92的合適的材料包含(但不限于)玻璃、塑料、陶瓷、聚合物、層合物、金屬、金屬箔、科伐合金(kovar)以及經(jīng)電鍍的科伐合金。如圖3a和3b中所示，背板92可包含一或多個背板組件94a和94b，所述背板組件可部分地或完全地嵌入在背板92中。如圖3a中可見，背板組件94a嵌入在背板92中。如圖3a和3b中可見，背板組件94b安置在形成于背板92的表面中的凹部93內(nèi)。在一些實施方案中，背板組件94a和/或94b可從背板92的表面突出。盡管背板組件94b安置在背板92的面向襯底20的一側(cè)上，但在其它實施方案中，背板組件可安置在背板92的對置側(cè)上。背板組件94a和/或94b可包含一或多個有源或無源電組件，例如晶體管、電容器、電感器、電阻器、二極管、開關(guān)和/或集成電路(ic)，例如經(jīng)封裝的、標(biāo)準(zhǔn)的或離散的ic。可用于各種實施方案中的背板組件的其它實例包含天線、電池和傳感器，例如電傳感器、觸摸傳感器、光學(xué)傳感器或化學(xué)傳感器，或薄膜沉積裝置。在一些實施方案中，背板組件94a和/或94b可與ems陣列36的部分電連通。例如跡線、凸塊、柱或通孔等導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可形成于背板92或襯底20中的一者或兩者上，且可彼此接觸或與其它導(dǎo)電組件接觸以在ems陣列36與背板組件94a和/或94b之間形成電連接。舉例來說，圖3b包含在背板92上的一或多個導(dǎo)電通孔96，所述導(dǎo)電通孔可與從ems陣列36內(nèi)的可移動層14向上延伸的電觸點98對準(zhǔn)。在一些實施方案中，背板92還可包含一或多個絕緣層，其使背板組件94a和/或94b與ems陣列36的其它組件電絕緣。在其中背板92是由透氣材料形成的一些實施方案中，背板92的內(nèi)表面可涂覆有蒸汽屏層(未圖示)。背板組件94a和94b可包含一或多種干燥劑，所述干燥劑用以吸收可能進(jìn)入ems封裝91中的任何濕氣。在一些實施方案中，可將干燥劑(或其它吸濕性材料，例如吸氣劑)與任何其它背板組件分別來提供，例如，作為用粘著劑粘著到背板92(或形成于背板中的凹部)的薄片?；蛘?，可將干燥劑集成到背板92中。在一些其它實施方案中，可將干燥劑直接或間接地施加到其它背板組件上，例如，通過噴涂、絲網(wǎng)印刷或任何其它合適的方法。在一些實施方案中，ems陣列36和/或背板92可包含機(jī)械支座97以維持背板組件與顯示元件之間的距離，且借此防止那些組件之間發(fā)生機(jī)械干擾。在圖3a和3b中所說明的實施方案中，機(jī)械支座97是形成為從背板92突出的與ems陣列36的支撐柱18對準(zhǔn)的柱。替代地或另外，例如軌道或柱等機(jī)械支座可沿著ems封裝91的邊緣提供。盡管圖3a和3b中未說明，但可提供部分地或完全地包圍ems陣列36的密封件。所述密封件可連同背板92和襯底20一起形成包圍ems陣列36的保護(hù)腔。所述密封件可為半氣密密封件，例如常規(guī)的基于環(huán)氧樹脂的粘著劑。在一些其它實施方案中，所述密封件可為氣密密封件，例如薄膜金屬焊接件或玻璃熔塊。在一些其它實施方案中，密封件可包含聚異丁烯(pib)、聚氨基甲酸酯、液體旋涂式玻璃、焊料、聚合物、塑料或其它材料。在一些實施方案中，增強(qiáng)型密封劑可用以形成機(jī)械支座。在替代實施方案中，密封環(huán)可包含背板92或襯底20中的一者或兩者的延伸部分。舉例來說，密封環(huán)可包含背板92的機(jī)械延伸部分(未圖示)。在一些實施方案中，密封環(huán)可包含單獨部件，例如o型環(huán)或其它環(huán)形部件。在一些實施方案中，分開地形成ems陣列36和背板92，之后將其附接或耦合在一起。舉例來說，可將襯底20的邊緣附接且密封到背板92的邊緣，如上文所論述?；蛘?，可將ems陣列36和背板92形成并接合在一起以作為ems封裝91。在一些其它實施方案中，可以任何其它合適的方式制造ems封裝91，例如通過沉積而在ems陣列36上方形成背板92的組件。硬件和數(shù)據(jù)處理設(shè)備可與ems結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)。此類硬件和數(shù)據(jù)處理設(shè)備可包含晶體管開關(guān)，例如薄膜晶體管(tft)。顯示裝置中的ems顯示元件可布置成陣列，例如二維網(wǎng)格，且由與所述陣列的行和列相關(guān)聯(lián)的電路尋址。行驅(qū)動電路可驅(qū)動晶體管開關(guān)的柵極，其選擇待尋址的特定行，且共同驅(qū)動器電路可將偏壓提供到顯示元件的給定行，其可與行刷新同步更新。顯示裝置可包含顯示元件陣列，所述顯示元件可被稱作像素。一些顯示器可包含布置在數(shù)百或數(shù)千行以及數(shù)百和數(shù)千列中的數(shù)百、數(shù)千或數(shù)百萬個像素。每一像素可由一或多個tft驅(qū)動。tft是通過將半導(dǎo)體層的薄膜以及一或多個電介質(zhì)層和導(dǎo)電層沉積在襯底之上而制作的一種類型的場效晶體管。隨著平板顯示器、玻璃上系統(tǒng)、顯示裝置、移動裝置、可穿戴裝置等的持續(xù)發(fā)展，存在為高性能tft的增長的需求。將切換矩陣與驅(qū)動電路集成在顯示器背板上，以及集成在其它電子裝置中減少了與單獨封裝的ic驅(qū)動器相關(guān)聯(lián)的制造成本和故障?；パa(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)電路使用n型和p型溝道。本文揭示展現(xiàn)良好tft性能的p型金屬氧化物半導(dǎo)體材料，以及包含p型金屬氧化物半導(dǎo)體溝道的tft。還揭示包含n型和p型tft的電路以及包含此類電路的電子裝置(例如顯示裝置)。雖然下文的描述關(guān)注tft的情境中的p型金屬氧化物半導(dǎo)體，但p型金屬氧化物半導(dǎo)體還可用于其它情境中，例如太陽能應(yīng)用中。一般來說，tft可包含半導(dǎo)體層，在所述半導(dǎo)體層中具有源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)。由此，tft可為三端子裝置，其包含源極端子、漏極端子和柵極端子，用于調(diào)制溝道的導(dǎo)電性。一些類型的tft可依據(jù)柵極端子的位置來定義。舉例來說，tft幾何形狀的類型可包含底部柵極幾何形狀和頂部柵極幾何形狀。圖4a是說明根據(jù)一些實施方案的底部柵極tft的橫截面圖的實例。在圖4a中，底部柵極tft400a包含襯底410a、在所述襯底410a之上的柵電極420a、在所述柵電極420a之上的柵極電介質(zhì)430a、在柵極電介質(zhì)430a之上的半導(dǎo)體層440a、在半導(dǎo)體層440a的源極區(qū)之上的源電極450a，以及在半導(dǎo)體層440a的漏極區(qū)之上的漏電極460a，其中半導(dǎo)體層440a中的溝道區(qū)位于源極區(qū)與漏極區(qū)之間。半導(dǎo)體層440a電連接源電極450a與漏電極460a，溝道區(qū)中的導(dǎo)電性是柵電極420a和源電極450a上所施加的電位的函數(shù)。