多層陶瓷電子部件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種多層陶瓷電子部件，包括：陶瓷本體，陶瓷本體包括多個(gè)介電層；以及多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極，第一和第二內(nèi)部電極在陶瓷本體內(nèi)設(shè)置成彼此面對并且具有不同的寬度，介電層介于第一和第二內(nèi)部電極之間，其中，多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極中的三個(gè)或更多個(gè)形成單個(gè)塊體，這些塊體被重復(fù)地層壓，并且當(dāng)在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極之中的最高內(nèi)部電極與最低內(nèi)部電極之間的最長距離為T1、并且最高內(nèi)部電極與最低內(nèi)部電極之間的最短距離為T2時(shí)，滿足0.76≤T2/T1≤0.97。
【專利說明】多層陶瓷電子部件及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引證
[0002]本申請要求于2012年12月20日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請N0.10-2012-0149936的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引證結(jié)合于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種具有極好可靠性的多層陶瓷電子部件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]近年來，由于已經(jīng)減小電子產(chǎn)品的尺寸，所以多層陶瓷電子部件也需要減小尺寸并且具有大的容量。
[0005]因此，人們試圖通過各種方法將介電層和內(nèi)部電極制薄并且大量地層疊，而且近年來，通過減小介電層的厚度，已經(jīng)制造出具有更大量層壓結(jié)構(gòu)的多層陶瓷電子部件。
[0006]同時(shí)，在陶瓷片或基片上印刷比陶瓷片或基片的面積更小并且具有預(yù)定的厚度的內(nèi)部電極，并且層壓這些片，從而制造多層陶瓷電子部件，尤其是制造多層陶瓷電容器，而且由于層壓量增多，所以邊緣部分所形成的梯級(step，階梯，臺階)增多。
[0007]因此，由于邊緣部分所形成的梯級隨著層壓量的增多而增多，所以介電層和內(nèi)部電極不平衡，造成電氣特性的退化。
[0008]而且，隨著層壓量 增大，由于這些梯級，導(dǎo)致多層陶瓷電容器內(nèi)的電極可在陶瓷本體的端部方向上彎曲，因此，切割陶瓷本體時(shí)，發(fā)生分層。
[0009]以下相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)公開了一種層壓內(nèi)部電極的技術(shù)，從而內(nèi)部電極的位置在陶瓷本體的寬度方向上偏離，但是這并非上述問題的基本解決方法。
[0010]因此，需要一種方法，用于解決切割時(shí)的分層問題以及切割時(shí)邊緣部分所形成的梯級增多所造成的問題。
[0011]【相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)】
[0012]【專利文獻(xiàn)I】日本專利特開N0.2004-022859
【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種具有極好可靠性的多層陶瓷電子部件及其制造方法。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種多層陶瓷電子部件，包括:陶瓷本體，其包括多個(gè)介電層；以及多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極，其在陶瓷本體內(nèi)設(shè)置成彼此面對并且具有不同的寬度，介電層介于第一和第二內(nèi)部電極之間，其中，多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極中的三個(gè)或更多個(gè)形成單個(gè)塊體(single block),這些塊體被重復(fù)地(iteratively,迭代地,反復(fù)地)層壓，并且當(dāng)在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極之中的最高內(nèi)部電極和最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl、并且其間的最短距離為T2時(shí)，滿足0.76 ( T2/T1 < 0.97。
[0015]所述塊體的數(shù)量可為5個(gè)或更多個(gè)。[0016]當(dāng)在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極之中的最高內(nèi)部電極和最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl、并且其間的最短距離為T2時(shí)，可滿足0.85 ( T2/T1 < 0.90。
[0017]多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極的層壓量可為150層或更多層。
[0018]所述內(nèi)部電極可包含選自由鈀(Pd)、鈀-銀(Pd-Ag)合金、鎳(Ni )、以及銅(Cu)構(gòu)成的組中的一種或更多種金屬。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種制造多層陶瓷電子部件的方法，該方法包括:利用包含陶瓷粉末的衆(zhòng)料制備多個(gè)陶瓷生片(ceramic green sheet,陶瓷生還)；通過包含金屬粉末的導(dǎo)電膏，在多個(gè)陶瓷生片上形成具有不同寬度的第一和第二內(nèi)部電極圖案；層壓多個(gè)陶瓷生片中的三個(gè)或更多個(gè)，以形成多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)(block laminates,塊體層壓板)；以及層壓并且燒制多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)，以形成包含多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極的陶瓷本體，其中，在所述陶瓷本體內(nèi)，當(dāng)在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極之中的最高內(nèi)部電極和最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl、并且其間的最短距離為T2時(shí)，滿足0.76 ( T2/Tl ( 0.97。
