本發(fā)明涉及一種電路結構及其制作方法，且特別涉及一種驅動電路結構及其制作方法。

背景技術：
在驅動電路結構中，往往使用多個晶體管來實現所需要的信號傳遞模式。因此，晶體管的操作信賴性往往是驅動電路結構的重要考量。一般來說，為了達到特定的信號傳遞模式，驅動電路結構中具有許多個晶體管，且不同晶體管可能采用不同或是相同的模式來驅動。舉例而言，有些晶體管采用長期施加正偏壓的模式驅動而有些晶體管采用長期施加負偏壓的模式驅動。因此，將所有晶體管采用統一規(guī)格與條件的制作可能導致某些驅動模式下晶體管的表現良好但另一種驅動模式下的晶體管表現不佳。因此，驅動電路結構仍有改良的空間。

技術實現要素：
本發(fā)明提供一種驅動電路結構，具有良好操作信賴性。本發(fā)明提供一種驅動電路結構的制作方法，制作出具有良好操作信賴性的驅動電路結構而不需增加過多成本。本發(fā)明的驅動電路結構，配置于一基板上，并包括一第一薄膜晶體管、一第二薄膜晶體管、一第一絕緣層及一第二絕緣層。第一薄膜晶體管具有一第一半導體通道區(qū)。第二薄膜晶體管具有一第二半導體通道區(qū)。第一絕緣層覆蓋第一薄膜晶體管，并具有一開口。開口的面積暴露出第二薄膜晶體管的第二半導體通道區(qū)的面積。第二絕緣層配置于第一絕緣層上，覆蓋第二薄膜晶體管，并填充開口的面積而覆蓋第二半導體通道區(qū)的面積。本發(fā)明的一種驅動電路結構的制作方法，包括：制作一第一薄膜晶體管以及一第二薄膜晶體管于一基板上，其中第一薄膜晶體管具有一第一半導體通道區(qū)，而第二薄膜晶體管具有一第二半導體通道區(qū)；以及依序形成一第一絕緣層與一第二絕緣層于基板上。第一絕緣層覆蓋第一薄膜晶體管，第一絕緣層具有一開口，開口的面積暴露出第二薄膜晶體管的第二半導體通道區(qū)的面積，并且第二絕緣層配置于第一絕緣層上，覆蓋第二薄膜晶體管，并填充開口的面積而覆蓋第二半導體通道區(qū)的面積?；谏鲜?，本發(fā)明實施例的驅動電路結構以不同模式進行操作的薄膜晶體管可同樣地具有良好驅動信賴性。為讓本公開的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合說明書附圖作詳細說明如下。附圖說明圖1A至圖1C說明本發(fā)明一實施例的驅動電路結構的制作方法。圖2為本發(fā)明一實施例的驅動電路結構所應用的發(fā)光元件的俯視示意圖。圖3為本發(fā)明另一實施例的驅動電路結構的剖面示意圖。圖4為本發(fā)明又一實施例的驅動電路結構的剖面示意圖。圖5A至圖5C說明本發(fā)明一實施例的驅動電路結構的制作方法。圖6為本發(fā)明一實施例的驅動電路結構所應用的發(fā)光元件的俯視示意圖。圖7為本發(fā)明另一實施例的驅動電路結構的剖面示意圖。圖8為本發(fā)明一實施例的驅動電路結構所應用的發(fā)光元件的俯視示意圖。附圖標記說明：1、2、3：發(fā)光元件10：基板100、200、300、400、500：驅動電路結構110、410、510、310：第一薄膜晶體管110C、120C、310C、320C、410C、420C、510C、520C：半導體通道層110CH、120CH、310CH、320CH：導體通道區(qū)110D、120D、410D、420D、510D、520D：漏極110G、120G、410G、420G、510G1、510G2、520G1、520G2：柵極110S、120S、410S、420S、510S、520S：源極120、320、420、520：第二薄膜晶體管130、430、530：第一絕緣層130A、430A、530A：開口140、440、540：第二絕緣層150、450、550：掃描線160、460、560：數據線170、470、570：電源線180、480、580：電容結構182、184：端190、490、590：有機發(fā)光元件192：電極GI、GI1、GI2：柵絕緣層IL：層間絕緣層IS1、IS2：蝕刻阻擋圖案S1：第一側S2：第二側TH1、TH2、V1、V2、V3：接觸窗具體實施方式圖1A至圖1C說明本發(fā)明一實施例的驅動電路結構的制作方法。在圖1A至圖1C中，各個膜層的厚度與寬度僅是示意對其進行說明用，并非以此為限。