沉積設(shè)備和利用其制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種沉積設(shè)備和利用所述沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法。所述沉積設(shè)備包括：沉積源，包括沿著第一方向線性布置并且排放沉積材料的噴嘴；一對角度控制構(gòu)件，設(shè)置在沉積源的兩側(cè)并且控制沉積材料的排放方向角。每個角度控制構(gòu)件包括平行于第一方向的旋轉(zhuǎn)軸以及圍繞旋轉(zhuǎn)軸安裝并且圍繞旋轉(zhuǎn)軸彼此分開預(yù)定間隔的多個屏蔽板。盡管沉積角根據(jù)工藝時間的增加而改變，但是補償沉積角以形成均勻的薄膜。另外，可以通過有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的每個像素均勻地沉積有機(jī)薄膜，從而增加每個像素的亮度均勻性。
【專利說明】沉積設(shè)備和利用其制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種沉積設(shè)備和一種利用該沉積設(shè)備的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法，更具體地講，涉及一種通過角度控制構(gòu)件控制沉積材料的發(fā)射方向的沉積設(shè)備以及利用該沉積設(shè)備的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示裝置中，具有寬視角、優(yōu)良的對比度以及快響應(yīng)速度的優(yōu)點的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器已經(jīng)作為下一代顯示元件之一受到關(guān)注。
[0003]通常，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有沉積結(jié)構(gòu)，其中，發(fā)射層位于陽極和陰極之間，使得在陽極和陰極中產(chǎn)生的空穴和電子在用于發(fā)光的發(fā)射層中復(fù)合，從而實現(xiàn)顏色。然而，在這種結(jié)構(gòu)中，難以獲得高效率的發(fā)光，因此在每個電極和發(fā)射層之間選擇性地添加并插入諸如電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)、空穴傳輸層(HTL)和空穴注入層(HIL)的中間層。
[0004]在諸如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的平板顯示器中，用作電極的金屬或有機(jī)材料采用真空沉積方法，在真空氣氛下沉積對應(yīng)的材料并在平板上形成薄膜。在真空沉積方法中，將其上將形成有機(jī)薄膜的基底放在真空室中，將圖案與將要形成的圖案(例如，薄膜)相同的精細(xì)金屬掩模(FMM)緊密地設(shè)置在基底上，通過使用沉積源單元使有機(jī)材料蒸發(fā)或升華，以將有機(jī)材料沉積在基底上。
[0005]在這種真空沉積方法中，必須根據(jù)沉積材料的特性以及掩模的圖案來控制噴射角，并且控制噴射角使得噴射角不隨時間流逝而改變。
[0006]在該【背景技術(shù)】部分公開的上`述信息僅是為了增強對本發(fā)明背景的理解，因此，它可以包含對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說不構(gòu)成在本國已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明涉及一種沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備通過補償隨著時間流逝而改變的沉積角來均勻地形成薄膜。
[0008]本發(fā)明還涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法，所述制造方法通過控制角度控制構(gòu)件的角度來保證均勻的沉積角，從而均勻地形成沉積薄膜的厚度。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的沉積設(shè)備包括:沉積源，包括沿著第一方向線性布置并且排放沉積材料的噴嘴；一對角度控制構(gòu)件，設(shè)置在沉積源的兩側(cè)并且控制沉積材料的排放方向角，其中，每個角度控制構(gòu)件包括平行于第一方向的旋轉(zhuǎn)軸以及相對于旋轉(zhuǎn)軸安裝并且圍繞旋轉(zhuǎn)軸彼此分開預(yù)定間隔的多個屏蔽板。
[0010]多個屏蔽板可以分開設(shè)置，同時形成相等的中心角。
[0011]所述沉積設(shè)備還可以包括旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器。
[0012]所述沉積設(shè)備還可以包括控制旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器以周期性地旋轉(zhuǎn)屏蔽板的旋轉(zhuǎn)控制器。