[0020]所述方法可進(jìn)一步包括在形成多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)之后壓縮這些塊體層壓結(jié)構(gòu)。[0021 ] 第一和第二內(nèi)部電極圖案可設(shè)置成在各個(gè)塊體內(nèi)具有相同的形式(form,形狀)。
[0022]塊體層壓結(jié)構(gòu)的數(shù)量可為5個(gè)或更多個(gè)。
[0023]當(dāng)在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極之中的最高內(nèi)部電極和最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl、并且其間的最短距離為T2時(shí)，可滿足0.85 ( T2/T1 < 0.90。
[0024]多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極的層壓量可為150層或更多層。
[0025]上述金屬粉末可包括選自由鈀(Pd)、鈀-銀(Pd-Ag )合金、鎳(Ni )、以及銅(Cu )構(gòu)成的組中的一種或多種。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]通過結(jié)合附圖進(jìn)行的以下詳細(xì)描述，將更清晰地理解本發(fā)明的以上和其他方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn)，在附圖中:
[0027]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的多層陶瓷電容器(MLCC)的示意性透視圖；
[0028]圖2為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的MLCC的陶瓷本體的示意性透視圖；
[0029]圖3為沿著圖2中的線A-A’截取的橫截面視圖；
[0030]圖4為根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的MLCC的陶瓷本體的示意性透視圖；
[0031]圖5為沿著圖4中的線A-A’截取的橫截面視圖；以及
[0032]圖6為示出一種根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的制造MLCC的過程的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]現(xiàn)在參照附圖，將詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，可通過多種不同的形式體現(xiàn)本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)理解為限于本文中所提出的實(shí)施例。確切地說，提供這些實(shí)施例，從而本公開將充分且完整，并且將本發(fā)明的范圍全部地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中，為了清晰起見，可放大一些元件的形狀和尺寸，并且在全文中，使用相同的參考數(shù)字表示相同或相似的部件。
[0034]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的多層陶瓷電容器(MLCC)的示意性透視圖。[0035]圖2為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的MLCC的陶瓷本體的示意性透視圖。
[0036]圖3為沿著圖2中的線A-A’截取的橫截面視圖。
[0037]圖4為根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的MLCC的陶瓷本體的示意性透視圖。
[0038]圖5為沿著圖4中的線A-A’截取的橫截面視圖。
[0039]圖6為示出一種根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的制造MLCC的過程的流程圖。
[0040]參照圖1到圖5，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的多層陶瓷電子部件可包括:陶瓷本體110，其包括多個(gè)介電層111 ;以及多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122，其在陶瓷本體110內(nèi)設(shè)置成彼此面對并且具有不同的寬度，所述介電層111插入第一和第二內(nèi)部電極之間，其中，多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122中的三個(gè)或更多個(gè)形成單個(gè)塊體，這些塊體重復(fù)地層壓，并且當(dāng)在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之中的最高內(nèi)部電極與最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl、并且其間的最短距離為T2時(shí)，滿足0.76 ( T2/T1 < 0.97。
[0041]在下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的多層陶瓷電子部件。尤其地，將一種多層陶瓷電容器(MLCC)作為一個(gè)實(shí)例進(jìn)行描述，但是本發(fā)明不限于此。
[0042]并不特別限制陶瓷本體110，并且所述陶瓷本體可具有比如六面體形狀。
[0043]同時(shí)，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的多層陶瓷電容器(MLCC)中，在圖1中，限定“長度方向”為“L方向”，“寬度方向”為“W方向”，并且“厚度方向”為“T方向”。在本文中，“厚度方向”可用于與層壓介電層中的“層壓方向(lamination direction)”具有相同的概念。
