技術(shù)編號(hào)：7255107
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體加工方法和一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述方法包括采用第一刻蝕方法在襯底上方的第一隔離層上刻蝕出第一結(jié)構(gòu)，所述第一結(jié)構(gòu)為至少一貫穿所述第一隔離層的通孔；采用第二刻蝕方法在所述具有第一結(jié)構(gòu)的第一隔離層的隔離下，對(duì)所述襯底進(jìn)行刻蝕，得到具有第二結(jié)構(gòu)的襯底，所述第二結(jié)構(gòu)為至少一具有開口的袋狀中空凹坑；采用第一剝除法將所述第一隔離層從所述具有所述第二結(jié)構(gòu)的襯底上剝除；采用第一氧化法對(duì)所述具有第二結(jié)構(gòu)的襯底進(jìn)行氧化，使所述第二結(jié)構(gòu)形成至少一封閉空腔。采用本...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。