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一種180~186瓦72片單晶硅電池片組件及其使用的單晶硅電池片的制作方法

文檔序號(hào):7191479閱讀:532來源:國(guó)知局
專利名稱:一種180~186瓦72片單晶硅電池片組件及其使用的單晶硅電池片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種單晶硅電池片,尤其是一種180 186瓦72片單晶硅電池片 組件及其使用的單晶硅電池片。
背景技術(shù)
目前,世界上的晶體硅發(fā)電的產(chǎn)品中,180瓦72片的單晶硅電池片的組件是主流。 生產(chǎn)180瓦72片的單晶硅電池片組件,每片硅片的功率要達(dá)到2. 5瓦。由于摻硼硅片的材 料特性,其固有衰減在2. 5%,所以電池片在衰減前的功率要達(dá)到2. 564瓦。目前行業(yè)里生 產(chǎn)180瓦組件的硅片尺寸的標(biāo)準(zhǔn)為邊長(zhǎng)125mm,對(duì)角線長(zhǎng)為150mm,其面積為14858mm2。則 在標(biāo)準(zhǔn)光強(qiáng)照射下(光強(qiáng)1000W/m2),其衰減前光電轉(zhuǎn)換效率應(yīng)在17. 25%。 而對(duì)于目前晶體硅電池的批量生產(chǎn)技術(shù),如果要做到衰減前光電轉(zhuǎn)換效率 為17. 25%的的電池片,其硅料的少子壽命必須大于25ii s,硅材料間隙氧的含量小于 18ppma,替位碳含量小于lppma,金屬雜質(zhì)含量小于O. 5ppba。為了達(dá)到這一產(chǎn)品質(zhì)量,必須 使用純度為8N以上的硅材料。而目前國(guó)內(nèi)的原生硅金屬含量純度僅能達(dá)到6-7N,這使得我 國(guó)硅片生產(chǎn)企業(yè)不得不購(gòu)買國(guó)外的9N原生多晶硅來進(jìn)行生產(chǎn)。其價(jià)格高昂,大大降低了我 國(guó)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。 如果不采購(gòu)9N的國(guó)外原生多晶硅,而采用國(guó)內(nèi)的原生多晶硅,其衰減前光電轉(zhuǎn)換 效率在16. 8 %左右,2. 5 %的衰減。如果依此生產(chǎn)出的標(biāo)準(zhǔn)尺寸電池片,衰減后效率僅有 2. 434瓦,72片生產(chǎn)成組件功率為175. 2瓦,這樣的組件遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足市場(chǎng)需求。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型需要解決的技術(shù)問題是,合理選定電池片尺寸,減少組件中空白導(dǎo)角 面積,增加電池片的表面積,在使用純度略低的硅材料時(shí)也能滿足180 186瓦72片組件 使用的單晶硅電池片的質(zhì)量要求。 本實(shí)用新型的180 186瓦72片組件使用的單晶硅電池片,其形狀為邊長(zhǎng)為H的 正方形,帶有四個(gè)以正方形中心為圓心、半徑為D/2的圓相割形成的圓角,其表面積為S。,其 特征是H為125. 5mm 130. 5mm, D為156mm 184mm。 作為優(yōu)選,單晶硅電池片上正方形一個(gè)圓角以外部分為導(dǎo)角面積,導(dǎo)角面積S =(tf-S。)/4,單晶硅電池片導(dǎo)角面積之和4S與單晶硅電池片表面積S。之比為0. 01 % 5. 00%。 本實(shí)用新型的180 186瓦72片單晶硅電池片組件,單晶硅電池片排成矩形陣 列,其特征是其特征是所述的單晶硅電池片形狀為邊長(zhǎng)為H的正方形,帶有四個(gè)以正 方形中心為圓心、半徑為D/2的圓相割形成的圓角,其表面積為S。,其中H為125. 5mm 130. 5mm, D為156mm 184mm ;正方形 一 個(gè)圓角以外部分為導(dǎo)角面積,導(dǎo)角面積S = (tf-S。)/4,單晶硅電池片組件導(dǎo)角面積之和4S與單晶硅電池片組件表面積S。之比為0. 01% 5. 00%。 經(jīng)計(jì)算,背景技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)單晶硅電池片組件導(dǎo)角面積之和與72片單晶硅電池片 表面積之和的比為5. 16%,本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)比例明顯要小。 本實(shí)用新型的單晶硅電池片及其組件的衰減后光電轉(zhuǎn)換效率為14.8% 16. 8%。 本實(shí)用新型有益的效果是一、在不過多改變組件外觀的情況下,減少了組件中導(dǎo) 角面積,增加了電池片的表面積,使得采用純度略低的硅材料也能保證質(zhì)量,達(dá)到發(fā)電功率 需求。二、在滿足發(fā)電功率的條件下,材質(zhì)可由國(guó)產(chǎn)原生多晶硅與IC級(jí)硅廢料控制調(diào)配而 成,以進(jìn)一步降低成本,提高企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力;三、通過對(duì)低純度硅材料的應(yīng)用,有效利用硅廢 料,降低發(fā)電成本。

