陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠在不增加顯示裝置的功耗的同時(shí)，提高顯示裝置的色域范圍、透光率。該種陣列基板，包括陣列式排布的薄膜晶體管單元，還包括位于所述薄膜晶體管單元之上的量子點(diǎn)層，所述量子點(diǎn)層包括至少三種量子點(diǎn)，任一種量子點(diǎn)受到來自所述陣列基板的入光處的光照激發(fā)出對應(yīng)波段的光。
【專利說明】陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著科技的發(fā)展，液晶顯示器技術(shù)也隨之不斷完善。薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯不裝置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,簡稱TFT-LCD)以其圖像顯示品質(zhì)好、能耗低、環(huán)保等優(yōu)勢占據(jù)著顯示器領(lǐng)域的重要位置。近幾年興起的基于有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱0LED)的顯示技術(shù)也日益成熟,其構(gòu)造簡單，厚度薄，響應(yīng)速度快，可以實(shí)現(xiàn)更加豐富的色彩。
[0003]其中，TFT-1XD或OLED都依靠其內(nèi)部設(shè)置的紅色濾色層、綠色濾色層、以及藍(lán)色濾色層等彩色濾色層的濾光作用，將光源發(fā)出的白光分別轉(zhuǎn)化為紅、綠、藍(lán)等單色光，不同顏色的彩色濾色層分別透射對應(yīng)顏色波段的光，從而實(shí)現(xiàn)TFT-LCD或OLED的彩色顯示。
[0004]發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)，若需要擴(kuò)大LCD或OLED的色域范圍，就得提高彩色濾色層的色彩純度，這樣會(huì)降低彩色濾色層的透光率。為了保證TFT-LCD或OLED的顯示亮度，還需要提高光源的出光強(qiáng)度，導(dǎo)致TFT-LCD或OLED功耗的增加。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠在不增加顯示裝置的功耗的同時(shí)，提高顯示裝置的色域范圍、透光率。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明陣列基板及其制作方法、顯示裝置采用如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明的第一方面提供了一種陣列基板，包括陣列式排布的薄膜晶體管單元，還包括位于所述薄膜晶體管單元之上的量子點(diǎn)層，所述量子點(diǎn)層包括至少三種量子點(diǎn)，任一種量子點(diǎn)受到來自所述陣列基板的入光處的光照激發(fā)出對應(yīng)波段的光。
[0008]進(jìn)一步的，所述量子點(diǎn)層包括紅色量子點(diǎn)區(qū)域、藍(lán)色量子點(diǎn)區(qū)域和綠色量子點(diǎn)區(qū)域。
[0009]進(jìn)一步的，所述量子點(diǎn)層中的量子點(diǎn)為半導(dǎo)體納米晶體，至少由鋅、鎘、硒和硫原子組合而成。
[0010]進(jìn)一步的，所述陣列基板依次包括:襯底基板、薄膜晶體管單元、第一絕緣層、第二絕緣層、量子點(diǎn)層和第一導(dǎo)電層，其中，所述第一絕緣層包括第一過孔，所述第二絕緣層包括第二過孔，所述量子點(diǎn)層包括第三過孔，所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔相通，所述第一導(dǎo)電層通過所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔連接到所述薄膜晶體管單元的漏極。
[0011]進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括彩色濾色層，所述彩色濾色層與所述量子點(diǎn)層相t匕，遠(yuǎn)離所述陣列基板的入光處，其中，所述彩色濾色層包括紅色區(qū)域、藍(lán)色區(qū)域和綠色區(qū)域，所述紅色區(qū)域?qū)?yīng)于所述量子點(diǎn)層的紅色量子點(diǎn)區(qū)域設(shè)置，所述藍(lán)色區(qū)域?qū)?yīng)于所述量子點(diǎn)層的藍(lán)色量子點(diǎn)區(qū)域設(shè)置，所述綠色區(qū)域?qū)?yīng)于所述量子點(diǎn)層的綠色量子點(diǎn)區(qū)域設(shè)置。
[0012]進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括第二導(dǎo)電層，以及位于所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間的第三絕緣層。
[0013]進(jìn)一步的,所述第二導(dǎo)電層為狹縫狀,所述第一導(dǎo)電層為板狀或者為狹縫狀。
[0014]進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括位于所述第一導(dǎo)電層上方的第四絕緣層、有機(jī)層和第三導(dǎo)電層，所述第四絕緣層具有開口，所述有機(jī)層通過所述開口接觸所述第一導(dǎo)電層。
[0015]進(jìn)一步的,所述有機(jī)層包括空穴傳輸層、發(fā)光層與電子傳輸層。
[0016]進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括位于所述薄膜晶體管單元之上的黑矩陣。
[0017]在本發(fā)明實(shí)施例中，顯示裝置提供的白光或其他光線首先進(jìn)入量子點(diǎn)層，激發(fā)量子點(diǎn)層中的量子點(diǎn)發(fā)出包括紅光、綠光和藍(lán)光在內(nèi)的混合光，之后混合光進(jìn)入彩色濾色層，彩色濾色層不同顏色的區(qū)域?yàn)V出不同顏色的光。由于量子點(diǎn)發(fā)出的單色光的色彩純度較高，因此無需提高彩色濾色層的色彩純度，從而在不增加顯示裝置的光源的出光強(qiáng)度的同時(shí)，提高了顯示裝置的色域范圍和透光率。