[0044]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的MLCC可包括:陶瓷本體110，其包括多個(gè)介電層111 ;以及多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122，其在陶瓷本體內(nèi)設(shè)置成彼此面對并且具有不同的寬度，所述介電層111插入第一和第二內(nèi)部電極之間。
[0045]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，通過層壓多個(gè)介電層，可形成陶瓷本體110。構(gòu)成陶瓷本體Iio的多個(gè)介電層111處于燒結(jié)狀態(tài)，其中，相鄰的介電層整合在一起，從而其間的界限可能不十分明顯。
[0046]通過燒制包含陶瓷粉末、有機(jī)溶劑、以及有機(jī)粘結(jié)劑的陶瓷生片，可形成介電層
111。陶瓷粉末為具有高K-介電常數(shù)(或高電容率)的材料，并且比如，可將基于鈦酸鋇(BaTiO3)的材料、基于鈦酸鍶(SrTiO3)的材料等等用作陶瓷粉末，但是本發(fā)明不限于此。
[0047]使用導(dǎo)電膏，可形成多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122，所述導(dǎo)電膏包括比如貴金屬(諸如鈀(Pd)、鈀-銀(Pd-Ag)合金等等)和鎳(Ni)以及銅(Cu)之中的一種或多種材料，但是并不特別限制本發(fā)明。
[0048]為了形成電容，第一和第二外部電極131和132可形成在陶瓷本體110的外表面上，并且與多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122電連接。
[0049]第一和第二外部電極131和132可由與內(nèi)部電極的材料相同的導(dǎo)電材料制成，但是本發(fā)明不限于此，并且第一和第二外部電極131和132可由比如銅(Cu)、銀(Ag)、鎳(Ni)等等制成。
[0050]通過將玻璃料加入金屬粉末內(nèi)并且進(jìn)行燒制，從而制備導(dǎo)電膏，使用該導(dǎo)電膏，可形成第一和第二外部電極131和132。
[0051]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122可具有不同的寬度。[0052]如上所述，通過形成第一和第二內(nèi)部電極121和122，從而這些內(nèi)部電極具有不同的寬度，可將邊緣部分的梯級最小化，在邊緣部分中陶瓷本體110的寬度方向上未形成任何內(nèi)部電極。
[0053]因此，實(shí)施具有極好的可靠性的MLCC，可解決介電層111和多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之間的不平衡。
[0054]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122中的三個(gè)或更多個(gè)形成單個(gè)塊體B，并且重復(fù)地層壓這些塊體。當(dāng)在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之中的最高內(nèi)部電極與最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl，并且其間的最短距離為T2時(shí)，可滿足 0.76 ( T2/T1 ^ 0.97ο
[0055]多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122中的三個(gè)或更多個(gè)形成單個(gè)塊體B，但是本發(fā)明不限于此，并且可將不同數(shù)量的第一和第二內(nèi)部電極121和122確定為單個(gè)塊體B。
[0056]塊體的數(shù)量可為5個(gè)或更多個(gè)，但是本發(fā)明不限于此，并且根據(jù)MLCC的電容，可確定塊體的數(shù)量。
[0057]而且，重復(fù)地層壓塊體B，并且通過重復(fù)地層壓塊體B可形成陶瓷本體110。
[0058]圖2和圖3示出了單個(gè)塊體包含總共三個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122的情況，并且圖4和圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的單個(gè)塊體包括總共五個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122的情況。
[0059]參照圖2和圖3 ，單個(gè)塊體內(nèi)所包含的第一和第二內(nèi)部電極121和122的總數(shù)為3時(shí)，按照順序?qū)訅旱谝粌?nèi)部電極、第二內(nèi)部電極、以及第一內(nèi)部電極，并且在這種情況下，第二內(nèi)部電極的寬度可大于第一內(nèi)部電極的寬度。
[0060]參照圖4和圖5，單個(gè)塊體內(nèi)所包含的第一和第二內(nèi)部電極121和122的總數(shù)為5時(shí)，按照順序?qū)訅旱谝粌?nèi)部電極、第二內(nèi)部電極、第一內(nèi)部電極、第二內(nèi)部電極、以及第一內(nèi)部電極，并且在這種情況下，中間的第一內(nèi)部電極可具有最大的寬度，在寬度最大的第一內(nèi)部電極的上部和下部上層壓的第二電極可具有更小的寬度，并且最外面的第一內(nèi)部電極可具有最小的寬度。
[0061]由于將第一和第二內(nèi)部電極121和122中的總共3到5個(gè)或更多個(gè)確定為單個(gè)塊體B，并且層壓多個(gè)這樣的塊體B，以便形成陶瓷本體110，所以實(shí)施具有極好可靠性的MLCC,可解決介電層111和多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之間的不平衡。
[0062]不特別限制多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122的層壓量。如，其可為150層
或更多層。
[0063]尤其地，由于多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122中的三個(gè)或更多個(gè)形成單個(gè)塊體B，并且重復(fù)地層壓這些塊體B，所以當(dāng)在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之中的最高內(nèi)部電極與最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl、并且其間的最短距離為T2時(shí)，可滿足0.76 ( T2/T1 ( 0.97。