圖4b是說明根據(jù)一些實施方案的頂部柵極tft的橫截面圖的實例。在圖4b中，頂部柵極tft400b包含襯底410b、在襯底410b之上的半導(dǎo)體層440b、在半導(dǎo)體層440b的源極區(qū)之上的源電極450b、在半導(dǎo)體層440b的漏極區(qū)之上的漏電極460b、在源電極450b之上的柵極電介質(zhì)430b，以及在柵極電介質(zhì)430b之上的柵電極420b，其中溝道區(qū)位于半導(dǎo)體層440b的源極區(qū)與漏極區(qū)之間。半導(dǎo)體層440b電連接源電極450b和漏電極460b，其中溝道中的導(dǎo)電性是柵電極420b和源電極450b上所施加的電位的函數(shù)。柵電極420a和420b可包含一或多個金屬或其它導(dǎo)電材料。金屬的實例包含鋁(al)、銅(cu)、鉬(mo)、鉭(ta)、鉻(cr)、釹(nd)、鎢(w)、鈦(ti)、金(au)、鎳(ni)，以及含有這些元素中的任一者的合金。在一些實施方案中，柵電極420a和420b中的每一者可包含布置在堆疊結(jié)構(gòu)中的不同金屬的兩個或更多個層。在一些實施方案中，柵電極420中的每一者可具有介于約50nm與約500nm之間，或約100nm與約250nm之間的厚度。源電極450a和450b以及漏電極460a和460b可包含任何數(shù)目的不同金屬或其它導(dǎo)電材料。金屬的實例包含mo、w、au、pt、ag、mg、mn、ti、al、cu、ta、cr、nd、ni、sn，以及含有這些元素中的任一者的合金。舉例來說，源電極450a和450b以及漏電極460a和460b可包含穩(wěn)定接點金屬，例如mo、w、au、pt和ag。在一些實施方案中，源電極450a和450b以及漏電極460a和460b中的每一者包含布置在堆疊結(jié)構(gòu)中的不同金屬的兩個或更多個子層。在一些實施方案中，源電極450a和450b以及漏電極460a和460b中的每一者可具有介于約50nm與約500nm之間，或介于約100nm與約250nm之間的厚度。柵極電介質(zhì)430a和430b還可被稱作柵極絕緣體。柵極電介質(zhì)430a和430b中的每一者可包含任何數(shù)目的不同電介質(zhì)材料，包含二氧化硅(sio2)、氧化鋁(al2o3)、二氧化鉿(hfo2)、氧化釔(y2o3)、三氧化鈦(tio2)、氮氧化硅(sion)、氮化硅(sin)，或有機(jī)電介質(zhì)材料。在一些實施方案中，柵極電介質(zhì)430a和430b中的每一者可包含布置在堆疊結(jié)構(gòu)中的電介質(zhì)材料的兩個或更多個層。在一些實施方案中，柵極電介質(zhì)層的厚度可介于約50nm與約500nm之間，或介于約100nm與約250nm之間。在圖4a和4b中，底部柵極tft400a和頂部柵極tft400b可包含金屬氧化物tft，其中半導(dǎo)體層440a和440b可包含金屬氧化物。在金屬氧化物tft中，將金屬氧化物半導(dǎo)體作為有源溝道層沉積在tft中。金屬氧化物tft可具有高遷移率。根據(jù)各種實施方案，金屬氧化物tft是p型金屬氧化物tft，其中半導(dǎo)體層440a和440b可包含p型金屬氧化物。大多數(shù)氧化物半導(dǎo)體是n型半導(dǎo)體，其中很少材料展現(xiàn)p型導(dǎo)電。歸因于其高缺陷密度，已知的p型氧化物半導(dǎo)體通常不適合tft。舉例來說，形成p型以及n型氧化物半導(dǎo)體tft的能力允許制作cmostft電路。根據(jù)各種實施方案，本文所揭示的p型氧化物半導(dǎo)體是經(jīng)氫化的。這些經(jīng)氫化的p型氧化物半導(dǎo)體已顯著改進(jìn)了tft特性。高密度缺陷已阻止p型氧化物半導(dǎo)體用于tft中。這些缺陷密度導(dǎo)致p型氧化物半導(dǎo)體中缺乏場效應(yīng)電流調(diào)制。本文所揭示的p型材料中的一種缺陷是空缺型缺陷。舉例來說，，這不同于具有懸鍵的硅半導(dǎo)體。由此，與其它半導(dǎo)體材料的氫化相比，本文所揭示的p型材料的氫化產(chǎn)生不同的機(jī)制和效應(yīng)。舉例來說，共價半導(dǎo)體的氫化可用于終止懸鍵。舉例來說，在非晶硅(a-si)中，非接合狀態(tài)的懸鍵可位于帶隙的中間附近，捕獲電子和電穴兩者，并降低tft性能。氫化終止過程可終止懸鍵缺陷以產(chǎn)生a-si:h，從而使這些懸鍵缺陷鈍化。然而，對于在本質(zhì)上是離子而不是共價的氧化物半導(dǎo)體，空缺缺陷而不是懸鍵缺陷占主導(dǎo)。n型氧化物半導(dǎo)體(例如zno或igzo)的氫化已用作zno半導(dǎo)體中的氫，被稱為淺施體。然而，n型氧化物半導(dǎo)體中的氫雜質(zhì)制造過多電子，且導(dǎo)致tft性能的較大降級。由此，引入到n型氧化物半導(dǎo)體的氫的量通常減少或被控制到某一等級。相比之下，本文所揭示的p型材料的氫化產(chǎn)生顯著改進(jìn)的tft特性。不受特定理論約束，相信氫終止空缺缺陷。舉例來說，在錫(ii)氧化物(sno)材料中，氫化通過h+和/或h-來終止sn空缺(vsn)和o空缺(vo)。本文所述的實施方案涉及顯示良好tft特性的p型氧化物半導(dǎo)體材料，以及包含具有p型氧化物半導(dǎo)體的溝道的tft，以及制造方法。本文所揭示的金屬氧化物半導(dǎo)體包含展現(xiàn)p型傳導(dǎo)性的任何經(jīng)氫化的金屬氧化物半導(dǎo)體。如上所述，大多數(shù)金屬氧化物半導(dǎo)體展現(xiàn)n型行為。然而，已發(fā)現(xiàn)各種材料展現(xiàn)p型導(dǎo)電性。一般來說，本文所述的p型金屬氧化物半導(dǎo)體在其未摻雜狀態(tài)(而不是例如經(jīng)受體摻雜的zno)下展現(xiàn)p型傳導(dǎo)性，且可包含第二(一個金屬陽離子)和第三或更高階(兩個或更多個金屬陽離子)化合物。已示出以展現(xiàn)p型導(dǎo)電性的金屬氧化物半導(dǎo)體的實例包含銅(i)氧化物(也被稱作氧化亞銅；cu2o)、銅(ii)氧化物(也被稱作氧化銅；cuo)、錫(ii)氧化物(也被稱作含錫氧化物或一氧化錫；sno)、鉛(ii)氧化物(也被稱作一氧化鉛；pbo)、鎳(ii)氧化物(也被稱作一氧化鎳；nio)、銀(i)氧化物(也被稱作一氧化銀；ag2o)，以及化學(xué)式為cumo2的p型銅銅鐵礦，其中m為金屬。在一些實施方案中，m是第iiia或iiib族金屬。p型基于cu(i)的銅鐵礦的實例包含cualo2、cugao2、cuino2、cusco2、cuyo2、culao2和cubo2。各種其它第三和第四含銅氧化物已報告為展現(xiàn)p型導(dǎo)電性，包含srcu2o2、cuwo4、cucro2和cufeo2。鈣摻雜的化合物cuca0.05y0.95o2和cuca0.05cr0.05o2也展現(xiàn)p型導(dǎo)電性。包含snwo4、sn2tio4、sn2nb2o7的含錫氧化物也展現(xiàn)p型導(dǎo)電性。其它p型氧化物半導(dǎo)體包含cr2o3；co3o4；mn3o4；ln-ru-o化合物，其中l(wèi)n是除鈰(ce)之外的鑭系元素；以及znrh2o4(鋅銠氧化物；zro)。