[0018]本發(fā)明的第二方面提供了一種顯示裝置，包括上述的任一種陣列基板。
[0019]本發(fā)明的第三方面提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0020]形成包括薄膜晶體管單元的各層結(jié)構(gòu)的圖形；
[0021]在所述薄膜晶體管單元之上形成包括至少三種量子點(diǎn)的量子點(diǎn)層，其中，任一種量子點(diǎn)受到來自所述陣列基板的入光處的光照激發(fā)出對應(yīng)波段的光。
[0022]進(jìn)一步的，所述形成包括薄膜晶體管單元的各層結(jié)構(gòu)的圖形之后，還包括:
[0023]在所述薄膜晶體管單元之上形成第一絕緣層，對所述第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成對應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的第一過孔；
[0024]在所述第一絕緣層之上形成第二絕緣層，對所述第二絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成對應(yīng)于所述第一過孔的突起；
[0025]對所述突起進(jìn)行曝光；
[0026]所述在所述薄膜晶體管單元之上形成包括至少三種量子點(diǎn)的量子點(diǎn)層包括:
[0027]在所述第二絕緣層上方形成量子點(diǎn)層，對所述突起進(jìn)行顯影以去除所述突起處的量子點(diǎn)層和突起下方的第二絕緣層，形成所述量子點(diǎn)層的第三過孔和所述第二絕緣層的第二過孔，所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔相通；
[0028]在所述量子點(diǎn)層上方形成包括第一導(dǎo)電層的圖形；
[0029]或，
[0030]在所述薄膜晶體管單元之上形成第一絕緣層；
[0031]在所述第一絕緣層之上形成第二絕緣層，對所述第二絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成對應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的突起；
[0032]對所述突起進(jìn)行曝光；
[0033]所述在所述薄膜晶體管單元之上形成包括至少三種量子點(diǎn)的量子點(diǎn)層包括:
[0034]在所述第二絕緣層上方形成量子點(diǎn)層，對所述突起進(jìn)行顯影以去除所述突起處的量子點(diǎn)層和突起下方的第二絕緣層，形成所述量子點(diǎn)層的第三過孔和所述第二絕緣層的第二過孔，所述第三過孔和所述第二過孔相通；[0035]以所述第二絕緣層為掩膜對形成對應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的突起，所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔相通；
[0036]在所述量子點(diǎn)層上方形成包括第一導(dǎo)電層的圖形。
[0037]進(jìn)一步的，所述的制作方法還包括:
[0038]形成彩色濾色層，其中，所述彩色濾色層與所述量子點(diǎn)層相比，遠(yuǎn)離所述陣列基板的入光處。
[0039]進(jìn)一步的，所述的制作方法還包括:形成第三絕緣層和第二導(dǎo)電層，所述第三絕緣層位于所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間。 [0040]進(jìn)一步的，所述的制作方法，還包括:
[0041]在所述第一導(dǎo)電層上形成第四絕緣層，所述第四絕緣層上具有開口 ；
[0042]在所述第四絕緣層上形成有機(jī)層，所述有機(jī)層通過所述開口與所述第一導(dǎo)電層接觸；
[0043]在所述有機(jī)層上形成第三導(dǎo)電層。
[0044]進(jìn)一步的,所述的制作方法還包括:
[0045]在所述薄膜晶體管單元上方形成包括黑矩陣的圖形。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0046]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0047]圖1為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0048]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0049]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0050]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0051]圖5為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖五；
[0052]圖6為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖六；
[0053]圖7為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖七；
[0054]圖8為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的制作方法的流程圖一；
[0055]圖9為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的制作方法的流程圖二 ；
[0056]圖10為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖八；
[0057]圖11為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖九；
[0058]圖12為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖十；
