技術(shù)編號(hào):11956124
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種MOS晶體管及其形成方法。背景技術(shù)MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)晶體管,是現(xiàn)代集成電路中最重要的元件之一,MOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體襯底;位于半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu),所述柵極結(jié)構(gòu)包括:位于半導(dǎo)體襯底表面的柵介質(zhì)層以及位于柵介質(zhì)層表面的柵電極層;位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)半導(dǎo)體襯底上的輕摻雜區(qū)和位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)半導(dǎo)體襯底上的源漏區(qū)。形成所述MOS晶體管的方法為:提供半導(dǎo)體襯底,在所述半導(dǎo)體襯底表面形成柵極結(jié)構(gòu),所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于半導(dǎo)體襯底表面的柵介質(zhì)層以及柵...
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