包含cr2mno4和mn2sno4的含mn氧化物也是p型氧化物半導(dǎo)體。應(yīng)注意，在某些參考中，存在參考省略組成離子的比率的金屬氧化物的趨勢。舉例來說，氧化銦鎵鋅(igzo)膜通常被稱為ingazno4，但離子的比率可能不是1:1:1:4。類似地，氧化錫(iv)(sno2)可以此簡寫方式被稱為sno。然而，如本文所使用，sno是指含錫氧化物(也被稱作一氧化錫；或錫(ii)氧化物)。這是與錫(iv)氧化物不同的化合物。本文所揭示的p型溝道不限于p型氧化物材料的上述實例，但可包含任何經(jīng)氫化的p型金屬氧化物溝道。這些包含展現(xiàn)p型導(dǎo)電的具有化學(xué)式abo2的氧化物。在一些實施方案中，abo2氧化物表征為銅鐵礦晶體結(jié)構(gòu)。銅鐵礦晶體結(jié)構(gòu)包含邊緣共享的o-b八面體層之間的線性配位金屬陽離子(a)的平面層。還可使用展現(xiàn)這些abo2化合物的p型導(dǎo)電性的非晶膜。本文所揭示的p型氧化物可摻雜或未摻雜有非氫摻雜劑。根據(jù)各種實施方案，本文所揭示的氫化p型氧化物半導(dǎo)體可為非晶(例如非晶sno或zro)或結(jié)晶(例如結(jié)晶cualo2)，包含單晶和多晶材料。在一些實施方案中，多晶材料可展現(xiàn)納米結(jié)晶性。許多p型半導(dǎo)電氧化物被關(guān)注為透明導(dǎo)電氧化物(tco)。然而，雖然這些材料可作為透明導(dǎo)電氧化物有用，但對于tft來說，它們的質(zhì)量通常不夠高。這歸因于過多載流子的存在以及帶隙中缺陷的存在。雖然此類缺陷無法影響在導(dǎo)電帶中展現(xiàn)類似金屬的導(dǎo)電性的tco，但它們大大連累tft性能。雖然非晶材料中的缺陷比結(jié)晶材料中難表征，其中與結(jié)晶結(jié)構(gòu)的任何偏差均為缺陷，但與非晶形材料的配位或化學(xué)計量的偏差是缺陷。舉例來說，非晶一氧化錫(sno)可具有許多金屬或氧空位，使得其為非化學(xué)計量sn1-xo或sno1-x。離子氧化物中的缺陷可包含金屬陽離子空位(vm)、氧負(fù)離子空位(vo)、氧負(fù)離子填隙原子(oi)、金屬陽離子填隙原子(mi)，以及外來陽離子、具有零有效電荷的離子，以及帶電空位。不受特定理論束縛，相信p型金屬氧化物的差tft性能是歸因于金屬陽離子空位的高密度。這與其中氧空位占主導(dǎo)的n型材料(例如氧化鋅(zno)或氧化銦鎵鋅(igzo)形成對比。本文所揭示的p型氧化物半導(dǎo)體具有至少1018原子/cm3的氫濃度，且在一些實施方案中，具有至少1021原子/cm3的氫濃度。舉例來說，根據(jù)各種實施方案，本文所揭示的p型氧化物半導(dǎo)體可具有至少1018原子/cm3、至少519原子/cm3、1019原子/cm3、519原子/cm3、1019原子/cm3、520原子/cm3、1020原子/cm3、521原子/cm3或1021原子/cm3的氫濃度。氫濃度可替代地表征為原子百分比，其中在一些實施方案中，氫的原子百分比為至少0.01％、至少0.05％、至少0.1％、至少0.5％、至少1％和至少1.5％。一種檢測氫濃度的方法是通過氫向前散射光譜測定(hfs)。固態(tài)檢測器可用于hfs或另一適當(dāng)?shù)墓庾V方法以確定以原子/cm3為單位的氫濃度。可使用5x1022原子/cm3的原子密度來估計原子百分比?？墒褂么蠹s5x1022原子/cm3的原子密度來從濃度確定原子百分比。舉例來說，1018原子/cm3大約為0.01％原子。氫離子鍵合到p型氧化物中的另一組成。在一些實施方案中，并入的氫的大部分終止金屬空位。應(yīng)注意，術(shù)語原子/cm3和原子百分比是指離子鍵合到金屬氧化物半導(dǎo)體的另一組成(例如，氧)的氫。在一些實施方案中，本文所揭示的半導(dǎo)體溝道基本上為氫化p型材料的純膜，而不是多種形式的氧化物和/或金屬元素的混合物。舉例來說，雖然sno是p型材料，但sno2是n型材料。大體上無(小于5％)或無錫(iv)氧化物或金屬錫(sn)可存在于氫化的p型材料或tft溝道中。在一些實施方案中，純度可為95％或更高，例如99％。在一些實施方案中，提供包含氫化的p型氧化物溝道的tft。tft的特征可在于載流子遷移率(μ)、閾值電壓(vth)、開/關(guān)電流比率(i開/i關(guān))、次閾值斜率以及s值中的一或多者。遷移率表征在存在電場的情況下，載流子(電穴或電子)如何移動通過半導(dǎo)體，且被定義為μ＝vd/e，其中vd是電子的漂移速度，且e是電場。遷移率可由霍耳效應(yīng)測量結(jié)果確定(且報告為霍爾遷移率)，或從tft性能測量結(jié)果提取(且報告為場效遷移率)。舉例來說，載流子遷移率可從漏極電流(id)和柵偏壓(vg)的實驗測量結(jié)果提取?？蓮娘柡投饶Ｊ交蚓€性區(qū)測量結(jié)果確定場效遷移率。tft還可表征為閾值電壓(vth)、產(chǎn)生源極與漏極之間的導(dǎo)電路徑的最小柵到源電壓差，以及開/關(guān)電流比率。此外，高開/關(guān)電流比率是合意的。tft的特征可在于次閾值斜率，其為tft的切換行為的度量；陡次閾值斜率指示快速開/關(guān)轉(zhuǎn)變。亞閾值擺幅(s值)也可表征切換行為，其中較小s值指示較快的開/關(guān)轉(zhuǎn)變。與具有相同p型材料的非氫化溝道的tft相比，具有氫化的p型氧化物溝道的tft可具有較高遷移率、較小s值和較高開/關(guān)比率中的一或多者。舉例來說，具有基于氫化錫(ii)的溝道的tft可表征為具有以下各者中的一或多者：至少1.0cm2/v·s的飽和度場效遷移率、小于10v/十進(jìn)制的s值，以及至少1×104的電流開/關(guān)比率。在一些實施方案中，tft可具有所指示參數(shù)中的兩個或更多個。在一些實施方案中，飽和度場效遷移率可為至少1.5cm2/v·s。在一些實施方案中，s值可小于6v/十進(jìn)制。在一些實施方案中，電流開/關(guān)比率可為至少5×104。在另一實例中，具有基于氫化cu(i)的溝道的tft可表征為具有以下各者中的一或多者：至少5cm2/v·s的飽和度場效遷移率、小于10v/十進(jìn)制的s值，以及至少104的電流開/關(guān)比率。圖5是說明根據(jù)一些實施方案的制造氫化的p型金屬氧化物層的方法的實例的流程圖。過程500可以不同次序和/或使用不同、較少或額外操作來執(zhí)行。在一些實施方案中，可參考一或多個處理腔和控制器來描述過程500，其中所述控制器可經(jīng)編程以控制本文所述的任何操作。在過程500的框510處，提供襯底。所述襯底可包含任何襯底材料，包含大體上透明的材料，例如玻璃或塑料。如本文所使用的大體透明度可被定義為約70％或更多的可見光的透射率，例如約80％或更多，或約90％或更多。玻璃襯底(有時被稱作玻璃板或面板)可為或包含硼硅玻璃、堿石灰玻璃、光電玻璃、石英、或其它合適的玻璃材料?？墒褂梅遣Ａбr底，例如聚碳酸酯、丙烯酸、聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)或聚醚醚酮(peek)襯底。其它合適的襯底材料可包含柔性襯底材料。