[0059]圖13為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖1^一 ；
[0060]圖14為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的制作方法的流程圖三；
[0061]圖15為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的制作方法的流程圖四。
[0062]附圖標(biāo)記說明:
[0063]I一襯底基板；2—薄膜晶體管單元； 21—柵極；
[0064]22一柵極絕緣層； 23—有源層；24—源極；[0065]25—漏極；3—量子點(diǎn)層；4一第一絕緣層；
[0066]5—第二絕緣層；6—第一導(dǎo)電層；7—第三絕緣層；
[0067]8—第二導(dǎo)電層；9 一彩色濾色層；10—第四絕緣層；
[0068]11 一有機(jī)層；12—第三導(dǎo)電層；13—黑矩陣；
[0069]14一第一過孔；15—第二過孔；16—第三過孔；
[0070]17—第四過孔；18—開口。
【具體實(shí)施方式】
[0071]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人 員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0072]實(shí)施例一
[0073]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖1所示，包括陣列式排布的薄膜晶體管單元2,還包括位于所述薄膜晶體管單元2之上的量子點(diǎn)層3,所述量子點(diǎn)層3包括至少三種量子點(diǎn)，任一種量子點(diǎn)受到來自所述陣列基板的入光處的光照激發(fā)出對應(yīng)波段的光。
[0074]量子點(diǎn)是一些肉眼無法看到的、極其微小的半導(dǎo)體納米晶體，由鋅、鎘、硒和硫原子等組合而成，晶體中的顆粒直徑通常不足10納米。它有一個(gè)與眾不同的特性:當(dāng)受到電或光刺激時(shí)就會(huì)發(fā)光，產(chǎn)生純色的光線，具體的，發(fā)出的光線的顏色由量子點(diǎn)的組成材料和大小、形狀所決定。尺寸越小越偏向藍(lán)光、越大越偏向紅光，可根據(jù)實(shí)際情況對量子點(diǎn)的尺寸進(jìn)行調(diào)整，以得到不同顏色的光線。
[0075]具體的，在本發(fā)明實(shí)施例中，該量子點(diǎn)層3包括發(fā)出紅光的紅色量子點(diǎn)、發(fā)出綠光的綠色量子點(diǎn)和發(fā)出藍(lán)光的藍(lán)色量子點(diǎn)。一般的，紅色量子點(diǎn)的尺寸為8~IOnm,其對應(yīng)發(fā)出的紅光的波長為610nm~620nm ;綠色量子點(diǎn)的尺寸為5~7nm，其對應(yīng)發(fā)出的綠光的波長為540nm~550nm ;藍(lán)色量子點(diǎn)的尺寸為3~5nm，其對應(yīng)發(fā)出的藍(lán)光的波長為475nm~485nm。顯然，本發(fā)明實(shí)施例中的量子點(diǎn)激發(fā)出的各顏色的光的波長較窄，即各顏色的光的顏色較純粹。
[0076]進(jìn)一步的，在本發(fā)明實(shí)施例中，由于陣列基板上包括量子點(diǎn)層，顯然，若顯示裝置的出光結(jié)構(gòu)(例如背光源)位于陣列基板的襯底基板一側(cè)，此時(shí)陣列基板內(nèi)的光的路徑如圖1中的虛線箭頭所示。白光進(jìn)入量子點(diǎn)層后，激發(fā)各量子點(diǎn)發(fā)光，相應(yīng)的，紅色量子點(diǎn)發(fā)出純粹的紅光，綠色量子點(diǎn)發(fā)出純粹的綠光，藍(lán)色量子點(diǎn)發(fā)出純粹的藍(lán)光，即量子點(diǎn)層3在白光或其他光線的激發(fā)下，發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光的混合光。
[0077]由于此時(shí)量子點(diǎn)層3發(fā)出的光為混合光，并不能立即用于顯示使用，因此還需要配合位于彩膜基板上的彩色濾色層，經(jīng)過彩色濾色層的濾光作用。具體的，紅色的彩色濾色層只允許混合光中的紅光通過，將綠光和藍(lán)光吸收掉；類似的，綠色的彩色濾色層只允許混合光中的綠光通過，將紅光和藍(lán)光吸收掉；藍(lán)色的彩色濾色層只允許混合光中的藍(lán)光通過。
[0078]需要說明的是，由于量子點(diǎn)層3受激發(fā)出的紅光、綠光和藍(lán)光波長的差距較大，因此，無需提高彩膜基板上的彩色濾色層的色彩純度即可保證最終發(fā)出的光的飽和度、色彩順度較高，因此，可保證彩色濾色層的透光率，進(jìn)而保證顯示裝置的顯示亮度。[0079]最終，本發(fā)明實(shí)施例中的基板的紅色的彩色濾色層發(fā)出純粹的紅光，綠色的彩色濾色層發(fā)出純粹的綠光，藍(lán)色的彩色濾色層發(fā)出純粹的藍(lán)光。顯然，本發(fā)明實(shí)施例中的基板發(fā)出的純色的光線的色彩純度較高，因此，包含該基板的顯示裝置可以提供的顏色的種類較多，其色域范圍較大。
[0080]綜上，在本發(fā)明實(shí)施例中，顯示裝置提供的白光或其他光線首先進(jìn)入量子點(diǎn)層，激發(fā)量子點(diǎn)層中的量子點(diǎn)發(fā)出包括紅光、綠光和藍(lán)光在內(nèi)的混合光，之后混合光進(jìn)入彩色濾色層，彩色濾色層不同顏色的區(qū)域?yàn)V出不同顏色的光。由于量子點(diǎn)發(fā)出的單色光的色彩純度較高，因此無需提高彩色濾色層的色彩純度，從而在不增加顯示裝置的光源的出光強(qiáng)度的同時(shí)，提高了顯示裝置的色域范圍和透光率。
[0081]具體的，以圖1所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，介紹一下陣列基板的結(jié)構(gòu)。如圖1所示，所述陣列基板依次包括:襯底基板1、薄膜晶體管單元2、第一絕緣層4、第二絕緣層5、量子點(diǎn)層3和第一導(dǎo)電層6，其中，所述第一絕緣層4包括第一過孔14，所述第二絕緣層5包括第二過孔15，所述量子點(diǎn)層3包括第三過孔16，所述第一過孔14、所述第二過孔15和所述第三過孔16相通，所述第一導(dǎo)電層6通過所述第三過孔16、所述第二過孔15和所述第一過孔14連接到所述薄膜晶體管單元I的漏極15。
