一種半導(dǎo)體加工方法以及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體加工方法和一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述方法包括：采用第一刻蝕方法在襯底上方的第一隔離層上刻蝕出第一結(jié)構(gòu)，所述第一結(jié)構(gòu)為至少一貫穿所述第一隔離層的通孔；采用第二刻蝕方法在所述具有第一結(jié)構(gòu)的第一隔離層的隔離下，對所述襯底進(jìn)行刻蝕，得到具有第二結(jié)構(gòu)的襯底，所述第二結(jié)構(gòu)為至少一具有開口的袋狀中空凹坑；采用第一剝除法將所述第一隔離層從所述具有所述第二結(jié)構(gòu)的襯底上剝除；采用第一氧化法對所述具有第二結(jié)構(gòu)的襯底進(jìn)行氧化，使所述第二結(jié)構(gòu)形成至少一封閉空腔。采用本發(fā)明所提供的方案，使半導(dǎo)體器件的寄生電容大幅減小，提高了所述半導(dǎo)體器件的性能，尤其是在高頻電路中應(yīng)用時的性能。
【專利說明】一種半導(dǎo)體加工方法以及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種半導(dǎo)體加工方法以及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。【背景技術(shù)】
[0002]水平擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管一般應(yīng)用于射頻和微波的功率放大器，與普通晶體管相比，LDMOS晶體管在關(guān)鍵的器件特性方面，如增益、線性度、開關(guān)性能、散熱性能以及減少級數(shù)等方面優(yōu)勢很明顯。目前高頻LDMOS開發(fā)正逐步展開，高頻LDMOS不同于其它的功率MOS管，由于其高頻特性，所以對寄生電容的要求極其高，要求寄生電容盡可能的小。為了降低寄生電容，目前業(yè)界普遍采用的方案是通過深槽厚氧的工藝方法來實現(xiàn)超厚的氧化層，使寄生電容盡可能減小。
[0003]但是，本申請發(fā)明人在實施本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中存在如下技術(shù)問題或缺陷:
[0004]由于組成上述氧化層的二氧化硅的相對介電常數(shù)是4，所以在某些應(yīng)用環(huán)境中，SP使大幅增加氧化層的厚度，仍存在寄生電容過大導(dǎo)致器件性能不夠理想的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體加工方法以及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的由于二氧化硅的相對介電常數(shù)較大，即使大幅增加氧化層的厚度，仍存在寄生電容過大導(dǎo)致器件性能不夠理想的技術(shù)問題。
[0006]一種半導(dǎo)體加工方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體加工設(shè)備中，所述方法包括以下步驟:
[0007]采用第一刻蝕方法在襯底上方的第一隔離層上刻蝕出第一結(jié)構(gòu)，所述第一結(jié)構(gòu)為至少一貫穿所述第一隔離層的通孔，使所述襯底在對應(yīng)第一結(jié)構(gòu)的位置不被所述第一隔離
層覆蓋；
[0008]采用第二刻蝕方法，在所述具有第一結(jié)構(gòu)的第一隔離層的隔離下，對所述襯底進(jìn)行刻蝕，得到具有第二結(jié)構(gòu)的襯底，所述第二結(jié)構(gòu)為至少一具有開口的袋狀中空凹坑；
[0009]采用第一剝除法將所述第一隔離層從所述具有所述第二結(jié)構(gòu)的襯底上剝除；
[0010]采用第一氧化法對所述具有第二結(jié)構(gòu)的襯底進(jìn)行氧化，通過所述第一氧化法使所述第二結(jié)構(gòu)形成至少一封閉空腔，所述封閉空腔位于襯底上形成的一氧化層中。