在一些實施方案中，襯底可具有幾微米到數(shù)百微米的尺寸。在過程500的框520處，在所述襯底上方形成p型金屬氧化物半導(dǎo)體層。上文給出p型金屬氧化物半導(dǎo)體的實例，且其包含基于p型錫(ii)的氧化物半導(dǎo)體以及基于p型銅(i)的氧化物半導(dǎo)體。p型金屬氧化物半導(dǎo)體層可包含與柵電極對準(zhǔn)或?qū)⑴c柵電極對準(zhǔn)的溝道區(qū)，其中所述溝道區(qū)位于氧化物半導(dǎo)體層的源極區(qū)與漏極區(qū)之間。在一些實施方案中，p型金屬氧化物半導(dǎo)體層的厚度可介于約10nm與約100nm之間?？?20可涉及通過適合于正沉積的材料的任何方法來沉積p型金屬氧化物層，包含物理氣相沉積(pvd)工藝、化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝，以及原子層沉積(ald)工藝。pvd過程包含熱蒸發(fā)沉積、濺鍍沉積和脈沖激光沉積(pld)工藝。舉例來說，可通過濺鍍sno靶材來沉積sno。在一些實施方案中，p型金屬氧化物半導(dǎo)體層的氫化可包含在含氫氣氛中執(zhí)行框520和/或使用含氫前驅(qū)體化學(xué)品來沉積p型金屬氧化物半導(dǎo)體層。形成p型金屬氧化物半導(dǎo)體層的源極和漏極區(qū)可涉及摻雜p型金屬氧化物半導(dǎo)體層的這些區(qū)。在過程500的框530處，p型金屬氧化物半導(dǎo)體層在氫氣氛中熱退火。舉例來說，p型金屬氧化物層可在200℃與400℃之間的范圍內(nèi)的溫度下，暴露于含h2處理氣體。處理氣體中的h2的濃度可從1％到100％變動。純氫氣可能難以處置，因此在一些實施方案中，其可酌情用氮氣(n2)或其它惰性氣體來稀釋。在一些實施方案中，在上文給出的范圍之外的溫度可為適當(dāng)?shù)?。一般來說，退火溫度足夠高，使得提供充足的活化能來供氫氣擴(kuò)散到p型金屬氧化物半導(dǎo)體層中，且與所述p型金屬氧化物半導(dǎo)體層離子鍵合。退火溫度低于p型氧化物半導(dǎo)體材料的熔化溫度，且低于所述層的顯著部分可從p型材料轉(zhuǎn)換為n型材料、金屬或絕緣體的溫度。舉例來說，低于200℃的溫度可導(dǎo)致氫氣到p型金屬氧化物層中的不充分并入。取決于材料，在一些實施方案中，可使用高于400℃的溫度。對于類似sno的材料，較高溫度例如可導(dǎo)致sn(ii)到sn(iv)的氧化，其可將基于p型sn(ii)的材料轉(zhuǎn)換為基于n型sn(iv)的材料。可通過包含退火時間、溫度和h2濃度的參數(shù)來控制氫化的程度。在一些實施方案中，所述過程可繼續(xù)在氫化的p型金屬氧化物層上形成一或多個電介質(zhì)層或金屬層。舉例來說，在一些實施方案中，電介質(zhì)氧化層形成于氧化物半導(dǎo)體層上方，使得電介質(zhì)氧化層接觸氧化物半導(dǎo)體層。舉例來說，電介質(zhì)氧化層可為鈍化層、柵極電介質(zhì)層和蝕刻終止層中的一者。電介質(zhì)氧化層可包含任何合適的電介質(zhì)氧化物材料，例如sio2或al2o3。在一些實施方案中，電介質(zhì)氧化層的厚度可介于約10nm與約1000nm之間，例如厚度介于約300nm與約500nm之間。氫化的p型氧化物半導(dǎo)體層和電介質(zhì)氧化層可形式tft的一部分。在一些實施方案中，過程500進(jìn)一步包含：在p型氧化物半導(dǎo)體層的源極區(qū)上形成源電極；以及在p型氧化物半導(dǎo)體層的漏極區(qū)上形成漏電極。為了形成源電極和漏電極，可蝕刻源電極和漏電極。因此，過程500可進(jìn)一步包含蝕刻源電極和漏電極，以使氧化物半導(dǎo)體層的溝道區(qū)暴露。在一些實施方案中，形成電介質(zhì)氧化層在形成源電極和漏電極之前發(fā)生。這可包含其中電介質(zhì)氧化層是蝕刻終止層或柵極電介質(zhì)的實例。在一些實施方案中，形成電介質(zhì)氧化層可在形成源電極和漏電極之前發(fā)生。這可包含其中電介質(zhì)氧化層是形成于源電極和漏電極上方以保護(hù)所述tft的鈍化層的實例。在一些實施方案中，過程500進(jìn)一步包含在所述襯底之上形成柵電極。在一些實施方案中，柵電極可形成于所述襯底上，且柵極電介質(zhì)可形成于用于底部柵極tft的柵電極上。在一些實施方案中，電介質(zhì)氧化層可充當(dāng)柵極電介質(zhì)，且柵電極可形成于用于頂部柵極tft的柵極電介質(zhì)上方。如上文所指示，p型氧化物半導(dǎo)體層的氫化可涉及如參考框530所描述的氫退火。在一些實施方案中，舉例來說，如果在p型金屬氧化物半導(dǎo)體層的形成期間，框520中發(fā)生充分的氫化，那么可不執(zhí)行框530。再進(jìn)一步，在一些實施方案中，氫化可從自基礎(chǔ)層和覆蓋層中的一者或兩者到溝道中的氫擴(kuò)散而發(fā)生。舉例來說，上覆或下伏的電介質(zhì)層中的氫可擴(kuò)散到溝道中。此類電介質(zhì)層的實例包含sio2和sinx層，其具有呈si-h、o-h或n-h鍵的形式的4％到20％的氫。可通過熱退火來打破這些鍵。在此些實施方案中，可使p型氧化物半導(dǎo)體層退火，使得氫氣擴(kuò)散到p型氧化物半導(dǎo)體層中，且離子鍵合到所述p型氧化物半導(dǎo)體層。應(yīng)注意，在氫化之前，歸因于典型環(huán)境條件中氫的存在，p型金屬氧化物半導(dǎo)體層中可存在某一量的氫氣。然而，氫化p型金屬氧化物半導(dǎo)體層中的氫的量高于可從來自環(huán)境條件的擴(kuò)散出現(xiàn)的量。如上文所指出，膜中的氫的量的范圍可從1018原子/cm3到1021原子/cm或從0.01％到10％。相比之下，氧化物半導(dǎo)體層中的氫的濃度將通常小于此范圍。如上文所描述，本文所揭示的氫化的p型金屬氧化物半導(dǎo)體材料在用作tft中的溝道材料時，提供顯著改進(jìn)的tft特性。下文相對于圖6和表1進(jìn)一步論述這些特性的實例。為了產(chǎn)生圖6和表1中所示的結(jié)果，形成底部柵極tft裝置結(jié)構(gòu)，例如圖4a中說明的結(jié)構(gòu)。重?fù)诫s的n型si(100)和150nm厚的經(jīng)熱氧化的sio2分別用作柵電極和柵極絕緣體。使用krf準(zhǔn)分子激光(l＝248nm，20ns)，通過脈沖激光沉積，在室溫下，在sio2/si上生長大約15nm厚度的sno溝道。純sno的經(jīng)燒結(jié)主體用作靶材。在沉積期間，將氧分壓(po2)和激光密度分別固定為10毫托和3.0j/cm2。在sno的膜生長之后，使用快速熱退火系統(tǒng)，在250℃下，使所述膜經(jīng)受后沉積熱退火。使用形成氣體(n2基劑中的4％h2，1atm)來執(zhí)行氫退火。為了比較，還在真空中(大約5×10-2毫托)和氧(po2＝1毫托，以及po2＝100毫托)氣氛中使sno溝道退火。鎢觸點用于源/漏電極。圖6是示出具有p型sno溝道的未退火的tft和具有在真空、氫氣或氧氣氛中退火的p型sno溝道的tft的ids(飽和漏電流)-vgs(飽和柵電壓)曲線的曲線圖的實例。如圖6中示出，未退火的裝置并不示出任何場效電流調(diào)制。這可歸因于大約費米能級的高密度缺陷。