技術總結(jié)
一種MOS晶體管及其形成方法，MOS晶體管的形成方法包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底表面具有柵極結(jié)構，所述柵極結(jié)構兩側(cè)具有偏移側(cè)墻；對所述柵極結(jié)構兩側(cè)的半導體襯底進行輕摻雜漏注入，形成輕摻雜區(qū)；在所述偏移側(cè)墻表面形成間隙側(cè)墻；在所述柵極結(jié)構兩側(cè)的半導體襯底形成源漏區(qū)；在所述源漏區(qū)表面形成阻擋層，所述阻擋層用于阻擋離子注入所述源漏區(qū)；采用刻蝕工藝去除所述偏移側(cè)墻和間隙側(cè)墻形成開口；對所述開口暴露的半導體襯底進行第一暈環(huán)注入形成第一暈環(huán)區(qū)。所述MOS晶體管的形成方法，可以提高MOS晶體管性能。

技術研發(fā)人員：趙猛
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201510224853
技術研發(fā)日：2015.05.05
技術公布日：2016.12.07