[0011]所述第一隔離層上還具有光刻膠，在采用第一刻蝕方法在襯底上方的第一隔離層上刻蝕出第一結(jié)構(gòu)之前，還包括:通過光刻的方法對所述光刻膠進(jìn)行選擇性照射，并在經(jīng)過顯影液處理后，使所述光刻膠上對應(yīng)所述第一結(jié)構(gòu)的位置溶解。
[0012]所述第一隔離層為硬掩膜，所述第一刻蝕方法為各向異性刻蝕且包括:
[0013]通過刻蝕所述硬掩膜上與所述光刻膠被照射區(qū)域?qū)?yīng)的位置，形成所述第一結(jié)構(gòu)。
[0014]在采用第二刻蝕方法之前，還包括:采用第二剝除法剝除所述光刻膠。
[0015]所述第二刻蝕方法為各向同性干法刻蝕，采用第二刻蝕方法，在所述具有第一結(jié)構(gòu)的第一隔離層的隔離下，對所述襯底進(jìn)行刻蝕，得到具有第二結(jié)構(gòu)的襯底包括:
[0016]在所述第一隔離層的隔離下，以各向同性的干法刻蝕所述襯底，得到具有至少一所述袋狀中空凹坑的襯底。
[0017]所述袋狀中空凹坑為橢圓狀，具有第一長度的最大內(nèi)徑，第二長度的開口處內(nèi)徑和第三長度的深度，且所述第一長度大于所述第二長度并小于所述第三長度。
[0018]所述第一剝除法為濕法硬掩膜剝除，針對所述硬掩膜的材料，采用對應(yīng)的剝除液，將所述硬掩膜從所述襯底上剝除。
[0019]所述第一氧化法為濕法氧化，通過氧化物的生長使所述袋狀凹坑的開口處被氧化物封閉，形成所述封閉空腔。
[0020]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:
[0021]襯底；
[0022]厚氧化層，位于所述襯底上方，所述厚氧化層中具有至少一封閉空腔，所述封閉空腔中封存有空氣，用于降低所述厚氧化層的平均介電常數(shù)。
[0023]通過本申請實施例中的一個或多個技術(shù)方案，至少可以實現(xiàn)如下技術(shù)效果:
[0024]本發(fā)明所述的方案與現(xiàn)有技術(shù)方案相比，本發(fā)明所提供的方案包括:采用第一刻蝕方法在襯底上方的第一隔離層上刻蝕出第一結(jié)構(gòu)，所述第一結(jié)構(gòu)為至少一貫穿所述第一隔離層的通孔，使所述襯底在對應(yīng)第一結(jié)構(gòu)的位置不被所述第一隔離層覆蓋；采用第二刻蝕方法，在所述具有第一結(jié)構(gòu)的第一隔離層的隔離下，對所述襯底進(jìn)行刻蝕，得到具有第二結(jié)構(gòu)的襯底，所述第二結(jié)構(gòu)為至少一具有開口的袋狀中空凹坑；采用第一剝除法將所述第一隔離層從所述具有所述第二結(jié)構(gòu)的襯底上剝除；采用第一氧化法對所述具有第二結(jié)構(gòu)的襯底進(jìn)行氧化，通過所述第一氧化法使所述第二結(jié)構(gòu)形成至少一封閉空腔，所述封閉空腔位于襯底上形成的一氧化層中，本發(fā)明所提供的方案解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的由于二氧化硅的相對介電常數(shù)較大，即使大幅增加氧化層的厚度，仍存在寄生電容過大導(dǎo)致器件性能不夠理想的技術(shù)問題。因此，采用本發(fā)明所提供的方案，使半導(dǎo)體器件的寄生電容大幅減小，提高了所述半導(dǎo)體器件的性能，尤其是在高頻電路中應(yīng)用時的性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1是本申請實施例中一種半導(dǎo)體加工方法的主要流程圖；
[0026]圖2-1是本申請實施例中通過步驟101所得的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖；
[0027]圖2-2是本申請實施例中通過步驟102所得的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖；
[0028]圖2-3是本申請實施例中通過步驟103所得的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖；
[0029]圖2-4是本申請實施例中通過步驟104所得的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖；