然而，所有的經(jīng)退火tft均示出p溝道tft動作，但裝置特性很大程度上針對不同退火氣氛而變化。在一個實施方案中，下文的表1包含如針對經(jīng)退火的tft中的每一者測量的飽和度遷移率、閾值電壓、s值和開/關(guān)電流比率。表1：經(jīng)退火sno溝道tft的tft性能(遷移率、閾值電壓、s值和開關(guān)電流比率)tftμ(cm2/vs)vth(v)s值(v/十進(jìn)制)開/關(guān)電流比率經(jīng)真空退火0.9614.3>6×102經(jīng)po2(1毫托)退火0.6412.5>2×104經(jīng)po2(100毫托)退火0.004-25.525>4×103經(jīng)氫退火1.64.55.2>5×104經(jīng)真空退火的裝置展現(xiàn)清楚的雙極行為，即n溝道和p溝道操作兩者。從頭開始計算表明氧空缺在sno中造成電子供體狀態(tài)。雙極特性被認(rèn)為來源于通過真空退火形成氧空缺缺陷，其充當(dāng)sno中的電子供體，且導(dǎo)致必須避免電子傳遞來達(dá)到高電流開/關(guān)比率。為了獲得低關(guān)電流，可減少氧空缺缺陷。通過含氧退火來改進(jìn)關(guān)電流特性：為兩個經(jīng)氧退火的tft很好地抑制關(guān)電流，且獲得大于103的相對較大的開/關(guān)比率。當(dāng)針對po2＝1毫托下退火的tft時，獲得分別為約0.7cm2/vs和約15v/十進(jìn)制的飽和度遷移率和s值。然而，高po2條件(例如100毫托)導(dǎo)致tft特性的降級。含氫退火提供對tft特性的進(jìn)一步改進(jìn)。經(jīng)氫退火的tft展現(xiàn)大于5×104的高開/關(guān)比率以及大于1.6cm2/vs的相對較高的遷移率，其與通過霍爾效應(yīng)測量獲得的霍爾遷移率相當(dāng)。5v/十進(jìn)制的s值，其對應(yīng)于約1.2×1013cm-2ev-1的界面陷阱密度(dit)。低缺陷密度暗示空缺缺陷因含氫退火而有效地減少。氫向前散射測量結(jié)果揭示未退火的和經(jīng)氫退火的溝道的氫原子百分比分別為0.1％原子和1.7％原子。這些結(jié)果指示氫氣終止sno中的空缺缺陷，從而產(chǎn)生改進(jìn)的tft特性。在室溫下，在受控的氧氣氛下，使用krf準(zhǔn)分子激光(l＝248nm)，通過脈沖激光沉積來沉積sno膜。沉積時的膜是非晶或混合結(jié)構(gòu)，包含非晶和具有pbo型結(jié)構(gòu)(典型結(jié)晶體積部分<20％)的多晶sno兩者。通過掠入射x射線衍射(gixrd)來測量膜密度d，且其約為5.5到5.7g/cm3，其在12％之上，小于理論密度(6.39g/cm3)。這表明沉積時狀態(tài)涉及高密度結(jié)構(gòu)缺陷。從光學(xué)吸收光譜分析粗略地估計缺陷密度，且發(fā)現(xiàn)為約1020cm-3。250℃下的后熱退火產(chǎn)生對結(jié)晶度、膜密度的改進(jìn)，以及次間隙缺陷的減少。圖7a示出在真空、氧(po2＝1毫托)和氫氣(h2＝5％)氣氛中退火的膜的gixrd模式。所有的膜均為結(jié)晶的，且為非定向sno，具有6.4g/cm3的膜密度。從xrd和x射線光電子光譜(xps)測量結(jié)果觀察不到sn4+化合物，即sno2。圖7b示出經(jīng)退火sno膜的電穴遷移率和電穴密度的溫度相關(guān)性。電穴密度示出具有約37mev的活化能的熱激活的行為，表明受主能級位于價帶最大值(vbm)上方約0.1ev處。室溫下的平均霍爾遷移率為0.8到1.9cm2/vs。沉積時的膜示出霍爾電壓記號異常和電導(dǎo)率σ，接著是σ＝σ0exp[-a/t1/4]關(guān)系，表明導(dǎo)電機(jī)制是在vbm附近具有高密度局部化狀態(tài)的可變范圍跳躍。圖8a和8b示出通過rbs/hfs測量獲得的沉積時(圖8a)和經(jīng)氫退火(圖8b)的膜的氫的化學(xué)組成深度分布圖。雖然沉積時的膜含有約5×1019/cm3(0.1原子％)的相對較高的氫密度，其均相分布，但在250℃下氫退火之后，氫濃度增加到約8.5×1020/cm3(1.7原子％)。這表明氫擴(kuò)散到膜中，且有效地終止缺陷狀態(tài)，從而產(chǎn)生對tft特性的改進(jìn)。sno溝道也表征為tft模擬。圖9a示出經(jīng)氫退火的tft的測得和模擬轉(zhuǎn)移特性。圖9b示出sno溝道的對應(yīng)所提取次間隙態(tài)密度(dos)。使用類似供體的高斯dos的簡單模型，g(e)＝nga·exp[-(e0-e/wga)2，其中nga是高斯分布的中心能量e0處的密度，且wga是特性衰減能量，再現(xiàn)轉(zhuǎn)移特性。發(fā)現(xiàn)缺陷僅位于vbm上方，且密度約為5×1018/cm3。圖10a示出具有10到55nm的厚度的經(jīng)氫退火的sno溝道的tft特性的變化。小于t＝45nm的溝道厚度的開電流幾乎相同，而關(guān)電流依據(jù)溝道厚度而變化。這指示耗盡模式下的tft操作以及關(guān)電流是由從半導(dǎo)體絕緣體界面開始的耗盡層的寬度控制。通過減小溝道厚度，關(guān)電流減小，且針對16nm的最薄溝道獲得的關(guān)電流。圖10b示出對經(jīng)氫退火的sno溝道tft和參考igzotft的dit+tnsg與厚度關(guān)系的線性配合。使用以下關(guān)系來估計dit和塊陷阱密度(nsg)：次閾值斜率＝logekbt/e[1+e(dit+tnsg)/cox]，其中e是基本電荷，kb是玻爾茲曼常數(shù)，t是溫度，t是溝道厚度，且cox是柵電容。發(fā)現(xiàn)dit大約等于1013/cm2ev，且nsg等于約4×1018/cm3ev，其符合tft模擬分析。與先前針對sno溝道報告的(約1014/cm2ev的dit和nsg～1.5×1020/cm3ev)相比，塊缺陷密度減少了兩個階，但高于igzo溝道的高品質(zhì)(約1011/cm2ev的dit和約3.2×1016/cm3ev的nsg)。對于具有小于10nm的最薄溝道，觀察不到電流調(diào)制。afm測量結(jié)果確認(rèn)所述膜以原子級平滑表面(rms粗糙度<0.3nm)連續(xù)。不受特定理論束縛，相信表面缺陷具有氧化物材料表面通常缺乏的重要作用。執(zhí)行sno缺陷研究，以闡明電穴陷阱缺陷的起源以及sno-tft的氫退火的效應(yīng)。通過使用維也納從頭開始模擬包(vasp)來執(zhí)行基于具有梯度一般化近似值pbe(gga-pbe)的密度函數(shù)理論的第一原理計算。108原子超晶胞(3x3x3單位晶胞)用于缺陷計算。平面波截止能量和蒙克霍斯特-帕克(monkhorst-pack)特殊k點分別為400ev和設(shè)定成2x2x2。因此藉由以下等式來確定缺陷的形成能級(ef)：ef[defectq]＝etot[defectq]-etot[perfect]+∑iniμi+q(∈f+evbm)等式1其中etot[perfect]和etot[defectq]是帶電狀態(tài)q下含有缺陷的超晶胞的總能量，ni和μi是分別從儲集層去除或添加到儲集層的數(shù)目以及原子的化學(xué)勢i，∈f是從vbm測得的費米能量，且evbm是vbm的本征值?