[0064]通常，MLCC內(nèi)的層壓量增大時(shí)，在陶瓷本體的寬度方向上，電極形成部分與作為電極非形成部分的邊緣部分之間的梯級增大。
[0065]當(dāng)切割陶瓷本體時(shí)，該梯級可造成分層，使MLCC的可靠性嚴(yán)重降低。
[0066]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，當(dāng)在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之中的最高內(nèi)部電極和最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl、并且其間的最短距離為T2時(shí)，調(diào)節(jié)Tl和T2，以滿足0.76 ( Τ2/Τ1 ( 0.97，從而在陶瓷本體的寬度方向，電極形成部分與電極非形成部分之間的梯級減小。
[0067]因此，實(shí)施具有極好可靠性的MLCC，可改善當(dāng)切割陶瓷本體時(shí)產(chǎn)生的分層缺陷問題。
[0068]參照圖3，在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之中的最高內(nèi)部電極和最低內(nèi)部電極之間的最長距離Tl可限定為在陶瓷本體110內(nèi)層壓的多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之中的最外面的內(nèi)部電極之間在厚度方向上的最長距離。
[0069]多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122在陶瓷本體110的厚度方向上彎曲，并且在這種情況下，在陶瓷本體110的厚度方向上，在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之中的最外面的內(nèi)部電極之間存在最長距離和最短距離。
[0070]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，Tl可限定為在厚度方向上層壓在陶瓷本體110內(nèi)的多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之中的最外面的內(nèi)部電極之間的最長距離。
[0071]同時(shí)，由于多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122在陶瓷本體110的厚度方向上彎曲，所以最高和最低內(nèi)部電極在陶瓷本體110的厚度方向上可分別具有最高點(diǎn)和最低點(diǎn)。
[0072]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在最高和最低內(nèi)部電極內(nèi)，在陶瓷本體110的厚度方向上的最低點(diǎn)之間的間距可限定為T2。
[0073]在下文中所描述的制造根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的多層陶瓷電容器(MLCC)的方法中，將詳細(xì)描述一種調(diào)節(jié)T2和Tl以便滿足0.76 ( T2/T1 ( 0.97的方法。在制造過程中，通過形成多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)并且層壓這些塊體層壓結(jié)構(gòu)，可實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的MLCC。
[0074]這些塊體層壓結(jié)構(gòu)可這樣形成:將第一和第二內(nèi)部電極121和122中的3個(gè)或更多個(gè)確定為單個(gè)塊體B，并且層壓多個(gè)陶瓷生片中的3個(gè)或更多個(gè)，其中在陶瓷生片上以同樣的方式形成有不同寬度的第一和第二內(nèi)部電極圖案。
[0075]因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的MLCC可滿足0.76 ( T2/T1 ( 0.97，并且可防止
分層，提高可靠性。
[0076]如果T2/T1的值小于0.76，那么在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之中的最高內(nèi)部電極和最低內(nèi)部電極之間的最長距離Tl和最短距離T2之間的差值增大，從而造成分層等等，使可靠性降低。
[0077]如果T2/T1的值超過0.97，那么在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之中的最高內(nèi)部電極和最低內(nèi)部電極之間的最長距離Tl和最短距離T2之間的差值很小，從而造成分層等等，使可靠性降低。
[0078]尤其地，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如果在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之中的最高內(nèi)部電極和最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl，并且其間的最短距離為T2，那么當(dāng)滿足0.85 ( T2/T1 ( 0.90時(shí)，可進(jìn)一步提高可靠性。
[0079]圖6為示出一種根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的制造MLCC的過程的流程圖。
[0080]參照圖6，一種根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的制造多層陶瓷電子部件的方法可包括:利用包含陶瓷粉末的漿料制備多個(gè)陶瓷生片；通過包含金屬粉末的導(dǎo)電膏，在多個(gè)陶瓷生片上形成具有不同寬度的第一和第二內(nèi)部電極圖案；層壓多個(gè)陶瓷生片中的三個(gè)或更多個(gè)，以形成多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)；以及層壓并且燒制多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)，以形成包含多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極的陶瓷本體，其中，在所述陶瓷本體內(nèi)，當(dāng)在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之中的最高內(nèi)部電極和最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl，并且其間的最短距離為 T2 時(shí)，滿足 0.76 ^ T2/T1 ^ 0.97。
