一種半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法，該方法包括：在半導(dǎo)體襯底上的第一部分區(qū)域形成掩膜層；以掩膜層為掩蔽依次在半導(dǎo)體襯底中形成阱區(qū)、源極區(qū)和生長(zhǎng)出局部硅氧化層；去除掩膜層；依次形成柵氧層和多晶硅層，以獲得半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。本發(fā)明有效解決了現(xiàn)有后柵氧工藝制造的VDMOS的開通延遲時(shí)間會(huì)比較長(zhǎng)的技術(shù)問題，進(jìn)而減少了后柵氧工藝制造半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開通延遲時(shí)間，以有效提高了后柵氧工藝的VDMOS的質(zhì)量。
【專利說明】
一種半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)，以垂直雙擴(kuò)散工藝形成的縱向MOSFET稱為VDM0SFET，簡(jiǎn)稱VDM0S。因VDMOS具有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、頻率特性好等特點(diǎn)得到了廣泛的應(yīng)用。
[0003]常規(guī)的VDMOS器件應(yīng)用的是前柵氧工藝，S卩:柵氧工藝及多晶形成工藝在阱區(qū)與源極區(qū)注入及擴(kuò)散工藝前完成。在這種前柵氧工藝下，多晶硅的形成與阱注入、源極注入可自對(duì)準(zhǔn)，制造出的VDMOS器件的柵源交疊電容較小，因此開通延遲時(shí)間較短。
[0004]但在某些特殊領(lǐng)域所需VDMOS對(duì)柵氧的可靠性要求較高，這就需要柵氧工藝及多晶硅在阱工藝后完成，即:后柵氧工藝。但對(duì)于后柵氧工藝的順序相反，多晶硅形成、阱注入、源極注入各自分別需要一次光刻，因此多晶硅形成與阱注入、源極注入工藝通常無法自對(duì)準(zhǔn)。在無法自對(duì)準(zhǔn)的前提下為了保證工藝波動(dòng)情況下溝道均能夠正常開啟，在制造后柵氧工藝的VDMOS時(shí)多晶硅邊界與阱區(qū)邊界、源極區(qū)邊界通常保證一定的交疊長(zhǎng)度，交疊長(zhǎng)度與兩次工藝間的套準(zhǔn)精度相關(guān)，因現(xiàn)有工藝設(shè)備很難保證套準(zhǔn)精度，因此現(xiàn)有后柵氧工藝的VDMOS的開通延遲時(shí)間會(huì)比較長(zhǎng)，影響了 VDMOS的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例通過提供一種半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法，解決了現(xiàn)有后柵氧工藝的VDMOS的開通延遲時(shí)間會(huì)比較長(zhǎng)的技術(shù)問題。
[0006]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法，包括:在半導(dǎo)體襯底上的第一部分區(qū)域形成掩膜層；以所述掩膜層為掩蔽依次在所述半導(dǎo)體襯底中形成阱區(qū)、源極區(qū)和生長(zhǎng)出局部硅氧化層；去除所述掩膜層；依次形成柵氧層和多晶硅層，以獲得所述半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
[0007]優(yōu)選的，所述依次形成柵氧層和多晶硅層包括:在所述第一部分區(qū)域上生長(zhǎng)出厚度小于所述局部硅氧化層的厚度的所述柵氧層;在所述柵氧層上和所述局部硅氧化層上靠近所述柵氧層的部分區(qū)域上生長(zhǎng)出所述多晶硅層。
[0008]優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體襯底和所述源極區(qū)為P型摻雜，所述阱區(qū)為N型摻雜;或所述半導(dǎo)體襯底和所述源極區(qū)為N型摻雜，所述阱區(qū)為P型摻雜。
[0009]優(yōu)選的，所述在半導(dǎo)體襯底上的第一部分區(qū)域形成掩膜層，包括:在所述半導(dǎo)體襯底上淀積氮化硅，以形成氮化硅膜;刻蝕所述氮化硅膜的除所述第一部分區(qū)域之外的氮化硅，以形成所述掩膜層。
