1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底表面形成有介質(zhì)層；
采用第一刻蝕工藝刻蝕去除第一厚度的介質(zhì)層，在所述介質(zhì)層中形成預(yù)開(kāi)口；
采用沉積工藝，在所述預(yù)開(kāi)口底部和側(cè)壁表面沉積硅層；
采用第二刻蝕工藝，刻蝕去除位于所述預(yù)開(kāi)口底部表面的硅層，暴露出所述預(yù)開(kāi)口底部；
繼續(xù)采用第二刻蝕工藝，刻蝕去除位于所述暴露出的預(yù)開(kāi)口底部下方的第二厚度的介質(zhì)層；
重復(fù)循環(huán)所述沉積工藝、第二刻蝕工藝，直至形成貫穿所述介質(zhì)層的開(kāi)口，所述開(kāi)口底部暴露出基底表面；
形成填充滿所述開(kāi)口的導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕工藝對(duì)預(yù)開(kāi)口底部表面的硅層的刻蝕速率大于對(duì)預(yù)開(kāi)口側(cè)壁表面的硅層的刻蝕速率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述硅層的方法包括：將所述基底以及具有預(yù)開(kāi)口的介質(zhì)層置于處理腔室內(nèi)，且處理腔室內(nèi)壁材料包括硅；提供等離子體，所述等離子體在直流偏置電壓的作用下轟擊處理腔室內(nèi)壁，使處理腔室內(nèi)壁的硅原子脫落，所述脫落的硅原子附著在預(yù)開(kāi)口的底部表面和側(cè)壁表面，形成所述硅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述處理腔室與所述第一刻蝕工藝的刻蝕腔室、第二刻蝕工藝的刻蝕腔室為同一個(gè)腔室。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述硅層的工藝參數(shù)為：N2流量為50sccm至500sccm，Ar流量為50sccm至500sccm，處理腔室壓強(qiáng)為5毫托至200毫托，等離子體射頻功率為50瓦至1000瓦，偏置射頻功率為0瓦至200瓦，直流偏置電壓為-100V至-1000V。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述硅層的厚度為5埃至50埃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述開(kāi)口包括相互貫穿的通孔以及溝槽，其中，所述通孔位于溝槽與基底之間，且所述通孔的寬度尺寸小于溝槽的寬度尺寸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述預(yù)開(kāi)口的工藝步驟包括：在所述介質(zhì)層表面形成第一掩膜層，所述第一掩膜層內(nèi)形成有暴露出部分介質(zhì)層表面的第一凹槽；然后形成覆蓋于第一掩膜層表面以及第一凹槽暴露出的部分介質(zhì)層表面的第二掩膜層，所述第二掩膜層內(nèi)形成有第二凹槽，且所述第二凹槽的寬度尺寸小于第一凹槽的寬度尺寸；以所述第二掩膜層為掩膜，刻蝕去除第一厚度的介質(zhì)層，形成所述預(yù)開(kāi)口。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一厚度大于等于介質(zhì)層厚度的75％、且小于等于介質(zhì)層厚度的90％。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，以所述第一掩膜層為掩膜，進(jìn)行所述第二刻蝕工藝，所述第二刻蝕工藝還刻蝕第一掩膜層暴露出的介質(zhì)層。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述硅層還位于第一掩膜層表面、第一掩膜層暴露出的介質(zhì)層頂部表面；所述第二刻蝕工藝還刻蝕去除位于第一掩膜層表面、以及第一掩膜層暴露出的介質(zhì)層頂部表面的硅層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述預(yù)開(kāi)口側(cè)壁表面的硅層被完全刻蝕去除之前，停止所述第二刻蝕工藝。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述預(yù)開(kāi)口側(cè)壁表面的硅層被完全刻蝕去除時(shí)，停止所述第二刻蝕工藝。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕工藝的工藝參數(shù)為：CH4流量為50sccm至500sccm，CHF3流量為50sccm至500sccm，N2流量為50sccm至500sccm，C4F6流量為0sccm至200sccm， 刻蝕腔室壓強(qiáng)為5毫托至200毫托，射頻源功率為50瓦至1000瓦，偏置功率為0V至5000V。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述介質(zhì)層表面形成第一掩膜層，所述第一掩膜層內(nèi)形成有暴露出部分介質(zhì)層表面的第一凹槽；以所述第一掩膜層為掩膜，進(jìn)行所述第一刻蝕工藝；以所述第一掩膜層為掩膜，進(jìn)行所述第二刻蝕工藝。
16.根據(jù)權(quán)利要求8或15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料為SiN、SiC、SiCN、Ta、Ti、Tu、TaN、TiN、TuN或WN。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)層為疊層結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)層包括刻蝕停止層以及位于刻蝕停止層表面的主介質(zhì)層。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)層為單層結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)層包括主介質(zhì)層。
19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述主介質(zhì)層的材料為氧化硅、低k介質(zhì)材料或超低k介質(zhì)材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層包括：位于開(kāi)口底部和側(cè)壁表面的擴(kuò)散阻擋層、以及位于擴(kuò)散阻擋層表面且填充滿開(kāi)口的導(dǎo)電體層。