；瘜W(xué)勢應(yīng)在富sn(貧o)和富o(貧sn)限制之間變化。這些限制由sno的穩(wěn)定性條件給出：δhf[sno]＝μsno＝μsn+μo,μsno＝etot[sno]/nsno等式2因此，富sn限制是指金屬邊界(即，α-sn)，且由以下等式定義μo＝μsno-μα-sn，μsn＝μα-sn…等式3富o限制由sno與sno2之間的平衡條件給出，且由以下等式給出：缺陷轉(zhuǎn)變(電離)能級ε(q/q′)由以下等式確定ε(q/q′)＝δef(q)-δef(q′)/q-q′等式5圖11示出sno中的以下能量上有利的原生缺陷的局部原子結(jié)構(gòu)：氧空缺缺陷(vo)、錫空缺缺陷(vsn)和氧間隙缺陷(oi)。圖12示出在富sn限制下作為費米(fermi)能級的函數(shù)的原生缺陷的形成能。氧填隙原子在帶隙中不具有缺陷轉(zhuǎn)變等級，且因而為非電活性的。錫空位示出vbm上方約0.03ev的缺陷轉(zhuǎn)變等級ε(0/-)以及約0.05ev的ε(-/2-)，表明它們形成雙淺受體狀態(tài)。值接近從電測量結(jié)果(約100mev)獲得的受主能級，且因而vsn可能是sno中的p型導(dǎo)電的來源。另一方面，氧空位示出針對vbm上方的ε(0/2+)的約0.2ev的缺陷轉(zhuǎn)變等級，指示vo形成雙深供體狀態(tài)。然而，隨著能級對于電子供體來說太深，其并不充當(dāng)電子供體，而是作為電穴陷阱狀態(tài)而起重要作用。深供體缺陷的存在符合從針對sno-tft的tft模擬研究獲得的結(jié)果。這表明電穴陷阱的起源是氧空缺缺陷，且消除所述缺陷改進(jìn)-tft的電氣特性。圖12還示出包含氫氣填隙原子(hi)以及具有vo的錯合物(ho)的氫雜質(zhì)的形成能級。從形成能級，氫雜質(zhì)在sno中能量上穩(wěn)定。對于hi，轉(zhuǎn)變等級ε(+/0)和ε(0/-)約為來自vbm的0.45和0.6ev，而對于ho，轉(zhuǎn)變等級ε(+/0)和ε(0/-)約為來自vbm的0.2和0.43ev。ho的形成能級相對較低，且氫可能鍵合到空缺缺陷。因此，氫原子終止vo缺陷，且減少電穴陷阱的缺陷密度。因此，氫退火改進(jìn)tft特性。在一些實施方案中，氫化的p型金屬氧化物半導(dǎo)體層可形式包含p型tft和n型tft的cmostft裝置的一部分。圖13是說明根據(jù)一些實施方案的cmostft裝置的橫截面圖的實例。在圖13中，cmostft裝置700包含襯底710上的p型頂部柵極tft702a和n型頂部柵極tft702b。上文描述襯底的實例。在圖13的實例中，p型頂部柵極tft702a和n型頂部柵極tft702b形成于電介質(zhì)層711上；然而，在一些實施方案中，它們可形成于襯底710上，如在圖4b的實例中。p型頂部柵極tft702a包含氫化的p型金屬氧化物半導(dǎo)體層，其包含溝道區(qū)740a以及源極和漏極區(qū)742a。源電極和漏電極770a接觸氫化的p型金屬氧化物半導(dǎo)體層的源極和漏極區(qū)742a，且柵電極720a上覆于柵極電介質(zhì)730a上。p型tft702a的氫化的p型金屬氧化物半導(dǎo)體層可包含上文所論述的氫化的p型金屬氧化物中的任一者。n型頂部柵極tft702b包含n型金屬氧化物半導(dǎo)體層，其包含溝道區(qū)740b以及源極和漏極區(qū)742b。源電極和漏電極770b接觸n型金屬氧化物層的源極和漏極區(qū)742b，且柵電極720b上覆于柵極電介質(zhì)730b上。源電極770a和漏電極770b可形成于電介質(zhì)層780中，所述電介質(zhì)層將p型頂部柵極tft702a與n型頂部柵極tft702b分開。在一些實施方案中，n型金屬氧化物半導(dǎo)體是非晶的，且可包含含銦(in)、含鋅(zn)、含錫(sn)、含鉿(hf)和含鎵(ga)氧化物半導(dǎo)體。n型非晶氧化物半導(dǎo)體的實例包含ingazno、inzno、inhfzno、insnzno、snzno、insno、gazno和zno。在一些實施方案中，p型金屬氧化物半導(dǎo)體和n型金屬氧化物半導(dǎo)體可為相同金屬氧化物的不同摻雜膜。舉例來說，p型金屬氧化物半導(dǎo)體可為氫化的sno，如上文所描述，且n型金屬氧化物半導(dǎo)體可為摻雜有銻(sb)的sno，從而形成n型金屬氧化物半導(dǎo)體。在一些實施方案中，cmostft包含如上文參考圖4a所論述的底部柵極tft。例如圖13的實例中所示的cmostft裝置可用作例如顯示裝置的驅(qū)動電路的一部分。圖14a和14b是說明包含如本文所述的多個imod顯示元件和一tft的顯示裝置40的系統(tǒng)框圖。顯示器裝置40可為(例如)智能手機(jī)、蜂窩式或移動電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其輕微變化還說明各種類型的顯示裝置，例如電視機(jī)、計算機(jī)、平板計算機(jī)、電子閱讀器、手持式裝置及便攜式媒體裝置。顯示裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48和麥克風(fēng)46。外殼41可由多種制造工藝中的任一者形成，包含注射模制和真空成形。另外，外殼41可由多種材料中的任一者制成，所述材料包含但不限于：塑料、金屬、玻璃、橡膠和陶瓷，或其組合。外殼41可包含可去除部分(未示出)，所述可去除部分可與具有不同色彩或含有不同標(biāo)記、圖片或符號的其它可移除部分互換。顯示器30可為包含雙穩(wěn)態(tài)或模擬顯示器的多種顯示器中的任一者，如本文中所描述。顯示器30還可經(jīng)配置以包含例如等離子、el、oled、stnlcd或tftlcd等平板顯示器，或例如crt或其它管式裝置等非平板顯示器。另外，顯示器30可包含基于imod的顯示器，如本文所描述。圖14a中示意性地說明顯示裝置40的組件。顯示器裝置40包含外殼41，且可包含至少部分圍封在其中的額外組件。舉例來說，顯示裝置40包含網(wǎng)絡(luò)接口27，其包含可耦合到收發(fā)器47的天線43。網(wǎng)絡(luò)接口27可為用于可在顯示裝置40上顯示的圖像數(shù)據(jù)的來源。因此，網(wǎng)絡(luò)接口27是圖像源模塊的一個實例，但處理器21和輸入裝置48也可充當(dāng)圖像源模塊。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(例如，對信號進(jìn)行濾波或以其它方式操縱信號)。調(diào)節(jié)硬件52可連接到揚聲器45和麥克風(fēng)46。處理器21還可連接到輸入裝置48和驅(qū)動器控制器29。驅(qū)動器控制器29可耦合到幀緩沖器28，且耦合到陣列驅(qū)動器22，陣列驅(qū)動器22又可耦合到顯示器陣列30。顯示裝置40中的一或多個元件(包含圖14a中未特別描繪的元件)可經(jīng)配置以充當(dāng)存儲器裝置且經(jīng)配置以與處理器21通信。在一些實施方案中，電力供應(yīng)器50可將電力提供到特定顯示裝置40設(shè)計中的大體上所有組件。