[0010]優(yōu)選的，所述以所述掩膜層為掩蔽依次在所述半導(dǎo)體襯底中形成阱區(qū)、源極區(qū)和生長(zhǎng)出局部硅氧化層，包括:在所述半導(dǎo)體襯底上以所述掩膜層為掩蔽進(jìn)行阱注入和阱推進(jìn)，以形成所述阱區(qū)；在所述阱區(qū)上的第二部分區(qū)域形成光刻膠層，其中，所述第二部分區(qū)域與所述第一部分區(qū)域相隔；以所述掩膜層和所述光刻膠層為掩蔽在所述阱區(qū)中形成源極區(qū)；去除所述光刻膠層；以所述掩膜層為掩蔽生長(zhǎng)出局部硅氧化層。
[0011]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括:半導(dǎo)體襯底，阱區(qū)，局部硅氧化層，局部硅氧化層，柵氧層，多晶硅層;所述阱區(qū)形成在所述半導(dǎo)體襯底中，所述源極區(qū)形成在所述阱區(qū)中，所述局部硅氧化層生長(zhǎng)在所述半導(dǎo)體襯底中的與所述源極區(qū)對(duì)準(zhǔn)的位置，其中，所述局部硅氧化層的厚度大于所述柵氧層的厚度，所述柵氧層生長(zhǎng)在所述半導(dǎo)體襯底中的相鄰所述源極區(qū)之間，所述多晶硅層形成在所述柵氧層上和所述局部硅氧化層上的靠近所述柵氧層的部分區(qū)域上。
[0012]優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體襯底和所述源極區(qū)為P型摻雜，所述阱區(qū)為N型摻雜;或所述半導(dǎo)體襯底和所述源極區(qū)為N型摻雜，所述阱區(qū)為P型摻雜。
[0013]本發(fā)明實(shí)施例提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):
[0014]由于本發(fā)明實(shí)施例在后柵氧工藝的VDMOS制造時(shí)以在半導(dǎo)體襯底上同一掩膜層為掩蔽形成阱區(qū)、源極區(qū)和生長(zhǎng)出局部硅氧化層，從而能使局部硅氧化層與阱區(qū)、源極區(qū)自對(duì)準(zhǔn)，由于氧化時(shí)第一部分區(qū)域的氧化會(huì)受到掩膜層限制，從而能夠生長(zhǎng)出局部硅氧化層，局部硅氧化層的生長(zhǎng)可以增大柵源交疊區(qū)域的氧化層厚度，以有效降低了柵源交疊電容，從而能夠解決了現(xiàn)有后柵氧工藝制造的VDMOS的開通延遲時(shí)間會(huì)比較長(zhǎng)的技術(shù)問題，進(jìn)而減少了后柵氧工藝制造的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開通延遲時(shí)間，以有效提高了后柵氧工藝的VDMOS的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為本發(fā)明實(shí)施例中半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為本發(fā)明施例中半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法的流程圖；
[0018]圖3?圖7為本發(fā)明實(shí)施例中半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分步示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0020]實(shí)施例一:
[0021]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法，參考圖1?圖7所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法包括如下步驟:
[0022 ] SI O1、在半導(dǎo)體襯底I上的第一部分區(qū)域形成掩膜層7。
[0023]具體的，掩膜層7的材料可以為氮化硅(Si3N4)，還可以用S12代替，還可以用軟片菲林，金屬鉻等可承受高溫工藝的非Si材料代替。
[0024]以掩膜層7的材料為氮化娃為例:在半導(dǎo)體襯底I上淀積氮化娃以形成氮化娃膜；刻蝕氮化硅膜的除第一部分區(qū)域之外的氮化硅以形成掩膜層7。
[0025]S102、以掩膜層7為掩蔽依次在半導(dǎo)體襯底I中形成阱區(qū)2、源極區(qū)3和生長(zhǎng)局部硅氧化層4。