[0030]圖3是本申請實施例中一種半導(dǎo)體加工方法的詳細(xì)流程圖；
[0031]圖4是本發(fā)明實施例中一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0032]本發(fā)明方案提供一種半導(dǎo)體加工方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體加工設(shè)備中，所述方法包括:采用第一刻蝕方法在襯底上方的第一隔離層上刻蝕出第一結(jié)構(gòu)，所述第一結(jié)構(gòu)為至少一貫穿所述第一隔離層的通孔，使所述襯底在對應(yīng)第一結(jié)構(gòu)的位置不被所述第一隔離層覆蓋；采用第二刻蝕方法，在所述具有第一結(jié)構(gòu)的第一隔離層的隔離下，對所述襯底進(jìn)行刻蝕，得到具有第二結(jié)構(gòu)的襯底，所述第二結(jié)構(gòu)為至少一具有開口的袋狀中空凹坑；采用第一剝除法將所述第一隔離層從所述具有所述第二結(jié)構(gòu)的襯底上剝除；采用第一氧化法對所述具有第二結(jié)構(gòu)的襯底進(jìn)行氧化，通過所述第一氧化法使所述第二結(jié)構(gòu)形成至少一封閉空腔，所述封閉空腔位于襯底上形成的一氧化層中。采用本發(fā)明所提供的方案，通過在所述厚氧化層中形成至少一密封空腔，并且所述封閉空腔中封存有空氣，所述封閉空腔的結(jié)構(gòu)能夠降低所述厚氧化層的平均介電常數(shù)，從而使半導(dǎo)體器件的寄生電容大幅減小，提高了所述半導(dǎo)體器件的性能，尤其是在高頻電路中應(yīng)用時的性能。
[0033]下面結(jié)合各個附圖對本發(fā)明技術(shù)方案的主要實現(xiàn)原理、【具體實施方式】及其對應(yīng)能夠達(dá)到的有益效果進(jìn)行詳細(xì)的闡述:
[0034]如圖1所示，本發(fā)明實施例提供一種半導(dǎo)體加工方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體加工設(shè)備中，所述方法包括以下步驟:
[0035]步驟101:采用第一刻蝕方法在襯底上方的第一隔離層上刻蝕出第一結(jié)構(gòu)，所述第一結(jié)構(gòu)為至少一貫穿所述第一隔離層的通孔，使所述襯底在對應(yīng)第一結(jié)構(gòu)的位置不被所述第一隔離層覆蓋，形成的具體結(jié)構(gòu)如圖2-1所示；
[0036]步驟102:采用第二刻蝕方法，在所述具有第一結(jié)構(gòu)的第一隔離層的隔離下，對所述襯底進(jìn)行刻蝕，得到具有第二結(jié)構(gòu)的襯底，所述第二結(jié)構(gòu)為至少一具有開口的袋狀中空凹坑，形成的具體結(jié)構(gòu)如圖2-2所示；
[0037]步驟103:采用第一剝除法將所述第一隔離層從所述具有所述第二結(jié)構(gòu)的襯底上剝除；剝除第一隔離層的后的襯底如圖2-3所示；
[0038]步驟104:采用第一氧化法對所述具有第二結(jié)構(gòu)的襯底進(jìn)行氧化，通過所述第一氧化法使所述第二結(jié)構(gòu)形成至少一封閉空腔，所述封閉空腔位于襯底上形成的一氧化層中，形成的氧化層的具體結(jié)構(gòu)如圖2-4所示。
[0039]上述方案中，首先通過刻蝕第一隔離層定義出襯底上需要刻蝕的位置，再進(jìn)一步在所述第一隔離層的隔離下對所述襯底進(jìn)行刻蝕以獲得至少一袋狀中空凹坑，最后通過氧化處理所述帶有凹坑的襯底，在襯底上得到一層具有至少一封閉空腔的厚氧化層，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明方案通過在所述厚氧化層中形成至少一密封空腔，并且所述封閉空腔中封存有空氣，所述封閉空腔的結(jié)構(gòu)能夠大幅減小所述厚氧化層的平均介電常數(shù)，從而使采用本方案的半導(dǎo)體器件具有更小的寄生電容，提高了所述器件的高頻性能，下面對上述實施例的半導(dǎo)體加工方法的各步驟做進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0040]上述半導(dǎo)體加工方法中，所述步驟101中的采用第一刻蝕方法在襯底上方的第一隔離層上刻蝕出第一結(jié)構(gòu)之前，如圖3所示，還包括一光刻的步驟，用于定義出所述第一隔離層需要刻蝕的區(qū)域，所述第一隔離層上具有光刻膠，所述光刻的步驟包括:
[0041]步驟105:通過光刻的方法對所述光刻膠進(jìn)行選擇性照射，并在經(jīng)過顯影液處理后，使所述光刻膠上對應(yīng)所述第一結(jié)構(gòu)的位置溶解。
[0042]在具體的應(yīng)用環(huán)境中，實現(xiàn)所述步驟105的方法可以是:
[0043]首先在所述第一隔離層上覆蓋一層光刻膠，這層光刻膠經(jīng)過曝光后，可以被顯影液溶解，曝光一般是采用紫外線；然后，對應(yīng)需要在所述第一隔離層上刻蝕出的第一結(jié)構(gòu)的位置，即至少一貫穿第一隔離層的通孔的位置；制作一塊擋光掩膜，將擋光掩膜覆蓋于紫外線光源設(shè)備上，形成具有對應(yīng)第一結(jié)構(gòu)圖案的紫外線光源；然后使用該光源照射所述的光刻膠，在恰當(dāng)?shù)臅r間后，用顯影液處理上述經(jīng)過紫外線光源照射的光刻膠，對應(yīng)第一結(jié)構(gòu)位置的光刻膠則會被溶解并從第一隔離層上移除，從而使第一隔離層上需要被刻蝕的區(qū)域處于不被光刻膠覆蓋的狀態(tài)。
[0044]經(jīng)過上述步驟105后，則進(jìn)行所述步驟101，即采用第一刻蝕方法刻蝕第一隔離層，其中，所述第一隔離層為硬掩膜，所述第一刻蝕方法為各向異性刻蝕，所述步驟101具體包括:
[0045]通過刻蝕所述硬掩膜上與所述光刻膠被照射區(qū)域?qū)?yīng)的位置，形成所述第一結(jié)構(gòu)。
[0046]在具體的應(yīng)用環(huán)境中，實現(xiàn)所述步驟101的方法可以是:
[0047]所述硬掩膜一般采用正硅酸乙酯，因此可以采用在垂直方向上能較快腐蝕正硅酸乙酯所形成的硬掩膜的干法刻蝕的方法，在經(jīng)過所述步驟105處理的光刻膠的隔離下，對所述硬掩膜進(jìn)行各向異性刻蝕，因此所述硬掩膜上不被光刻膠所覆蓋的區(qū)域會被干法刻蝕掉，并且，由于采用的第一刻蝕方法具有在垂直方向上各向異性的屬性，所以會在硬掩膜上形成多個內(nèi)徑均勻的通孔，使這些通孔對應(yīng)的襯底上的區(qū)域處于不被硬掩膜覆蓋的狀態(tài)。
[0048]經(jīng)過所述步驟101后，由于在所述第一隔離層上刻蝕出所述第一結(jié)構(gòu)之后，已經(jīng)不再需要光刻膠作為保護(hù)層，因此還有用于剝除所述步驟105中的光刻膠的處理過程，如圖3所示,包括:
[0049]步驟106:采用第二剝除法剝除所述光刻膠。
[0050]在具體的應(yīng)用環(huán)境中，上述步驟106采用第二剝除法剝除所述光刻膠的【具體實施方式】可以是:
[0051]第二剝除法可以采用濕法去膠，即利用光刻膠易于溶解在有機(jī)溶劑中的特性對剩余的光刻膠進(jìn)行處理，使光刻膠全部溶解在所述有機(jī)溶劑中，從而達(dá)到剝除光刻膠的效果。
[0052]經(jīng)過步驟106剝除光刻膠后，則可以進(jìn)行步驟102，即采用第二刻蝕方法在硬掩膜的隔離下對襯底進(jìn)行刻蝕，得到具有至少一袋狀中空凹坑的襯底，所述的袋狀中空凹坑是本發(fā)明方案中的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，對其形貌有較高的要求，以滿足后續(xù)的加工步驟，因此所述步驟102具體包括:
[0053]在所述第一隔離層的隔離下，以各向同性的干法刻蝕來刻蝕所述襯底，得到具有至少一所述袋狀中空凹坑的襯底，所述袋狀中空凹坑為橢圓狀，具有第一長度的最大內(nèi)徑，第二長度的開口處內(nèi)徑和第三長度的深度，且所述第一長度大于所述第二長度并小于所述
第三長度。
[0054]在具體的應(yīng)用環(huán)境中，實現(xiàn)所述步驟102的方法可以是:
[0055]為了達(dá)到上述的對袋狀中空凹坑的形貌要求，即橢圓形，且深度大于最大內(nèi)徑大于開口處內(nèi)徑，可以選擇各向同性的干法刻蝕，其中，各向同性的刻蝕方式是為了達(dá)到最大內(nèi)徑大于開口處內(nèi)徑的形貌要求，而干法刻蝕的方式是為了通過控制用于刻蝕的氣體的比例以及刻蝕環(huán)境，如溫度壓力時間等參數(shù)，以達(dá)到所述袋狀中空凹坑的深度大于其最大內(nèi)徑的形貌要求。
