一種mos器件用的引線框架的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種MOS器件用的引線框架，由十六個引線框單元（1）單排連接組成，所述引線框單元之間固定連接，所述引線框單元之間設(shè)有定位孔（2），所述引線框單元包括散熱片（3）、基體（4）和引線腳，所述引線腳包括中間引線腳（5）和側(cè)引線腳（6），所述基體（4）上設(shè)有散熱片（3），所述中間引線腳（5）與基體（4）通過鍵合部（7）連接。本發(fā)明適于MOS器件使用，且其在物理、機(jī)械性能和尺寸方面達(dá)到使用要求的引線框架。
【專利說明】—種MOS器件用的引線框架
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及到一種引線框架，尤其涉及到一種MOS器件用的引線框架。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展迅速，特別是分立器件的封裝量很大，但MOS半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)特殊，其所用的引線框架在物理、機(jī)械性能和尺寸方面的要求特別高。目前市面上的引線框架并能達(dá)到對其塑料封裝的目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的問題是提供一種適于MOS器件用的引線框架，且其在物理、機(jī)械性能和尺寸方面達(dá)到使用要求的引線框架。
[0004]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種MOS器件用的引線框架，由十六個引線框單元單排連接組成，所述引線框單元之間固定連接，所述引線框單元之間設(shè)有定位孔，所述引線框單元包括散熱片、基體和引線腳，所述引線腳包括中間引線腳和側(cè)引線腳，所述基體上設(shè)有散熱片，所述中間弓I線腳與基體通過鍵合部連接，且適當(dāng)打彎。
[0005]作為發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述定位孔的直徑為2mm。
[0006]作為發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述中間引線腳設(shè)有一條，所述側(cè)引線腳設(shè)有兩條。
[0007]作為發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述引線框單元的寬度為11.37-11.43_，所述十六個引線框單元單排連接組成的引線框架的寬度為182.3-182.5mm。
[0008]作為發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述基體周圍設(shè)有V形槽，所述V形槽深0.1mm。
[0009]作為發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述基體內(nèi)設(shè)有若干凸起，所述凸起的底面為正方形，所述正方形的邊長為0.3mm,所述凸起的高度為0.12mm。
[0010]作為發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述凸起設(shè)有二十五個。所述凸起之間的相距1.4mm。
[0011]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)。
[0012]1、一種MOS器件用的引線框架，由十六個引線框單元單排連接組成，所述引線框單元之間固定連接，所述引線框單元之間設(shè)有定位孔，所述引線框單元包括散熱片、基體和弓丨線腳，所述引線腳包括中間引線腳和側(cè)引線腳，所述基體上設(shè)有散熱片，所述中間引線腳與基體通過鍵合部連接。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)及其設(shè)置使得其符合MOS塑封半導(dǎo)體器件的要求。且其在物理及機(jī)械性能符合使用要求。
[0013]、所述定位孔的直徑為2_。所述引線框單元的寬度為11.37-11.43_，所述十六個引線框單元單排連接組成的引線框架的寬度為182.3-182.5mm。所述基體周圍設(shè)有V形槽，所述V形槽深0.1mm。所述基體內(nèi)設(shè)有若干凸起，所述凸起的底面為正方形，所述正方形的邊長為0.3mm，所述凸起的高度為0.12mm。所述凸起設(shè)有二十五個。所述凸起之間的相距1.4mm。本發(fā)明的尺寸符合MOS塑封半導(dǎo)體器件的要求，且結(jié)構(gòu)簡單，適于生產(chǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】[0014]圖1為本發(fā)明MOS器件用的引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖2為本發(fā)明MOS器件用的引線框架的左視圖。
[0016]圖中:1-引線框單元，2-定位孔，3-散熱片，4-基體，5-中間引線腳，6-側(cè)引線腳，7-鍵合部。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的解釋說明。
[0018]如圖1和圖2所示，一種MOS器件用的引線框架，由十六個弓丨線框單元I單排連接組成，引線框單元I的寬度為11.37-11.43mm,十六個引線框單元I單排連接組成的引線框架的寬度為182.3-182.5mm。引線框單元之間固定連接，引線框單元之間設(shè)有定位孔2，定位孔2的直徑為2mm。
[0019]引線框單元包括散熱片3、基體4和引線腳，引線腳包括一條中間引線腳5和兩條側(cè)引線腳6，基體4上設(shè)有散熱片3，中間引線腳5與基體4通過鍵合部7連接。
[0020]基體4周圍設(shè)有V形槽，V形槽深0.1mm。基體內(nèi)設(shè)有若干凸起，凸起的底面為正方形，正方形的邊長為0.3mm，凸起的高度為0.12mm。凸起設(shè)有二十五個。凸起之間的相距1.4mm。
[0021]整個框架采用銅帶依次經(jīng)沖壓、表面處理、切斷成形而制成。
[0022]本申請內(nèi)容為本發(fā)明的示例及說明，但不意味著本發(fā)明可取得的優(yōu)點(diǎn)受此限制，凡是本發(fā)明實(shí)踐過程中可能對結(jié)構(gòu)的簡單變換、和/或一些實(shí)施方式中實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)的其中一個或多個均在本申請的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種MOS器件用的引線框架，其特征在于:由十六個引線框單元(I)單排連接組成，所述引線框單元之間固定連接，所述引線框單元之間設(shè)有定位孔(2)，所述引線框單元包括散熱片(3)、基體(4)和引線腳，所述引線腳包括中間引線腳(5)和側(cè)引線腳(6)，所述基體(4)上設(shè)有散熱片(3)，所述中間引線腳(5)與基體(4)通過鍵合部(7)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS器件用的引線框架，其特征在于:所述定位孔(2)的直徑為 2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS器件用的引線框架，其特征在于:所述中間引線腳(5)設(shè)有一條，所述側(cè)引線腳(5)設(shè)有兩條。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS器件用的引線框架，其特征在于:所述引線框單元(I)的寬度為11.37-11.43_，所述十六個引線框單元(I)單排連接組成的引線框架的寬度為182.3-182.5mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS器件用的引線框架，其特征在于:所述基體(4)周圍設(shè)有V形槽，所述V形槽深0.1mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS器件用的引線框架，其特征在于:所述基體內(nèi)設(shè)有若干凸起，所述凸起的底面為正方形，所述正方形的邊長為0.3mm，所述凸起的高度為0.12mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MOS器件用的引線框架，其特征在于:所述凸起設(shè)有二十五個，所述凸起之間的相距1.4mm。
【文檔編號】H01L23/495GK103531566SQ201310514982
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年10月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月28日
【發(fā)明者】沈健 申請人:沈健