[0026]具體的，S102包括:步驟一、在半導(dǎo)體襯底I上以掩膜層7為掩蔽進(jìn)行阱注入以及阱推進(jìn)，從而形成阱區(qū)2。步驟二、在阱區(qū)2上的第二部分區(qū)域形成光刻膠層8，其中，第二部分區(qū)域與第一部分區(qū)域相隔。具體的，光刻膠層8為在半導(dǎo)體襯底I上涂光刻膠膜后，對(duì)光刻膠膜上除第二部分區(qū)域之外的光刻膠部分進(jìn)行光刻，從而形成光刻膠層8。步驟三、以掩膜層7和光刻膠層8為掩蔽在阱區(qū)2中形成源極區(qū)3。步驟四、去除光刻膠層8。步驟五、以掩膜層7為掩蔽生長(zhǎng)出局部硅氧化層4。
[0027]S103、去除掩膜層7。
[0028]S104、依次形成柵氧層5和多晶硅層6，以獲得半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
[0029]具體的，在第一部分區(qū)域上生長(zhǎng)出厚度小于局部硅氧化層4的厚度的柵氧層5。在柵氧層5上和局部硅氧化層4上靠近柵氧層5的部分區(qū)域上生長(zhǎng)出多晶硅層6。在具體實(shí)施過程中，柵氧層5的形成工藝、多晶硅層6的形成工藝均參考現(xiàn)有技術(shù)，為了說明書的簡(jiǎn)潔，本文不再贅述。
[0030]具體的，半導(dǎo)體襯底I和源極區(qū)3為P型摻雜，阱區(qū)2為N型摻雜，則本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具體為N溝道VDMOS管;半導(dǎo)體襯底I和源極區(qū)3為N型摻雜，阱區(qū)2為P型摻雜，則本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具體為P溝道VDMOS管。
[0031]在形成多晶硅層6后的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造工序均可參考現(xiàn)有技術(shù)，為了說明書的簡(jiǎn)潔，本文均不再贅述。
[0032]下面參考圖3?圖7，以P溝道VDMOS管為例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法進(jìn)行舉例:
[0033]如圖3所示，在N型摻雜的半導(dǎo)體襯底I上淀積氮化硅以形成氮化硅膜，刻蝕氮化硅膜的除第一部分區(qū)域之外的區(qū)域上的氮化硅以形成作為P阱注入的掩蔽的掩膜層7。
[0034]如圖4所示，以掩膜層7為掩蔽在N型摻雜的半導(dǎo)體襯底I中進(jìn)行P阱注入以及P阱推進(jìn)至達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)，以形成P阱區(qū)2。
[0035]如圖5所示，在P阱區(qū)2上的第二部分區(qū)域形成光刻膠層8，其中，第二部分區(qū)域與第一部分區(qū)域相隔。接著以掩膜層7和光刻膠層8為掩蔽在P型阱區(qū)2中形成N型源極區(qū)3。
[0036]如圖6所示，在形成N型源極區(qū)3后去除光刻膠層8。在去除光刻膠層8后以掩膜層7為掩蔽生長(zhǎng)局部硅氧化層4。從而第一部分區(qū)域的氧化受到掩膜層7的限制，從而N型摻雜的半導(dǎo)體襯底I的暴露區(qū)域的氧化會(huì)大于掩膜層7下的氧化，從而達(dá)到對(duì)N型摻雜的半導(dǎo)體襯底I的L0C0S(局部娃氧化，Local Oxidat1n of Silicon)，以形成了局部娃氧化層4，通過形成的局部硅氧化層4可增大柵源交疊區(qū)域的氧化層厚度，從而降低柵源交疊電容，以優(yōu)化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開通延遲時(shí)間。
[0037]參考圖7所示，去除掩膜層7并在去除掩膜層7之后依次形成柵氧層5和多晶硅層6。
[0038]具體的，去除掩膜層7之后在第一部分區(qū)域上生長(zhǎng)厚度小于局部硅氧化層4的厚度的柵氧層5。在柵氧層5上和局部硅氧化層4上靠近柵氧層5的部分區(qū)域上生長(zhǎng)多晶硅層6。使多晶硅層6與P阱區(qū)2、N型源極區(qū)3邊界這兩者均保證一定的交疊長(zhǎng)度。
