本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種晶圓測試的方法。

背景技術(shù)：
晶圓測試（ChipProbing，CP）是在晶圓制造完成之后，對晶圓上每一個(gè)芯片進(jìn)行電性能力和電路機(jī)能的測試。晶圓測試也叫芯片測試（diesort）或晶圓電測（wafersort）。晶圓測試是為了以下目的，首先，可以在晶圓送到封裝工廠之前，鑒別出合格的芯片，不合格的芯片不進(jìn)行后續(xù)的封裝過程，節(jié)省成本。另外，能對器件/電路的電性參數(shù)進(jìn)行特性評估，工程師通過這些監(jiān)測參數(shù)的分布狀態(tài)來控制工藝的質(zhì)量水平。在測試時(shí)，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，同時(shí)探針與芯片的每一個(gè)焊墊相接觸。測試儀將電流或電壓通過探針輸入被測器件，然后測試該芯片對于此輸入信號(hào)的響應(yīng)，得到電性能參數(shù)。測試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制。現(xiàn)有的對晶圓上的芯片進(jìn)行測試的順序是，沿著某一方向，對晶圓上的芯片逐個(gè)進(jìn)行測試。如圖1所示，為現(xiàn)有的對晶圓上的芯片進(jìn)行測試的示意圖，其中虛線圍成的方格表示晶圓上的芯片，填充陰影的方格表示被標(biāo)記不良或電性能不佳的芯片。實(shí)際生產(chǎn)中，晶圓往往形成有缺口（notch）101用來粗對準(zhǔn)晶圓的位置，在本例子中，待測試的晶圓經(jīng)過粗對準(zhǔn)后缺口101朝向右側(cè)，探針從在水平方向上逐個(gè)逐行對芯片進(jìn)行測試（例如為圖1中實(shí)線標(biāo)出的路徑），然后將合格芯片與不良品在晶圓上的位置在計(jì)算機(jī)上以晶圓圖的形式記錄下來。一般來說，晶圓生產(chǎn)是按產(chǎn)品種類按批次生產(chǎn)，例如，同一盒晶圓，經(jīng)過完全同樣的生產(chǎn)過程和工藝參數(shù)，其上的芯片良率也呈相似的分布。然而，有時(shí)測試的結(jié)果并不能真實(shí)的反應(yīng)出晶圓上不良的芯片的分布，由于機(jī)臺(tái)校準(zhǔn)或測試設(shè)置等原因，測試結(jié)果會(huì)表現(xiàn)為該批次晶圓上的某些區(qū)域在測試方向上的芯片都被標(biāo)記為不良或電性能參數(shù)不佳（如圖1中陰影部分）。因此，工程師在面對這樣的測試結(jié)果時(shí)并不能分辨出是這些芯片確實(shí)存在缺陷還是由于測試引起的問題，只能通過重新測試或借助其他手段進(jìn)行確認(rèn)，這樣就增加了工藝時(shí)間，甚至嚴(yán)重的降低了生產(chǎn)效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供一種晶圓測試的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)無法直接分辨出不良的測試結(jié)果是由于芯片確實(shí)有缺陷還是由于測試引起的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種晶圓測試的方法，對晶圓上的芯片逐個(gè)進(jìn)行測試，所述晶圓測試的方法在兩個(gè)相互垂直的方向分別對待測試晶圓進(jìn)行測試?？蛇x的，待測試的晶圓為同批次的相同產(chǎn)品的多片晶圓，將所述多片晶圓分為兩組，兩組晶圓的進(jìn)行測試的方向相互垂直?？蛇x的，對所述多片晶圓中第奇數(shù)片的晶圓在第一方向進(jìn)行測試；對所述多片晶圓中的第偶數(shù)片晶圓在與第一方向垂直的第二方向進(jìn)行測試?？蛇x的，待測試的晶圓為單片晶圓，將所述單片晶圓劃分為多個(gè)區(qū)域，相鄰的區(qū)域進(jìn)行測試的方向相互垂直?？