本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種具有高質(zhì)量InGaN/GaN有源層的LED外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)方法。

背景技術(shù)：
GaN基藍(lán)綠光發(fā)光二極管具有體積小、壽命長(zhǎng)、功耗低、亮度高、易集成化等優(yōu)點(diǎn)。現(xiàn)有技術(shù)中，GaN基藍(lán)綠光LED材料生長(zhǎng)主要通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（MOCVD）進(jìn)行外延生長(zhǎng)。由于GaN襯底價(jià)格較高，為節(jié)約成本，GaN基藍(lán)綠光LED通常異質(zhì)外延在藍(lán)寶石、碳化硅等襯底上。由于異質(zhì)外延存在的晶格失配和熱失配等問(wèn)題，難以獲得高晶體質(zhì)量的GaN基藍(lán)綠光LED外延片?，F(xiàn)有技術(shù)中，藍(lán)綠光LED均采用GaN與InN的合金InGaN材料作為發(fā)光有源區(qū)，通過(guò)調(diào)節(jié)InGaN量子阱中的In組分實(shí)現(xiàn)不同波長(zhǎng)的發(fā)射，有源區(qū)InGaN材料的晶體質(zhì)量直接影響藍(lán)綠光LED的發(fā)光效率。在常規(guī)的GaN基藍(lán)綠光LED生長(zhǎng)中，主要包括低溫緩沖層、非故意摻雜層、N型摻雜層的生長(zhǎng)，多量子阱有源層的生長(zhǎng)和P型摻雜AlGaN層，以及P型摻雜GaN層的生長(zhǎng)。其中低溫緩沖層的生長(zhǎng)溫度在500-600℃之間；非故意摻雜層、N型摻雜層、P型摻雜AlGaN層、P型摻雜GaN層的生長(zhǎng)溫度在950-1150℃之間；多量子阱有源層生長(zhǎng)步驟包括：在反應(yīng)溫度750-900℃生長(zhǎng)8-15nmGaN壘層，之后降溫至650-800℃生長(zhǎng)2-5nmInGaN阱層，然后升高溫度到750-900℃再生長(zhǎng)8-15nmGaN壘層，以此重復(fù)周期結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)。在整個(gè)多量子阱有源層的生長(zhǎng)過(guò)程中，主載氣和有機(jī)源的載氣均為N2。由于In原子的蒸汽壓比Ga原子高，生長(zhǎng)InGaN時(shí)，In原子難以并入，因此多量子阱有源層通常在N2為主載氣的氛圍下進(jìn)行低溫生長(zhǎng)。為了提高In組分，通常選用較高的TMIn分壓，這容易在InGaN量子阱生長(zhǎng)表面析出In滴，降低有源區(qū)的晶體質(zhì)量。此外，由于異質(zhì)外延的應(yīng)力延伸和GaN與InN之間本身的晶格失配，使得多量子阱有源層應(yīng)力積累嚴(yán)重，加大材料生長(zhǎng)的困難。雖然在N2氛圍下可以加大In組分的并入，然而N2氛圍下生長(zhǎng)的GaN薄膜表面較為粗糙，晶體質(zhì)量相對(duì)較差。在高溫下，InGaN薄膜會(huì)遭到破壞，降低晶體質(zhì)量。由于壘層的生長(zhǎng)溫度高于阱層，并且P型摻雜的AlGaN層是在高溫下生長(zhǎng)，使得已經(jīng)生長(zhǎng)的阱層遭到破壞。多量子阱有源層之后生長(zhǎng)的AlGaN層由于進(jìn)行了P型Mg摻雜，使得Mg原子會(huì)向有源區(qū)擴(kuò)散，形成非輻射復(fù)合中心，降低發(fā)光效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種具有高質(zhì)量InGaN/GaN有源層的LED外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)方法，以獲得高質(zhì)量InGaN/GaN有源層，提高LED發(fā)光效率。