本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置，并且更具體地，涉及一種防止對于發(fā)光二極管的損害的OLED顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

當前正在使用用于顯示圖像的各種顯示裝置。諸如液晶顯示(LCD)裝置、等離子顯示面板(PDP)和有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的平板顯示裝置由于其優(yōu)異的特性(薄外觀和輕重量)而正在被廣泛地研究和使用來替代陰極射線管(CRT)顯示裝置。

由于OLED顯示裝置在響應時間、對比度、觀看角度和功耗方面具有優(yōu)勢，因此，OLED顯示裝置在平板顯示裝置中得到了廣泛的研究。

包括有機發(fā)光層的發(fā)光二極管對于潮濕是非常脆弱的。為了防止?jié)駳馇秩氚l(fā)光二極管并且保護發(fā)光二極管，在發(fā)光二極管上附著有玻璃的封裝基板。

近來，引入了柔性顯示裝置，例如，可折疊顯示裝置、可彎曲顯示裝置或者可卷曲顯示裝置。在柔性顯示裝置中，使用了新的封裝膜、無機層和有機層來替代玻璃封裝基板。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的OLED顯示裝置的示意性截面圖。

如圖1中所示，OLED顯示裝置1包括柔性基板10，其中限定有顯示區(qū)域AA和位于顯示區(qū)域AA周圍的非顯示區(qū)域NA；柔性基板10上的發(fā)光二極管D和覆蓋發(fā)光二極管D的封裝膜20。

柔性基板10可以由諸如聚酰亞胺的聚合物形成，并且發(fā)光二極管D形成在柔性基板10上。

雖然未示出，但是發(fā)光二極管D包括第一電極、面對第一電極的第二電極和位于第一電極與第二電極之間的有機發(fā)光層。另外，作為切換元件的開關(guān)薄膜晶體管(TFT)和作為驅(qū)動元件的驅(qū)動TFT形成在每個像素區(qū)中并且位于柔性基板10上。 例如，發(fā)光二極管D的第一電極可以連接到驅(qū)動TFT。

封裝膜20覆蓋發(fā)光二極管D并且對應于顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域NA。通過封裝膜20防止在高溫及高濕度條件下對于發(fā)光二極管D的損害。

在封裝膜20中，無機層和有機層被交替地堆疊。例如，封裝膜20可以包括位于發(fā)光二極管D上的第一無機層22、位于第一無機層22上的有機層24和位于有機層24上的第二無機層26。即，封裝膜20可以具有三層結(jié)構(gòu)。

另外，阻擋膜30可以使用粘附層32附著到封裝膜20。

然而，當在高溫及高濕的條件下操作或儲存OLED顯示裝置1時，仍然會產(chǎn)生對于發(fā)光二極管D的損害。另外，當OLED顯示裝置被折疊、彎曲或卷曲時，在發(fā)光二極管D中存在其它損害。因此，顯示技術(shù)的OLED顯示裝置1的顯示質(zhì)量或壽命方面存在問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

實施方式涉及一種形成有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的方法。在柔性基板的顯示區(qū)域上形成多個像素區(qū)，每個像素區(qū)均包括OLED。使用原子層沉積(ALD)或等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)在所述多個像素區(qū)上形成第一無機層的至少一部分。形成第一有機層以及使用PECVD形成第二無機層。

在一個實施方式中，使用ALD形成整個第一無機層。

在一個實施方式中，使用ALD形成第一無機層的第一無機子層并且使用PECVD形成第一無機層的第二無機子層。

在一個實施方式中，第二無機子層形成在第一無機子層上。

在一個實施方式中，第一無機子層形成在第二無機子層上。

在一個實施方式中，在第二無機層上形成第二有機層。

在一個實施方式中，第一有機層的厚度大于第二有機層的厚度，并且第一有機層由丙烯基化合物形成以及第二有機層由環(huán)氧基化合物形成。

在一個實施方式中，第二有機層的模量值小于第一有機層的模量值。

在一個實施方式中，第一無機子層的厚度為0.01微米至0.1微米。

在一個實施方式中，第二無機子層和第二無機層的厚度為0.1微米至2微米。

實施方式還涉及一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置。所述顯示裝置包括柔 性基板，所述柔性基板具有顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；以及多個像素區(qū)，所述多個像素區(qū)位于所述柔性基板的所述顯示區(qū)域上。每個像素區(qū)均包括驅(qū)動晶體管和有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管包括第一電極、有機發(fā)光層和第二電極。所述第一電極連接到所述驅(qū)動晶體管的電極。堤岸層被放置在所述像素區(qū)和與該像素區(qū)相鄰的像素區(qū)之間的邊界中并且延伸跨過該邊界。間隔件位于所述堤岸層的一部分上，所述間隔件的距離所述堤岸層的第一距離的一部分的寬度小于該間隔件的距離所述堤岸層的第二距離的另一部分的寬度，所述第二距離大于所述第一距離。第一無機層覆蓋所述間隔件的側(cè)表面的至少一部分。

在一個實施方式中，所述顯示裝置進一步包括位于第一無機層上的第一有機層和位于第一有機層上的第二無機層。第二無機層的厚度大于第一無機層的厚度。

在一個實施方式中，第一無機層的厚度為0.01微米至0.1微米。

在一個實施方式中，第二無機層的厚度為0.1微米至2微米。

在一個實施方式中，間隔件是倒錐形形狀。

在一個實施方式中，第一無機層是通過原子層沉積(ALD)沉積來沉積的。

在一個實施方式中，第二電極材料圖案位于間隔件的頂面上，其中，第二電極材料圖案與第二電極物理地隔離。

實施方式還涉及一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置。所述顯示裝置包括：柔性基板，所述柔性基板具有顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；以及多個像素區(qū)，所述多個像素區(qū)位于所述柔性基板的所述顯示區(qū)域上。每個像素區(qū)均包括：驅(qū)動晶體管；有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管包括第一電極、有機發(fā)光層和第二電極。所述第一電極連接到所述驅(qū)動晶體管的電極。堤岸層被布放置在所述像素區(qū)和與該像素區(qū)相鄰的像素區(qū)之間的邊界中并且延伸跨過所述邊界。所述顯示裝置還包括第一無機層，所述第一無機層位于所述有機發(fā)光二極管的至少一部分上并且位于所述堤岸層的至少一部分上，所述第一無機層具有第一無機子層和第二無機子層。