網(wǎng)絡(luò)接口27包含天線43和收發(fā)器47，使得顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一或多個裝置通信。網(wǎng)絡(luò)接口27也可具有減輕例如處理器21的數(shù)據(jù)處理要求的一些處理能力。天線43可發(fā)射和接收信號。在一些實施方案中，天線43根據(jù)ieee16.11標(biāo)準(zhǔn)(包含ieee16.11(a)、(b)或(g))或ieee802.11標(biāo)準(zhǔn)(包含ieee802.11a、b、g、n)及其進(jìn)一步的實施方案而發(fā)射和接收rf信號。在一些其它實施方案中，天線43根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射和接收rf信號。在蜂窩式電話的情況下，天線43可以經(jīng)設(shè)計以接收碼分多址(cdma)、頻分多址(fdma)、時分多址(tdma)、全球移動通信系統(tǒng)(gsm)、gsm/通用包無線電服務(wù)(gprs)、增強(qiáng)型數(shù)據(jù)gsm環(huán)境(edge)、陸地集群無線電(tetra)、寬帶-cdma(w-cdma)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(ev-do)、1xev-do、ev-do版本a、ev-do版本b、高速包接入(hspa)、高速下行鏈路包接入(hsdpa)、高速上行鏈路包接入(hsupa)、演進(jìn)型高速包接入(hspa+)、長期演進(jìn)(lte)、amps或用以在無線網(wǎng)絡(luò)(諸如，利用3g、4g或5g技術(shù)的系統(tǒng))內(nèi)通信的其它已知信號。收發(fā)器47可預(yù)處理從天線43接收到的信號，使得其可由處理器21接收并進(jìn)一步操縱。收發(fā)器47也可處理從處理器21接收到的信號，使得所述信號可經(jīng)由天線43從顯示器裝置40發(fā)射。在一些實施方案中，可用接收器來代替收發(fā)器47。另外，在一些實施方案中，可用圖像源來代替網(wǎng)絡(luò)接口27，所述圖像源可存儲或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)。處理器21可控制顯示裝置40的整體操作。處理器21從網(wǎng)絡(luò)接口27或圖像源接收數(shù)據(jù)(例如，經(jīng)壓縮圖像數(shù)據(jù))，且將數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成可容易處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21可將經(jīng)處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動器控制器29或幀緩沖器28以用于存儲。原始數(shù)據(jù)通常是指識別圖像內(nèi)的每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，此類圖像特性可包含色彩、飽和度和灰度級。處理器21可包含微控制器、cpu或邏輯單元以控制顯示裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52可包含用于將信號發(fā)射到揚聲器45且用于從麥克風(fēng)46接收信號的放大器和濾波器。調(diào)節(jié)硬件52可為顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入處理器21或其它組件內(nèi)。驅(qū)動器控制器29可直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，且可適當(dāng)?shù)刂匦赂袷交鲈紙D像數(shù)據(jù)以用于高速發(fā)射到陣列驅(qū)動器22。在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有類光柵格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適合于跨顯示器陣列30掃描的時間次序。接著，驅(qū)動控制器29將經(jīng)格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動器22。盡管例如lcd控制器的驅(qū)動器控制器29往往作為單獨集成電路(ic)而與系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián)，但可以許多方式來實現(xiàn)此類控制器。舉例來說，控制器可作為硬件嵌入處理器21中，作為軟件嵌入處理器21中，或與陣列驅(qū)動器22一起完全集成在硬件中。陣列驅(qū)動器22可從驅(qū)動器控制器29接收經(jīng)格式化的信息，且可將視頻數(shù)據(jù)重新格式化成一組平行波形，所述組平行波形被每秒多次地施加到來自顯示器的顯示元件的x-y矩陣的數(shù)百且有時數(shù)千(或大于數(shù)千)個引線。在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29、陣列驅(qū)動器22和顯示器陣列30適合于本文所描述的顯示器類型中的任一者。舉例來說，驅(qū)動器控制器29可為常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，imod顯示元件控制器)。另外，陣列驅(qū)動器22可為常規(guī)驅(qū)動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示驅(qū)動器(例如，imod顯示元件驅(qū)動器)。此外，顯示器陣列30可為常規(guī)顯示器陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示器陣列(例如，包含imod顯示元件陣列的顯示器)。在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29可與陣列驅(qū)動器22集成。此實施方案可在高度集成系統(tǒng)中有用，例如移動電話、便攜式電子裝置、腕表或小面積顯示器。在一些實施方案中，輸入裝置48可經(jīng)配置以允許(例如)用戶控制顯示裝置40的操作。輸入裝置48可包含例如qwerty鍵盤或電話小鍵盤等小鍵盤、按鈕、開關(guān)、搖臂、觸敏屏、與顯示器陣列30集成的觸敏屏，或壓敏或熱敏隔膜。麥克風(fēng)46可配置為用于顯示裝置40的輸入裝置。在一些實施方案中，通過麥克風(fēng)46的話音命令可用于控制顯示裝置40的操作。電力供應(yīng)器50可包含多種能量儲存裝置。舉例來說，電力供應(yīng)器50可為可再充電電池，諸如鎳鎘電池或鋰離子電池。在使用可再充電電池的實施方案中，可再充電電池可使用來自(例如)壁式插座或光伏裝置或陣列的電力來充電。替代地，可再充電電池可無線地充電。