[0082]其中，襯底基板I可以利用玻璃、石英等常見的透明材質(zhì)制成；柵極21可利用單層鑰、鋁，鎢、鈦、銅等金屬或者其合金中的一種制成，也可以由上述等金屬的多層組合制成；類似的，源極24或漏極25也可以利用單層鑰、鋁，鎢、鈦、銅等金屬或者其合金中的一種制成，也可以由上述等金屬的多層組合制成。
[0083]進(jìn)一步的，所述有源層23可采用非晶硅、多晶硅或銦鎵鋅氧化物等常用的半導(dǎo)體材料形成；第一導(dǎo)電層6可為氧化銦錫或氧化銦鋅等常見的透明導(dǎo)電材料。
[0084]顯然，第一導(dǎo)電層6連接薄膜晶體管單元I的漏極15，相當(dāng)于陣列基板的像素電極。
[0085]通常，該第一絕緣層4通常又稱為鈍化層，采用鈍化層工藝不僅提高了顯示裝置的耐嚴(yán)酷環(huán)境的能力，而且有助于改善薄膜晶體管單元I的光電參數(shù)性能。但是鈍化層通常采用氧化硅、氮化硅、氧化鉿、樹脂等絕緣材料。第二絕緣層5又叫做平坦層，可起到將基板的表面平整的作用，有利于該陣列基板的后續(xù)制作、加工。
[0086]圖1所示的量子點(diǎn)層3位于第一導(dǎo)電層6和第二絕緣層5之間，在本發(fā)明實(shí)施例中，量子點(diǎn)層3也可如圖2所示位于第一絕緣層4和第二絕緣層5之間，或者位于陣列基板的其它層之間，本發(fā)明實(shí)施例對此不進(jìn)行限制。
[0087]顯然，圖1或圖2所示的陣列基板為扭曲向列型(Twisted Nematic，簡稱TN)模式的陣列基板。在此基礎(chǔ)上，可以考慮對圖1所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，例如，如圖3所示，該陣列基板在圖1所示的陣列基板的基礎(chǔ)上，所述基板還包括第二導(dǎo)電層8，以及位于所述第一導(dǎo)電層6和所述第二導(dǎo)電層8之間的第三絕緣層7，第二導(dǎo)電層8與第一導(dǎo)電層6相配合，共同驅(qū)動(dòng)液晶層中的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，即第二導(dǎo)電層8為本發(fā)明實(shí)施例中的公共電極。此時(shí)該陣列基板為COA工藝的高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換(Advanced Super Dimension Switch,簡稱ADS)模式的陣列基板。
[0088]所謂高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(Advanced Super Dimension Switch,簡稱ADS)其核心技術(shù)特性描述為:通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(PushMura)等優(yōu)點(diǎn)。針對不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進(jìn)技術(shù)有高透過率1-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。
[0089]類似的，也可在圖2所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)上形成第二導(dǎo)電層8和第三絕緣層7，形成ADS模式的陣列基板，在此不再贅述。
[0090]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該可以理解，上述實(shí)施例的充當(dāng)像素電極的第一導(dǎo)電層6可以為板狀或者狹縫狀，充當(dāng)公共電極的第二導(dǎo)電層8也是如此。進(jìn)一步的，雖然圖1所示的像素電極在下，公共電極在上，但實(shí)際上，像素電極和公共電極的上下順序可顛倒，但是在上的電極應(yīng)保證是狹縫狀的，在下的電極最好是板狀電極。不過有時(shí)候也會(huì)出現(xiàn)上下電極均為狹縫狀的，可以認(rèn)為是一種變型。
[0091]早期制造薄膜晶體管液晶顯示器的技術(shù)中，彩色濾色層與作為驅(qū)動(dòng)開關(guān)的薄膜晶體管形成在不同基板上，并位于液晶層兩側(cè)，然而這種配置方式會(huì)造成顯示面板的開口率降低，進(jìn)而影響顯示面板的亮度與畫面品質(zhì)。由于近年來，市場上對顯示面板的開口率及亮度的要求提高，業(yè)界為應(yīng)市場需求進(jìn)而開發(fā)出一種彩色濾色層直接形成在陣列基板上(Color filter On Array,簡稱C0A)的技術(shù)，即將彩色濾色層和薄膜晶體管形成在一塊基板上，如此不僅可以提升顯示面板的開口率，增加顯示面板的亮度，而且避免了將彩色濾色層和薄膜晶體管形成在不同基板上所衍生的問題。
[0092]如圖4或5所示，所述陣列基板還包括彩色濾色層9，所述彩色濾色層9與所述量子點(diǎn)層3相比，遠(yuǎn)離所述陣列基板的入光處。由此，可以保證顯示裝置提供的光首先進(jìn)入量子點(diǎn)層3，激發(fā)量子點(diǎn)層3中的量子點(diǎn)發(fā)光，量子點(diǎn)發(fā)出的混合光再經(jīng)過彩色濾色層3，經(jīng)過彩色濾色層3的濾色作用，為顯示裝置提供顯示所需的單色光。
[0093]具體的，在本發(fā)明實(shí)施例中，彩色濾色層9包括多個(gè)彩色濾色層區(qū)域，任一個(gè)彩色濾色層區(qū)域僅具有一種顏色，對應(yīng)像素單元的出光區(qū)域設(shè)置，出光區(qū)域即兩個(gè)薄膜晶體管單元之間的區(qū)域，即從圖4看來，任一個(gè)彩色濾色層區(qū)域設(shè)置在兩個(gè)薄膜晶體管單元I之間。
