本發(fā)明涉及單晶硅電池片加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種清除單晶硅電池片燒結(jié)后臟片的工藝。
背景技術(shù)：
根據(jù)目前光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)不斷創(chuàng)新和成本不斷降低的發(fā)展前提下，如何利用有限的資源最大限度地提高產(chǎn)線的良品率，降低產(chǎn)線的不合格率及返工率已經(jīng)成為每一個(gè)企業(yè)不斷努力的方向。目前，在單晶硅電池片的生產(chǎn)過程中需要臭氧發(fā)生器在硅片表面形成臭氧層，臭氧層能夠減緩電池片的功率衰減，延長(zhǎng)電池片的使用壽命是電池片生產(chǎn)過程中不可缺少的一個(gè)工藝加工，但是硅片表面的臭氧層厚度均勻性很難控制及調(diào)整，造成臭氧層厚度不一致，均勻性差就會(huì)導(dǎo)致硅片經(jīng)絲網(wǎng)印刷燒結(jié)后出現(xiàn)明顯的臟污，最終的電池片也要降級(jí)處理成為不良品，嚴(yán)重?fù)p失了企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益。
同時(shí)，這種不良品單純通過調(diào)整臭氧發(fā)生器是無法消除的，如果將臭氧發(fā)生器撤下不用做成的電池片形成組件后，該組件由于缺少臭氧層的保護(hù)衰減會(huì)明顯增加，嚴(yán)重影響組件壽命?；谶@樣的背影下，怎樣在單晶硅電池片的生產(chǎn)過程(pecvd)中，將硅片表面的臭氧層厚度均勻性控制及調(diào)整至標(biāo)準(zhǔn)要求，成為長(zhǎng)期以來難以解決的技術(shù)難題。
鑒于上述原因，現(xiàn)研發(fā)出一種清除單晶硅電池片燒結(jié)后臟片的工藝。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種清除單晶硅電池片燒結(jié)后臟片的工藝，解決了常規(guī)產(chǎn)線上由于硅片表面的臭氧層過厚或者厚度不均勻?qū)е聼Y(jié)后出現(xiàn)批量性臟片的技術(shù)問題，在常規(guī)的pecvd工藝中增加預(yù)沉積工序，預(yù)沉積過程中氨氣被電離形成等離子體，等離子體在運(yùn)動(dòng)中會(huì)不斷撞擊到硅片表面，硅片表面原來生長(zhǎng)上的臭氧層被等離子體轟擊而脫落，大大提高了產(chǎn)品的合格率，保證了公司利益不受到損失。
本發(fā)明為了實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案：一種清除單晶硅電池片燒結(jié)后臟片的工藝，工藝流程步驟如下：
進(jìn)舟：爐門打開，插滿硅片的石墨舟以300～600cm/min的速度進(jìn)到爐管內(nèi)部后，爐門關(guān)閉；
抽真空：利用真空泵將爐管內(nèi)部空氣抽出形成負(fù)壓，避免空氣殘留；
升溫：爐管內(nèi)部所有溫區(qū)達(dá)到設(shè)定的溫度；
檢漏：檢查爐管漏率是否合格，避免造成生產(chǎn)異常；
預(yù)沉積：通入氨氣和氮?dú)猓诘獨(dú)猸h(huán)境的保護(hù)作用下，使氨氣在射頻電源作用下被電離形成等離子體，通過調(diào)節(jié)射頻電源的功率控制等離子體的數(shù)量，等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子不斷撞擊硅片表面，使硅片表面生長(zhǎng)上的臭氧層被等離子體轟擊脫落，通過控制沉積時(shí)間使硅片表面的臭氧層均勻，以達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)要求；
沉積減反射膜：通入氨氣和硅烷，將氨氣和硅烷配比后進(jìn)行反應(yīng)在硅片表面沉積形成減反射膜；
抽真空：利用真空泵將爐管內(nèi)部殘留的剩余氣體抽出，以避免打開爐門時(shí)存在安全隱患；
充氮?dú)猓籂t管內(nèi)通入氮?dú)馐範(fàn)t管達(dá)到常壓，以便爐門可以打開；
