技術(shù)編號：12010074
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種具有高質(zhì)量InGaN/GaN有源層的LED外延結(jié)構(gòu)生長方法。背景技術(shù)GaN基藍(lán)綠光發(fā)光二極管具有體積小、壽命長、功耗低、亮度高、易集成化等優(yōu)點(diǎn)。現(xiàn)有技術(shù)中，GaN基藍(lán)綠光LED材料生長主要通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（MOCVD）進(jìn)行外延生長。由于GaN襯底價(jià)格較高，為節(jié)約成本，GaN基藍(lán)綠光LED通常異質(zhì)外延在藍(lán)寶石、碳化硅等襯底上。由于異質(zhì)外延存在的晶格失配和熱失配等問題，難以獲得高晶體質(zhì)量的GaN基藍(lán)綠光LED外延片?，F(xiàn)有技術(shù)中，藍(lán)綠光LED均采用Ga...
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