1.一種倒裝結(jié)構(gòu)的LED芯片，包括芯片和支架，所述芯片從上到下依次包括：藍(lán)寶石層、P型半導(dǎo)體層、N型半導(dǎo)體層、反射層、電極、金屬凸點和支架；所述藍(lán)寶石層與P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層接觸，其特征在于：所述N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層相互交替放置，所述反射層設(shè)置于N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層之下，包括金屬反射層和曲面聚光裝置，金屬反射層覆蓋于曲面聚光裝置上，反射層下對應(yīng)N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層設(shè)置有P極和N極，P極通過金屬凸點與支架連接，N極通過金屬凸點與支架連接；所述支架為硅片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述倒裝結(jié)構(gòu)的LED芯片，其特征在于：所述P型半導(dǎo)體層之間設(shè)置有N型半導(dǎo)體層，每個P型半導(dǎo)體層連接一個P極；所述N形半導(dǎo)體層之間設(shè)置有P型半導(dǎo)體，每個N型半導(dǎo)體層連接一個N極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述倒裝結(jié)構(gòu)的LED芯片，其特征在于：所述P型半導(dǎo)體為P-CaN,所述N型半導(dǎo)體為N-CaN。
4.一種具有倒裝結(jié)構(gòu)的LED芯片的制備方法，包括：
步驟一：將藍(lán)寶石進行感應(yīng)耦合離子刻蝕，得到背面圖形化的藍(lán)寶石襯底；
步驟二：在藍(lán)寶石襯底上通過MOCVD生長外延層，分別為N型GaN和P型GaN；
步驟三：在外延層上制作反射層，在導(dǎo)電反射層上面制作金屬保護層，在金屬保護層表面制作SiO2絕緣層；
步驟四:通過真空鍍膜方法蒸鍍金屬，制作N電極和P電極:
步驟五:將藍(lán)寶石研磨減薄，切割裂片成獨立的芯粒，將芯粒焊接在支架上。