[0013]所述沉積設(shè)備還可以包括設(shè)置在每個角度控制構(gòu)件的一側(cè)上用于控制角度控制構(gòu)件和沉積源之間的距離的移動單元。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法包括以下步驟:設(shè)置基底，以面對沉積源，所述沉積源包括沿著第一方向布置并且排放沉積材料的噴嘴；設(shè)置一對角度控制構(gòu)件，所述角度控制構(gòu)件分別安裝有圍繞旋轉(zhuǎn)軸并且控制沉積材料在沉積源的兩側(cè)上的排放方向角的多個屏蔽板；旋轉(zhuǎn)角度控制構(gòu)件的屏蔽板。
[0015]所述方法還可以包括控制角度控制構(gòu)件與沉積源之間的距離。
[0016]在旋轉(zhuǎn)角度控制構(gòu)件的屏蔽板的過程中，經(jīng)過預(yù)定時間段，可以周期性地旋轉(zhuǎn)屏蔽板。
[0017]沉積材料可以為形成有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)材料，所述薄膜可以為有機(jī)發(fā)射層。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，可以均勻地形成具有期望厚度的薄膜。另外，盡管隨著工藝時間的增加而改變了沉積角，但是補償沉積角，以形成均勻的薄膜。
[0019]另外，有機(jī)薄膜可以均勻地沉積在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的每個像素，從而提高了每個像素的亮度均勻性。
[0020]另外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，盡管沉積材料附于角度控制構(gòu)件使得沉積材料的沉積角發(fā)生改變，但是可以在不停止工藝的情況下替換角度控制構(gòu)件，從而可以提高制造產(chǎn)率。制造工藝容易，沉積裝置可以容易地應(yīng)用于大尺寸基底的制造工藝，并且可以提高制造產(chǎn)率和沉積效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]當(dāng)結(jié)合附圖考慮時，通過參照下面的詳細(xì)描 述，本發(fā)明的更完整的理解以及本發(fā)明的許多附加優(yōu)點將隨著它們被更好地理解而變得容易清楚，在附圖中，相同的標(biāo)號表示相同或相似的組件，在附圖中:
[0022]圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的沉積設(shè)備的透視圖。
[0023]圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的沉積設(shè)備的角度控制構(gòu)件的透視圖。
[0024]圖3A和圖3B是示出通過利用根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的方法的示意圖。
[0025]圖4是示出通過利用根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0026]將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積設(shè)備和制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的方法。然而，本發(fā)明不限于這里公開的示例性實施例，而是本發(fā)明可以以各種不同的形式實施。這里的示例性實施例僅是使得本發(fā)明的公開完整，并且向本領(lǐng)域普通技術(shù)人員全面地提供本發(fā)明的解釋。在整個說明書中，相同的標(biāo)號表示相同的元件。
[0027]在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在附圖中，為了更好地理解且容易說明，夸大了一些層和區(qū)域的厚度。將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作“在”另一元件“上”時，該元件可以直接在其它元件上或者也可以存在中間元件。
[0028]另外，除非明確給出相反的描述，否則術(shù)語“包括”將被理解為表示包括所述元件，但是不排除任何其它元件。此外，在整個說明書中，“在......上”意味著位于目標(biāo)元件上
方或下方，不意圖必須位于基于重力方向的頂部上。
[0029]圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的沉積設(shè)備的透視圖，圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的沉積設(shè)備的角度控制構(gòu)件的透視圖。
[0030]參照圖1和圖2，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的沉積設(shè)備包括沉積源IOOa和IOOb以及一對角度控制構(gòu)件200。
[0031]在每幅圖中，為了更好地理解且容易說明，盡管沒有示出室，但是圖1的所有組件設(shè)置在保持合適的真空度的真空室中。形成有薄膜的基底S和沉積設(shè)備(在圖3A和圖3B中示出)設(shè)置在真空室中?；譙面對沉積設(shè)備并且與沉積設(shè)備分隔開，沉積設(shè)備和基底S可以在沉積過程中相對運動。當(dāng)基底S水平設(shè)置時，沉積設(shè)備與基底S分開并且設(shè)置在基底S下方，沉積材料可以向上發(fā)射；而當(dāng)基底S豎直設(shè)置時，沉積設(shè)備與基底S分開并且設(shè)置在基底S的沿著水平方向的側(cè)面，沉積材料可以沿著水平方向發(fā)射。在本發(fā)明的示例性實施例中，沉積設(shè)備設(shè)置在真空室的底表面上，基底S水平設(shè)置在沉積設(shè)備上，但是本發(fā)明不限于此，基底S可以豎直設(shè)置，從而沉積設(shè)備可以設(shè)置在基底沿著水平方向的側(cè)面并且與基底分開。