蛇x的，晶圓上相互垂直的兩條弦將晶圓分為四個(gè)區(qū)域，相鄰的兩個(gè)區(qū)域進(jìn)行測試的方向相互垂直?？蛇x的，晶圓上相互垂直的兩條直徑將晶圓等分為四個(gè)區(qū)域，按順時(shí)針方向定義這四個(gè)區(qū)域?yàn)榈谝粎^(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域、第四區(qū)域，其中第一區(qū)域和第三區(qū)域在第一方向進(jìn)行測試，第二區(qū)域和第四區(qū)域在第二方向進(jìn)行測試。可選的，定義晶圓缺口與晶圓圓心所在的直徑的方向?yàn)榈谝环较颍x晶圓平面內(nèi)與第一方向垂直的方向?yàn)榈诙较?。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的晶圓測試的方法具有以下優(yōu)點(diǎn)：所述晶圓測試的方法對待測試的晶圓在相互垂直的兩個(gè)方向上進(jìn)行測試，若是晶圓測試受到測試本身因素的影響時(shí)，不同的方向上的測試結(jié)果會(huì)呈現(xiàn)出明顯的區(qū)別分布，這樣可以直接通過測試結(jié)果分辨出本次測量是否受到測試本身因素的影響，從而能有效的分辨由于測試本身的因素影響而標(biāo)記的芯片不良，也就減少了需要重新測試或借助其他手段對測試結(jié)果進(jìn)行確認(rèn)的情況，進(jìn)一步的，還能通過測試結(jié)果確定受測試本身因素影響的晶圓的具體的區(qū)間，大大的提高了效率。附圖說明圖1為現(xiàn)有的對晶圓上的芯片進(jìn)行測試的示意圖；圖2A至圖2B為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的晶圓測試方法的示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例二所提供的晶圓測試方法的示意圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明的核心思想在于，提供一種晶圓測試的方法，該晶圓測試的方法對待測試的晶圓沿著兩個(gè)相互垂直的方向分別進(jìn)行測試，當(dāng)晶圓測試受到測試本身因素的影響時(shí)，不同的方向上的測試結(jié)果會(huì)呈現(xiàn)出明顯的區(qū)別分布，這樣，可以直接從測試結(jié)果中分辨出測試結(jié)果的良率分布是否受到測試本身因素的影響，大大提高了生產(chǎn)效率。下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的晶圓測試的方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。實(shí)施例一待測試的晶圓是為同批次的相同產(chǎn)品的多片晶圓，例如是標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)中的一盒晶圓（25片），將所述多片晶圓分為兩組，這兩組晶圓的進(jìn)行測試的方向相互垂直。如果存在測試本身因素的影響，那么在不同方向進(jìn)行測試的晶圓上會(huì)呈現(xiàn)明顯的區(qū)別，以此來直接分辨出該次測試是否存在測試本身的問題。優(yōu)選的，按奇數(shù)片和偶數(shù)片分為兩組，對第奇數(shù)片的晶圓在第一方向進(jìn)行測試；對所述多片晶圓中的第偶數(shù)片晶圓在與第一方向垂直的第二方向進(jìn)行測試。較優(yōu)的，參照圖2A至圖2B，定義晶圓缺口與晶圓圓心所在的直徑的方向（圖中水平方向）為第一方向，定義晶圓平面內(nèi)與第一方向垂直的方向（圖中豎直方向）為第二方向。也就是說，該批次的第1片晶圓在水平方向上對芯片進(jìn)行逐個(gè)逐行的測試（如圖2A所示），第2片晶圓在豎直方向上對芯片進(jìn)行逐個(gè)逐列的測試（如圖2B所示），第3片晶圓在水平方向上對芯片進(jìn)行逐個(gè)逐行的測試……依此類推。