技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導體結(jié)構(gòu)及其制造方法。此種半導體結(jié)構(gòu)包括：包含第一導電層和第一介電層的一疊層、形成于疊層上的一第二導電層、穿過第二導電層和疊層的多個開口、及分別形成于開口中的多個貫穿結(jié)構(gòu)。貫穿結(jié)構(gòu)分別包括一存儲器層、一柵介電層、一通道層、一介電材料、及一接墊。通道層和疊層通過存儲器層隔絕，通道層和第二導電層通過柵介電層隔絕，且存儲器層和柵介電層具有不同組成。

技術(shù)研發(fā)人員：賴二琨
受保護的技術(shù)使用者：旺宏電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.25
技術(shù)公布日：2017.07.04