[0056]例如，所述第二刻蝕方法可以采用二氟化碳與氧氣按一定比例混合而進(jìn)行的干法刻蝕，其中，二氟化碳與氧氣的比例為1:3，溫度為95攝氏度，壓力為兩個標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，刻蝕的時間可以根據(jù)具體的刻蝕量來調(diào)整，以獲得最適合的效果。
[0057]經(jīng)過所述步驟102的所述第二刻蝕方法，獲得具有所述袋狀中空凹坑的襯底后，不再需要位于襯底上的所述硬掩膜，因此通過所述步驟103的所述第一剝除法將其從襯底上剝除，具體包括:
[0058]所述第一剝除法為濕法硬掩膜剝除，針對所述硬掩膜的材料，采用對應(yīng)的剝除液，將所述硬掩膜從所述襯底上剝除。
[0059]在具體的應(yīng)用環(huán)境中，實現(xiàn)上述剝除硬掩膜的方法可以是:
[0060]對于上述的硬掩膜采用的正硅酸乙酯，利用其易被氫氟酸腐蝕的特點，可以使用氫氟酸將所述正硅酸乙酯腐蝕從而從所述襯底上剝除。
[0061]經(jīng)過所述步驟103處理后，獲得具有袋狀中空凹坑的襯底且沒有各種掩蓋層，則可以通過步驟104所述的方法，對其進(jìn)行氧化處理，具體包括:
[0062]所述第一氧化法為濕法氧化，通過氧化物的生長使所述袋狀凹坑的開口處被氧化物封閉，形成所述封閉空腔。
[0063]在具體的應(yīng)用環(huán)境中，實現(xiàn)上述步驟104的方法可以是:
[0064]采用濕法氧化的方法對所述具有至少一袋狀中空凹坑的襯底進(jìn)行氧化，由于所述步驟102對所述袋狀中空凹坑的形貌進(jìn)行了嚴(yán)格的控制，使其形成橢圓狀，因此在氧化的過程中，由于在同一環(huán)境中，二氧化硅的生長速率相同，因此在袋狀中空凹坑開口處的二氧化硅將會率先生長到合攏狀態(tài)并將所述開口封閉，同時由于最大內(nèi)徑大于開口處內(nèi)徑，所述袋狀中空凹坑內(nèi)部的二氧化硅處于未合攏狀態(tài)，從而形成了所述的封閉空間。
[0065]如圖4所示，本發(fā)明實施例還提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300，應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:
[0066]301 襯底；
[0067]302厚氧化層，位于所述襯底上方，所述厚氧化層中具有至少一封閉空腔303，所述封閉空腔303中封存有空氣，用于降低所述厚氧化層的平均介電常數(shù)。
[0068]本發(fā)明所提供的方案通過采用第一刻蝕方法在襯底上方的第一隔離層上刻蝕出第一結(jié)構(gòu)，所述第一結(jié)構(gòu)為至少一貫穿所述第一隔離層的通孔，使所述襯底在對應(yīng)第一結(jié)構(gòu)的位置不被所述第一隔離層覆蓋；采用第二刻蝕方法，在所述具有第一結(jié)構(gòu)的第一隔離層的隔離下，對所述襯底進(jìn)行刻蝕，得到具有第二結(jié)構(gòu)的襯底，所述第二結(jié)構(gòu)為至少一具有開口的袋狀中空凹坑；采用第一剝除法將所述第一隔離層從所述具有所述第二結(jié)構(gòu)的襯底上剝除；采用第一氧化法對所述具有第二結(jié)構(gòu)的襯底進(jìn)行氧化，通過所述第一氧化法使所述第二結(jié)構(gòu)形成至少一封閉空腔，所述封閉空腔位于襯底上形成的一氧化層中，解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的由于二氧化硅的相對介電常數(shù)較大，即使大幅增加氧化層的厚度，仍存在寄生電容過大導(dǎo)致器件性能不夠理想的技術(shù)問題。采用本發(fā)明所提供的方案，通過在所述厚氧化層中形成至少一密封空腔，并且所述封閉空腔中封存有空氣，所述封閉空腔的結(jié)構(gòu)能夠降低所述厚氧化層的平均介電常數(shù)，從而使半導(dǎo)體器件的寄生電容大幅減小，提高了所述半導(dǎo)體器件的性能，尤其是在高頻電路中應(yīng)用時的性能。
