技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種具有高質(zhì)量InGaN/GaN有源層的LED外延結(jié)構(gòu)生長方法，其中，InxGa1?xN/GaN有源層的生長步驟：在主載氣為H2的氛圍下，通入Ga源和NH3生長8?15nm的GaN壘層；切換主載氣為N2，通入Ga源、In源和NH3，生長2?5nm的InxGa1?xN阱層；關(guān)閉Ga源和In源，保持NH3正常通入，停頓InxGa1?xN生長；打開Ga源，生長1?5nm的GaN保護層；切換主載氣為H2，通入Ga源和NH3生長8?15nm的GaN壘層；重復(fù)二至五的生長步驟1至20個周期。本發(fā)明可以獲得高質(zhì)量InGaN/GaN有源層，提高LED發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：卓祥景;陳凱軒;林志偉;蔡建九;張永;姜偉;林志園;堯剛
受保護的技術(shù)使用者：廈門乾照光電股份有限公司
文檔號碼：201410551820
技術(shù)研發(fā)日：2014.10.17
技術(shù)公布日：2017.02.15