在一個實施方式中，第一無機子層或第二無機子層的至少一部分具有0.01微米至0.1微米的厚度。

在一個實施方式中，所述顯示裝置進一步包括位于堤岸層的一部分上的間隔件，其中，所述間隔件的距離所述堤岸層的第一距離的一部分的寬度小于該間隔件的距離所述堤岸層的第二距離的另一部分的寬度，所述第二距離大于所述第一距離。

在一個實施方式中，所述顯示裝置進一步包括位于第一無機層上的第一有機層、位于第一有機層上的第二無機層和位于第二無機層上的第二有機層。第二有機層的模量值小于第一有機層的模量值。

將在下面的描述中闡述本發(fā)明的額外的特征和優(yōu)點，并且其一部分根據(jù)描述將會變得更加清楚，或者可以通過本發(fā)明的實踐來了解。將通過在所撰寫的說明書及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。

將理解的是，前述一般性描述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的并且意在提供如權(quán)利要求所記載的本發(fā)明的進一步的說明。

附記1.一種形成有機發(fā)光二極管OLED顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

在柔性基板的顯示區(qū)域上形成多個像素區(qū)，所述多個像素區(qū)中的每一個包括OLED；

使用原子層沉積ALD或等離子體增強化學氣相沉積PECVD在所述多個像素區(qū)上形成第一無機層的至少一部分；

形成第一有機層；以及

使用PECVD形成第二無機層。

附記2.根據(jù)附記1所述的方法，其中，使用ALD形成整個所述第一無機層。

附記3.根據(jù)附記1所述的方法，其中，所述形成第一無機層的至少一部分的步驟包括以下步驟：

使用ALD形成所述第一無機層的第一無機子層；以及

使用PECVD形成所述第一無機層的第二無機子層。

附記4.根據(jù)附記3所述的方法，其中，所述第二無機子層形成在所述第一無機子層上。

附記5.根據(jù)附記3所述的方法，其中，所述第一無機子層形成在所述第二無機子層上。

附記6.根據(jù)附記1所述的方法，所述方法進一步包括以下步驟：在所述第二無機層上形成第二有機層。

附記7.根據(jù)附記6所述的方法，其中，所述第一有機層的厚度大于所述第二有機層的厚度，并且所述第一有機層由丙烯基化合物形成且所述第二有機層由環(huán)氧基化 合物形成。

附記8.根據(jù)附記6所述的方法，其中，所述第二有機層的模量值小于所述第一有機層的模量值。

附記9.根據(jù)附記3所述的方法，其中，所述第一無機子層的厚度為0.01微米至0.1微米。

附記10.根據(jù)附記3所述的方法，其中，所述第二無機子層和所述第二無機層的厚度為0.1微米至2微米。

附記11.一種有機發(fā)光二極管OLED顯示裝置，所述顯示裝置包括：

柔性基板，所述柔性基板具有顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；

多個像素區(qū)，所述多個像素區(qū)位于所述柔性基板的所述顯示區(qū)域上，所述多個像素區(qū)中的每一個包括：

驅(qū)動晶體管；

有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管包括第一電極、有機發(fā)光層和第二電極，所述第一電極連接到所述驅(qū)動晶體管的電極；

堤岸層，所述堤岸層被放置在所述像素區(qū)和與該像素區(qū)相鄰的像素區(qū)之間的邊界中并且延伸跨過所述邊界；

間隔件，所述間隔件位于所述堤岸層的一部分上，所述間隔件的距離所述堤岸層的第一距離的一部分的寬度小于該間隔件的距離所述堤岸層的第二距離的另一部分的寬度，所述第二距離大于所述第一距離；以及

第一無機層，所述第一無機層覆蓋所述間隔件的側(cè)表面的至少一部分。

附記12.根據(jù)附記11所述的顯示裝置，所述顯示裝置進一步包括位于所述第一無機層上的第一有機層和位于所述第一有機層上的第二無機層，其中，所述第二無機層的厚度大于所述第一無機層的厚度。

附記13.根據(jù)附記12所述的顯示裝置，其中，所述第一無機層的厚度為0.01微米至0.1微米。

附記14.根據(jù)附記12所述的顯示裝置，其中，所述第二無機層的厚度為0.1微米至2微米。

附記15.根據(jù)附記12所述的顯示裝置，其中，所述間隔件是倒錐形形狀的。

附記16.根據(jù)附記11所述的顯示裝置，其中，所述第一無機層是通過原子層沉 積ALD沉積的。

附記17.根據(jù)附記11所述的顯示裝置，所述顯示裝置進一步包括第二電極材料圖案，所述第二電極材料圖案位于所述間隔件的頂面上，其中，所述第二電極材料圖案與所述第二電極物理地隔離。

附記18.一種有機發(fā)光二極管OLED顯示裝置，所述顯示裝置包括：

柔性基板，所述柔性基板具有顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；

多個像素區(qū)，所述多個像素區(qū)位于所述柔性基板的所述顯示區(qū)域上，所述多個像素區(qū)中的每一個包括：

驅(qū)動晶體管；

有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管包括第一電極、有機發(fā)光層和第二電極，所述第一電極連接到所述驅(qū)動晶體管的電極，

堤岸層，所述堤岸層被布放置在所述像素區(qū)和與該像素區(qū)相鄰的像素區(qū)之間的邊界中并且延伸跨過所述邊界，以及

第一無機層，所述第一無機層位于所述有機發(fā)光二極管的至少一部分上并且位于所述堤岸層的至少一部分上，所述第一無機層包括第一無機子層和第二無機子層。

附記19.根據(jù)附記18所述的顯示裝置，其中，所述第一無機子層或所述第二無機子層的至少一部分具有0.01微米至0.1微米的厚度。

附記20.根據(jù)附記18所述的顯示裝置，所述顯示裝置進一步包括位于堤岸層的一部分上的間隔件，其中，所述間隔件的距離所述堤岸層的第一距離的一部分的寬度小于該間隔件的距離所述堤岸層的第二距離的另一部分的寬度，所述第二距離大于所述第一距離。

附記21.根據(jù)附記18所述的顯示裝置，所述顯示裝置進一步包括位于所述第一無機層上的第一有機層、位于所述第一有機層上的第二無機層和位于所述第二無機層上的第二有機層，其中，所述第二有機層的模量值小于所述第一有機層的模量值。

