技術(shù)編號(hào)：12807047
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。本發(fā)明特別是關(guān)于一種其中提供給通道層不同類型的隔絕方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、及其制造方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體元件逐漸地變得更密集且更小。隨著這股潮流，三維存儲(chǔ)器被發(fā)展出來。在典型的三維存儲(chǔ)器半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，作為存儲(chǔ)器層的結(jié)構(gòu)也可能用于提供柵介電層給串行選擇線。因此，在存儲(chǔ)單元的寫入/擦除期間，用于串行選擇線的柵介電層也可能帶有電荷。如此一來，便需要額外的電路來控制用于串行選擇線的柵介電層的寫入/擦除。發(fā)明內(nèi)容在本發(fā)明中，提供二種隔絕方式。因此，能夠避免上述問題。根據(jù)一些...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。