為達(dá)成上述目的，本發(fā)明的解決方案為：一種具有高質(zhì)量InGaN/GaN有源層的LED外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)方法，在襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、非故意摻雜層、N型摻雜層、應(yīng)力平衡層、InxGa1-xN/GaN有源層、空穴注入層、電子阻擋層及P型摻雜層；其中，InxGa1-xN/GaN有源層的生長(zhǎng)包括以下步驟：一，在主載氣為H2的氛圍下，通入Ga源和NH3生長(zhǎng)8-15nm的GaN壘層，生長(zhǎng)溫度為750-900℃，反應(yīng)壓強(qiáng)為200-400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為5000-30000，生長(zhǎng)速率為0.15-0.3μm/h；二，降低反應(yīng)溫度到650-800℃，切換主載氣為N2，通入Ga源、In源和NH3，生長(zhǎng)2-5nm的InxGa1-xN阱層，反應(yīng)壓強(qiáng)為100-400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為5000-30000，生長(zhǎng)速率為0.1-0.25μm/h；三，保持反應(yīng)溫度和壓強(qiáng)不變，關(guān)閉Ga源和In源，保持NH3正常通入，停頓InxGa1-xN生長(zhǎng)；四，保持反應(yīng)溫度和壓強(qiáng)不變，打開(kāi)Ga源，生長(zhǎng)1-5nm的GaN保護(hù)層，Ⅴ/Ⅲ之比為5000-30000，生長(zhǎng)速率為0.1-0.25μm/h；五，升高反應(yīng)溫度到750-900℃，切換主載氣為H2，通入Ga源和NH3生長(zhǎng)8-15nm的GaN壘層，反應(yīng)壓強(qiáng)為200-400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為5000-30000，生長(zhǎng)速率在0.15-0.3μm/h；六，重復(fù)二至五的生長(zhǎng)步驟1至20個(gè)周期。進(jìn)一步，生長(zhǎng)GaN壘層時(shí)，主載氣和Ga源的載氣均為H2，生長(zhǎng)GaN保護(hù)層和InxGa1-xN阱層時(shí)，主載氣、Ga源載氣和In源的載氣均為N2。進(jìn)一步，停頓InxGa1-xN生長(zhǎng)的時(shí)間為10-60s。進(jìn)一步，應(yīng)力平衡層在主載氣為H2或者N2的氛圍下生長(zhǎng)，生長(zhǎng)溫度為800-950℃，應(yīng)力平衡層的材料為InyGa1-yN，N型摻雜濃度為5×1017-5×1018。進(jìn)一步，InyGa1-yN層的厚度大于等于有源層總厚度的一半，且InyGa1-yN層的In組分取值為y使得：有源層的平均應(yīng)力等于應(yīng)力平衡層InyGa1-yN的應(yīng)力。進(jìn)一步，空穴注入層的材料為GaN層，其中GaN層在主載氣為N2的氛圍下生長(zhǎng)，生長(zhǎng)溫度在750-950℃之間，厚度在50-100nm之間。進(jìn)一步，GaN層進(jìn)行階梯式的P型Mg摻雜，沿遠(yuǎn)離量子阱方向，P型摻雜濃度階梯式遞增，且平均摻雜濃度在5×1017-5×1018。進(jìn)一步，空穴注入層的材料為GaN層與InzGa1-zN/GaN超晶格層的組合層，GaN層在主載氣為N2的氛圍下生長(zhǎng)，生長(zhǎng)溫度為750-950℃，厚度為50-100nm，InzGa1-zN/GaN超晶格層在主載氣為H2的氛圍下生長(zhǎng)，0.03<z<0.1，生長(zhǎng)溫度為800-1050℃，厚度為1nm-5nm。進(jìn)一步，GaN層進(jìn)行階梯式的P型Mg摻雜，沿遠(yuǎn)離量子阱方向，P型摻雜濃度階梯式遞增，且平均摻雜濃度在5×1017-5×1018，InzGa1-zN/GaN超晶格層進(jìn)行恒定的P型Mg摻雜，摻雜濃度在1×1017-5×1018之間。進(jìn)一步，除最后1-3個(gè)周期外，有源區(qū)其余的GaN壘層均進(jìn)行N型Si摻雜，摻雜濃度在5×1017-2×1018。一種具有高質(zhì)量InGaN/GaN有源層的LED外延結(jié)構(gòu)，在襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、非故意摻雜層、N型摻雜層、應(yīng)力平衡層、InxGa1-xN/GaN有源層、空穴注入層、電子阻擋層及P型摻雜層；InxGa1-xN/GaN有源層由多組InxGa1-xN量子阱層及GaN量子壘層構(gòu)成，其中0.1<x<0.3。