請先參照圖1A，制作一第一薄膜晶體管110與一第二薄膜晶體管120于一基板10上，其中第一薄膜晶體管110包括柵極110G、半導體通道層110C、源極110S與漏極110D，且第二薄膜晶體管120包括柵極120G、半導體通道層120C、源極120S與漏極120D。以本實施例而言，柵極110G與柵極120G皆配置于基板10的同一平面上，而且采用相同的導電層制作而成，但不以此為限。柵極110G與柵極120G上方配置有柵絕緣層GI，使得柵極110G與柵極120G位于基板10與柵絕緣層GI之間。半導體通道層110C與半導體通道層120C配置于柵絕緣層GO上。因此，柵絕緣層GI位于柵極110G與半導體通道層110C之間并且位于柵極120G與半導體通道層120C之間。換言之，柵極110G與柵極120G位于柵絕緣層GI的一第一側S1，而半導體通道層110C與半導體通道層120C位于柵絕緣層GI的一第二側S2，且第一側S1與第二側S2相對。源極110S與漏極110D配置于半導體通道層110C上，而源極120S與漏極120D配置于半導體通道層120C上。以本實施例而言，源極110S與漏極110D覆蓋并接觸部分的半導體通道層110C，并且暴露出半導體通道區(qū)110CH。也就是說，半導體通道層110C的部分面積為半導體通道區(qū)110CH。第一薄膜晶體管110的第一柵極110G用以控制半導體通道區(qū)110CH的致能與否，源極110S與漏極110D通過致能的半導體通道區(qū)110CH而彼此導通。源極120S與漏極120D覆蓋并接觸部分的半導體通道層120C，并且暴露出半導體通道區(qū)120CH。也就是說，半導體通道層120C的部分面積為半導體通道區(qū)120CH。第二薄膜晶體管120的第一柵極120G用以控制半導體通道區(qū)120CH的致能與否，源極120S與漏極120D通過致能的半導體通道區(qū)120CH而彼此導通。就材質而言，柵極110G、柵極120G、源極110S、源極120S、漏極110D與漏極120D可以由導體材料制作而成，例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物或是其他非金屬導電材料。制作柵極110G、柵極120G、源極110S、源極120S、漏極110D與漏極120D所用的導電材料層可以是單一材質也可以是復合材質，并且這些構件可以采用多層導電材料堆疊而成。半導體通道層110C與半導體通道層120C可以由氧化物半導體材料制作而成。具體而言，氧化物半導體材料例如為銦鎵鋅氧化物、氧化鋅、氧化銦等。接著，請參照圖1B，在已經形成有第一薄膜晶體管110與第二薄膜晶體管120的基板10上制作一第一絕緣層130。第一絕緣層130覆蓋第一薄膜晶體管，并且具有一開口130A，其中開口130A的面積至少暴露出第二薄膜晶體管120的半導體通道區(qū)120CH的面積。此時，第一絕緣層130可以做為第一薄膜晶體管110的保護層。不過，第二薄膜晶體管120的半導體通道區(qū)120CH仍暴露出來。因此，請參照圖1C，于第一絕緣層130上形成一第二絕緣層140，其中第二絕緣層140覆蓋第二薄膜晶體管120而作為第二薄膜晶體管120的保護層。也就是說，第二絕緣層140覆蓋第二薄膜晶體管120，并填充了開口130A的面積而覆蓋住第二半導體通道區(qū)120CH的面積。另外，由圖1C可知，第一薄膜晶體管110上除了覆蓋有第一絕緣層130，更覆蓋有第二絕緣層140，而第二薄膜晶體管120上僅覆蓋著第二絕緣層140，以構成驅動電路結構100。在本實施例中，第一絕緣層130與第二絕緣層140的材質可以依據薄膜晶體管110與120預定要被操作的模式來決定。舉例來說，第一薄膜晶體管110在操作過程中預計被長期施加負偏壓，而第二薄膜晶體管120在操作過程中預計被長期施加正偏壓，則第一絕緣層130為非含鋁絕緣層，且第二絕緣層140為含鋁絕緣層。另外，第一薄膜晶體管110在操作過程中預計被長期施加正偏壓，而第二薄膜晶體管120在操作過程中預計被長期施加負偏壓，則第一絕緣層130為含鋁絕緣層，且第二絕緣層140為非含鋁絕緣層。