[0039]在多晶硅層6后的其他半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造工序均可參考現(xiàn)有技術(shù)，制造形成的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管如圖1所示，為了說明書的簡(jiǎn)潔，本文均不再對(duì)在形成多晶硅層6后的制造工序進(jìn)彳丁描述。
[0040]下面以N溝道VDMOS管為例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法進(jìn)行描述(未圖示):
[0041]在P型摻雜的半導(dǎo)體襯底上淀積氮化硅以形成氮化硅膜后，刻蝕氮化硅膜的除第一部分區(qū)域之外的氮化硅以形成掩膜層。
[0042]以掩膜層為掩蔽在P型摻雜半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行N阱注入和N阱推進(jìn)至達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)，以形成N阱區(qū)。在N阱區(qū)上的第二部分區(qū)域形成光刻膠層，第二部分區(qū)域與第一部分區(qū)域相隔。接著，以掩膜層和光刻膠層為掩蔽在N型阱區(qū)中形成P型源極區(qū)。在形成P型源極區(qū)后去除光刻膠層。去除光刻膠層后以掩膜層為掩蔽生長(zhǎng)出局部硅氧化層。由于第一部分區(qū)域的氧化會(huì)受到掩膜層的限制，P型摻雜的半導(dǎo)體襯底的暴露區(qū)域的氧化會(huì)大于掩膜層下的氧化，從而達(dá)到對(duì)P型摻雜的半導(dǎo)體襯底的LOCOS(局部硅氧化)，局部硅氧化層的形成可增大柵源交疊區(qū)域的氧化層厚度，從而降低柵源交疊電容，以優(yōu)化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開通延遲時(shí)間。
[0043]去除掩膜層并在去除掩膜層之后依次形成柵氧層和多晶硅層。具體的，去除掩膜層之后在第一部分區(qū)域上生長(zhǎng)厚度小于局部硅氧化層的厚度的柵氧層。在柵氧層上和局部硅氧化層上靠近柵氧層的部分區(qū)域上生長(zhǎng)多晶硅層。從而保證了多晶硅層與N阱區(qū)、P型源極區(qū)邊界這兩者均保證一定的交疊長(zhǎng)度。在多晶硅層后的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造工序均可參考現(xiàn)有技術(shù)，為了說明書的簡(jiǎn)潔，本文均不再贅述。
[0044]實(shí)施例二:
[0045]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。參考圖1、圖3?圖7所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括:半導(dǎo)體襯底1，阱區(qū)2，局部硅氧化層3，局部硅氧化層4，柵氧層5和多晶硅層6。阱區(qū)2形成在半導(dǎo)體襯底I中；源極區(qū)3形成在阱區(qū)2中；局部硅氧化層4生長(zhǎng)在半導(dǎo)體襯底I中的與源極區(qū)3對(duì)準(zhǔn)的位置;柵氧層5生長(zhǎng)在半導(dǎo)體襯底I中的相鄰源極區(qū)3之間；多晶硅層6形成在柵氧層5上和局部硅氧化層5上的靠近柵氧層5的部分區(qū)域上。
[0046]具體的，半導(dǎo)體襯底I和源極區(qū)3為P型摻雜，阱區(qū)2為N型摻雜，則本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具體為N溝道VDMOS管;半導(dǎo)體襯底I和源極區(qū)3為N型摻雜，阱區(qū)2為P型摻雜，則本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具體為P溝道VDMOS管。
[0047]本發(fā)明實(shí)施例提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):
