本發(fā)明涉及一種電子元件的生產(chǎn)技術(shù)，尤其涉及電容器的生產(chǎn)技術(shù)。

背景技術(shù)：

電容芯子通常采用箔式兩串結(jié)構(gòu)和露箔式卷繞兩種工藝，這兩種工藝一個(gè)是采用減少外露長(zhǎng)度為0.4mm，不用端面整形掩膜后噴金，但是這種對(duì)卷繞的要求很高，卷繞過(guò)程中薄膜的位移要求高，傳統(tǒng)的機(jī)器很難滿(mǎn)足工藝要求，測(cè)試損耗大、廢品率高；另外一種是采用加長(zhǎng)鋁箔的外露長(zhǎng)度為0.7-0.8mm，掩膜整形后噴金，雖然端面也很平整，但是鋅錫合金或是純鋁噴金層的接觸強(qiáng)度低，焊接后有噴金層開(kāi)裂的現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明公開(kāi)了電容芯子的金屬網(wǎng)格熱壓整形工藝，實(shí)現(xiàn)噴金面的平整，又增大了噴金層和端面的接觸面積、降低接觸損耗，杜絕了焊接噴金層開(kāi)裂的情況發(fā)生，提高產(chǎn)品的合格率，保證產(chǎn)品品質(zhì)一致性。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明電容芯子的金屬網(wǎng)格熱壓整形工藝，包括有電容芯子1、上壓板2和下壓板3，所述的電容芯子1包裹有掩膜，所述的上壓板2底面設(shè)有第一金屬網(wǎng)格21，下壓板3的頂面設(shè)有第二金屬網(wǎng)格31，電容芯子1置于第一金屬網(wǎng)格21和第二金屬網(wǎng)格31之間采用定壓和限位的雙重約束使之把掩膜后的電容芯子1兩端之間的空隙去除。

所述掩膜由以下材料配比組成：

硫化硅膠25～60份、丙烯酸基1～3份、乙烯基30～56份、聚二甲基硅氧烷12～29份、甲基2～5份。

本發(fā)明的整形工藝是屬整形工藝中將斷面用熱壓機(jī)整形的一種，此工藝是在上下壓板加以采用0.5mm厚的金屬網(wǎng)格，然后采用定壓和限位的雙重約束使之把掩膜后的電容芯子1兩端之間的空隙去除，以便噴金時(shí)噴金層和斷面緊密的結(jié)合，這樣即可以實(shí)現(xiàn)噴金面的平整，又增大了噴金層和端面的接觸面積，也進(jìn)一步的降低接觸損耗，掩膜有效保證了焊接噴金層穩(wěn)定性，杜絕開(kāi)裂的情況發(fā)生，保證產(chǎn)品品質(zhì)一致性。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的實(shí)施示意圖。

圖1中符號(hào)說(shuō)明：電容芯子1、上壓板2、第一金屬網(wǎng)格21、下壓板3、第二金屬網(wǎng)格31。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，本發(fā)明是電容芯子的金屬網(wǎng)格熱壓整形工藝，包括有電容芯子1、上壓板2和下壓板3，所述的電容芯子1包裹有掩膜，所述的上壓板2底面設(shè)有第一金屬網(wǎng)格21，下壓板3的頂面設(shè)有第二金屬網(wǎng)格31，電容芯子1置于第一金屬網(wǎng)格21和第二金屬網(wǎng)格31之間采用定壓和限位的雙重約束使之把掩膜后的電容芯子1兩端之間的空隙去除。

所述掩膜由以下材料配比組成：

硫化硅膠38份、丙烯酸基2份、乙烯基39份、聚二甲基硅氧烷18份、甲基3份。

本發(fā)明的整形工藝是屬整形工藝中將斷面用熱壓機(jī)整形的一種，此工藝是在上下壓板加以采用0.5mm厚的金屬網(wǎng)格，然后采用定壓和限位的雙重約束使之把掩膜后的電容芯子1兩端之間的空隙去除，以便噴金時(shí)噴金層和斷面緊密的結(jié)合，這樣即可以實(shí)現(xiàn)噴金面的平整，又增大了噴金層和端面的接觸面積，也進(jìn)一步的降低接觸損耗，掩膜有效保證了焊接噴金層穩(wěn)定性，杜絕開(kāi)裂的情況發(fā)生，保證產(chǎn)品品質(zhì)一致性。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明本發(fā)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。