[0094]需要說明的是，圖4所示的陣列基板中，由于此時(shí)顯示裝置提供的光(如圖4中的虛線箭頭所示)是自第一導(dǎo)電層6 —側(cè)入射，自襯底基板I出射，因此入射光先進(jìn)入量子點(diǎn)層3再進(jìn)入彩色濾色層9，即所述彩色濾色層9與所述量子點(diǎn)層3相比遠(yuǎn)離所述陣列基板的入光處；如果顯示裝置提供的光(如圖5中的虛線箭頭所示)是自襯底基板I 一側(cè)入射，自第一導(dǎo)電層6 —側(cè)出射，則入射光應(yīng)首先進(jìn)入量子點(diǎn)層3之后再進(jìn)入彩色濾色層9，即如圖5所示的陣列基板所述彩色濾色層9與所述量子點(diǎn)層3相比遠(yuǎn)離所述陣列基板的入光處，以保證顯示裝置提供的光首先經(jīng)過量子點(diǎn)層3。
[0095]顯然，圖5中應(yīng)對位于第二絕緣層5上的彩色濾色層9進(jìn)行加工，使得彩色濾色層9具有與第二過孔15和第一過孔14相通的第四過孔17，則第一導(dǎo)電層6可以通過第四過孔17、第二過孔15和第一過孔14連接到漏極25。
[0096]也可對圖4所示的陣列基板進(jìn)行加工，在第一導(dǎo)電層6上形成第三絕緣層7和第二導(dǎo)電層8，形成如圖6所示的COA技術(shù)的ADS陣列基板。[0097]為了進(jìn)一步提高光的透過率，在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中，所述量子點(diǎn)層包括紅色量子點(diǎn)區(qū)域、藍(lán)色量子點(diǎn)區(qū)域和綠色量子點(diǎn)區(qū)域，相應(yīng)的，其中，所述彩色濾色層包括紅色區(qū)域、藍(lán)色區(qū)域和綠色區(qū)域，所述紅色區(qū)域?qū)?yīng)于所述量子點(diǎn)層的紅色量子點(diǎn)區(qū)域設(shè)置，所述藍(lán)色區(qū)域?qū)?yīng)于所述量子點(diǎn)層的藍(lán)色量子點(diǎn)區(qū)域設(shè)置，所述綠色區(qū)域?qū)?yīng)于所述量子點(diǎn)層的綠色量子點(diǎn)區(qū)域設(shè)置。這樣組成的量子點(diǎn)層，每個(gè)相對應(yīng)一個(gè)子像素的顏色的量子點(diǎn)區(qū)域能夠受背光源激發(fā)，只發(fā)出相應(yīng)顏色的光，相比于紅光、綠光和藍(lán)光的混合光能使最終的透過率提聞。
[0098]進(jìn)一步的，可將圖4所示的陣列基板進(jìn)行加工，如圖7所示，所述基板還包括位于所述第一導(dǎo)電層6上方的第四絕緣層10、有機(jī)層11和第三導(dǎo)電層12，所述第四絕緣層10具有開口 18，所述有機(jī)層11通過所述開口 18連接所述第一導(dǎo)電層6，所述第一導(dǎo)電層6與所述第三導(dǎo)電層12配合共同驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)層11發(fā)光，即此時(shí)的陣列基板為有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱 0LED)模式的陣列基板。
[0099]具體的,有機(jī)層11內(nèi)包括空穴傳輸層、發(fā)光層與電子傳輸層，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電層6和第三導(dǎo)電層12之間的電壓適當(dāng)時(shí)，空穴傳輸層中的正極空穴與電子傳輸層中的陰極電荷就會(huì)在發(fā)光層中結(jié)合，使發(fā)光層產(chǎn)生光亮。
[0100]需要說明的是，由于適合傳遞電子的有機(jī)材料不一定適合傳遞空穴，所以有機(jī)發(fā)光二極體的電子傳輸層和空穴傳輸層應(yīng)選用不同的有機(jī)材料或僅是摻雜的雜質(zhì)不同的有機(jī)材料。目前最常被用來制作電子傳輸層的材料必須制膜安定性高、熱穩(wěn)定且電子傳輸性佳，一般通常采用熒光染料化合物，如蒽二唑類衍生物、含萘環(huán)類衍生物、1-萘基、3-甲基苯基等。而空穴傳輸層的材料屬于一種芳香胺熒光化合物，如1-萘基等有機(jī)材料。
[0101]有機(jī)層11的材料須具備固態(tài)下有較強(qiáng)突光、載子傳輸性能好、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性佳、量子效率高且能夠真空蒸鍍的特性，例如可采用八羥基喹啉鋁。
[0102]其中的有機(jī)層11優(yōu)選能發(fā)出白光的材料，貝1J在本發(fā)明實(shí)施例中，與第一導(dǎo)電層6配合驅(qū)動(dòng)有機(jī)層11發(fā)光的第三導(dǎo)電層12優(yōu)選鋁等成本較低、不透光的材料，可使得有機(jī)層11發(fā)出的光基本都進(jìn)入陣列基板中(如圖7中的虛線箭頭所示)，提高有機(jī)層11發(fā)出的光的利用率。同時(shí)，還可防止有機(jī)層11發(fā)出的光經(jīng)由導(dǎo)電層反射后變色，保證顯示裝置的顯示效果。
[0103]另外，由于并不是整個(gè)陣列基板在工作中都向觀看者發(fā)出光，因此，可以在第一導(dǎo)電層6上不需要發(fā)光的區(qū)域(例如薄膜晶體管單元I的對應(yīng)區(qū)域)設(shè)置第四絕緣層10，以將第一導(dǎo)電層6和有機(jī)層11絕緣，防止該區(qū)域的有機(jī)層11發(fā)光；而在需要發(fā)光的區(qū)域，即亞像素區(qū)域，則通過在第四絕緣層10上設(shè)置有開口 18，使得有機(jī)層11通過所述開口 18與所述第一導(dǎo)電層6連接。由于該第四絕緣層10可對出光區(qū)域進(jìn)行限定，即對亞像素區(qū)域進(jìn)行限定，通常，該第四絕緣層10又稱為像素限定層，則開口 18對應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘l(fā)光區(qū)域，而第四絕緣層10覆蓋的區(qū)域不發(fā)光。
[0104]需要說明的是，雖然本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的示意圖中的薄膜晶體管單元I均為底柵型薄膜晶體管單元，但實(shí)際上，也可選用頂柵型薄膜晶體管單元，本發(fā)明實(shí)施例對此不進(jìn)行限制。