[0032]作為用于發(fā)射將要被沉積在基底S上的沉積材料的裝置，沉積源IOOa和IOOb包括用于在其中容納諸如有機(jī)材料的沉積材料的空間(未示出)。用于容納沉積材料的空間可以由諸如具有優(yōu)良的熱輻射的氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)的陶瓷材料形成，但是不發(fā)明不限于此，用于容納沉積材料的空間可以由具有優(yōu)良的熱輻射和耐熱性的各種材料形成。形成為附于并圍繞用于容納沉積材料的空間的外側(cè)的加熱器(未示出)可以設(shè)置在所述空間的外側(cè)上，并且加熱器加熱并蒸發(fā)容納的沉積材料。用于噴射在沉積源的內(nèi)部空間中蒸發(fā)或升華的沉積材料的噴嘴IlOa和IlOb分別設(shè)置在沉積源IOOa和IOOb的面對基底S的一側(cè)上。`
[0033]將要在其上形成沉積材料的基底S可以形成為四邊形，沉積源IOOa和IOOb可以構(gòu)造為線性沉積源，在線性沉積源中，分別用于排放沉積材料的噴嘴IlOa和IlOb對應(yīng)于基底S的一側(cè)線性布置。如圖1中所示，噴嘴IlOa和IlOb可以設(shè)置為一行，或者噴嘴IlOa和IlOb可以設(shè)置為多行，而不限于一行。另外，多個沉積源可以平行設(shè)置，在本示例性實施例中，作為示例，兩個沉積源IOOa和IOOb可以平行地設(shè)置。
[0034]角度控制構(gòu)件200在沉積源IOOa和IOOb的兩側(cè)設(shè)置為一對，并且分別形成在從沉積源IOOa和IOOb的噴嘴IlOa和IlOb排放的沉積材料的發(fā)射路徑上，從而執(zhí)行控制噴嘴IIOa和IlOb的發(fā)射方向的功能。當(dāng)沉積源IOOa和IOOb表示如圖1中所示的沿第一方向延伸的線性沉積源時，角度控制構(gòu)件200可以分別沿著線性沉積源IOOa和IOOb的縱向方向形成，并且角度控制構(gòu)件200可以設(shè)置在沉積材料的排放路徑上。
[0035]設(shè)置在沉積源IOOa和IOOb的兩側(cè)的每個角度控制構(gòu)件200包括旋轉(zhuǎn)軸230和多個屏蔽板220。作為桿狀構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)軸230沿著第一方向延伸并且沿著與第一方向平行的方向設(shè)置。作為控制沉積材料的發(fā)射方向角的裝置的屏蔽板220部分地設(shè)置在沉積材料的發(fā)射路徑上，并且形成為根據(jù)旋轉(zhuǎn)軸230延伸的板型形狀。提供多個屏蔽板220，多個屏蔽板220設(shè)置為相對于旋轉(zhuǎn)軸230彼此分開間隔，并且根據(jù)旋轉(zhuǎn)軸230的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)。在圖2的該示例性實施例中，為每個角度控制構(gòu)件200提供三個屏蔽板220，但是本發(fā)明不限于此。
[0036]在沉積工藝中分別從沉積源IOOa和IOOb的噴嘴IIOa和IIOb噴射的沉積材料可以附于設(shè)置在沉積材料的發(fā)射路徑上的屏蔽板220，但是如果附于屏蔽板220的沉積材料隨著時間的流逝而增加，則沉積材料排放的角度會發(fā)生變化。當(dāng)提供多個屏蔽板220時，在時間流逝之后，屏蔽板220可以旋轉(zhuǎn)并且可以使用屏蔽板220，因此，不需要更換屏蔽板220，與提供一個屏蔽板的情況相比，可以延長使用時間。
[0037]多個屏蔽板220分開地設(shè)置，同時朝向中心形成相等的角度。例如，如圖2中所示，在三個屏蔽板220的情況下，屏蔽板220分開設(shè)置，同時形成120度的角。
[0038]形成用于支撐旋轉(zhuǎn)軸230的兩端的條形形狀的一對支撐件210，支撐件210支撐旋轉(zhuǎn)軸230以沿著如沉積源IOOa和IOOb的長度方向的第一方向設(shè)置?？梢酝ㄟ^提供動力的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器(未示出)來旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)軸230，并且旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器連接到旋轉(zhuǎn)軸230的兩側(cè)，或者旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器可以設(shè)置在支撐件210內(nèi)。旋轉(zhuǎn)控制器(未示出)可以控制旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器，從而在經(jīng)過預(yù)定時間段之后使屏 蔽板220周期性地旋轉(zhuǎn)。當(dāng)平行設(shè)置多個沉積源IOOa和IOOb時，板型形狀的角度控制構(gòu)件250設(shè)置在沉積源IOOa和IOOb之間，并且可以控制從每個沉積源排放的沉積材料的發(fā)射角。