附圖說明

附圖被包括以提供本發(fā)明的進一步的理解并且并入本申請中并且構(gòu)成本申請的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施方式并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置的示意性截面圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的、柔性O(shè)LED顯示裝置中的像素的示意性電路圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的、柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的、包括發(fā)光二極管的一個像素區(qū)的示意性截面圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。

圖8是根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性平面圖。

圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的、形成有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的方法的流程圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細參考優(yōu)選實施方式，在附圖中示出了優(yōu)選實施方式示例。

在OLED顯示裝置中，在發(fā)光二極管上會生成顆粒，并且由于顆粒會在封裝膜中生成裂紋。因此，濕氣可以通過封裝膜中的裂紋而滲入到發(fā)光二極管中。

一般來說，通過等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)方法形成接觸發(fā)光二極管的無機層，從而該無機層具有較差的臺階覆蓋范圍(step-coverage)。發(fā)光二極管上的顆粒沒有被封裝膜的無機層完全地覆蓋，從而在封裝膜中可產(chǎn)生裂紋。因此，會產(chǎn)生由于濕氣導致的對于發(fā)光二極管的損害。

另一方面，可以通過增加無機層的厚度而用無機層完全地覆蓋顆粒。然而，顆粒下面的側(cè)部會沒有被完全地覆蓋，從而仍然會產(chǎn)生由于濕氣導致的對于發(fā)光二極管的損害。

另外，當無機層的厚度增加時，在折疊、彎曲或卷曲操作期間封裝膜上的應力增加，從而在封裝膜中產(chǎn)生裂紋并且裝置的撓性降低。

因此，本發(fā)明提供了一種能夠防止上述問題的OLED顯示裝置。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置中的像素的示意性電路圖。參考圖2，在OLED顯示裝置中包括選通線“GL”、數(shù)據(jù)線“DL”、電源線“PL”、開關(guān) 薄膜晶體管(TFT)“Ts”、存儲電容器“Cst”、驅(qū)動TFT“Td”和發(fā)光二極管“D”。選通線“GL”和數(shù)據(jù)線“DL”彼此交叉以限定像素區(qū)“P”。

開關(guān)TFT“Ts”連接到選通線“GL”和數(shù)據(jù)線“DL”，并且驅(qū)動TFT“Td”和存儲電容器“Cst”連接到開關(guān)TFT“Td”和電源線“PL”。發(fā)光二極管“D”連接到驅(qū)動TFT“Td”。

當由通過選通線“GL”施加的選通信號導通開關(guān)TFT“Ts”時，來自數(shù)據(jù)線“DL”的數(shù)據(jù)信號被施加到驅(qū)動TFT“Td”的柵極和存儲電容器“Cst”的電極。當數(shù)據(jù)信號導通驅(qū)動TFT“Td”時，電流被從電源線“PL”提供給發(fā)光二極管“D”。結(jié)果，發(fā)光二極管“D”發(fā)射光。在該情況下，當驅(qū)動TFT“Td”導通時，從電源線“PL”施加到發(fā)光二極管“D”的電流的程度被確定為使得發(fā)光二極管“D”能夠產(chǎn)生灰度。存儲電容器“Cst”用于在開關(guān)TFT“Ts”被導通時保持驅(qū)動TFT“Td”的柵極的電壓。因此，即使開關(guān)TFT“Ts”被截止，從電源線“PL”施加到發(fā)光二極管“D”的電流的程度也被保持到下一幀。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖，并且圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的包括發(fā)光二極管的一個像素區(qū)的示意性截面圖。

如圖3和圖4中所示，根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置100包括柔性基板110，其中限定有顯示區(qū)域AA和位于顯示區(qū)域AA的周圍的非顯示區(qū)域NA；位于柔性基板110上的發(fā)光二極管D；以及覆蓋發(fā)光二極管D的封裝膜120，并且通過原子層沉積(ALD)方法形成作為封裝膜120的最下層的第一無機層121。

柔性基板110可以由諸如聚酰亞胺的聚合物形成。然而，不限于此。

雖然未示出，可以在柔性基板110上形成由諸如硅氧化物或硅氮化物的無機絕緣材料形成的緩沖層。

在柔性基板110上，形成有驅(qū)動TFT Td和發(fā)光二極管D。另外，在柔性基板110上進一步形成有彼此交叉以限定像素區(qū)的選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)、與選通線或數(shù)據(jù)線平行并隔開的電源線(未示出)、連接到選通線和數(shù)據(jù)線的開關(guān)TFT(未示出)、連接到電源線和開關(guān)TFT的電極的存儲電容器(未示出)。

驅(qū)動TFT Td連接到開關(guān)TFT并且包括半導體層152、柵極160、源極170和漏極172。

半導體層152被布置在柔性基板110上并且可以包括氧化物半導體材料或多晶硅。

當半導體層152包括氧化物半導體材料時，可以在半導體層152下方形成遮光圖案(未示出)。通過遮光圖案遮蔽或阻擋到半導體層152的光，從而能夠防止半導體層152的熱劣化。另一方面，當半導體層152包括多晶硅時，可以將雜質(zhì)摻雜到半導體層152的兩側(cè)中。

柵極絕緣層154形成在包括半導體層152的柔性基板110的整個表面上。柵極絕緣層154可以由諸如硅氧化物或硅氮化物的無機絕緣材料形成。例如，當半導體層152包括氧化物半導體材料時，柵極絕緣層154可以由硅氧化物形成。

由例如金屬的導電材料形成的柵電極160形成在柵極絕緣層154上以與半導體層152的中心對應。柵電極160連接到開關(guān)TFT。

在圖4中，柵極絕緣層154形成在柔性基板110的整個表面上。另選地，柵極絕緣層154可以被圖案化以具有與柵電極160相同的形狀。

由絕緣材料形成的層間絕緣層162形成在包括柵電極160的柔性基板110的整個表面上。層間絕緣層162可以由無機絕緣材料(例如，硅氧化物或硅氮化物)或者有機絕緣材料(例如，苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene)或光-丙烯(photo-acryl)形成。

層間絕緣層162包括暴露半導體層152的兩側(cè)的第一接觸孔164和第二接觸孔166。第一接觸孔164和第二接觸孔166位于柵電極160的兩側(cè)以與柵電極160隔開。