[0105]進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了 一種顯示裝置，包括上述任意一種陣列基板。具體的，該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0106]實(shí)施例二
[0107]本發(fā)明實(shí)施例提供一種本發(fā)明實(shí)施例提供一種實(shí)施例一所記載的陣列基板的制作方法，如圖8所示，該制作方法包括:
[0108]步驟S101、形成包括薄膜晶體管單元的各層結(jié)構(gòu)的圖形。
[0109]步驟S102、在所述薄膜晶體管單元之上形成包括至少三種量子點(diǎn)的量子點(diǎn)層，其中，任一種量子點(diǎn)受到來自所述陣列基板的入光處的光照激發(fā)出對應(yīng)波段的光。
[0110]如圖1所示，該薄膜晶體管單元2由下到上依次包括柵極21、位于柵極21之上的柵極絕緣層22、位于柵極絕緣層22之上的有源層23，因此在制作時(shí)，依次在陣列基板上形成柵極21、柵極絕緣層22、有源層23。
[0111]需要說明的是，在形成薄膜晶體管單元2的柵極21的同時(shí)，襯底基板I上的柵線(圖中未示出)等結(jié)構(gòu)也一體成型。
[0112]除了上述的柵極21、柵極絕緣層22、有源層23等結(jié)構(gòu)外，薄膜晶體管單元2還包括源極21和漏極25。在本發(fā)明實(shí)施例中，薄膜晶體管單元2的源極21和漏極25同層設(shè)置，因此可以考慮在形成漏極25的同時(shí)形成源極21。
[0113]若是源極21與漏極25不同層設(shè)置，則可以考慮根據(jù)實(shí)際情況，在形成漏極25之前或之后形成源極21，本發(fā)明實(shí)施例對此不進(jìn)行限制。
[0114]由于薄膜晶體管單元2具有上述的多層結(jié)構(gòu)，每制作薄膜晶體管單元2的一層結(jié)構(gòu)，都需要將該陣列基板整體放置于刻蝕氣體或刻蝕液體中，因此，若是將量子點(diǎn)層3設(shè)置于薄膜晶體管單元2之下，無法保證在經(jīng)過多次刻蝕氣體或刻蝕液體的腐蝕后量子點(diǎn)層3仍然完好。因此，應(yīng)先制作完畢薄膜晶體管單元之后再制作量子點(diǎn)層3。
[0115]進(jìn)一步的，以圖1所示的陣列基板的制作方法為例具體說明。為了制作圖1所示的陣列基板，如圖9所示，步驟SlOl和步驟S102之間，該制作方法還包括:
[0116]步驟S201、在所述薄膜晶體管單元之上形成第一絕緣層，對所述第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成對應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的第一過孔。
[0117]步驟S201之后，形成如圖10所示的陣列基板。
[0118]步驟S202、在所述第一絕緣層之上形成第二絕緣層，對所述第二絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成對應(yīng)于所述第一過孔的突起。
[0119]步驟S202之后，形成如圖11所示的陣列基板。
[0120]其中，第二絕緣層5優(yōu)選正性光刻膠，利用半色調(diào)掩膜板進(jìn)行第一次曝光之后顯影，形成對應(yīng)于所述第一過孔14的突起。
[0121]步驟S203、對所述突起進(jìn)行曝光。
[0122]則步驟S102包括:
[0123]步驟S204、在所述第二絕緣層上方形成量子點(diǎn)層，對所述突起進(jìn)行顯影以去除所述突起處的量子點(diǎn)層和突起下方的第二絕緣層，形成所述量子點(diǎn)層的第三過孔和所述第二絕緣層的第二過孔，所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔相通。
[0124]需要說明的是，由于量子點(diǎn)層3無法進(jìn)行刻蝕處理，因此在本發(fā)明實(shí)施例中，先對需要去除掉的量子點(diǎn)層3的對應(yīng)區(qū)域——突起處的第二絕緣層5進(jìn)行曝光處理，對曝光時(shí)長、曝光光強(qiáng)進(jìn)行合適的調(diào)控，可使得突起處的第二絕緣層5均被曝光；之后，通過沉積等方法形成量子點(diǎn)層3，量子點(diǎn)層3覆蓋整個(gè)第二絕緣層5，如圖12所示，此時(shí)，對陣列基板進(jìn)行顯影，顯然，由于第二絕緣層5采用正性光刻膠制成，已經(jīng)曝光處理過的突起處的第二絕緣層5會(huì)被去除，同時(shí)，覆蓋在突起處上的量子點(diǎn)層3也會(huì)被去除，形成量子點(diǎn)層3的第三過孔16和第二絕緣層5的第二過孔15，如圖13所示。
[0125]步驟S204之后，還包括:
[0126]步驟S205、在所述量子點(diǎn)層上方形成包括第一導(dǎo)電層的圖形。
[0127]由于第三過孔16、第二過孔15和第一過孔14相通，則第一導(dǎo)電層6可以連接到薄膜晶體管單元2的漏極25，即第一導(dǎo)電層6相當(dāng)于陣列基板的像素電極。
[0128]經(jīng)過上述步驟之后，形成如圖2所示的陣列基板。
[0129]上述的制作陣列基板的步驟中，第一絕緣層4的第一過孔14是通過形成第一絕緣層4之后立即進(jìn)行的構(gòu)圖工藝制成，第一過孔14也可以在形成第二過孔15和第三過孔16之后，以第二絕緣層5為掩膜板形成，如圖14所示，具體步驟如下:
[0130]步驟S301、在所述薄膜晶體管單元之上形成第一絕緣層。
[0131]步驟S302、在所述第一絕緣層之上形成第二絕緣層，對所述第二絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成對應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的突起。
[0132]步驟S303、對所述突起進(jìn)行曝光。
[0133]步驟S102包括:
[0134]步驟S304、在所述第二絕緣層上方形成量子點(diǎn)層，對所述突起進(jìn)行顯影以去除所述突起處的量子點(diǎn)層和突起下方的第二絕緣層，形成所述量子點(diǎn)層的第三過孔和所述第二絕緣層的第二過孔，所述第三過孔和所述第二過孔相通。