進(jìn)一步，在每一組InxGa1-xN量子阱層及GaN量子壘層之間生長(zhǎng)GaN保護(hù)層。進(jìn)一步，應(yīng)力平衡層為InyGa1-yN層，N型摻雜濃度為5×1017-5×1018。進(jìn)一步，InyGa1-yN層的厚度大于等于有源層總厚度的一半，且In組分取值為y使得InyGa1-yN的晶格常數(shù)滿(mǎn)足：(aInyGa1-yN-aGaNbarrier)tGaNbarrier=(aInGaNwell-aInyGa1-yN)tInGaNwell即有源層的平均應(yīng)力等于應(yīng)力平衡層InyGa1-yN的應(yīng)力。其中ai代表對(duì)應(yīng)層材料的晶格常數(shù)，ti代表對(duì)應(yīng)層的厚度。進(jìn)一步，空穴注入層為階梯式摻雜的空穴注入層。進(jìn)一步，空穴注入層為GaN層，GaN層厚度為50-100nm。進(jìn)一步，GaN層進(jìn)行階梯式的P型Mg摻雜，沿遠(yuǎn)離量子阱方向，P型Mg摻雜濃度階梯式遞增，且平均摻雜濃度在5×1017-5×1018。進(jìn)一步，空穴注入層為GaN層與InzGa1-zN/GaN超晶格層的組合層，0.03<z<0.1；GaN層厚度為50-100nm，InzGa1-zN/GaN超晶格層厚度為1nm-5nm。進(jìn)一步，GaN層進(jìn)行階梯式的P型Mg摻雜，沿遠(yuǎn)離量子阱方向，P型Mg摻雜濃度階梯式遞增，且平均摻雜濃度在5×1017-5×1018，InzGa1-zN/GaN超晶格層進(jìn)行恒定的P型Mg摻雜，摻雜濃度在1×1017-5×1018。采用上述方案后，本發(fā)明在InGaN/GaN有源層一側(cè)外延生長(zhǎng)應(yīng)力平衡層，另一側(cè)外延生長(zhǎng)空穴注入層。應(yīng)力平衡層的生長(zhǎng)，平衡了有源區(qū)的應(yīng)力，顯著提高了有源層的質(zhì)量，進(jìn)而提升了LED的發(fā)光效率。同時(shí)，空穴注入層采用N2氛圍下低溫生長(zhǎng)，可顯著提高M(jìn)g原子的并入，提高空穴濃度，并且，通過(guò)空穴注入層的階梯式P型摻雜，避免了Mg原子向有源區(qū)的擴(kuò)散，減少了有源區(qū)的非輻射復(fù)合中心，進(jìn)一步提高了有源層的質(zhì)量，進(jìn)而提升了LED的發(fā)光效率。發(fā)光效率相比常規(guī)外延結(jié)構(gòu)提升20%以上。此外，空穴注入層中GaN層后生長(zhǎng)InGaN/GaN超晶格層，一方面超晶格可阻隔GaN層由于低溫生長(zhǎng)產(chǎn)生的位錯(cuò)，提高后續(xù)外延層的晶體質(zhì)量，另一方面超晶格層產(chǎn)生的能帶震蕩也可進(jìn)一步提高空穴濃度。在生長(zhǎng)所述LED外延結(jié)構(gòu)時(shí)，首先，通過(guò)生長(zhǎng)阱層與壘層過(guò)程中主載氣與有機(jī)源載氣的切換，既增加了In組分的并入，又獲得了高質(zhì)量的GaN壘層；第二，通過(guò)低溫下GaN保護(hù)層的生長(zhǎng)和低溫N2氛圍下空穴注入層的生長(zhǎng)，保護(hù)了InGaN量子阱，避免了高溫對(duì)量子阱的破壞，又提高了空穴向有源區(qū)的注入；第三，通過(guò)InGaN阱層的間斷生長(zhǎng)，避免了In滴在量子阱表面的形成，提高了量子阱的晶體質(zhì)量。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明實(shí)施例一形成的LED外延結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明多量子阱有源層生長(zhǎng)溫度變化趨勢(shì)示意圖；圖3為本發(fā)明多量子阱有源層有機(jī)源開(kāi)關(guān)及載氣切換示意圖；圖4為本發(fā)明階梯式摻雜空穴注入層的P型摻雜濃度變化趨勢(shì)示意；圖5為本發(fā)明實(shí)施例二形成的LED外延結(jié)構(gòu)示意圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明襯底1緩沖層2非故意摻雜層3N型摻雜層4應(yīng)力平衡層5有源層6GaN量子壘層61InxGa1-xN量子阱層62GaN保護(hù)層63空穴注入層7電子阻擋層8P型摻雜層9超晶格層10。