一般來說，非含鋁絕緣層可以由氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層或其堆疊來構成，而含鋁絕緣層例如是由氧化鋁層、硅鋁氧化物層或其堆疊來構成。本實施例因應第一薄膜晶體管110與第二薄膜晶體管120預定被操作的方式不同，而在第一絕緣層130中設置開口130A以讓第一薄膜晶體管110與第二薄膜晶體管120的保護層由不同絕緣材料制作。如此一來，第一薄膜晶體管110與第二薄膜晶體管120兩者都可以具有理想的操作信賴性。舉例來說，在一實驗例中，以含鋁絕緣層作為薄膜晶體管的保護層。若以長期施加正偏壓的方式操作此薄膜晶體管長達8.5小時，此薄膜晶體管的饋通電壓偏移約為0.29伏特，而若以長期施加負偏壓的方式操作此薄膜晶體管長達8.5小時，此薄膜晶體管的饋通電壓偏移約為1.41伏特。因此，含鋁絕緣層作為薄膜晶體管的保護層，則薄膜晶體管在正偏壓下操作較為穩(wěn)定。在另一實驗例中，以非含鋁絕緣層作為薄膜晶體管的保護層。若以長期施加正偏壓的方式操作此薄膜晶體管長達8.5小時，此薄膜晶體管的饋通電壓偏移約為0.9伏特，而若以長期施加負偏壓的方式操作此薄膜晶體管長達8.5小時，此薄膜晶體管的饋通電壓偏移約為0.22伏特。因此，非含鋁絕緣層作為薄膜晶體管的保護層，則薄膜晶體管在負偏壓下操作較為穩(wěn)定。因此，本實施例通過第一絕緣層130與第二絕緣層140的結構設計使得第一薄膜晶體管110與第二薄膜晶體管120都可以具有良好的操作信賴性。驅動電路結構100可以應用于多種領域中。以下將以驅動電路結構100應用于有機發(fā)光元件的驅動電路為例進行說明，但不以此為限。圖2為本發(fā)明一實施例的驅動電路結構所應用的發(fā)光元件的俯視示意圖。請參照圖2，發(fā)光元件1包括第一薄膜晶體管110、第二薄膜晶體管120、第一絕緣層130、第二絕緣層140、一掃描線150、一數據線160、一電源線170以及一電容結構180以驅動一有機發(fā)光元件190。第一薄膜晶體管110連接于掃描線150與數據線160，第二薄膜晶體管120連接于電源線170與有機發(fā)光元件190，其中掃描線150用以致能第一薄膜晶體管110使數據線160傳遞的一開關信號通過致能的第一薄膜晶體管110傳遞至第二薄膜晶體管120；并且第二薄膜晶體管120通過數據線160的開關信號而致能，使電源線170的一電源信號通過致能的第二薄膜晶體管120傳遞至有機發(fā)光元件190。電容結構180的一端182連接于第一薄膜晶體管110與第二薄膜晶體管120之間，而電容結構180的另一端184連接于第二薄膜晶體管120與有機發(fā)光元件190之間。發(fā)光元件1在此為雙晶體管一電容(2T1C)的架構，但有機發(fā)光元件190的驅動電路并不以此為限。具體來說，第一薄膜晶體管110中，柵極110G連接至掃描線150，源極110S連接至數據線160，而漏極110D連接至第二薄膜晶體管120的柵極120G與電容結構180的一端182，其中由第一薄膜晶體管110的漏極110D可以通過接觸窗V1連接至第二薄膜晶體管120的柵極120G。第二薄膜晶體管120的源極120S連接于電源線170，而漏極120D則連接于有機發(fā)光元件190的電極192以及電容結構180的另一端184，其中有機發(fā)光元件190為有機發(fā)光二極管時，電極192可以是陰極或是陽極。在本實施例中，有機發(fā)光元件190的電極192由柵極110G、柵極120G、源極110S、源極120S、漏極110D與漏極120D之外的另一導體層所構成，其中電極192可以制作于圖1C的第二絕緣層140之上。因此，電極1920通過接觸窗V2連接至漏極120D。另外，電容結構180的一端182可與源極110S、120S與漏極110D、120D由相同膜層制作而成，而電容結構180的另一端184可與柵極110G、120G由相同膜層制作而成，因此端182與端184可以通過圖1C中的柵絕緣層GI分隔。同時，端184可以通過接觸窗V3連接于漏極110D。由圖1C與圖2可知，開口130A暴露出半導體通道區(qū)120CH的結構使得第一薄膜晶體管110與第二薄膜晶體管120由不同材質的第一絕緣層13...