在圖4中，第一接觸孔164和第二接觸孔166延伸到柵極絕緣層154中。另選地，當柵極絕緣層154被圖案化以具有與柵電極160相同的形狀時，在柵極絕緣層154中可以不存在第一接觸孔164和第二接觸孔166。

由例如金屬的導電材料形成的源極170和漏極172形成在層間絕緣層162上。漏極172和源極170相對于柵電極160彼此隔開并且通過第一接觸孔164和第二接觸孔166分別接觸半導體層152的兩側(cè)。源極170連接到電源線(未示出)。

半導體層152、柵電極160、源極170和漏極172構(gòu)成驅(qū)動TFT Td。在圖4中，柵電極160、源極170和漏極172位于半導體層152上方。即，驅(qū)動TFT Td具有共面結(jié)構(gòu)。

另選地，在驅(qū)動TFT Td中，柵電極可以位于半導體層下方，并且源極和漏極可以位于半導體層上方，從而驅(qū)動TFT Td可以具有倒交錯結(jié)構(gòu)。在該情況下，半導體層可以包括非晶硅。

開關(guān)TFT(未示出)可以具有與驅(qū)動TFT Td基本上相同的結(jié)構(gòu)。

包括暴露驅(qū)動TFT Td的漏極172的漏極接觸孔176的鈍化層174形成為覆蓋驅(qū)動TFT Td。

通過漏極接觸孔176連接到驅(qū)動TFT Td的漏極172的第一電極180在每個像素區(qū)域中單獨形成在鈍化層174上。第一電極180可以是陽極并且可以由具有相對高的功函數(shù)的導電材料形成。例如，第一電極180可以由諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導電材料形成。

當柔性O(shè)LED顯示裝置100以頂部發(fā)射類型操作時，在第一電極180下方可以形成反射電極或反射層。例如，反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(APC)合金形成。

覆蓋第一電極180的邊緣的堤岸層186形成在鈍化層174上。像素區(qū)域中第一電極180的中心通過堤岸層186的開口暴露。

有機發(fā)光層182形成在第一電極180上。有機發(fā)光層182可以是由發(fā)光材料形成的發(fā)光材料層的單層結(jié)構(gòu)。另選地，為了改進發(fā)光效率，有機發(fā)光層182可以具有包括順序地堆疊在第一電極180上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層和電子注入層的多層結(jié)構(gòu)。

第二電極184形成在包括有機發(fā)光層182的柔性基板110上。第二電極184位于顯示區(qū)域AA的整個表面處。第二電極184可以是陰極并且可以由具有相對較低的功函數(shù)的導電材料形成。例如，第二電極184可以由鋁(Al)、鎂(Mg)或Al-Mg合金形成。

第一電極180、有機發(fā)光層182和第二電極184構(gòu)成發(fā)光二極管D。

封裝膜120形成在第二電極184上以防止?jié)駳鉂B入到發(fā)光二極管D中。

封裝膜120具有第一無機層121、有機層122和第二無機層123的三層結(jié)構(gòu)。然而，不限于此。例如，封裝膜120可以進一步包括位于第二無機層123上的有機層以具有四層結(jié)構(gòu)或者可以進一步包括位于第二無機層123上的有機層和無機層以具有五層結(jié)構(gòu)。

第一無機層121接觸發(fā)光二極管D并且通過ALD工藝形成以具有優(yōu)異的臺階覆蓋范圍。例如，第一無機層121可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或硅氧氮化物(SiON)形成。第一無機層121可以具有大約0.01微米至0.1微米的厚度，并且優(yōu)選地具有大約0.05微米的厚度。

有機層122形成在第一無機層121上。有機層122可以使用沉積有機層的各種方 法來形成，所述方法包括但不限于：真空絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、閃蒸(flash evaporation)、電噴涂覆和化學氣相沉積(CVD)。能夠通過有機層122來減少施加到第一無機層121的應力。例如，有機層122可以由丙烯基材料或者環(huán)氧基材料形成。

第二無機層123形成在有機層122上。第二無機層123通過PECVD工藝形成并且具有大于第一無機層121的厚度。通過第二無機層123進一步防止?jié)駳鉂B入到發(fā)光二極管D。

例如，第二無機層123可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或硅氧氮化物(SiON)形成。第二無機層123可以具有大約0.1微米至2微米的厚度，并且優(yōu)選地具有大約1微米的厚度。為了使得到發(fā)光二極管D中的濕氣滲入最小化，優(yōu)選的是，第二無機層123可以由硅氮化物或者氧氮化硅形成。

進一步最小化濕氣滲入并且保護封裝膜120的阻擋膜130可以使用粘附層140附著到封裝膜120上。例如，粘附層140可以是壓敏粘合劑。阻擋膜130和粘附層140可以被省略。

另選地，觸摸面板(未示出)可以使用粘附層140附著到封裝膜120上，并且/或者極化板(未示出)可以進一步附著在封裝膜120的外側(cè)上以減少周圍光反射并且增加對比度。在該情況下，極化板可以是圓形極化板。

如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置100中，作為封裝膜120的最下層的第一無機層121通過ALD工藝形成以具有優(yōu)異的臺階覆蓋范圍。

因此，即使在發(fā)光二極管D上存在顆粒，顆粒也被第一無機層121完全地覆蓋，從而在封裝膜120中不存在裂紋。結(jié)果，最小化或防止了由于濕氣滲入導致的對于顯示區(qū)域AA中的元件(例如，發(fā)光二極管D)的損害。

另外，由于通過ALD工藝形成的第一無機層121具有相對較小的厚度同時具有優(yōu)異的臺階覆蓋范圍，因此封裝膜120的厚度沒有增加。

即，本發(fā)明的柔性O(shè)ELD顯示裝置100具有改進的顯示質(zhì)量和壽命而沒有增加厚度。

然而，由于通過ALD工藝形成的第一無機層121的厚度相對較小，因此在防止?jié)駳鉂B入方面存在限制。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。

如圖5中所示，根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置200包括柔性基板210，其中限定有顯示區(qū)域AA和位于顯示區(qū)域AA的周圍的非顯示區(qū)域NA；位于柔性基板210上的發(fā)光二極管D；以及覆蓋發(fā)光二極管D并且包括第一無機子層221、第二無機子層222、有機層223和第二無機層224的封裝膜220。第一無機層包括第一無機子層221和第二無機子層222。通過ALD方法形成作為封裝膜220的最下層的第一無機子層221，并且通過PECVD方法形成位于第一無機子層221上的第二無機子層222。

