本發(fā)明涉及晶圓的工藝，尤其在于將晶棒切割為晶圓的制作方法。

背景技術(shù)：

晶圓是由晶棒切割而形成。在晶棒切割時(shí)若有應(yīng)力的集中，則容易造成晶圓的破損、碎裂。例如，對(duì)于太陽(yáng)能的多晶硅晶圓，若有應(yīng)力集中的問(wèn)題，可能造成晶圓破裂。雖然可以回收制作，但是會(huì)大幅地增加生產(chǎn)成本。

隨著納米技術(shù)的發(fā)展，我們可以理解的是，表面積增加，能夠有效地分散應(yīng)力。對(duì)于晶棒的切割，利用納米技術(shù)發(fā)展出在晶棒表面形成納米柱結(jié)構(gòu)，來(lái)分散應(yīng)力、提升切割良率。但是，由于切割晶棒時(shí)，通常會(huì)將晶棒的表面涂布黏著劑來(lái)固定于切割機(jī)上，而伴隨有副作用產(chǎn)生。在沒(méi)有形成納米柱結(jié)構(gòu)時(shí)，通?？梢栽谇懈詈螅匀樗峄蛄蛩醽?lái)去除晶圓上的黏著劑。然而，納米柱結(jié)構(gòu)使得表面積增加，使得黏著劑與晶圓的結(jié)合力增加。以一般的方式，即使增加浸置及沖洗的時(shí)間，仍無(wú)法有效地清除黏著劑，必須以人為施加外力方式刷除。但是晶圓的厚度較薄，以人工方式去除殘留的黏著劑，晶圓破損的比率仍無(wú)法降低。

為了避免人工造成的破損，目前發(fā)展去除殘膠的方式，例如中國(guó)專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)CN102610496A以通入鹵素氣體與黏著劑反應(yīng)、中國(guó)專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)CN102298276B以液態(tài)的CO₂及水的混合物來(lái)去除黏著劑；以及中國(guó)專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)CN102303868B將晶圓放入高溫爐中，以約750℃使黏著劑灰化。經(jīng)實(shí)際操作，仍有黏著劑或灰化的黏著劑附著在晶圓的表面。另外，鹵素氣體可能使操作流程曝露于毒性的環(huán)境中，有安全問(wèn)題的疑慮。高溫可能會(huì)使得金屬元素大幅擴(kuò)散，從而導(dǎo)致晶圓的電性改變，無(wú)法符合規(guī)格。因此，需要一種有效解決上述問(wèn)題的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種晶圓制作方法。本發(fā)明的晶圓制作方法包含在晶棒的表面上形成納米柱；在晶棒的表面形成覆蓋層以覆蓋納米柱；在覆蓋層的表面形成黏膠層；切割晶棒成多個(gè)晶圓；以及通過(guò)溶劑去除晶圓上的覆蓋層，同時(shí)移除黏膠層，其中溶劑與覆蓋層起化學(xué)反應(yīng)，而不與晶圓起化學(xué)反應(yīng)。

本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)主要在于形成覆蓋層來(lái)覆蓋住納米柱，之后再形成黏膠層以在切割機(jī)上固定晶棒。因此，在切割晶棒的流程中，以納米柱達(dá)成分散應(yīng)力、避免晶圓破裂的問(wèn)題。覆蓋層能以化學(xué)方式去除，解決了納米柱使晶棒表面積增加，而殘留黏膠層的問(wèn)題。進(jìn)一步地，由于本發(fā)明能在低溫環(huán)境下操作，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)上操作流程暴露于毒性環(huán)境的問(wèn)題，也能減少金屬元素?cái)U(kuò)散的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明晶圓制作方法的流程圖。

圖2至圖6為本發(fā)明晶圓制作方法的逐步局部剖面示意圖。

符號(hào)說(shuō)明：

10 晶棒

12 晶圓

15 納米柱

20 覆蓋層

30 黏膠層

S1 晶圓制作方法

S10 形成納米柱

S20 形成覆蓋層

S30 涂布黏膠層

S40 切割晶棒

S50 去除覆蓋層。

具體實(shí)施方式

參閱圖1-圖6，圖1為本發(fā)明晶圓制作方法的流程圖，圖2至圖6為本發(fā)明晶圓制作方法的逐步局部剖面示意圖。如圖1所示，本發(fā)明晶圓制作方法S1包含步驟S10、步驟S20、步驟S30、步驟S40以及步驟S50。各步驟將配合圖2至圖6的剖面示意來(lái)說(shuō)明。

