專利名稱：一種改進(jìn)型的三極管引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種改進(jìn)型的三極管引線框架。
技術(shù)背景伴隨電子市場的發(fā)展，半導(dǎo)體元器件的集成度越來越高，而且其存儲(chǔ)量、信號處理速度和功率急速增加，然而體積卻越來越小。這一趨勢加速了半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)的發(fā)展，因此半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)的重要性已經(jīng)受到了生產(chǎn)企業(yè)的關(guān)注。半導(dǎo)體器件的高集成度以及存儲(chǔ)器的增加還使得輸入和輸出接線端子的數(shù)量也相應(yīng)增加，繼而也使得引線的數(shù)目相應(yīng)的增加，這就要求引線的布置也必須精確。引線框架是半導(dǎo)體封裝中的骨架，它主要由三部分構(gòu)成散熱片、芯片承載臺(tái)以及引腳。其中芯片承載臺(tái)在封裝過程中為芯片提供機(jī)械支撐，而引腳則是連接芯片到電路板的電學(xué)通路。引線框架的功能是至關(guān)重要的，芯片在封裝過程以及使用中，往往由于焊接點(diǎn)虛焊，水汽或者具有腐蝕性的液體進(jìn)入芯片，或者是塑料殼體與金屬支架松脫直接導(dǎo)致三極管失效。為了滿足市場發(fā)展的需求，引線框架在結(jié)構(gòu)上、功能上需要不斷的改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案一種改進(jìn)型的三極管引線框架，包含若干個(gè)框架單元，每個(gè)框架單元上端為散熱片，所述散熱片上設(shè)有一個(gè)圓形通孔。進(jìn)一步的所述散熱片下部是芯片承載臺(tái)，在所述散熱片與所述芯片承載臺(tái)之間設(shè)有鋸齒形凹槽。進(jìn)一步的，所述芯片承載臺(tái)正反面沿邊緣均設(shè)有矩形槽，在所述矩形槽的內(nèi)側(cè)還設(shè)有梯形凹槽。進(jìn)一步的，與所述芯片承載臺(tái)相連2個(gè)以上的引腳，所述引腳的頭部為60°的尖角設(shè)計(jì)。本實(shí)用新型所帶來的有益效果是通以上設(shè)計(jì)增強(qiáng)了引線框架與塑料殼體、芯片之間的結(jié)合力，也能阻止外部水汽或者粉塵進(jìn)入框架，大大提高了產(chǎn)品的性能。

圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的引線框架結(jié)構(gòu)示意圖圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的引線框架A-A截面結(jié)構(gòu)示意圖圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的引線框架B-B截面結(jié)構(gòu)示意圖圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的引線框架結(jié)構(gòu)示意圖圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的引線框架C-C截面結(jié)構(gòu)示意圖圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的引線框架D-D截面結(jié)構(gòu)示意圖具體實(shí)施方式
下面對結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例作詳細(xì)闡述，以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本實(shí)用新型的保護(hù)范圍作出更為清楚明確的界定。實(shí)施例一如圖I、圖2、圖3所示，一種改進(jìn)型的三極管引線框架，該引線框架包含若干個(gè)框架單元，所述的相鄰框架單元之間通過上筋4、中筋5、底筋6相連接，每個(gè)所述的框架單元上端為散熱片1，所述散熱片下部是芯片承載臺(tái)2，與所述芯片承載臺(tái)相連的是引腳3。其中，在所述散熱片I上設(shè)有圓形通孔11，所述散熱片I與所述芯片承載臺(tái)2之間設(shè)有鋸齒形的凹槽12。所述芯片承載臺(tái)2正反面沿邊緣均設(shè)有矩形槽21在所述的正面矩形槽的內(nèi)側(cè)還設(shè)有梯形的凹槽22。其中，所述引腳由左側(cè)引腳31、中間引腳32、右側(cè)引腳33組成，所述引腳的頭部為60°的尖角設(shè)計(jì)。實(shí)施例二如圖4、圖5、圖6所示，一種改進(jìn)型的三極管引線框架，該引線框架包含若干個(gè)框架單元，所述的相鄰框架單元之間通過上筋d、中筋e、底筋f相連接，每個(gè)所述的框架單元上端為散熱片a，所述散熱片下部是芯片承載臺(tái)b，與所述芯片承載臺(tái)相連的是引腳C。其中，在所述散熱片a上設(shè)有圓形通孔al，所述散熱片a與所述芯片承載臺(tái)b之間設(shè)有鋸齒形的凹槽a2。所述芯片承載臺(tái)b正反面沿邊緣均設(shè)有矩形槽bl在所述的正面矩形槽的內(nèi)側(cè)還設(shè)有梯形的凹槽b2。其中，所述引腳由左側(cè)引腳Cl、右側(cè)引腳c2組成，所述引腳的頭部為60°的尖角設(shè)計(jì)。通過實(shí)施例一和二可以看出，在散熱片上設(shè)有一個(gè)圓形通孔可以增加引線框架與芯片的焊接強(qiáng)度。在所述散熱片與所述芯片承載臺(tái)之間設(shè)有鋸齒形的凹槽，可以阻止外部液體和灰塵的進(jìn)入。所述芯片承載臺(tái)正反面沿邊緣均設(shè)有矩形槽，用來加強(qiáng)與塑料殼體之間的咬合力。在所述的正面矩形槽的內(nèi)側(cè)還設(shè)有梯形的凹槽用來阻止外部液體灰塵的進(jìn)入。所述引腳的頭部為60°的尖角設(shè)計(jì)，方便后續(xù)的切斷以及三極管的插拔。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
之一，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動(dòng)想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書所限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種改進(jìn)型的三極管引線框架，包含若干個(gè)框架單元，每個(gè)框架單元上端為散熱片，其特征在于，所述散熱片上設(shè)有一個(gè)圓形通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種改進(jìn)型的三極管引線框架，其特征在于，所述散熱片下部是芯片承載臺(tái)，在所述散熱片與所述芯片承載臺(tái)之間設(shè)有鋸齒形凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種改進(jìn)型的三極管引線框架，其特征在于，所述芯片承載臺(tái)正反面沿邊緣均設(shè)有矩形槽，在所述矩形槽的內(nèi)側(cè)還設(shè)有梯形凹槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種改進(jìn)型的三極管引線框架，其特征在于，與所述芯片承載臺(tái)相連2個(gè)以上的引腳，所述引腳的頭部為60°的尖角設(shè)計(jì)。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種改進(jìn)型的三極管引線框架，包含若干個(gè)框架單元，每個(gè)框架單元上端為散熱片，所述散熱片上設(shè)有一個(gè)圓形通孔。本實(shí)用新型增強(qiáng)了引線框架與塑料殼體、芯片之間的結(jié)合力，也能阻止外部水汽或者粉塵進(jìn)入框架，大大提高了產(chǎn)品的性能。
文檔編號H01L23/495GK202721119SQ20122021632
公開日2013年2月6日 申請日期2012年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月15日
發(fā)明者錢軍 申請人:蘇州泰嘉電子有限公司