柔性基板210可以由諸如聚酰亞胺的聚合物形成。然而，不限于此。

在柔性基板210上，形成有(圖4的)驅(qū)動TFT Td和連接到驅(qū)動TFT Td的發(fā)光二極管D。

如圖4中所示，驅(qū)動TFT Td包括半導體層152、柵極160、源極170和漏極172，并且發(fā)光二極管D包括連接到漏極172的第一電極180、面對第一電極180的第二電極184以及位于第一電極180與第二電極184之間的有機發(fā)光層182。

封裝膜220形成在發(fā)光二極管D上以防止到發(fā)光二極管D的濕氣滲入。

封裝膜220具有第一無機子層221、第二無機子層222、有機層223和第二無機層224的四層結(jié)構(gòu)。然而，不限于此。例如，封裝膜220可以進一步包括位于第二無機子層224上的有機層以具有五層結(jié)構(gòu)或者可以進一步包括位于第二無機層224上的有機層和無機層以具有六層結(jié)構(gòu)。

第一無機子層221接觸發(fā)光二極管D并且通過ALD工藝形成以具有優(yōu)異的臺階覆蓋范圍。例如，第一無機子層221可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或硅氧氮化物(SiON)形成。第一無機子層221可以具有大約0.01微米至0.1微米的厚度，并且優(yōu)選地具有大約0.05微米的厚度。

第二無機子層222形成在第一無機子層221上并且覆蓋第一無機子層221。第二無機子層222通過PECVD工藝形成并且具有大于第一無機子層221的厚度。通過第二無機子層222進一步防止?jié)駳鉂B入到發(fā)光二極管D。

由于通過ALD工藝形成第一無機子層221并且通過PECVD工藝形成第二無機子層222，因此第一無機子層221的厚度小于第二無機子層222并且第一無機子層221的分子密度大于第二無機子層222。

通過ALD工藝形成的第一無機子層221完全地覆蓋發(fā)光二極管D上的顆粒，從 而第二無機子層222能夠具有相對較小的厚度。

例如，第二無機子層222可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或硅氧氮化物(SiON)形成。第二無機子層222可以具有大約0.1微米至2微米的厚度，并且優(yōu)選地具有大約1微米的厚度。為了使得到發(fā)光二極管D中的濕氣滲入最小化，優(yōu)選的是，第二無機子層222可以由硅氮化物或者氧氮化硅形成。

即，當作為封裝膜220的最下層的無機層具有通過PECVD工藝形成的單層結(jié)構(gòu)時，單層無機層應該具有足以覆蓋顆粒并且防止?jié)駳鉂B入的厚度。然而，在本發(fā)明中，由于顆粒被通過ALD工藝形成的第一無機子層221完全地覆蓋，因此第二無機子層222的厚度減小了。

有機層223形成在第二無機子層222上。有機層223可以使用真空絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、閃蒸、電噴涂覆和無缺陷的化學氣相沉積(CVD)中的任一種或沉積有機層的任何其它方法來形成。能夠通過有機層223來減少施加到第一無機子層221和第二無機子層222的應力。例如，有機層223可以由丙烯基材料或者環(huán)氧基材料形成。

第二無機層224形成在有機層223上。第二無機層224通過PECVD工藝形成并且具有與第二無機子層222基本上相同的厚度。通過第二無機層224進一步防止?jié)駳鉂B入到發(fā)光二極管D。第二無機層224可以由與第二無機子層222相同的材料形成。

進一步最小化濕氣滲入并且保護封裝膜220的阻擋膜230可以使用粘附層240附著到封裝膜220。例如，粘附層240可以是壓敏粘合劑。阻擋膜230和粘附層240可以被省略。

另選地，觸摸面板(未示出)可以使用粘附層240附著到封裝膜220上，并且/或者極化板(未示出)可以進一步附著在封裝膜220的外側(cè)上以減少周圍光反射并且增加對比度。在該情況下，極化板可以是圓形極化板。

如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置200中，作為封裝膜220的最下層的第一無機子層221通過ALD工藝形成以具有優(yōu)異的臺階覆蓋范圍。

因此，即使在發(fā)光二極管D上存在顆粒，顆粒也被第一無機子層221完全地覆蓋，從而在封裝膜220中不存在裂紋。結(jié)果，最小化或防止了由于濕氣滲入導致的對于顯示區(qū)域AA中的元件(例如，發(fā)光二極管D)的損害。

另外，由于通過ALD工藝形成的第一無機子層221具有相對較小的厚度同時具 有優(yōu)異的臺階覆蓋范圍，因此封裝膜220的厚度沒有增加。

此外，由于覆蓋第一無機子層221的第二無機子層222形成在第一無機子層221與有機層223之間，因此使得滲入到發(fā)光二極管D的濕氣最小化。

此外，由于發(fā)光二極管D上的顆粒被具有優(yōu)異的臺階覆蓋范圍的第一無機子層221完全地覆蓋，因此第二無機子層222能夠具有相對較小的厚度。

即，本發(fā)明的柔性O(shè)ELD顯示裝置200具有改進的顯示質(zhì)量和壽命同時具有最小的厚度增加。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖。

如圖6中所示，根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置300包括柔性基板310，其中限定有顯示區(qū)域AA和位于顯示區(qū)域AA的周圍的非顯示區(qū)域NA；位于柔性基板310上的發(fā)光二極管D；以及覆蓋發(fā)光二極管D并且包括第一無機子層321、第二無機子層322、第一有機層323、第二無機層324和第二有機層325的封裝膜320。第二無機層包括第一無機子層321和第二無機子層322。第二無機層包括第一無機子層321和第二無機子層322。通過PECVD方法形成作為封裝膜320的最下層的第一無機子層321，并且通過ALD方法形成位于第一無機子層321上的第二無機子層322。

柔性基板310可以由諸如聚酰亞胺的聚合物形成。然而，不限于此。

在柔性基板310上，形成有(圖4的)驅(qū)動TFT Td和連接到驅(qū)動TFT Td的發(fā)光二極管D。

如圖4中所示，驅(qū)動TFT Td包括半導體層152、柵極160、源極170和漏極172，并且發(fā)光二極管D包括連接到漏極172的第一電極180、面對第一電極180的第二電極184以及位于第一電極180與第二電極184之間的有機發(fā)光層182。