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做詳細(xì)描述。實(shí)施例一如圖1所示，本發(fā)明揭示的一種具有高質(zhì)量InGaN/GaN有源層的LED外延結(jié)構(gòu)，在襯底1上依次生長(zhǎng)緩沖層2、非故意摻雜層3、N型摻雜層4、應(yīng)力平衡層5、InxGa1-xN/GaN有源層6、空穴注入層7、電子阻擋層8及P型摻雜層9；InxGa1-xN/GaN有源層6由多組GaN量子壘層61及InxGa1-xN量子阱層62構(gòu)成。在每一組GaN量子壘層61及InxGa1-xN量子阱層62之間生長(zhǎng)GaN保護(hù)層63。本發(fā)明還揭示所述一種具有高質(zhì)量InGaN/GaN有源層的LED外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)方法，在襯底1上依次生長(zhǎng)緩沖層2、非故意摻雜層3、N型摻雜層4、應(yīng)力平衡層5、InxGa1-xN/GaN有源層6、空穴注入層7、電子阻擋層8及P型摻雜層9；利用MOCVD設(shè)備外延生長(zhǎng)高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管，采用2英寸c面免清洗藍(lán)寶石襯底1，其中，InxGa1-xN/GaN有源層6的生長(zhǎng)包括以下步驟：一，將反應(yīng)溫度升高到1200℃，反應(yīng)壓力為100mbar，在H2氛圍下烘焙藍(lán)寶石襯底1時(shí)間為100-300s。二，降低反應(yīng)溫度到550℃，通入NH3，氮化襯底1時(shí)間為60-180s。三，通入Ga源和NH3，在550℃下生長(zhǎng)25nm低溫GaN緩沖層2，反應(yīng)壓力為650mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為500-5000。四，升高反應(yīng)溫度到1100℃，通入Ga源和NH3，生長(zhǎng)2000nm未摻雜GaN層，形成非故意摻雜層3，反應(yīng)壓力為250mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為500-5000。五，在1100℃下，通入Ga源，NH3和硅烷，生長(zhǎng)2000nmN型摻雜GaN層，形成N型摻雜層4，反應(yīng)壓力為250mbar，Ⅴ/Ⅲ比為500-5000，N型摻雜濃度為1×1018-5×1018。六，降低反應(yīng)溫度到900℃，通入Ga源，In源，NH3和硅烷，生長(zhǎng)100nmN型摻雜InGaN應(yīng)力平衡層5，其中In組分為0.04，反應(yīng)壓力為400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為500-5000。七，降低反應(yīng)室溫度到850℃，通入Ga源，NH3和硅烷，生長(zhǎng)12nmN型摻雜GaN量子壘層61，反應(yīng)壓力為400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為5000-30000，N型摻雜濃度為1×1017-5×1018，其中有機(jī)源的載氣為H2。八，切換主載氣為N2，降低反應(yīng)溫度到730℃，通入Ga源，In源和NH3，生長(zhǎng)3nmInGaN量子阱層62，其中In組分為0.17，反應(yīng)壓力為400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為5000-30000，其中有機(jī)源的載氣為N2。九，關(guān)閉Ga源和In源，繼續(xù)通入NH3，保持反應(yīng)室其他狀態(tài)不變，停頓阱層生長(zhǎng)30s。十，通入Ga源，生長(zhǎng)3nmGaN保護(hù)層63，反應(yīng)壓力為400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為5000-30000，其中有機(jī)源的載氣為N2。十一，切換主載氣為H2，升高反應(yīng)溫度到850℃，通入Ga源，NH3和硅烷，生長(zhǎng)12nmN型摻雜GaN量子壘層61，反應(yīng)壓力為400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為5000-30000，N型摻雜濃度為1×1017-5×1018，其中有機(jī)源的載氣為H2。