[0081]將描述制造根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的多層陶瓷電子部件的方法，而不描述上述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的多層陶瓷電子部件的特征，并且尤其地，將MLCC作為一個(gè)實(shí)例進(jìn)行描述。
[0082]在制造根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的MLCC的方法中，首先，可使用包含陶瓷粉末的漿料制備多個(gè)陶瓷生片。
[0083]不特別限制陶瓷粉末，并且陶瓷粉末比如可為鈦酸鋇(BaTiO3X
[0084]接下來，通過包含金屬粉末的導(dǎo)電膏在多個(gè)陶瓷生片上可分別形成具有不同寬度的第一和第二內(nèi)部電極圖案。
[0085]金屬粉末可包含選自由鈀(Pd)、鈀-銀(Pd-Ag )合金、鎳(Ni )、以及銅(Cu )構(gòu)成的組中的一種或多種。
[0086]然后，可層壓多個(gè)陶瓷生片中的三個(gè)或更多個(gè)，以形成多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)。
[0087]在構(gòu)成多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)的多個(gè)陶瓷生片上形成的第一和第二內(nèi)部電極圖案可具有不同的寬度。 [0088]而且，第一和第二內(nèi)部電極圖案可設(shè)置成在各個(gè)塊體內(nèi)具有相同的形式。
[0089]即，當(dāng)通過層壓三個(gè)生片形成多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)時(shí)，按照順序?qū)訅旱谝粌?nèi)部電極、第二內(nèi)部電極、以及第一內(nèi)部電極，并且在這種情況下，第二內(nèi)部電極的寬度可大于在其上部和下部上層壓的第一內(nèi)部電極的寬度。
[0090]同時(shí)，在形成多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)之后，可執(zhí)行壓縮多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不限于此。
[0091]分別壓縮多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)，并且隨后層壓。因此，在陶瓷本體內(nèi)，當(dāng)在多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極121和122之中的最高內(nèi)部電極和最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl，并且其間的最短距離為T2時(shí)，可滿足0.76 ( T2/T1 < 0.97。
[0092]即，與完全地層壓、壓縮、并且燒制陶瓷本體的多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極的情況相t匕，當(dāng)將其上形成具有不同寬度的第一和第二內(nèi)部電極圖案的陶瓷生片分成三個(gè)或更多個(gè)部分，以形成塊體層壓結(jié)構(gòu)，并且對其進(jìn)行壓縮時(shí)，可解決梯級問題。
[0093]然后，層壓和燒制多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)，以形成包含多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極的陶瓷本體。
[0094]通過上述過程可形成陶瓷本體，并且在這種情況下，多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極的層壓量可為150層或更多層，但是本發(fā)明不限于此。
[0095]在下文中，將更詳細(xì)地描述本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，但是本發(fā)明不限于此。
[0096]如下制造根據(jù)本實(shí)施例的MLCC。
[0097]首先，將包含諸如鈦酸鋇(BaTiO3)等平均粒徑為0.1 μ m的粉末的漿料施加于載體膜中，并且進(jìn)行干燥，以制備厚度范圍在1.05 μ m到0.95 μ m的多個(gè)陶瓷生片，從而形成介電層。
[0098]接下來，制備用于內(nèi)部電極的導(dǎo)電膏，其包含鎳粉末，鎳粉末的平均粒度范圍在
0.1 μ m 至Ij 0.2 μ m。[0099]制備用于內(nèi)部電極的導(dǎo)電膏，以便除了鎳粉末以外，還進(jìn)一步包括鈦酸鋇(BaTiO3)0
[0100]通過絲網(wǎng)印刷法，在生片上涂覆用于內(nèi)部電極的導(dǎo)電膏，以形成具有不同寬度的內(nèi)部電極，并且隨后層壓三個(gè)或更多個(gè)陶瓷生片，以形成多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)。
[0101]然后，層壓多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)，并且在本文中，第一和第二內(nèi)部電極的層壓量為300，并且每個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)的第一和第二內(nèi)部電極的總層數(shù)為10。
[0102]然后，壓縮并且切割陶瓷本體，以形成0603型芯片，并且在1050到1200°C的溫度范圍下，在H2的還原性氣氛為0.1%或以下時(shí)，燒制該芯片(chip)。
[0103]然后，執(zhí)行形成外部電極的過程、鍍覆過程等等，以制造多層陶瓷電容器(MLCC)。
[0104]根據(jù)通用的MLCC制造過程，制造一個(gè)比較實(shí)例。
[0105]在該實(shí)施例和比較實(shí)例上進(jìn)行分層測試的結(jié)果表明，在本發(fā)明的實(shí)施例的情況下，100個(gè)樣品沒有分層缺陷，而在比較實(shí)例的情況下，在100個(gè)樣品之中，有38個(gè)樣品具有分層缺陷。