封裝膜320形成在發(fā)光二極管D上以防止?jié)駳鉂B入到發(fā)光二極管D。

在封裝膜320中，第一無機子層321、第二無機子層322、第一有機層323、第二無機層324和第二有機層325順序地堆疊在發(fā)光二極管D上。然而，不限于此。例如，有機層和無機層可以進一步形成在第二無機層324與第二有機層325之間。

第一無機子層321接觸發(fā)光二極管D并且覆蓋發(fā)光二極管D。

第一無機子層321通過PECVD工藝形成，并且通過第一無機子層321防止到發(fā)光二極管D的濕氣滲入。

例如，第一無機子層321可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或硅氧氮化物(SiON)形成。第一無機子層321可以具有大約0.1微米至2微米的厚度，并且優(yōu)選地具有大約1微米的厚度。為了使得到發(fā)光二極管D中的濕氣滲入最小化，優(yōu)選的是，第一無機子層321可以由硅氮化物或者氧氮化硅形成。

第二無機子層322形成在第一無機子層321上并且通過ALD工藝形成以具有優(yōu)異的臺階覆蓋范圍。例如，第二無機子層322可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或硅氧氮化物(SiON)形成。第二無機子層322可以具有大約0.01微米至0.1微米的厚度，并且優(yōu)選地具有大約0.05微米的厚度。

由于通過ALD工藝形成第二無機子層322，因此利用第二無機子層322完全地覆蓋在發(fā)光二極管D上生成的并且由第一無機子層321不完全地覆蓋的顆粒。

第一有機層323形成在第二無機子層322上。第一有機層323可以使用各種沉積有機層的各種方法來形成，所述方法包括但不限于真空絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、閃蒸、電噴涂覆和化學氣相沉積(CVD)。能夠通過第一有機層323來減少施加到第一無機子層321和第二無機子層322的應力，并且第一有機層323提供平坦的頂面。

第二無機層324形成在第一有機層323上。第二無機層324通過PECVD工藝形成并且具有與第一無機子層321基本上相同的厚度。通過第二無機層324進一步防止?jié)駳鉂B入到發(fā)光二極管D。第二無機層324可以由與第一無機子層321相同的材料形成。

第二有機層325形成在第二無機層324上并且防止由于外部沖擊導致的對于第二有機層324的損害。第二有機層325可以使用沉積有機層的各種方法來形成，所述方法包括但不限于真空絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、閃蒸、電噴涂覆和化學氣相沉積(CVD)。即，在根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置中，封裝膜320的最上層是有機層。

當?shù)谝粚嵤┓绞胶偷诙嵤┓绞街械姆庋b膜120和封裝膜220的最上層是無機層123和224時，在折疊、彎曲或卷曲操作期間生成的沖擊導致的應力集中在無機層123和224中。由于無機層123和224具有相對較高的模量值(即，高硬度)，因此在無機層123和224中可生成裂紋。即，在包括作為最上層的無機層123和224的封裝膜120和220中生成裂紋，從而存在由于通過裂紋滲入的濕氣而導致的對于發(fā)光二極管D的損害。

然而，通過提供包括作為最上層的第二有機層325的封裝膜320，通過具有相對較低模量值的第二有機層325吸收沖擊，從而使得對于封裝膜320的損害最小化。

第一有機層323的厚度可以大于第二有機層325。當覆蓋通過ALD工藝形成的第二無機子層322以完全地覆蓋發(fā)光二極管D上的顆粒的第一有機層323的厚度相對較小時，第一有機層323的頂面可以是非平坦的，從而可以減少第二無機層324的濕氣阻擋性能。

例如，第一有機層323可以由丙烯基化合物形成，并且第二有機層325可以由環(huán)氧基化合物形成。結(jié)果，第一有機層323的頂面的平坦度高于第二有機層325，并且第二有機層325的模量值小于第一有機層323。因此，由發(fā)光二極管上的顆粒引起的臺階差被第一有機層323充分地補償以提供平坦的頂面，并且通過第二有機層325充分地吸收外部沖擊。

另一方面，根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置100和200中的封裝膜120和220可以包括有機層作為最上層。

進一步最小化濕氣滲入并且保護封裝膜320的阻擋膜330可以使用粘附層340附著到封裝膜320。在該情況下，粘附層340接觸作為封裝膜320的最上層的第二有機層325。例如，粘附層340可以是壓敏粘合劑。阻擋膜330和粘附層340可以被省略。

第二有機層325的模量值大于粘附層340并且小于第一有機層323和第二無機層324。結(jié)果，施加到柔性O(shè)LED顯示裝置300的顯示表面上的外部沖擊被分布或分散，從而使得對于柔性O(shè)LED顯示裝置300的損害最小化。

另選地，觸摸面板(未示出)可以使用粘附層340附著到封裝膜320上，并且/或者極化板(未示出)可以進一步附著在封裝膜320的外側(cè)上以減少周圍光反射并且增加對比度。在該情況下，極化板可以是圓形極化板。

如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置300中，封裝膜320的第二無機子層322通過ALD工藝形成以具有優(yōu)異的臺階覆蓋范圍。

因此，當?shù)谝粺o機子層321具有相對較小的厚度并且不完全地覆蓋發(fā)光二極管D上的顆粒時，顆粒被第二無機子層322完全地覆蓋，從而在封裝膜320中不存在裂紋。

即，本發(fā)明的柔性O(shè)ELD顯示裝置300具有改進的顯示質(zhì)量和壽命同時具有最小的厚度增加。

另外，由于封裝膜320包括第二有機層325作為最上層，因此能夠使得由于沖擊導致的封裝膜320的損害最小化。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性截面圖，并且圖8是根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置的示意性平面圖。圖8示出了第一電極、堤岸層和間隔件而沒有其它元件。

參考圖7，根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置400包括柔性基板410、位于柔性基板410上的發(fā)光二極管D、位于像素區(qū)P的邊界處的間隔件490和覆蓋發(fā)光二極管D和間隔件490的封裝膜420。作為封裝膜420的最下層的第一無機層421接觸間隔件490的側(cè)表面。