若是測試結(jié)果按晶圓的奇偶片數(shù)呈規(guī)律的間隔分布，例如在奇數(shù)片上均表現(xiàn)為在水平方向上部分區(qū)域芯片被標(biāo)記為不良或電性能參數(shù)不佳（圖2A中陰影部分），在偶數(shù)片晶圓上均表現(xiàn)為在豎直方向上部分區(qū)域芯片被標(biāo)記為不良或電性能參數(shù)不佳（圖2B中陰影部分），或者是第偶數(shù)片上對應(yīng)區(qū)域并無芯片在水平方向上標(biāo)記為不良或電性能參數(shù)不佳。則可以判斷出該次測試受到測試本身的因素影響，如測試校準(zhǔn)或參數(shù)設(shè)定的問題等。進(jìn)一步的，若按晶圓的奇偶片數(shù)呈規(guī)律的間隔分布的現(xiàn)象從該批次晶圓中的某片晶圓開始出現(xiàn)或結(jié)束，即可具體的確定受測試本身因素影響的晶圓的具體的區(qū)間。若是測試結(jié)果在該批次晶圓上不良區(qū)域的分布沒有按奇數(shù)片或偶數(shù)片的規(guī)律，例如不論奇數(shù)片還是偶數(shù)片都在區(qū)域的芯片在水平方向上標(biāo)記為不良，則可排除是由于測試因素的影響。實(shí)施例二在本實(shí)施例中，待測試的晶圓為單片晶圓，對這該片晶圓上的不同區(qū)域在兩個(gè)相互垂直的方向分別對待測試晶圓進(jìn)行測試，即可通過測試結(jié)果辨別出測試結(jié)果的良率分布是否受到測試問題的影響。具體的，本實(shí)施例中晶圓被其上相互垂直的兩條弦將晶圓分為四個(gè)區(qū)域，相鄰的兩個(gè)區(qū)域進(jìn)行測試的方向相互垂直。較優(yōu)的，利用晶圓上相互垂直的兩條直徑將晶圓等分為四個(gè)區(qū)域，本實(shí)施例中，選取其中一條直徑為經(jīng)過晶圓缺口的直徑，如圖3所示。按順時(shí)針方向定義這四個(gè)區(qū)域?yàn)榈谝粎^(qū)域311、第二區(qū)域312、第三區(qū)域313、第四區(qū)域314；定義晶圓缺口與晶圓圓心所在的直徑的方向?yàn)榈谝环较颍x晶圓平面內(nèi)與第一方向垂直的方向?yàn)榈诙较?，其中第一區(qū)域311和第三區(qū)域313在第一方向進(jìn)行測試，第二區(qū)域312和第四區(qū)域314在第二方向進(jìn)行測試。和實(shí)施例一中的原理相同，若這四個(gè)區(qū)域內(nèi)的良率分布隨著測試方向的不同在不同的區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)規(guī)則的變化，例如在第一區(qū)域311和第三區(qū)域313內(nèi)出現(xiàn)沿第一方向的不良芯片分布，在第二區(qū)域312和第四區(qū)域314內(nèi)出現(xiàn)沿第二方向的不良芯片分布，如圖3中所示，則可斷定本次測試存在由于測試本身原因造成的芯片被標(biāo)記為不良的因素；若這四個(gè)區(qū)域內(nèi)的良率分布并不隨測試方向不同發(fā)生明顯變化，例如，第一區(qū)域出現(xiàn)沿第一方向的不良芯片的分布，第二區(qū)域的不良芯片仍為沿第一方向分布，則可以判斷不是由于測試本身原因造成的芯片被標(biāo)記為不良。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中將實(shí)施例二中的對單片晶圓的測試方法結(jié)合到實(shí)施例一中，對每片晶圓都進(jìn)行如實(shí)施例二中的測試方式，并使相鄰晶圓的相同區(qū)域的測量方向相互垂直，同樣可以對同批次的多片晶圓進(jìn)行測試。綜上所述，本發(fā)明提供一種晶圓測試的方法，該方法在相互垂直的兩個(gè)方向上對待測試的晶圓進(jìn)行測試，從而能有效的分辨由于測試本身的因素影響而標(biāo)記的芯片不良，并從測試結(jié)果上直接分辨出測試結(jié)果是否受到測試本身因素的影響，也就減少了需要重新測試或借助其他手段對測試結(jié)果進(jìn)行確認(rèn)的情況，大大提高了效率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。