技術(shù)編號：11836839
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導體器件和電子裝置。背景技術(shù)在半導體技術(shù)領(lǐng)域中，靜電放電(ESD)現(xiàn)象是對集成電路(IC)的一大威脅。隨著半導體制程工藝尺寸的不斷減小，ESD防護設(shè)計在納米級的CMOS技術(shù)中變得越來越具有挑戰(zhàn)性和難度。SCR(可控硅整流器)器件由于其強的ESD魯棒性(robustness)和在單位面積下具有最強的電流泄放能力被廣泛應(yīng)用于IC的片上靜電放電(ESD)保護。當其被用作低工作功率源ICs時，SCR器件高的觸發(fā)電壓限制了其應(yīng)用范圍。因此一些先進技術(shù)例如二極管輔...
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