1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
P型半導(dǎo)體襯底；
第一N阱，位于所述P型半導(dǎo)體襯底內(nèi)；
第二N阱，位于所述P型半導(dǎo)體襯底內(nèi)，與所述第一N阱彼此間隔；
P阱，位于所述P型半導(dǎo)體襯底內(nèi)，與所述第二N阱相鄰且接觸，并與所述第一N阱間隔；
第一N+注入?yún)^(qū)和第一P+注入?yún)^(qū)，彼此間隔位于所述第一N阱內(nèi)；
第二P+注入?yún)^(qū)和第二N+注入?yún)^(qū)，彼此間隔位于所述第二N阱內(nèi)；
第三P+注入?yún)^(qū)、第四P+注入?yún)^(qū)和第三N+注入?yún)^(qū)，彼此間隔位于所述P阱內(nèi),
其中，所述第二P+注入?yún)^(qū)構(gòu)成所述半導(dǎo)體器件的陽(yáng)極，所述第四P+注入?yún)^(qū)和第三N+注入?yún)^(qū)構(gòu)成所述半導(dǎo)體器件的陰極，所述第一N+注入?yún)^(qū)和所述第三P+注入?yún)^(qū)相連接，所述第一P+注入?yún)^(qū)和所述第二N+注入?yún)^(qū)相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括位于所述第一N阱內(nèi)的第四N+注入?yún)^(qū)，所述第四N+注入?yún)^(qū)與所述第一N+注入?yún)^(qū)和第一P+注入?yún)^(qū)彼此之間間隔設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第四N+注入?yún)^(qū)連接所述第一N+注入?yún)^(qū)和所述第三P+注入?yún)^(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括位于所述第二N阱內(nèi)的第五P+注入?yún)^(qū)，所述第五P+注入?yún)^(qū)與所述第二P+注入?yún)^(qū)和第二N+注入?yún)^(qū)彼此之間間隔設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第五P+注入?yún)^(qū)和所述第二P+注入?yún)^(qū)共同構(gòu)成所述半導(dǎo)體器件的陽(yáng)極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二N阱位于所述第一N阱和所述P阱之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述N+注入?yún)^(qū)和所述P+注入?yún)^(qū)與其相鄰的N+注入?yún)^(qū)或P+注入?yún)^(qū)之間均設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第五P+注入?yún)^(qū)與其相鄰的P+注入?yún)^(qū)或N+注入?yún)^(qū)之間均設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的陽(yáng)極連接靜電放電輸入端，所述半導(dǎo)體器件的陰極連接輸出端。
10.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包含權(quán)利要求1至9之一所述的半導(dǎo)體器件以及與所述半導(dǎo)體器件相連接的電子組件。