技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置，所述方法包括：a)提供形成有偽柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底；b)形成層間介電層，填充偽柵極結(jié)構(gòu)之間的間隙；c)去除偽柵極結(jié)構(gòu)，形成溝槽；d)在溝槽底部形成界面層，在溝槽側(cè)壁和界面層頂部依次形成高k介電層和覆蓋層；e)在覆蓋層上依次形成阻擋層和第一功函數(shù)設(shè)定金屬層；f)去除位于NMOS區(qū)的第一功函數(shù)設(shè)定金屬層；g)在溝槽中依次形成第二功函數(shù)設(shè)定金屬層和金屬柵極材料層，其中，在步驟a)和步驟b)之間、步驟d)和步驟e)之間、步驟e)和步驟f)之間及步驟f)和步驟g)之間任選其一、其二、其三或者全選實施使第二功函數(shù)設(shè)定金屬層完全覆蓋NMOS區(qū)的溝道區(qū)的處理步驟。根據(jù)本發(fā)明，可以避免造成NMOS功函數(shù)的上翹。

技術(shù)研發(fā)人員：趙杰
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201510341051
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.18
技術(shù)公布日：2017.01.11