技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了倒裝芯片及其制備方法和照明設(shè)備，該倒裝芯片包括：基底，設(shè)置于基底下表面的外延層，其中，外延層包括：形成有基底下表面的N型氮化鎵層；形成在N型氮化鎵層下表面的多量子阱層；以及形成在N型氮化鎵層下表面的P型氮化鎵層，設(shè)置外延層下表面的第一反射層，形成于外延層下表面的正極，貫穿第一反射層、P型氮化鎵層、多量子阱層，并深入至N型氮化鎵層，且與外延層接觸的表面上具有絕緣層的負(fù)極，形成在外延層側(cè)壁上的第二反射層和形成在基底側(cè)壁上的第三反射層。該倒裝芯片能夠有效將從基底和外延層側(cè)壁射出的光反射而從基底正面射出，從而提高光利用率，提高亮度和光均勻性、一致性。

技術(shù)研發(fā)人員：張戈
受保護(hù)的技術(shù)使用者：比亞迪股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.31
技術(shù)公布日：2017.07.07