柔性基板410可以由諸如聚酰亞胺的聚合物形成。然而，不限于此。

雖然未示出，但是由諸如硅氧化物或硅氮化物的有機絕緣材料形成的緩沖層可以形成在柔性基板410上。

在柔性基板410上，形成有驅(qū)動TFT Td和發(fā)光二極管D。另外，在柔性基板410上進一步形成有彼此交叉以限定像素區(qū)的選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)、與選通線或數(shù)據(jù)線平行并且與其隔開的電源線(未示出)、連接到選通線和數(shù)據(jù)線的開關(guān)TFT(未示出)、連接到電源線和開關(guān)TFT的電極的存儲電容器(未示出)。

驅(qū)動TFT Td連接到開關(guān)TFT并且包括半導體層452、柵極460、源極470和漏極472。

半導體層452被布置在柔性基板410上并且可以包括氧化物半導體材料或多晶硅。

當半導體層452包括氧化物半導體材料時，在半導體層452下面可以形成遮光圖案(未示出)。通過遮光圖案遮蔽或阻擋到半導體層452的光，從而能夠防止半導體層452的熱劣化。另一方面，當半導體層452包括多晶硅時，可以將雜質(zhì)摻雜到半導體層452的兩側(cè)中。

柵極絕緣層454形成在包括半導體層452的柔性基板410的整個表面上。柵極絕緣層454可以由諸如硅氧化物或硅氮化物的無機絕緣材料形成。例如，當半導體層452包括氧化物半導體材料時，柵極絕緣層454可以由硅氧化物形成。

由例如金屬的導電材料形成的柵極460，形成在柵極絕緣層454上以與半導體層452的中心對應。柵極460連接到開關(guān)TFT。

在圖7中，柵極絕緣層454形成在柔性基板410的整個表面上。另選地，柵極絕緣層454可以被圖案化以具有與柵極460相同的形狀。

由絕緣材料形成的層間絕緣層462形成在包括柵極460的柔性基板410的整個表面上。層間絕緣層462可以由無機絕緣材料(例如，硅氧化物或硅氮化物)或者有機絕緣材料(例如，苯并環(huán)丁烯或光-丙烯形成。

層間絕緣層462包括暴露半導體層452的兩側(cè)的第一接觸孔464和第二接觸孔466。第一接觸孔464和第二接觸孔466位于柵極460的兩側(cè)以與柵極460隔開。

在圖7中，第一接觸孔464和第二接觸孔466延伸到柵極絕緣層454中。另選地，當柵極絕緣層454被圖案化以具有與柵極460相同的形狀時，在柵極絕緣層454中可以不存在第一接觸孔464和第二接觸孔466。

由例如金屬的導電材料形成的源極470和漏極472形成在層間絕緣層462上。漏極472和源極470相對于柵極460彼此隔開并且通過第一接觸孔464和第二接觸孔466分別接觸半導體層452的兩側(cè)。源極470連接到電源線(未示出)。

半導體層452、柵極460、源極470和漏極472構(gòu)成驅(qū)動TFT Td。在圖7中，柵極460、源極470和漏極472位于半導體層452上方。即，驅(qū)動TFT Td具有共面結(jié)構(gòu)。

另選地，在驅(qū)動TFT Td中，柵極可以位于半導體層下方，并且源極和漏極可以位于半導體層上方，從而驅(qū)動TFT Td可以具有倒交錯結(jié)構(gòu)。在該情況下，半導體層可以包括非晶硅。

開關(guān)TFT(未示出)可以具有與驅(qū)動TFT Td基本上相同的結(jié)構(gòu)。

包括暴露驅(qū)動TFT Td的漏極472的漏極的接觸孔476的鈍化層474形成為覆蓋驅(qū)動TFT Td。

通過漏極接觸孔476連接到驅(qū)動TFT Td的漏極472的第一電極480在每個像素區(qū)中單獨形成。第一電極480可以是陽極并且可以由具有相對高的功函數(shù)的導電材料形成。例如，第一電極480可以由諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導電材料形成。

當柔性O(shè)LED顯示裝置400以頂部發(fā)射型操作時，可以在第一電極480下方形成反射電極或反射層。例如，反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(APC)合金形成。

覆蓋第一電極480的邊緣的堤岸層486形成在鈍化層474上。像素區(qū)中第一電極 480的中心被通過堤岸層486的開口暴露。

具有倒錐形形狀的間隔件490形成在堤岸層486上。即，在間隔件490中，更靠近堤岸層486的下部的寬度W1小于上部的寬度W2。間隔件490的側(cè)表面在下部與上部之間延伸。有機發(fā)光層482使用精細金屬掩膜(未示出)通過熱氣相沉積形成。在該情況下，可能存在對于發(fā)光二極管D的損害。例如，精細金屬掩膜接觸有機發(fā)光層482，從而可能存在對于有機發(fā)光層482的損害。因此，為了防止對于有機發(fā)光層482的損害，間隔件490形成在堤岸層486上。

間隔件490形成在堤岸層486的一部分上。即，參考圖8，堤岸層486具有圍繞像素區(qū)P的一個主體，而間隔件490單獨形成在堤岸層486的一部分上。換言之，至少兩個間隔件490彼此隔開，從而堤岸層486的另一部分被暴露。

例如，彼此隔開的四個間隔件490可以被布置在每個像素區(qū)P的四側(cè)。間隔件490可以由諸如聚酰亞胺的聚合物形成。

有機發(fā)光層482形成在第一電極480上。有機發(fā)光層482可以是由發(fā)光材料形成的發(fā)光材料層的單層結(jié)構(gòu)。另選地，為了改進發(fā)光效率，有機發(fā)光層482可以具有包括順序地堆疊在第一電極480上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層和電子注入層的多層結(jié)構(gòu)。

第二電極484形成在包括有機發(fā)光層482的柔性基板410上。第二電極484位于顯示區(qū)域AA的整個表面處。第二電極484可以是陰極并且可以由具有相對較低的功函數(shù)的導電材料形成。例如，第二電極484可以由鋁(Al)、鎂(Mg)或Al-Mg合金形成。

第二電極484暴露間隔件490的側(cè)表面“A”。即，由于間隔件490具有倒錐形形狀，因此通過熱氣相沉積工藝或濺射工藝形成的第二電極484在間隔件490的側(cè)表面“A”處不連續(xù)，從而間隔件490的側(cè)表面“A”被暴露或者沒有被第二電極484覆蓋。換言之，第二電極材料圖案484a在第二電極484的處理中形成在間隔件490的上表面上，并且第二電極484和第二電極材料圖案484a被間隔件490分離。