[0106]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，實(shí)施分層缺陷更少并且可靠性優(yōu)異的多層陶瓷電子部件，解決了多層陶瓷電子部件的邊緣部分中梯級的增多。
[0107]由于已經(jīng)結(jié)合實(shí)施例示出和描述了本發(fā)明，所以對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不背離由所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，顯然可進(jìn)行修改和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種多層陶瓷電子部件，包括: 陶瓷本體，所述陶瓷本體包括多個(gè)介電層；以及 多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極，所述多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極在所述陶瓷本體內(nèi)設(shè)置成彼此面對并且具有不同的寬度，所述介電層介于所述第一和第二內(nèi)部電極之間， 其中，所述多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極中的三個(gè)或更多個(gè)形成單個(gè)塊體，所述塊體被重復(fù)地層壓，并且當(dāng)在所述多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極之中的最高內(nèi)部電極與最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl、并且所述最高內(nèi)部電極與所述最低內(nèi)部電極之間的最短距離為T2時(shí)，滿足 0.76 ( T2/T1 ^ 0.97ο
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子部件，其中，所述塊體的數(shù)量為5個(gè)或更多個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子部件，其中，當(dāng)在所述多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極之中的最高內(nèi)部電極與最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl、并且所述最高內(nèi)部電極與所述最低內(nèi)部電極之間的最短距離為Τ2時(shí)，滿足0.85 ( Τ2/Τ1 <0.90。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子部件，其中，所述多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極的層壓量為150層或更多層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子部件，其中，所述內(nèi)部電極包含選自由鈀(Pd)、IE -銀(Pd-Ag)合金、鎳(Ni)、以及銅(Cu)構(gòu)成的組中的一種或更多種金屬。
6.一種用于制造多層陶瓷電子部件的方法，所述方法包括: 利用包含陶瓷粉末的漿料制備多個(gè)陶瓷生片； 在所述多個(gè)陶瓷生片上利用包含金屬粉末的導(dǎo)電膏形成具有不同寬度的第一和第二內(nèi)部電極圖案；` 層壓所述多個(gè)陶瓷生片中的三個(gè)或更多個(gè)，以形成多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)；以及 層壓所述多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)并且燒制所述多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)，以形成包含多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極的陶瓷本體， 其中，在所述陶瓷本體內(nèi)，當(dāng)在所述多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極之中的最高內(nèi)部電極與最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl、并且所述最高內(nèi)部電極與所述最低內(nèi)部電極之間的最短距離為Τ2時(shí)，滿足0.76 ^ Τ2/Τ1 ^ 0.97。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括:在形成所述多個(gè)塊體層壓結(jié)構(gòu)之后壓縮所述塊體層壓結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，將所述第一和第二內(nèi)部電極圖案設(shè)置成在各個(gè)塊體內(nèi)具有相同的形式。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述塊體層壓結(jié)構(gòu)的數(shù)量為5個(gè)或更多個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，當(dāng)在所述多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極之中的所述最高內(nèi)部電極與所述最低內(nèi)部電極之間的最長距離為Tl、并且所述最高內(nèi)部電極與所述最低內(nèi)部電極之間的最短距離為Τ2時(shí)，滿足0.85 ( Τ2/Τ1 <0.90。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述多個(gè)第一和第二內(nèi)部電極的層壓量為150層或更多層。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述金屬粉末包含選自由鈀(Pd)、鈀-銀(Pd-Ag)合金、鎳(Ni)、以及銅(Cu)構(gòu)成的組中的一種或更多種。
【文檔編號】H01G4/005GK103887067SQ201310088537
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月20日
【發(fā)明者】金亨俊 申請人:三星電機(jī)株式會社