1.一種制造集成電路器件的方法，包括：
在襯底上方形成介電層，其中，所述介電層包括布置在所述介電層內(nèi)的開口；
沿著所述開口的底部和側(cè)壁表面形成第一鈷襯墊；
在所述第一鈷襯墊的暴露的表面上形成阻擋襯墊；以及
在所述開口中并且在所述阻擋襯墊上方形成塊狀鈷層以填充所述開口的剩余空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
在利用所述塊狀鈷層填充所述開口的所述剩余空間之后，執(zhí)行退火工藝，其中，所述退火工藝使所述第一鈷襯墊與下面的中段制程(MEOL)結(jié)構(gòu)反應(yīng)以在所述第一鈷襯墊和所述下面的MEOL結(jié)構(gòu)的界面處形成硅化物膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一鈷襯墊形成為與所述介電層直接接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用濺射沉積工藝形成所述第一鈷襯墊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用化學(xué)汽相沉積(CVD)工藝形成所述第一鈷襯墊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用物理汽相沉積(PVD)工藝形成所述塊狀鈷層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在形成所述第一鈷襯墊、所述阻擋襯墊和所述塊狀鈷層時(shí)，在持續(xù)地維持在真空下的室中相繼形成所述第一鈷襯墊、所述阻擋襯墊和所述塊狀鈷層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
在填充所述塊狀鈷層之前，在所述阻擋襯墊上形成鈷晶種襯墊；
其中，通過(guò)鍍工藝填充所述塊狀鈷層。
9.一種制造集成電路器件的方法，包括：
在襯底上方形成中段制程(MEOL)結(jié)構(gòu)；
在所述襯底上方形成介電層；
形成延伸穿過(guò)所述介電層的開口以暴露所述MEOL結(jié)構(gòu)的上表面的至少部分；
在所述MEOL結(jié)構(gòu)的所述上表面的所述暴露部分上形成沿著所述開口的側(cè)壁向上延伸的第一鈷襯墊；
在所述第一鈷襯墊的暴露的表面上形成氮化鈷襯墊；
利用塊狀鈷層填充所述開口的剩余空間；以及
在填充所述塊狀鈷層之后，執(zhí)行退火工藝以在所述第一鈷襯墊和所述MEOL結(jié)構(gòu)的所述上表面的所述暴露部分的界面處形成硅化物膜。
10.一種集成電路器件，包括：
襯底；
介電層，設(shè)置在所述襯底上方并且具有垂直地延伸穿過(guò)所述介電層的開口；
第一鈷襯墊，沿著所述開口的側(cè)壁表面設(shè)置；
阻擋襯墊，設(shè)置在所述開口中并且覆蓋所述第一鈷襯墊；以及
塊狀鈷層，設(shè)置在所述阻擋襯墊上方并且填充所述開口的剩余空間。