專利名稱：三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構。屬于半導體封裝技術領域。
背景技術：
傳統(tǒng)的高密度基板封裝結(jié)構的制造エ藝流程如下所示步驟一、參見圖7，取一玻璃纖維材料制成的基板，步驟ニ、參見圖8，在玻璃纖維基板上所需的位置上開孔，步驟三、參見圖9，在玻璃纖維基板的背面被覆ー層銅箔，·步驟四、參見圖10，在玻璃纖維基板打孔的位置填入導電物質(zhì)，步驟五、參見圖11，在玻璃纖維基板的正面被覆ー層銅箔，步驟六、參見圖12，在玻璃纖維基板表面被覆光阻膜，步驟七、參見圖13，將光阻膜在需要的位置進行曝光顯影開窗，步驟八、參見圖14，將完成開窗的部分進行蝕刻，步驟九、參見圖15，將基板表面的光阻膜剝除，步驟十、參見圖16，在銅箔線路層的表面進行防焊漆(俗稱綠漆)的被覆，步驟十一、參見圖17，在防焊漆需要進行后エ序的裝片以及打線鍵合的區(qū)域進行開窗，步驟十二、參見圖18，在步驟十一進行開窗的區(qū)域進行電鍍，相對形成基島和引腳，步驟十三、完成后續(xù)的裝片、打線、包封、切割等相關エ序。上述傳統(tǒng)高密度基板封裝結(jié)構存在以下不足和缺陷I、多了ー層的玻璃纖維材料，同樣的也多了ー層玻璃纖維的成本；2、因為必須要用到玻璃纖維，所以就多了ー層玻璃纖維厚度約10(Tl50Mm的厚度空間；3、玻璃纖維本身就是ー種發(fā)泡物質(zhì)，所以容易因為放置的時間與環(huán)境吸入水分以及濕氣，直接影響到可靠性的安全能力或是可靠性等級；4、玻璃纖維表面被覆了ー層約5(Tl00Mffl的銅箔金屬層厚度，而金屬層線路與線路的蝕刻距離也因為蝕刻因子的特性只能做到5(Tl00Mffl的蝕刻間隙(蝕刻因子最好製做的能力是蝕刻間隙約等同于被蝕刻物體的厚度，參見圖19)，所以無法真正的做到高密度線路的設計與制造；5、因為必須要使用到銅箔金屬層，而銅箔金屬層是采用高壓粘貼的方式，所以銅箔的厚度很難低于50Mm的厚度，否則就很難操作如不平整或是銅箔破損或是銅箔延展移位等等；6、也因為整個基板材料是采用玻璃纖維材料，所以明顯的增加了玻璃纖維層的厚度10(Tl50Mm，無法真正的做到超薄的封裝；[0023]7、傳統(tǒng)玻璃纖維加貼銅箔的エ藝技術因為材質(zhì)特性差異很大(膨脹系數(shù))，在惡劣環(huán)境的エ序中容易造成應カ變形，直接的影響到元件裝載的精度以及元件與基板粘著性與
可靠性。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于克服上述不足，提供ー種三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構，其エ藝簡單，不 需使用玻璃纖維層，減少了制作成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了玻璃纖維材料帶來的環(huán)境污染，而且金屬基板線路層采用的是電鍍方法，能夠真正做到高密度線路的設計和制造。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的ー種三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構，它包括基島和引腳，所述基島和引腳均由多層金屬線路層構成，所述基島正面通過導電或不導電粘結(jié)物質(zhì)設置有芯片，所述芯片正面與引腳正面之間用金屬線相連接，所述基島外圍的區(qū)域、基島和引腳之間的區(qū)域、引腳與引腳之間的區(qū)域、基島和引腳上部的區(qū)域、基島和引腳下部的區(qū)域以及芯片和金屬線外均包封有塑封料，所述引腳背面開設有小孔，所述小孔與引腳背面相連通，所述小孔內(nèi)設置有金屬球，所述金屬球與引腳背面相接觸，所述引腳與引腳之間跨接有無源器件。具體地，所述無源器件跨接于引腳正面與引腳正面之間。具體地，所述無源器件還可以跨接于引腳中間的金屬線路層與引腳中間的金屬線路層之間。具體地，所述無源器件還可以跨接于引腳背面與引腳背面之間。在所述引腳背面與金屬球之間還設置有金屬保護層。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型具有以下有益效果I、本實用新型不需要使用玻璃纖維層，所以可以減少玻璃纖維層所帯來的成本；2、本實用新型沒有使用玻璃纖維層的發(fā)泡物質(zhì)，所以可靠性的等級可以再提高，相對對封裝體的安全性就會提高；3、本實用新型不需要使用玻璃纖維層物質(zhì)，所以就可以減少玻璃纖維材料所帯來的環(huán)境污染；4、本實用新型的三維金屬基板線路層所采用的是電鍍方法，而電鍍層每ー層的總厚度約在l(Tl5Mffl，而線路與線路之間的間隙可以輕松的達到25ΜΠ1以下的間隙，所以可以真正地做到高密度內(nèi)弓I腳線路平鋪的技術能力；5、本實用新型的三維金屬基板因采用的是金屬層電鍍法，所以比玻璃纖維高壓銅箔金屬層的エ藝來得簡單，且不會有金屬層因為高壓產(chǎn)生金屬層不平整、金屬層破損以及金屬層延展移位的不良或困惑；6、本實用新型的三維金屬基板線路層是在金屬基材的表面進行金屬電鍍，所以材質(zhì)特性基本相同，所以鍍層線路與金屬基材的內(nèi)應カ基本相同，可以輕松的進行惡劣環(huán)境的后工程(如高溫共晶裝片、高溫錫材焊料裝片以及高溫被動元件的表面貼裝工作)而不容易產(chǎn)生應カ變形。