十二，重復(fù)步驟八至步驟十一生長(zhǎng)步驟8個(gè)周期，其中最后兩次循環(huán)中，步驟十一中的硅烷不通入反應(yīng)室內(nèi)。十三，切換主載氣為N2，在850℃下生長(zhǎng)60nmP型階梯摻雜的GaN空穴注入層7，反應(yīng)壓力為400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為500-5000，其中二茂鎂通入流量階梯式遞增，使其P型摻雜濃度滿(mǎn)足圖4所示濃度梯度趨勢(shì)，空穴注入層7平均摻雜濃度為5×1017-5×1018。十四，切換主載氣為H2，升高反應(yīng)溫度到1050℃，通入Ga源，Al源，NH3和二茂鎂，生長(zhǎng)25nmP型摻雜的AlGaN電子阻擋層8，其中Al組分為0.2，反應(yīng)壓力為250mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為500-5000，P型摻雜濃度為5×1017-5×1018。十五，通入Ga源，NH3和二茂鎂，生長(zhǎng)200nmP型摻雜的GaN電子阻擋層，形成P型摻雜層9，反應(yīng)壓力為250mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為500-5000，P型摻雜濃度為5×1017-1×1019。十六，降低反應(yīng)溫度到800℃，在純N2氛圍下退火600s，降低反應(yīng)溫度到室溫，結(jié)束外延生長(zhǎng)，形成如圖1所示的外延結(jié)構(gòu)。其中，InxGa1-xN/GaN有源層6的生長(zhǎng)溫度曲線如圖2所示，而InxGa1-xN/GaN有源層6的有機(jī)源開(kāi)關(guān)及載氣切換情況如圖3所示。實(shí)施例二與實(shí)施例一不同在于：如圖5所示，空穴注入層7與電子阻擋層8之間生長(zhǎng)GaN/InGaN超晶格層10，通過(guò)該超晶格層10的生長(zhǎng)，可進(jìn)一步提高晶體質(zhì)量和空穴濃度。本實(shí)施例中，一種具有高質(zhì)量InGaN/GaN有源層的LED外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)方法，在襯底1上依次生長(zhǎng)緩沖層2、非故意摻雜層3、N型摻雜層4、應(yīng)力平衡層5、InxGa1-xN/GaN有源層6、空穴注入層7、電子阻擋層8及P型摻雜層9，空穴注入層7與電子阻擋層8之間生長(zhǎng)GaN/InGaN超晶格層10；其中，InxGa1-xN/GaN有源層6的生長(zhǎng)包括以下步驟：利用MOCVD設(shè)備外延生長(zhǎng)高亮度的綠光發(fā)光二極管，采用2英寸c面免清洗藍(lán)寶石襯底1，具體外延生長(zhǎng)步驟一至步驟五與實(shí)施例一相同。一，將反應(yīng)溫度升高到1200℃，反應(yīng)壓力為100mbar，在H2氛圍下烘焙藍(lán)寶石襯底1時(shí)間為100-300s。二，降低反應(yīng)溫度到550℃，通入NH3，氮化襯底1時(shí)間為60-180s。三，通入Ga源和NH3，在550℃下生長(zhǎng)25nm低溫GaN緩沖層2，反應(yīng)壓力為650mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為500-5000。四，升高反應(yīng)溫度到1100℃，通入Ga源和NH3，生長(zhǎng)2000nm未摻雜GaN層，形成非故意摻雜層3，反應(yīng)壓力為250mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為500-5000。五，在1100℃下，通入Ga源，NH3和硅烷，生長(zhǎng)2000nmN型摻雜GaN層，形成N型摻雜層4，反應(yīng)壓力為250mbar，Ⅴ/Ⅲ比為500-5000，N型摻雜濃度為1×1018-5×1018。六，降低反應(yīng)室溫度到880℃，通入Ga源，In源，NH3和硅烷，生長(zhǎng)100nmN型摻雜InGaN應(yīng)力平衡層5，其中In組分為0.08，反應(yīng)壓力為400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為500-5000。