[0039]還可以包括設(shè)置在每個角度控制構(gòu)件200的一側(cè)并且控制角度控制構(gòu)件200與沉積源IOOa和IOOb之間的距離的運動單元400、400a和400b。即，運動單元400、400a和400b可以控制設(shè)置在沉積源IOOa和IOb的兩側(cè)處的角度控制構(gòu)件200，從而更靠近沉積源IOOa和IOOb或者更遠(yuǎn)離沉積源IOOa和100b。隨后將參照圖3A和圖3B提供對其的詳細(xì)描述。
[0040]接下來，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的沉積設(shè)備的操作以及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法。
[0041]圖3A和圖3B是示出通過使用根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的方法的示意圖，圖4是示出通過使用根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的方法的流程圖。
[0042]首先，將基底S放入到真空室(未示出)中，然后將基底S設(shè)置為面對排放沉積材料的沉積源IOOa和IOOb (圖4，塊401)。另外，圍繞旋轉(zhuǎn)軸230a和230b安裝多個屏蔽板220a和220b (圖4，塊402)，在沉積源IOOa和IOOb的兩側(cè)分別設(shè)置用于控制沉積材料的發(fā)射方向角的一對角度控制構(gòu)件200a和200b (圖4，塊403)。
[0043]對容納在沉積源IOOa和IOOb內(nèi)的沉積材料進(jìn)行加熱，以使其蒸發(fā)，如圖3A和圖3B中所示，通過噴嘴I IOa和IlOb排放沉積材料(圖4，塊404)。排放的沉積材料到達(dá)基底S，以在基底S上形成薄膜。
[0044]當(dāng)沉積材料排放到基底S上以形成薄膜時，沉積材料沉積在位于沉積材料排放的路徑上的基底S和角度控制構(gòu)件200a和200b上。當(dāng)沉積材料附于設(shè)置在沉積材料排放的路徑上的角度控制構(gòu)件200a和200b的一部分上并且此后固化時，排放沉積材料的角度會發(fā)生變化。此時，旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)軸230a和230b，從而將未設(shè)置在沉積材料的發(fā)射路徑上的其它屏蔽板220a和220b移動到沉積材料的發(fā)射路徑中(圖4，塊405)。例如，當(dāng)設(shè)置三個屏蔽板220(參見圖3A和圖3B)，同時形成相等的中心角時，在經(jīng)過預(yù)定時間段之后，將旋轉(zhuǎn)軸230旋轉(zhuǎn)120度。如上所述，如果旋轉(zhuǎn)圖2中的旋轉(zhuǎn)軸230，則屏蔽板220位于與屏蔽板220最初預(yù)定的位置相同的位置，從而可以連續(xù)執(zhí)行沉積工藝。即，盡管沉積材料附于屏蔽板220上，但是可以在不停止沉積工藝并且不替換屏蔽板220的情況下延長屏蔽板220的使用時間。
[0045]參照圖3A和圖3B，必須根據(jù)沉積條件(例如，基底S的尺寸以及基底S與沉積源IOOa和IOOb之間的距離)來控制沉積材料的發(fā)射角(圖4，塊406)。為此，可以控制角度控制構(gòu)件200a和200b的屏蔽板220a和220b的旋轉(zhuǎn)角以及角度控制構(gòu)件200a和200b與沉積源IOOa和IOOb之間的距離。如圖3A中所示，當(dāng)沉積源IOOa和IOOb的兩側(cè)的角度控制構(gòu)件200a和200b變得更靠近沉積源IOOa和IOOb時，可以減小沉積材料的發(fā)射角。相反，如圖3B中所示，當(dāng)移動沉積源IOOa和IOOb的兩側(cè)的角度控制構(gòu)件200a和200b，從而更遠(yuǎn)離沉積源IOOa和IOOb時，可以增加沉積材料的發(fā)射角。
[0046]另外，通過模擬過程，可以檢查取決于包括工藝時間和沉積材料在內(nèi)的工藝條件的附于角度控制構(gòu)件200a和200b的沉積材料的量以及根據(jù)工藝時間的逝去的沉積材料的排放角的控制，關(guān)于這一點，在經(jīng)過通過檢查的數(shù)據(jù)而預(yù)定的時間之后，可以旋轉(zhuǎn)角度控制構(gòu)件200a和200b的屏蔽板220a和220b (圖4，塊407)。[0047]例如，當(dāng)沉積材料沉積在基底S上從而形成薄膜時，如果在經(jīng)過工藝時間之后，附于角度控制構(gòu)件200a和200b的沉積材料增加了改變發(fā)射角度的量，則控制角度控制構(gòu)件200a和200b的屏蔽板220a和220b以旋轉(zhuǎn)預(yù)定角度。
[0048]沉積材料期望包括用于形成有機(jī)發(fā)射層(在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器中用于顯示紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的子像素)的有機(jī)材料。
[0049]盡管已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為是實踐的示例性實施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于公開的實施例，而是相反，本發(fā)明意圖覆蓋包括在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。
