技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種功率器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，包括依次設(shè)置的襯底、第一導(dǎo)電類型的外延層和第二導(dǎo)電類型的延伸區(qū)；所述外延層內(nèi)具有重?fù)诫s第二導(dǎo)電類型的主結(jié)區(qū)和具有第一導(dǎo)電類型的截止環(huán)，所述延伸區(qū)位于所述主結(jié)區(qū)與所述截止環(huán)之間，所述延伸區(qū)與所述主結(jié)區(qū)相連通，所述延伸區(qū)與所述截止環(huán)不連通；所述延伸區(qū)內(nèi)至少具有兩個與主結(jié)區(qū)導(dǎo)電類型相同、離子濃度相同的離子注入?yún)^(qū)，且相鄰的離子注入?yún)^(qū)的間距隨距離所述主結(jié)區(qū)距離的增大而增大。通過減小功率器件的結(jié)終端延伸區(qū)域面積實現(xiàn)分壓區(qū)域面積減小，節(jié)省了芯片面積，在相同面積的硅晶片上可以制作更多的器件，降低了器件制作成本。

技術(shù)研發(fā)人員：李理;馬萬里;趙圣哲
受保護的技術(shù)使用者：北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號碼：201510166724
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.09
技術(shù)公布日：2016.11.23