出舟：爐門打開，石墨舟以300～600cm/min的速度從爐管內(nèi)移出，爐門關(guān)閉。
所述預(yù)沉積工序中的射頻電源的功率為2000～5500w，氨氣流量2～6l，氮?dú)饬髁?～5l，沉積時(shí)間控制在5～30s之間。
所述氨氣和硅烷的比值為500～900:3000～9000。
本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明在常規(guī)的pecvd工藝中增加預(yù)沉積工序，預(yù)沉積過程中氨氣被電離形成等離子體，等離子體在運(yùn)動(dòng)中會(huì)不斷撞擊到硅片表面，硅片表面原來生長(zhǎng)上的臭氧層被等離子體轟擊而脫落，從而解決電池片燒結(jié)后出現(xiàn)的臟片的問題。本發(fā)明在保證了生產(chǎn)線的原工藝流程不變的前提下成功解決燒結(jié)后出現(xiàn)批量性臟片的難題，提高了產(chǎn)品質(zhì)量及產(chǎn)線良率。
本發(fā)明保持生產(chǎn)線原有工藝流程不做變動(dòng)，沒有產(chǎn)生額外的成本費(fèi)用；保留了臭氧發(fā)生器，臭氧層可以減緩組件的衰減，延長(zhǎng)組件的使用壽命，維護(hù)了電池片組件端的利益，減緩組件衰減；工藝簡(jiǎn)單，容易實(shí)施，只需要在原來pecvd工藝中增加短暫的預(yù)沉積時(shí)間，大約在5～30s之間，在5～30s的沉積時(shí)間范圍內(nèi)不會(huì)使硅片臭氧層完全脫落，這樣既保證了臭氧層的存在又不會(huì)因?yàn)槌粞鯇舆^厚導(dǎo)致燒結(jié)后出現(xiàn)臟片，既不會(huì)對(duì)原有工藝造成影響又不會(huì)影響產(chǎn)能；大幅度提高了產(chǎn)線成品的良率，降低了成本，將公司利益最大化。
本發(fā)明徹底解決常規(guī)產(chǎn)線上由于硅片表面的臭氧層過厚或者厚度不均勻?qū)е聼Y(jié)后出現(xiàn)批量性臟片，大大提高了產(chǎn)品的合格率，保證了公司利益不受到損失。
附圖說明
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明：
圖1是工藝流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例與具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明：
實(shí)施例1
進(jìn)舟：爐門打開，插滿硅片的石墨舟以300～600cm/min的速度進(jìn)到爐管內(nèi)部后，爐門關(guān)閉；
抽真空：利用真空泵將爐管內(nèi)部空氣抽出形成負(fù)壓，避免空氣殘留；
升溫：爐管內(nèi)部所有溫區(qū)達(dá)到設(shè)定的溫度；
檢漏：檢查爐管漏率是否合格，避免造成生產(chǎn)異常；
預(yù)沉積：通入氨氣和氮?dú)猓诘獨(dú)猸h(huán)境的保護(hù)作用下，使氨氣在射頻電源作用下被電離形成等離子體，通過調(diào)節(jié)射頻電源的功率控制等離子體的數(shù)量，等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子不斷撞擊硅片表面，使硅片表面生長(zhǎng)上的臭氧層被等離子體轟擊脫落，通過控制沉積時(shí)間使硅片表面的臭氧層均勻，以達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)要求；
沉積減反射膜：通入氨氣和硅烷，將氨氣和硅烷配比后進(jìn)行反應(yīng)在硅片表面沉積形成減反射膜；
抽真空：利用真空泵將爐管內(nèi)部殘留的剩余氣體抽出，以避免打開爐門時(shí)存在安全隱患；
充氮?dú)猓籂t管內(nèi)通入氮?dú)馐範(fàn)t管達(dá)到常壓，以便爐門可以打開；
出舟：爐門打開，石墨舟以300～600cm/min的速度從爐管內(nèi)移出，爐門關(guān)閉。
實(shí)施例2
所述預(yù)沉積工序中的射頻電源的功率為2000～5500w，氨氣流量2～6l，氮?dú)饬髁?～5l，沉積時(shí)間控制在5～30s之間。
實(shí)施例3
所述氨氣和硅烷的比值為500～900:3000～9000。