[0069]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。[0070]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體加工方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體加工設(shè)備中，其特征在于，所述方法包括以下步驟: 采用第一刻蝕方法在襯底上方的第一隔離層上刻蝕出第一結(jié)構(gòu)，所述第一結(jié)構(gòu)為至少一貫穿所述第一隔離層的通孔，使所述襯底在對應(yīng)第一結(jié)構(gòu)的位置不被所述第一隔離層覆蓋; 采用第二刻蝕方法，在所述具有第一結(jié)構(gòu)的第一隔離層的隔離下，對所述襯底進(jìn)行刻蝕，得到具有第二結(jié)構(gòu)的襯底，所述第二結(jié)構(gòu)為至少一具有開口的袋狀中空凹坑； 采用第一剝除法將所述第一隔離層從所述具有所述第二結(jié)構(gòu)的襯底上剝除； 采用第一氧化法對所述具有第二結(jié)構(gòu)的襯底進(jìn)行氧化，通過所述第一氧化法使所述第二結(jié)構(gòu)形成至少一封閉空腔，所述封閉空腔位于襯底上形成的一氧化層中。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一隔離層上還具有光刻膠，在采用第一刻蝕方法在襯底上方的第一隔離層上刻蝕出第一結(jié)構(gòu)之前，還包括:通過光刻的方法對所述光刻膠進(jìn)行選擇性照射，并在經(jīng)過顯影液處理后，使所述光刻膠上對應(yīng)所述第一結(jié)構(gòu)的位置溶解。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一隔離層為硬掩膜，所述第一刻蝕方法為各向異性刻蝕且包括: 通過刻蝕所述硬掩膜上與所述光刻膠被照射區(qū)域?qū)?yīng)的位置，形成所述第一結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求2或3任一權(quán)項所述的方法，其特征在于，在采用第二刻蝕方法之前，還包括:采用第二剝除法剝除所述光刻膠。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二刻蝕方法為各向同性干法刻蝕，采用第二刻蝕方法，在所述具有第一結(jié)構(gòu)的第一隔離層的隔離下，對所述襯底進(jìn)行刻蝕，得到具有第二結(jié)構(gòu)的襯底包括: 在所述第一隔離層的隔離下，以各向同性的干法刻蝕所述襯底，得到具有至少一所述袋狀中空凹坑的襯底。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述袋狀中空凹坑為橢圓狀，具有第一長度的最大內(nèi)徑，第二長度的開口處內(nèi)徑和第三長度的深度，且所述第一長度大于所述第二長度并小于所述第三長度。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一剝除法為濕法硬掩膜剝除，針對所述硬掩膜的材料，采用對應(yīng)的剝除液，將所述硬掩膜從所述襯底上剝除。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化法為濕法氧化，通過氧化物的生長使所述袋狀凹坑的開口處被氧化物封閉，形成所述封閉空腔。
9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括: 襯底； 厚氧化層，位于所述襯底上方，所述厚氧化層中具有至少一封閉空腔，所述封閉空腔中封存有空氣，用于降低所述厚氧化層的平均介電常數(shù)。
【文檔編號】H01L21/316GK103943493SQ201310019387
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年1月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月18日
【發(fā)明者】聞?wù)h, 馬萬里, 趙文魁 申請人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司