[0048]由于本發(fā)明實(shí)施例在后柵氧工藝的VDMOS制造時(shí)以在半導(dǎo)體襯底上同一掩膜層為掩蔽形成阱區(qū)、源極區(qū)和生長(zhǎng)出局部硅氧化層，從而能使局部硅氧化層與阱區(qū)、源極區(qū)自對(duì)準(zhǔn)，由于氧化時(shí)第一部分區(qū)域的氧化會(huì)受到掩膜層限制，從而能夠生長(zhǎng)出局部硅氧化層，局部硅氧化層的生長(zhǎng)可以增大柵源交疊區(qū)域的氧化層厚度，以有效降低了柵源交疊電容，從而能夠解決了現(xiàn)有后柵氧工藝制造的VDMOS的開通延遲時(shí)間會(huì)比較長(zhǎng)的技術(shù)問題，進(jìn)而減少了后柵氧工藝制造的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開通延遲時(shí)間，以有效提高了后柵氧工藝的VDMOS的質(zhì)量。
[0049]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0050]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法，其特征在于，包括: 在半導(dǎo)體襯底上的第一部分區(qū)域形成掩膜層；以所述掩膜層為掩蔽依次在所述半導(dǎo)體襯底中形成阱區(qū)、源極區(qū)和生長(zhǎng)出局部硅氧化層； 去除所述掩膜層； 依次形成柵氧層和多晶硅層，以獲得所述半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法，其特征在于，所述依次形成柵氧層和多晶娃層包括: 在所述第一部分區(qū)域上生長(zhǎng)出厚度小于所述局部硅氧化層的厚度的所述柵氧層；在所述柵氧層上和所述局部硅氧化層上靠近所述柵氧層的部分區(qū)域上生長(zhǎng)出所述多晶娃層。3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法，其特征在于: 所述半導(dǎo)體襯底和所述源極區(qū)為P型摻雜，所述阱區(qū)為N型摻雜;或 所述半導(dǎo)體襯底和所述源極區(qū)為N型摻雜，所述阱區(qū)為P型摻雜。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法，其特征在于，所述在半導(dǎo)體襯底上的第一部分區(qū)域形成掩膜層，包括: 在所述半導(dǎo)體襯底上淀積氮化硅，以形成氮化硅膜； 刻蝕所述氮化硅膜的除所述第一部分區(qū)域之外的氮化硅，以形成所述掩膜層。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法，其特征在于，所述以所述掩膜層為掩蔽依次在所述半導(dǎo)體襯底中形成阱區(qū)、源極區(qū)和生長(zhǎng)出局部硅氧化層，包括: 在所述半導(dǎo)體襯底上以所述掩膜層為掩蔽進(jìn)行阱注入和阱推進(jìn)，以形成所述阱區(qū)； 在所述阱區(qū)上的第二部分區(qū)域形成光刻膠層，其中，所述第二部分區(qū)域與所述第一部分區(qū)域相隔； 以所述掩膜層和所述光刻膠層為掩蔽在所述阱區(qū)中形成源極區(qū)； 去除所述光刻膠層； 以所述掩膜層為掩蔽生長(zhǎng)出局部硅氧化層。6.—種半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括:半導(dǎo)體襯底，阱區(qū)，局部硅氧化層，局部硅氧化層，柵氧層，多晶硅層； 所述阱區(qū)形成在所述半導(dǎo)體襯底中，所述源極區(qū)形成在所述阱區(qū)中，所述局部硅氧化層生長(zhǎng)在所述半導(dǎo)體襯底中的與所述源極區(qū)對(duì)準(zhǔn)的位置，其中，所述局部硅氧化層的厚度大于所述柵氧層的厚度，所述柵氧層生長(zhǎng)在所述半導(dǎo)體襯底中的相鄰所述源極區(qū)之間，所述多晶硅層形成在所述柵氧層上和所述局部硅氧化層上的靠近所述柵氧層的部分區(qū)域上。7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于: 所述半導(dǎo)體襯底和所述源極區(qū)為P型摻雜，所述阱區(qū)為N型摻雜;或 所述半導(dǎo)體襯底和所述源極區(qū)為N型摻雜，所述阱區(qū)為P型摻雜。
【文檔編號(hào)】H01L29/78GK106024899SQ201610562559
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年7月15日
【發(fā)明人】孫博韜, 王立新, 張彥飛
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院微電子研究所