電力供應(yīng)器50也可為可再生能源、電容器或太陽能電池，包含塑料太陽能電池或太陽能電池漆。電力供應(yīng)器50還可經(jīng)配置以從壁式插座接收電力。在一些實施方案中，控制可編程性駐留在可位于電子顯示系統(tǒng)中的若干位置的驅(qū)動器控制器29中。在一些其它實施方案中，控制可編程性駐留在陣列驅(qū)動器22中。上述優(yōu)化可實施于任何數(shù)目個硬件和/或軟件組件中，且以各種配置來實施。如本文所使用，提到項目列表“中的至少一者”的短語是指那些項目的任何組合，包含單個成員。作為實例，“a、b或c中的至少一者”意在涵蓋：a、b、c、a-b、a-c、b-c和a-b-c。結(jié)合本文揭示的實施方案所描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路和算法步驟可實施為電子硬件、計算機(jī)軟件或兩者的組合。硬件與軟件的可互換性已大體在功能性方面加以描述，且在上文所描述的各種說明性組件、塊、模塊、電路和步驟中加以說明。此類功能在硬件還是軟件中實現(xiàn)取決于特定應(yīng)用以及強(qiáng)加于整個系統(tǒng)的設(shè)計約束。結(jié)合本文中所揭示的方面描述的用以實施各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊和電路的硬件和數(shù)據(jù)處理設(shè)備可通過以下各項來實施或執(zhí)行：通用單芯片或多芯片處理器、數(shù)字信號處理器(dsp)、專用集成電路(asic)、現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)或其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、離散硬件組件，或經(jīng)設(shè)計以執(zhí)行本文中所描述的功能的任何組合。通用處理器可為微處理器或任何常規(guī)處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。處理器還可實施為計算裝置的組合，例如dsp與微處理器的組合、多個微處理器的組合、結(jié)合dsp核心的一或多個微處理器或任何其它此類配置。在一些實施方案中，可通過具體針對給定功能的電路來執(zhí)行特定步驟和方法。在一或多個方面中，可以硬件、數(shù)字電子電路、計算機(jī)軟件、固件(包含本說明書中所揭示的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)等效物)或以其任何組合來實施所描述功能。本說明書中所描述的標(biāo)的物的實施方案還可實施為經(jīng)編碼于計算機(jī)存儲媒體上以供數(shù)據(jù)處理設(shè)備執(zhí)行或用以控制數(shù)據(jù)處理設(shè)備的操作的一或多個計算機(jī)程序，即計算機(jī)程序指令的一或多個模塊。如果實施于軟件中，那么可將功能作為一或多個指令或代碼存儲在計算機(jī)可讀媒體上或經(jīng)由計算機(jī)可讀媒體傳輸。本文揭示的方法或算法的步驟可在可駐留在計算機(jī)可讀媒體上的處理器可執(zhí)行軟件模塊中實施。計算機(jī)可讀媒體包含計算機(jī)存儲媒體和通信媒體兩者，通信媒體包含可使得能夠?qū)⒂嬎銠C(jī)程序從一處傳送到另一處的任何媒體。存儲媒體可為可由計算機(jī)存取的任何可用媒體。作為實例而非限制，此些計算機(jī)可讀媒體可包含ram、rom、eeprom、cd-rom或其它光盤存儲裝置、磁盤存儲裝置或其它磁性存儲裝置，或可用于以指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)形式存儲所期望的程序代碼且可由計算機(jī)存取的任何其它媒體。而且，可將任何連接適當(dāng)?shù)胤Q為計算機(jī)可讀媒體。如本文所使用的磁盤和光盤包含壓縮光盤(cd)、激光光盤、光學(xué)光盤、數(shù)字多功能光盤(dvd)、軟盤和藍(lán)光光盤，其中磁盤通常是以磁性方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而光盤是用激光以光學(xué)方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)。上述各項的組合也可包含在計算機(jī)可讀媒體的范圍內(nèi)。另外，方法或算法的操作可作為代碼和指令中的任一者或任何組合或集合駐留在可并入到計算機(jī)程序產(chǎn)品中的機(jī)器可讀媒體和計算機(jī)可讀媒體上。對于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員而言本發(fā)明中所描述的實施方案的各種修改可以是顯而易見的，并且在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，本文中所定義的一般原理可適用于其它實施方案。因此，所附權(quán)力要求書無意限于本文中所示的實施方案，而應(yīng)符合與本發(fā)明、本文中所揭示的原理和新穎特征相一致的最廣泛范圍。另外，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易了解，術(shù)語“上部”和“下部”有時是為了便于描述各圖而使用，且指示對應(yīng)于恰當(dāng)?shù)囟ㄏ虻捻撋系膱D的定向的相對位置，且可不反映例如所實施的imod顯示元件的恰當(dāng)定向。在本說明書中在單獨實施方案的上下文中描述的某些特征也可在單個實施方案中組合地實施。相反地，在單個實施方案的情況下描述的各種特征還可分別在多個實施方案中實施或以任何合適的子組合來實施。此外，盡管上文可將特征描述為以某些組合起作用或甚至最初如此主張，但在一些情況下，可將來自所主張的組合的一個或多個特征從組合中刪除，并且所主張的組合可針對子組合或子組合的變化。類似地，雖然在圖式中按特定次序描繪操作，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易認(rèn)識到，此類操作不需要按所展示的特定次序或按順序次序執(zhí)行，或應(yīng)執(zhí)行所有所說明的操作以實現(xiàn)所要結(jié)果。另外，圖式可以流程圖形式示意性地描繪一個以上實例過程。然而，可將未描繪的其它操作并入于經(jīng)示意性說明的實例過程中。例如，可在所說明的操作中的任一者之前、之后、同時地或之間執(zhí)行一或多個另外操作。在某些情況下，多重任務(wù)處理和并行處理可為有利的。此外，上文所描述的實施方案中的各種系統(tǒng)組件的分開不應(yīng)被理解為在所有實施方案中要求此分開，且應(yīng)理解，所描述的程序組件和系統(tǒng)一般可一起集成在單個軟件產(chǎn)品中或包裝到多個軟件產(chǎn)品中。另外，其它實施方案在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。在一些情況下，所附權(quán)利要求書中所敘述的動作可以不同次序來執(zhí)行且仍實現(xiàn)合乎需要的結(jié)果。當(dāng)前第1頁12