[0037]圖I為本實用新型三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構實施例I的結(jié)構示意圖。圖2為圖I的立體圖。圖3為本實用新型三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構實施例2的結(jié)構示意圖。圖4為圖3的立體圖。圖5為本實用新型三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構實施例3的結(jié)構示意圖。圖6為圖5的立體圖。圖疒圖18為傳統(tǒng)的高密度基板封裝結(jié)構的制造エ藝流程圖。圖19為玻璃纖維表面銅箔金屬層的蝕刻狀況示意圖。其中基島I引腳2導電或不導電粘結(jié)物質(zhì)3芯片4金屬線5塑封料6小孔7金屬保護層8金屬球9無源器件10。
具體實施方式
實施例I、無源器件安裝于引腳正面參見圖I和圖2，本實用新型三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構，它包括基島I和引腳2，所述基島I和引腳2均由多層金屬線路層構成，所述基島I正面通過導電或不導電粘結(jié)物質(zhì)3設置有芯片4，所述芯片4正面與引腳2正面之間用金屬線5相連接，所述基島I外圍的區(qū)域、基島I和引腳2之間的區(qū)域、引腳2與引腳2之間的區(qū)域、基島I和引腳2上部的區(qū)域、基島I和引腳2下部的區(qū)域以及芯片4和金屬線5外均包封有塑封料6，所述引腳2背面開設有小孔7，所述小孔7與引腳2背面相連通，所述小孔7內(nèi)設置有金屬球9，所述金屬球9與引腳2背面之間設置有金屬保護層8，所述金屬球9采用錫或錫合金材料，所述引腳2與引腳2之間通過導電粘結(jié)物質(zhì)跨接無源器件10，所述無源器件10跨接于引腳2正面與引腳2正面之間。實施例2、無源器件安裝于引腳的金屬線路層之間參見圖3和圖4，實施例2與實施例I的區(qū)別在于所述無源器件10跨接于引腳2中間的金屬線路層和引腳2中間的金屬線路層之間。實施例3、無源器件安裝于引腳的背面參見圖5和圖6，實施例3與實施例I的區(qū)別在于所述無源器件10跨接于引腳2的背面與引腳2的背面之間 。
權利要求1.ー種三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構，其特征在于它包括基島(I)和引腳(2)，所述基島(I)和引腳(2)均由多層金屬線路層構成，所述基島(I)正面通過導電或不導電粘結(jié)物質(zhì)(3)設置有芯片(4)，所述芯片(4)正面與引腳(2)正面之間用金屬線(5)相連接，所述基島(I)外圍的區(qū)域、基島(I)和引腳(2)之間的區(qū)域、引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域、基島(I)和引腳(2)上部的區(qū)域、基島(I)和引腳(2)下部的區(qū)域以及芯片(4)和金屬線(5)外均包封有塑封料(6)，所述引腳(2)背面開設有小孔(7)，所述小孔(7)與引腳(2)背面相連通，所述小孔(7)內(nèi)設置有金屬球(9)，所述金屬球(9)與引腳(2)背面相接觸，所述引腳(2)與引腳(2)之間跨接無源器件(10)。
2.根據(jù)權利要求I所述的ー種三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構，其特征在于在所述引腳(2)背面與金屬球(9)之間還設置有金屬保護層(8)。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的ー種三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構，其特征在于所述無源器件(10)跨接于所述引腳(2)的正面與引腳(2)的正面之間。
4.根據(jù)權利要求I或2所述的ー種三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構，其特征在于所述無源器件(10)跨接于所述引腳(2)中間的金屬線路層與引腳(2)中間的金屬線路層之間。
5.根據(jù)權利要求I或2所述的ー種三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構，其特征在于所述無源器件(10)跨接于所述引腳(2)的背面與引腳(2)的背面之間。
專利摘要本實用新型涉及一種三維線路芯片正裝有基島無源器件封裝結(jié)構，所述結(jié)構包括基島(1)和引腳(2)，所述基島和引腳均由多層金屬線路層構成，所述基島正面設置有芯片(4)，所述芯片正面與引腳正面之間用金屬線(5)相連接，所述基島和引腳周圍區(qū)域以及芯片和金屬線外均包封有塑封料(6)，所述引腳下部的塑封料表面上開設有小孔(7)，所述小孔與引腳背面相連通，所述小孔內(nèi)設置有金屬球(9)，所述金屬球與引腳背面相接觸，所述引腳與引腳之間跨接無源器件(10)。本實用新型的有益效果是降低了制造成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了環(huán)境污染，能夠真正做到高密度線路的設計和制造。
文檔編號H01L23/31GK202651091SQ20122027171
公開日2013年1月2日 申請日期2012年6月9日 優(yōu)先權日2012年6月9日
發(fā)明者王新潮, 梁志忠, 李維平 申請人:江蘇長電科技股份有限公司