圖1是單晶硅電池片的結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2是單晶硅電池片組件的結(jié)構(gòu)示意圖(部分)。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明 實(shí)施例1。如圖l,本例單晶硅電池片,邊長(zhǎng)為H二 126mm的正方形,被以正方形中 心為圓心、直徑為D二 165mm的圓相割后形成四個(gè)圓角,單片面積為15697mm2。如圖2,72 片組件成12X6矩形陣列排列,72X4個(gè)導(dǎo)角面積之和72片單晶硅電池片表面積之和的比 為1. 14%。 以采用純度偏低、衰減在3. 5%硅材料為例,以實(shí)例1的面積計(jì)算,如果要滿足180 瓦72片電池片組件的要求,則每片電池片的衰減前光電轉(zhuǎn)換效率要達(dá)到16. 5%,這對(duì)于國(guó) 內(nèi)的原生多晶硅,達(dá)到此質(zhì)量已經(jīng)綽綽有余,因而可以在生產(chǎn)中適當(dāng)加入一些IC級(jí)的低價(jià) 格硅廢料,使生產(chǎn)出的電池片衰減前光電轉(zhuǎn)換效率在16.6%以上即可。綜合目前市場(chǎng)價(jià)格, 每生產(chǎn)一噸硅料,總成本將下降20%,本例組件的功率衰減后可以達(dá)到181瓦以上。 實(shí)施例2:見圖l,本例單晶硅電池片,邊長(zhǎng)為H二 126mm的正方形,帶四個(gè)半徑為 D/2的圓角(D = 170mm),單片面積為15808mm2。見圖2, 72片組件成12X6矩形陣列排列, 72X4個(gè)導(dǎo)角面積之和72片單晶硅電池片表面積之和的比為0. 43%。 以采用純度偏低、衰減在3. 5%硅材料為例,如果要滿足180瓦72片電池片組件 的要求,則每片電池片的效率要達(dá)到衰減前光電轉(zhuǎn)換16. 39%,合理的在生產(chǎn)中加入一些 IC級(jí)的低價(jià)格硅廢料,控制生產(chǎn)出的電池片衰減前光電轉(zhuǎn)換效率在16. 5%以上即。綜合目 前市場(chǎng)價(jià)格,每生產(chǎn)一噸硅料,總成本將下降28%左右,本例組件的功率衰減后也可以達(dá)到 181瓦以上。 除上述實(shí)施例外,本實(shí)用新型還可以有其他實(shí)施方式。凡采用等同替換或等效變 換形成的技術(shù)方案,均落在本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種180~186瓦72片組件使用的單晶硅電池片,其形狀為邊長(zhǎng)為H的正方形,帶有四個(gè)以正方形中心為圓心、半徑為D/2的圓相割形成的圓角,其特征是H為125.5mm~130.5mm,D為156mm~184mm。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的180 186瓦72片組件使用的單晶硅電池片,其特征是所 述的單晶硅電池片上正方形一個(gè)圓角以外部分為導(dǎo)角面積,導(dǎo)角面積S = (tf-S。)/4,單晶 硅電池片導(dǎo)角面積之和4S與單晶硅電池片表面積S。之比為0. 01% 5. 00%。
3. —種180 186瓦72片單晶硅電池片組件,單晶硅電池片排成矩形陣列,其特征是 所述的單晶硅電池片形狀為邊長(zhǎng)為H的正方形,帶有四個(gè)以正方形中心為圓心、半徑為D/2 的圓相割形成的圓角,其表面積為S0,其中H為125. 5mm 130. 5mm, D為156mm 184mm ; 正方形一個(gè)圓角以外部分為導(dǎo)角面積,導(dǎo)角面積S = (tf-S。)/4,單晶硅電池片組件導(dǎo)角面 積之和4S與單晶硅電池片組件表面積S。之比為0. 01% 5. 00%。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種180~186瓦72片單晶硅電池片組件及其使用的單晶硅電池。本實(shí)用新型需要解決的技術(shù)問題是,合理選定電池片尺寸,減少組件中導(dǎo)角面積,增加電池片的表面積。本實(shí)用新型的單晶硅電池片,其形狀為邊長(zhǎng)為H的正方形,帶有四個(gè)以正方形中心為圓心、半徑為D/2的圓相割形成的圓角,其特征是H為125.5mm~130.5mm,D為156mm~184mm;且單晶硅電池片導(dǎo)角面積之和4S與單晶硅電池片表面積S0之比為0.01%~5.00%。
文檔編號(hào)H01L31/042GK201438468SQ20092011604
公開日2010年4月14日 申請(qǐng)日期2009年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月20日
發(fā)明者俞峰峰, 石堅(jiān) 申請(qǐng)人:嘉興明通光能科技有限公司
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