第一電極480、有機發(fā)光層482和第二電極484構(gòu)成發(fā)光二極管D。

雖然未示出，但是，用于改進光提取效率并且由有機材料形成的覆蓋層(capping layer)可以形成在第二電極484和第二電極材料圖案484a上。覆蓋層可以具有與第二電極484和第二電極材料圖案484a基本上相同的材料。結(jié)果，覆蓋層與第二電極 484和第二電極材料圖案484a完全地交疊。

封裝膜420形成在發(fā)光二極管D上以防止?jié)駳鉂B入到發(fā)光二極管D。

封裝膜420具有第一無機層421、有機層422和第二無機層423的三層結(jié)構(gòu)。然而，不限于此。例如，封裝膜420可以進一步包括位于第二無機層423上的有機層以具有四層結(jié)構(gòu)或者可以進一步包括位于第二無機層423上的有機層和無機層以具有五層結(jié)構(gòu)。

第一無機層421接觸第二電極484和第二電極材料圖案484a的整個表面以及間隔件490的側(cè)表面“A”。另選地，當形成覆蓋層時，第一有機層421接觸覆蓋層的整個表面而不是第二電極484和第二電極材料圖案484a的整個表面。

第一無機層421通過ALD工藝形成以具有優(yōu)異的臺階覆蓋范圍。例如，第一無機層421可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或硅氧氮化物(SiON)形成。第一無機層421可以具有大約0.01微米至0.1微米的厚度，并且優(yōu)選地具有大約0.05微米的厚度。

第一無機層421與間隔件490之間的粘附強度大于第二電極484與有機發(fā)光層482、堤岸層486和間隔件490中的每一個之間的粘附強度以及第一無機層421與第二電極484之間的粘附強度。例如，當間隔件490由例如聚酰亞胺的聚合物形成時，第一無機層421與間隔件490之間的粘附強度增加。

在現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置中，存在第二電極或有機發(fā)光層的剝離問題。

例如，由于通過熱氣相沉積處理形成的第二電極484與有機發(fā)光層482、堤岸層486和間隔件490相比具有相對較低的粘附強度，因此第二電極484可被剝離。特別地，剝離問題在柔性O(shè)LED顯示裝置中是很嚴重的。

在本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示裝置中，由于間隔件490具有倒錐形形狀，因此第二電極484暴露間隔件490的側(cè)表面“A”，并且第一無機層421接觸并粘附到間隔件490的側(cè)表面“A”。結(jié)果，可以防止剝離問題。

另一方面，當間隔件490形成為具有錐形形狀時，第二電極484接觸間隔件490的側(cè)表面“A”以及間隔件490的上表面，從而第一無機層421不能夠接觸間隔件490。結(jié)果，存在剝離問題。

另外，當?shù)谝粺o機層421不具有優(yōu)異的臺階覆蓋范圍時，在具有倒錐形形狀的間隔件490的側(cè)表面“A”處的第一無機層421中也存在不連續(xù)。即，由于第一無機層421 不能夠接觸間隔件490，因此仍然產(chǎn)生剝離問題。例如，如果通過PECVD處理形成第一無機層421，則第一無機層421不能夠接觸間隔件490的側(cè)表面“A”。

有機層422形成在第一無機層421上。有機層422可以使用各種沉積有機層的方法來形成，所述方法包括但不限于：真空絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、閃蒸、電噴涂覆和化學氣相沉積(CVD)。能夠通過有機層422來減少施加到第一無機層421的應力。例如，有機層422可以由丙烯基材料或者環(huán)氧基材料形成。

第二無機層423形成在有機層422上。第二無機層423通過PECVD工藝形成并且具有大于第一無機層421的厚度。通過第二無機層423進一步防止?jié)駳鉂B入到發(fā)光二極管D。

例如，第二無機層423可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或硅氧氮化物(SiON)形成。第二無機層423可以具有大約0.1微米至2微米的厚度，并且優(yōu)選地具有大約1微米的厚度。為了使得到發(fā)光二極管D中的濕氣滲入最小化，優(yōu)選的是，第二無機層423可以由硅氮化物或者氧氮化硅形成。

如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的柔性O(shè)LED顯示裝置400中，作為封裝膜420的最下層的第一無機層421通過ALD處理形成以具有優(yōu)異的臺階覆蓋范圍。

因此，即使在發(fā)光二極管D上存在顆粒，顆粒也被第一無機層421完全地覆蓋，從而在封裝膜420中不存在裂紋。結(jié)果，最小化或防止了由于濕氣滲入導致的對于顯示區(qū)域AA中的元件(例如，發(fā)光二極管D)的損害。

另外，由于通過ALD工藝形成的第一無機層421具有相對較小的厚度同時具有優(yōu)異的臺階覆蓋范圍，因此封裝膜420的厚度沒有增加。

即，本發(fā)明的柔性O(shè)ELD顯示裝置100具有改進的顯示質(zhì)量和壽命而沒有增加厚度。

此外，由于第一無機層421接觸并粘附到具有倒錐形形狀的間隔件490的側(cè)表面“A”，因此防止了發(fā)光二極管D中的剝離問題。

圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的形成有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的方法的流程圖。

首先，在柔性基板的顯示區(qū)域上形成像素區(qū)(502)。每個像素區(qū)形成有有機發(fā)光二極管。使用ALD或PECVD在像素區(qū)上形成(504)第一無機層的至少一部分。在 一個實施方式中，可以使用ALD形成整個第一無機層。

在另一實施方式中，可以使用ALD形成第一無機層的第一無機子層，并且在形成第一無機子層之后，可以使用PECVD在第一無機子層上形成第一無機層的第二無機子層。在又一實施方式中，可以使用PECVD形成第一無機層的第一無機子層，并且在形成第一無機子層之后，可以使用ALD在第一無機子層上形成第一無機層的第二無機子層。接下來，在形成第一無機層之后，在第一無機層上形成第一有機層(506)。在形成第一有機層之后，在第一有機層上形成第二無機層(508)。

對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，能夠在本發(fā)明中做出各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求及其等價物的范圍內(nèi)的對本發(fā)明進行的修改和變化。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求在2015年6月30日在韓國提交的韓國專利申請No.10-2015-0092836的優(yōu)先權(quán)，通過引用將該韓國專利申請的全部內(nèi)容合并到本文中。