1.一種功率器件，其特征在于：包括依次設(shè)置的襯底、第一導(dǎo)電類(lèi)型的外延層和第二導(dǎo)電類(lèi)型的延伸區(qū)；
所述外延層內(nèi)具有重?fù)诫s第二導(dǎo)電類(lèi)型的主結(jié)區(qū)和具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的截止環(huán)，所述延伸區(qū)位于所述主結(jié)區(qū)與所述截止環(huán)之間，所述延伸區(qū)與所述主結(jié)區(qū)相連通，所述延伸區(qū)與所述截止環(huán)不連通；
所述延伸區(qū)內(nèi)至少具有兩個(gè)與主結(jié)區(qū)導(dǎo)電類(lèi)型相同、離子濃度相同的離子注入?yún)^(qū)，且相鄰的離子注入?yún)^(qū)的間距隨距離所述主結(jié)區(qū)距離的增大而增大。
2.如權(quán)利要求1所述的功率器件，其特征在于，還包括位于所述延伸區(qū)的非離子注入?yún)^(qū)窗口上的第一介質(zhì)層。
3.如權(quán)利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述主結(jié)區(qū)與所述延伸區(qū)通過(guò)場(chǎng)板相連通。
4.如權(quán)利要求3所述的功率器件，其特征在于，至少在所述延伸區(qū)靠近所述主結(jié)區(qū)的側(cè)面設(shè)置具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的多晶硅層作為所述場(chǎng)板。
5.如權(quán)利要求1～4任一權(quán)項(xiàng)所述的功率器件，其特征在于，還包括覆蓋于所述外延層及所述延伸區(qū)上的第二介質(zhì)層。
6.一種功率器件的制作方法，其特征在于，包括：
在襯底上通過(guò)外延生長(zhǎng)依次形成具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的外延層和第二導(dǎo)電類(lèi)型的初始延伸區(qū)；
對(duì)所述初始延伸區(qū)進(jìn)行刻蝕形成延伸區(qū)，暴露出所述外延層的第一區(qū)域與第二區(qū)域；
在所述延伸區(qū)之上形成至少兩個(gè)離子注入窗口；
進(jìn)行第二導(dǎo)電類(lèi)型的離子注入在所述第一區(qū)域內(nèi)形成重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型的主結(jié)區(qū)和在所述延伸區(qū)內(nèi)形成重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型的離子注入?yún)^(qū)，所述延伸區(qū)與所述主結(jié)區(qū)相連通，相鄰的離子注入?yún)^(qū)的間距隨距離所述主結(jié)區(qū)距離的增大而增大；
進(jìn)行第一導(dǎo)電類(lèi)型的離子注入在所述第二區(qū)域形成第一導(dǎo)電類(lèi)型的截止環(huán)，所述延伸區(qū)與所述截止環(huán)不連通。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述延伸區(qū)之上形成至少兩個(gè)離子注入窗口，具體為：
在所述延伸區(qū)上生長(zhǎng)第一介質(zhì)層；
通過(guò)第一掩膜版干法刻蝕所述第一介質(zhì)層，形成至少兩個(gè)離子注入窗口。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述延伸區(qū)與所述主結(jié)區(qū)相連通，具體為：
在形成至少兩個(gè)離子注入窗口之后，淀積第一導(dǎo)電類(lèi)型的多晶硅層，通過(guò)第二掩膜版干法刻蝕所述多晶硅層，形成多晶硅側(cè)墻，在所述延伸區(qū)靠近所述主結(jié)區(qū)的多晶硅側(cè)墻將主結(jié)區(qū)與所述延伸區(qū)相連通。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在離子注入之后，還包括：在所述外延層和所述延伸區(qū)上淀積形成第二介質(zhì)層。