[0135]步驟S305、以所述第二絕緣層為掩膜對形成對應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的第一過孔，所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔相通。
[0136]步驟S306、在所述量子點(diǎn)層上方形成包括第一導(dǎo)電層的圖形。
[0137]經(jīng)過上述的步驟之后，同樣可以形成如圖2所示的陣列基板。
[0138]根據(jù)圖2所示的陣列基板的制作方法，可推知圖3所示的陣列基板的制作方法。其中，需要說明的是，由于圖3中的量子點(diǎn)層3位于第一絕緣層4和第二絕緣層5之間，為了制作量子點(diǎn)層3的圖形，需要利用半色調(diào)掩膜板對第一絕緣層4進(jìn)行兩次構(gòu)圖工藝，因此，此時(shí)第一絕緣層4優(yōu)選正光刻膠，需要注意的是，在對第一絕緣層4進(jìn)行第二次曝光的時(shí)候，應(yīng)該控制曝光的光強(qiáng)和時(shí)間，使得第一絕緣層4在經(jīng)過顯影之后，仍然可以將薄膜晶體管單元2、數(shù)據(jù)線(圖中未示出)等結(jié)構(gòu)完全覆蓋。
[0139]進(jìn)一步的，也可考慮在第一絕緣層4和量子點(diǎn)層3之間形成第五絕緣層，通過對第五絕緣層的構(gòu)圖工藝來形成量子點(diǎn)層3的圖形，在此不再贅述。
[0140]進(jìn)一步的，若需要制作COA技術(shù)的陣列基板，則該制作方法還包括:
[0141]形成彩色濾色層，其中，所述彩色濾色層與所述量子點(diǎn)層相比，遠(yuǎn)離所述陣列基板的入光處。
[0142]具體的，若是顯不裝置提供的光自陣列基板的第一導(dǎo)電層6 —側(cè)入射,從襯底基板I 一側(cè)出射，則彩色濾色層9應(yīng)放置在量子點(diǎn)層3和襯底基板I之間，如圖4所示；若顯示裝置提供的光自陣列基板的襯底基板I 一側(cè)出射，則彩色濾色層9應(yīng)放置在量子點(diǎn)層3的上方,如圖5所示。[0143]此時(shí)，圖4中的第一過孔14可在形成彩色濾色層9之前或之后形成，本發(fā)明實(shí)施例對此不進(jìn)行限制。
[0144]優(yōu)選的，在圖1所示的陣列基板的基礎(chǔ)上，可以形成第三絕緣層7和第二導(dǎo)電層8，所述第三絕緣層7位于所述第一導(dǎo)電層6和所述第二導(dǎo)電層8之間，以形成圖3所示的ADS模式的陣列基板。顯然，該第二導(dǎo)電層8相當(dāng)于配合第一導(dǎo)電層6的公共電極,如圖3所示。
[0145]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該可以理解，上述實(shí)施例的充當(dāng)像素電極的第一導(dǎo)電層7可以為板狀或者狹縫狀，充當(dāng)公共電極的第二導(dǎo)電層8也是如此。進(jìn)一步的，雖然圖2所示的像素電極在下，公共電極在上，但實(shí)際上，像素電極和公共電極的上下順序可顛倒，但是在上的電極應(yīng)保證是狹縫狀的，在下的電極最好是板狀電極。不過有時(shí)候也會(huì)出現(xiàn)上下電極均為狹縫狀的，可以認(rèn)為是一種變型。
[0146]顯然，也可在圖2、圖4或圖5所示的陣列基板的基礎(chǔ)上形成第三絕緣層7和第二導(dǎo)電層8，在此不再贅述。
[0147]進(jìn)一步的，還可在圖1所示的陣列基板的基礎(chǔ)上，增加有機(jī)層11等結(jié)構(gòu)，使得該基板為圖7所示的OLED模式的陣列基板。如圖15所示，具體方法如下:
[0148]步驟S401、在所述第一導(dǎo)電層上形成第四絕緣層，所述第四絕緣層上具有開口。
[0149]步驟S402、在所述第四絕緣層上形成有機(jī)層，所述有機(jī)層通過所述開口與所述第一導(dǎo)電層接觸。
[0150]步驟S403、在所述有機(jī)層上形成第三導(dǎo)電層。
[0151]進(jìn)一步的，由于OLED模式的顯示裝置僅具有陣列基板，不具有陣列基板配合的對盒基板，因此需將黑矩陣13設(shè)置于陣列基板上，具體的，在所述薄膜晶體管單元2上方形成包括黑矩陣3的圖形，如圖7所示。
[0152]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中所形成的薄膜晶體管單元可為底柵型薄膜晶體管單元也可為頂柵型薄膜晶體管單元，本發(fā)明實(shí)施例對此不進(jìn)行限定。
[0153]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括陣列式排布的薄膜晶體管單元，其特征在于，還包括位于所述薄膜晶體管單元之上的量子點(diǎn)層，所述量子點(diǎn)層包括至少三種量子點(diǎn)，任一種量子點(diǎn)受到來自所述陣列基板的入光處的光照激發(fā)出對應(yīng)波段的光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述量子點(diǎn)層包括紅色量子點(diǎn)區(qū)域、藍(lán)色量子點(diǎn)區(qū)域和綠色量子點(diǎn)區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述量子點(diǎn)層中的量子點(diǎn)為半導(dǎo)體納米晶體，至少由鋅、鎘、硒和硫原子組合而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板依次包括:襯底基板、薄膜晶體管單元、第一絕緣層、第二絕緣層、量子點(diǎn)層和第一導(dǎo)電層，其中，所述第一絕緣層包括第一過孔，所述第二絕緣層包括第二過孔，所述量子點(diǎn)層包括第三過孔，所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔相通，所述第一導(dǎo)電層通過所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔連接到所述薄膜晶體管單元的漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括彩色濾色層，所述彩色濾色層與所述量子點(diǎn)層相比，遠(yuǎn)離所述陣列基板的入光處，其中，所述彩色濾色層包括紅色區(qū)域、藍(lán)色區(qū)域和綠色區(qū)域，所述紅色區(qū)域?qū)?yīng)于所述量子點(diǎn)層的紅色量子點(diǎn)區(qū)域設(shè)置，所述藍(lán)色區(qū)域?qū)?yīng)于所述量子點(diǎn)層的藍(lán)色量子點(diǎn)區(qū)域設(shè)置，所述綠色區(qū)域?qū)?yīng)于所述量子點(diǎn)層的綠色量子點(diǎn)區(qū)域設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括第二導(dǎo)電層，以及位于所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間的第三絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層為狹縫狀，所述第一導(dǎo)電層為板狀或者為狹縫狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括位于所述第一導(dǎo)電層上方的第四絕緣層、有機(jī)層和第三導(dǎo)電層，所述第四絕緣層具有開口，所述有機(jī)層通過所述開口接觸所述第一導(dǎo)電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)層包括空穴傳輸層、發(fā)光層與電子傳輸層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括位于所述薄膜晶體管單元之上的黑矩陣。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的陣列基板。
12.—種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 形成包括薄膜晶體管單元的各層結(jié)構(gòu)的圖形； 在所述薄膜晶體管單元之上形成包括至少三種量子點(diǎn)的量子點(diǎn)層，其中，任一種量子點(diǎn)受到來自所述陣列基板的入光處的光照激發(fā)出對應(yīng)波段的光。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述形成包括薄膜晶體管單元的各層結(jié)構(gòu)的圖形之后，還包括: 在所述薄膜晶體管單元之上形成第一絕緣層，對所述第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成對應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的第一過孔； 在所述第一絕緣層之上形成第二絕緣層，對所述第二絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成對應(yīng)于所述第一過孔的突起；對所述突起進(jìn)行曝光； 所述在所述薄膜晶體管單元之上形成包括至少三種量子點(diǎn)的量子點(diǎn)層包括: 在所述第二絕緣層上方形成量子點(diǎn)層，對所述突起進(jìn)行顯影以去除所述突起處的量子點(diǎn)層和突起下方的第二絕緣層，形成所述量子點(diǎn)層的第三過孔和所述第二絕緣層的第二過孔，所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔相通； 在所述量子點(diǎn)層上方形成包括第一導(dǎo)電層的圖形； 或， 在所述薄膜晶體管單元之上形成第一絕緣層； 在所述第一絕緣層之上形成第二絕緣層，對所述第二絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成對應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的突起； 對所述突起進(jìn)行曝光； 所述在所述薄膜晶體管單元之上形成包括至少三種量子點(diǎn)的量子點(diǎn)層包括: 在所述第二絕緣層上方形成量子點(diǎn)層，對所述突起進(jìn)行顯影以去除所述突起處的量子點(diǎn)層和突起下方的第二絕緣層，形成所述量子點(diǎn)層的第三過孔和所述第二絕緣層的第二過孔，所述第三過孔和所述第二過孔相通； 以所述第二絕緣層為掩膜對形成對應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的突起，所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔相通； 在所述量子點(diǎn)層上方形成包括第一導(dǎo)電層的圖形。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其特征在于，還包括: 形成彩色濾色層，其中，所述彩色濾色層與所述量子點(diǎn)層相比，遠(yuǎn)離所述陣列基板的入光處。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的制作方法，其特征在于，還包括: 形成第三絕緣層和第二導(dǎo)電層，所述第三絕緣層位于所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制作方法，其特征在于，還包括: 在所述第一導(dǎo)電層上形成第四絕緣層，所述第四絕緣層上具有開口 ； 在所述第四絕緣層上形成有機(jī)層，所述有機(jī)層通過所述開口與所述第一導(dǎo)電層接觸； 在所述有機(jī)層上形成第三導(dǎo)電層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制作方法，其特征在于，還包括: 在所述薄膜晶體管單元上方形成包括黑矩陣的圖形。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103730472SQ201310728310
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月25日
【發(fā)明者】舒適, 谷敬霞, 徐傳祥, 齊永蓮, 姚琪 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司