發(fā)光二極管模組及其制造方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管模組，包括基座、發(fā)光芯片及電路，基座包括第一表面及與第一表面不同朝向的第二表面，發(fā)光芯片安裝于基座的第一表面上，電路設(shè)于基座的第二表面上，發(fā)光芯片通過貫穿第一表面及第二表面的導(dǎo)電路徑與電路導(dǎo)通。發(fā)光二極管模組可有效防止電路的吸光現(xiàn)象，從而提升整體的出光效率。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管模組的制造方法。
【專利說明】 發(fā)光二極管模組及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種二極管模組，特別是指一種發(fā)光二極管模組及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管作為新興的光源，已被廣泛地應(yīng)用于各種用途當(dāng)中。發(fā)光二極管工作時(shí)散發(fā)的熱量是制約其發(fā)光效率的重要因素。當(dāng)前，為提升發(fā)光二極管的散熱效率，業(yè)界發(fā)展出所謂的芯片直接與基座貼合技術(shù)(chip on board)，即將芯片直接貼合在電路板上，以減少熱量傳遞的路徑。然而，由于電路板貼合芯片的表面上會(huì)形導(dǎo)通芯片的電路圖案，電路圖案(特別是其中的對(duì)電路進(jìn)行圖案化的塑膠絕緣材料)會(huì)對(duì)發(fā)光芯片發(fā)出的光起到吸收作用，從而降低整體的出光效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]因此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的發(fā)光二極管模組及其制造方法。
[0004]—種發(fā)光二極管模組，包括基座、發(fā)光芯片及電路，基座包括第一表面及與第一表面不同朝向的第二表面，發(fā)光芯片安裝于基座的第一表面上，電路設(shè)于基座的第二表面上，發(fā)光芯片通過貫穿第一表面及第二表面的導(dǎo)電路徑與電路導(dǎo)通。
[0005]—種發(fā)光二極管模組的制造方法，包括:提供基座，基座包括第一表面及與第一表面不同朝向的第二表面，基座內(nèi)形成貫穿第一表面及第二表面的導(dǎo)電路徑，基座的第一表面上形成反射杯，基座的第二表面上貼設(shè)與導(dǎo)電路徑連通的電路；在基座的第一表面上安裝發(fā)光芯片，使發(fā)光芯片收容于反射杯內(nèi)并與導(dǎo)電路徑導(dǎo)通。
[0006]發(fā)光二極管模組采用發(fā)光芯片與電路分別設(shè)置在基座的兩個(gè)不同表面，實(shí)現(xiàn)發(fā)光芯片與電路在空間上的分離。由此，發(fā)光芯片所發(fā)出的光線可直接從基座的第一表面出射，而不會(huì)被位于第二表面的電路所吸收，從而提升發(fā)光二極管模組的出光效率。
[0007]下面參照附圖，結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1示出了制造本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管模組的第一個(gè)步驟。
[0009]圖2為圖1中的散熱器的截面圖。
[0010]圖3示出了制造本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管模組的第二個(gè)步驟。
[0011]圖4為圖3中的半成品的截面圖。
[0012]圖5為圖3中的半成品的部分俯視圖。
[0013]圖6示出了制造本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管模組的第三個(gè)步驟。
[0014]圖7為圖6中的半成品的截面圖。
[0015]圖8為圖6中的半成品的部分俯視圖。
[0016]圖9示出了制造完成的發(fā)光二極管模組。
[0017]圖10為圖9的發(fā)光二極管模組的截面圖。[0018]圖11為本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管模組的截面圖。
[0019]主要元件符號(hào)說明
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管模組，包括基座、發(fā)光芯片及電路，基座包括第一表面及與第一表面不同朝向的第二表面，發(fā)光芯片安裝于基座的第一表面上，其特征在于:電路設(shè)于基座的第二表面上而避開發(fā)光芯片的出光，發(fā)光芯片通過貫穿第一表面及第二表面的導(dǎo)電路徑與電路導(dǎo)通。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組，其特征在于:基座在第一表面上形成電極，電極通過導(dǎo)電路徑與電路導(dǎo)通，發(fā)光芯片安裝于電極上。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組，其特征在于:基座包括同向延伸二側(cè)壁，二側(cè)壁與基座的第二表面合圍出收容電路的凹槽。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管模組，其特征在于:電路的厚度小于側(cè)壁的高度。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管模組，其特征在于:基座在第一表面上形成反射杯，發(fā)光芯片收容于反射杯內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管模組，其特征在于:還包括結(jié)合至基座的保護(hù)層，保護(hù)層覆蓋基座的部分第一表面及反射杯的外側(cè)周面而暴露出反射杯的頂面，保護(hù)層還覆蓋二側(cè)壁的外側(cè)壁面而暴露出凹槽。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管模組，其特征在于:保護(hù)層的頂面與反射杯的頂面齊平，保護(hù)層的底面與側(cè)壁的底面齊平。
8.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管模組，其特征在于:基座由金屬材料制成，電路、電極及導(dǎo)電路徑通過絕緣材料固定至基座。
9.一種發(fā)光二極管模組的制造方法，包括: 提供基座，基座包括第一表面及與第一表面不同朝向的第二表面，基座內(nèi)形成貫穿第一表面及第二表面的導(dǎo)電路徑，基座的第一表面上形成反射杯，基座的第二表面上形成與導(dǎo)電路徑連通的電路； 在基座的第一表面上安裝發(fā)光芯片，使發(fā)光芯片收容于反射杯內(nèi)并與導(dǎo)電路徑導(dǎo)通。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于:在安裝發(fā)光芯片之后還包括在基座上形成保護(hù)層的步驟，保護(hù)層覆蓋基座的部分第一表面并暴露出反射杯。
【文檔編號(hào)】H01L33/48GK103943750SQ201310019057
【公開日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2013年1月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月19日
【發(fā)明者】胡必強(qiáng), 曾郁芳, 蕭佳雯, 洪溫振 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司