【權(quán)利要求】
1.一種沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備包括: 沉積源，包括沿著第一方向線性布置并且排放沉積材料的噴嘴； 一對角度控制構(gòu)件，設(shè)置在沉積源的兩側(cè)并且控制沉積材料的排放方向角， 每個角度控制構(gòu)件包括平行于第一方向的旋轉(zhuǎn)軸以及圍繞旋轉(zhuǎn)軸安裝并且圍繞旋轉(zhuǎn)軸彼此分開預(yù)定間隔的多個屏蔽板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，所述多個屏蔽板形成相等的中心角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備還包括旋轉(zhuǎn)所述旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備還包括控制旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器以周期性地旋轉(zhuǎn)屏蔽板的旋轉(zhuǎn)控制器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的沉積設(shè)備，所述旋轉(zhuǎn)控制器控制旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器，從而基于監(jiān)視附于角度控制構(gòu)件的沉積材料的量和沉積材料的排放角中的至少一個來旋轉(zhuǎn)屏蔽板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，所述角度控制構(gòu)件基于基底的尺寸以及基底與沉積源之間的距離中的至少一個來控制沉積材料的排放方向角。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備還包括設(shè)置在每個角度控制構(gòu)件的一側(cè)上并且控制角度控制構(gòu)件與沉積源之間的距離的移動單元。
8.—種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，所述方法包括以下步驟: 設(shè)置基底，以面對沉積源，所述沉積源包括沿著第一方向布置并且排放沉積材料的噴嘴； 提供一對角度控制構(gòu)件，每個角度控制構(gòu)件設(shè)置在沉積源的對應(yīng)側(cè)上，所述每個角度控制構(gòu)件包括圍繞旋轉(zhuǎn)軸設(shè)置并且控制沉積材料在沉積源的兩側(cè)上的排放方向角的多個屏蔽板； 將沉積材料排放到基底上，從而在基底上形成薄膜； 旋轉(zhuǎn)角度控制構(gòu)件的屏蔽板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，所述方法還包括控制角度控制構(gòu)件與沉積源之間的距離的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，每經(jīng)過預(yù)定的時間段，角度控制構(gòu)件的屏蔽板被周期性地旋轉(zhuǎn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，沉積材料包括形成有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)材料，所述薄膜為有機(jī)發(fā)射層。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，排放步驟包括加熱沉積源中的沉積材料，從而將沉積材料排放到基底上。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，旋轉(zhuǎn)步驟包括旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)軸，從而將未設(shè)置在沉積材料的發(fā)射路徑上的屏蔽板移動到沉積材料的發(fā)射路徑中。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，所述方法還包括根據(jù)基底的尺寸以及基底與沉積源之間的距離中的至少一個控制沉積材料的排放方向角的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，所述方法還包括監(jiān)視附于角度控制構(gòu)件的沉積材料的量和沉積材料的排放角中的至少一個的步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，角度控制構(gòu)件的屏蔽板基于監(jiān)視附于角度控制構(gòu)件的沉積材料的量以及沉積材料的排`放角中的至少一個而被旋轉(zhuǎn)。
【文檔編號】H01L51/56GK103451625SQ201310018087
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年1月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月31日
【發(fā)明者】任子賢, 李寬熙, 尹智煥, 沈重元, 成泰光 申請人:三星顯示有限公司