技術(shù)編號：12827501
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及單晶硅電池片加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種清除單晶硅電池片燒結(jié)后臟片的工藝。背景技術(shù)根據(jù)目前光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)不斷創(chuàng)新和成本不斷降低的發(fā)展前提下，如何利用有限的資源最大限度地提高產(chǎn)線的良品率，降低產(chǎn)線的不合格率及返工率已經(jīng)成為每一個企業(yè)不斷努力的方向。目前，在單晶硅電池片的生產(chǎn)過程中需要臭氧發(fā)生器在硅片表面形成臭氧層，臭氧層能夠減緩電池片的功率衰減，延長電池片的使用壽命是電池片生產(chǎn)過程中不可缺少的一個工藝加工，但是硅片表面的臭氧層厚度均勻性很難控制及調(diào)整，造成臭氧層厚度不一致，均勻性差就會導(dǎo)致硅片...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。