步驟S10為形成納米柱。如圖2所示，步驟S10為在晶棒10的表面上形成多個(gè)納米柱15。晶棒10可以為硅晶棒、藍(lán)寶石晶棒等。形成納米柱15的方式為化學(xué)刻蝕或化學(xué)沉積方式，以上僅為示例，并非以此為限制。納米柱15的寬度為10~600nm，較佳為40~400nm。納米柱長(zhǎng)度1-15μm，較佳為4-10μm，最佳為8μm。

步驟S20為形成覆蓋層。如圖3所示，步驟20為在晶棒10及所述納米柱15的表面形成覆蓋層20。覆蓋層20覆蓋納米柱15。覆蓋層20可以為氧化層或氮化層。形成覆蓋層的方法選自化學(xué)反應(yīng)法、氣相反應(yīng)法、氣相沉積法、凝膠溶膠法(Sol-gel)、蒸鍍法、濺鍍法、液相沉積法(Liquid-phase deposition，LPD)等。例如，覆蓋層20為二氧化硅(SiO₂)或氮化硅(Si₃N₄)，是將晶棒10放入一腔體中通入高濃度的氧氣或氮?dú)獠⒓訜岫纬伞Ｓ掷?，覆蓋層20為二氧化硅，是將晶棒10放入一腔體中通入氧化氣體并加熱而形成，氧化氣體選自氧氣及甲烷硅(SiH₄)的至少其中之一。再例如，先在晶棒10表面涂布四乙氧基硅烷(tetraethyl orthosilicate，TEOS)，再將晶棒10放入腔體中加熱，而形成二氧化硅(SiO₂)層作為覆蓋層20。以上僅為示例，并非以此為限制。

步驟S30為形成黏膠層。如圖4所示，在覆蓋層20的表面形成一黏膠層30，以利于后續(xù)在切割機(jī)上固定晶棒10。黏膠層30的形成方式選自滾涂(roll-coating)、噴涂(dispensing)、旋轉(zhuǎn)涂布(spin-coating)等。以上僅為示例，并非以此為限制。

步驟S40為切割晶棒。如圖5所示，將完成步驟S10、步驟S20、步驟S30的晶棒10切割為多個(gè)晶圓(wafer)12。此時(shí)，各晶圓12上仍具有部分的覆蓋層20及黏膠層30。

步驟S50為通過(guò)一溶劑去除覆蓋層20。覆蓋層20被去除的同時(shí)，黏膠層30亦被去除。覆蓋層20被去除后如圖6所示。溶劑不與晶圓12起化學(xué)反應(yīng)，僅與覆蓋層20起化學(xué)反應(yīng)。例如，當(dāng)覆蓋層20為氧化硅層時(shí)，可以利用氫氟酸(HF)來(lái)去除覆蓋層20。又例如，當(dāng)為氮化硅層時(shí)，可以利用磷酸(H₃PO₄)來(lái)去除覆蓋層20。以上僅為示例，并非以此為限制。

步驟S10~S50的溫度條件均在0~200℃之間進(jìn)行，較佳為70~150℃，從而晶棒或晶圓中的金屬元素?cái)U(kuò)散能夠有效的被控制。從而能夠維持晶圓的電性。

本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)主要在于，形成一覆蓋層來(lái)覆蓋住納米柱。在切割晶棒的流程中，能通過(guò)納米柱達(dá)成分散應(yīng)力、避免晶圓破裂。由于覆蓋層能以化學(xué)方式去除，解決了納米柱使晶棒表面積增加，黏膠層殘留的問(wèn)題。此外，由于本發(fā)明能在低溫環(huán)境下操作，能避免操作流程暴露于毒性環(huán)境中，同時(shí)也減少了晶圓的金屬元素?cái)U(kuò)散現(xiàn)象。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。