七，降低反應(yīng)溫度到810℃，通入Ga源，NH3和硅烷，生長(zhǎng)12nmN型摻雜GaN量子壘層61，反應(yīng)壓力為400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為5000-30000，N型摻雜濃度為1×1017-5×1018，其中有機(jī)源的載氣為H2。八，切換主載氣為N2，降低反應(yīng)溫度到690℃，通入Ga源，In源和NH3，生長(zhǎng)3nmInGaN量子阱層62，其中In組分為0.24，反應(yīng)壓力為400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為5000-30000，其中有機(jī)源的載氣為N2氣。九，關(guān)閉Ga源和In源，繼續(xù)通入NH3，保持反應(yīng)室其他狀態(tài)不變，停頓阱層生長(zhǎng)45s。十，通入Ga源，生長(zhǎng)3nmGaN保護(hù)層63，反應(yīng)壓力為400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為5000-30000，其中有機(jī)源的載氣為N2。十一，切換主載氣為H2，升高反應(yīng)溫度到810℃，通入Ga源，NH3和硅烷，生長(zhǎng)12nmN型摻雜GaN量子壘層61，反應(yīng)壓力為400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為5000-30000，N型摻雜濃度為1×1017-5×1018，其中有機(jī)源的載氣為H2。十二，重復(fù)步驟八至步驟十一生長(zhǎng)步驟8個(gè)周期，其中最后兩個(gè)周期循環(huán)中，步驟十一中的硅烷不通入反應(yīng)室內(nèi)。十三，切換主載氣為N2，在850℃下生長(zhǎng)50nmP型階梯摻雜的GaN空穴注入層7，反應(yīng)壓力為400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為500-5000，其中二茂鎂通入流量階梯式遞增，使其P型摻雜濃度滿(mǎn)足圖4所示濃度梯度趨勢(shì)，平均摻雜濃度為5×1017-5×1018。十四，切換主載氣為H2，升高反應(yīng)溫度到900℃，通入Ga源，NH3和二茂鎂，周期性的通入In源，生長(zhǎng)5個(gè)周期的P型摻雜的GaN/InGaN超晶格層10，厚度為GaN層4nm/InGaN層2nm，In組分為0.07，反應(yīng)壓力為400mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為500-5000，P型摻雜濃度為1×1017-5×1018，其中In源載氣為N2。十五，切換主載氣為H2，升高反應(yīng)溫度到1050℃，通入Ga源，Al源，NH3和二茂鎂，生長(zhǎng)25nmP型摻雜的AlGaN電子阻擋層8，其中Al組分為0.2，反應(yīng)壓力為250mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為500-5000，P型摻雜濃度為5×1017-5×1018。十六，通入Ga源，NH3和二茂鎂，生長(zhǎng)200nmP型摻雜的GaN電子阻擋層，形成P型摻雜層9，反應(yīng)壓力為250mbar，Ⅴ/Ⅲ之比為500-5000，P型摻雜濃度為5×1017-1×1019。十七，降低反應(yīng)溫度到800℃，在純N2氛圍下退火600s，降低反應(yīng)溫度到室溫，結(jié)束外延生長(zhǎng)，形成如圖2所示的外延結(jié)構(gòu)。除文中特殊說(shuō)明外，以上所用有機(jī)源的載氣均為H2。本發(fā)明旨在獲得一種具有高質(zhì)量InGaN/GaN多量子阱有源層的LED，實(shí)施例一所生長(zhǎng)的藍(lán)光LED光功率相比傳統(tǒng)藍(lán)光LED外延生長(zhǎng)方式可提升20%以上，實(shí)施例二所生長(zhǎng)的綠光LED光功率相比傳統(tǒng)綠光LED外延生長(zhǎng)方式可提升25%以上。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非對(duì)本案設(shè)計(jì)的限制，凡依本案的設(shè)計(jì)關(guān)鍵所做的等同變化，均落入本案的保護(hù)范圍。