1.一種晶圓厚度的測(cè)量方法，包括：
步驟S1：提供晶圓，并在所述晶圓上形成膠帶，以保護(hù)所述晶圓；
步驟S2：在所述晶圓的邊緣形成凹槽；
步驟S3：測(cè)量所述凹槽的深度H1；
步驟S4：對(duì)所述晶圓進(jìn)行研磨打薄，以降低所述晶圓的厚度；
步驟S5：再次測(cè)量所述凹槽的深度H2；
步驟S6：根據(jù)所述步驟S3中所述深度H1和所述步驟S5中的所述深度H2計(jì)算所述晶圓研磨去除的量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，在形成所述膠帶之前，還進(jìn)一步包括對(duì)所述晶圓進(jìn)行預(yù)清洗的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，對(duì)所述晶圓的邊緣進(jìn)行半切割，以形成所述凹槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述凹槽的深度H1為400-450um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，在所述研磨打薄之后還進(jìn)一步包括對(duì)所述晶圓的厚度進(jìn)行測(cè)量的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4和所述步驟S5之間，還進(jìn)一步包括去除所述膠帶的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S5中，所述凹槽的深度H2為15-35um。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述凹槽的開口為4-6um。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述晶圓的厚度為700-750um。