一種有機(jī)電致發(fā)光器件及制備方法
【專利摘要】本發(fā)明是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、有機(jī)阻擋層及碲氧化合物層。該上述有機(jī)電致發(fā)光器件在陰極層上設(shè)置有有機(jī)阻擋層及碲氧化合物層，有機(jī)阻擋層及碲氧化合物層構(gòu)成水氧阻擋層，具有較好的防氧防水功能，分層設(shè)置的水氧阻擋層可以有效防止水氧逐漸滲透，阻擋水氧的效果更好。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能可達(dá)10-4g/m2·天，封裝效果好，壽命可達(dá)5300小時(shí)以上。此外，本發(fā)明還涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制備一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作為發(fā)光層，發(fā)光層上方設(shè)有一層低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無(wú)視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為在照明和顯示器件市場(chǎng)上具有廣闊的應(yīng)用前景。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過(guò)去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。
[0004]但有機(jī)電致發(fā)光材料對(duì)氧氣及水汽侵入特別敏感。因?yàn)檠鯕馐谴銣鐒瑫?huì)使發(fā)光的量子效率顯著下降，氧氣對(duì)空穴傳輸層的氧化作用也會(huì)使其傳輸能力下降。水汽的影響更顯而易見，其主要破壞方式是有機(jī)化合物的水解作用，使其穩(wěn)定性大大下降，從而導(dǎo)致OLED器件失效，降低OLED器件的壽命。因而，有效抑制OLED器件在長(zhǎng)期工作過(guò)程中的退化和失效，以使其穩(wěn)定工作達(dá)到足夠的壽命，對(duì)封裝材料的阻隔性提出了極高的要求，而起密封保護(hù)作用的封裝技術(shù)就成了解決OLED器件壽命問(wèn)題的一個(gè)突破點(diǎn)。
[0005]封裝技術(shù)是通過(guò)形成結(jié)構(gòu)致密的隔層，對(duì)封裝區(qū)內(nèi)的核心部件實(shí)現(xiàn)物理保護(hù)。但傳統(tǒng)的封裝技術(shù)普遍存在壽命短的缺陷，防水氧效果差，限制了 OLED器件的進(jìn)一步應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]基于此，有必要提供一種防水氧效果較好的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0007]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、有機(jī)阻擋層及碲氧化合物層，其中，所述有機(jī)阻擋層的材料為酞菁銅、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' -聯(lián)苯-4,4' -二胺、8-羥基喹啉-鋁、4，4'，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉；所述碲氧化合物層包括氧化物和摻雜在所述氧化物中的碲化物，所述碲化物為 Sb2Te3' Bi2Te' CdTe, In2Te3、SnTe 或 PbTe，所述氧化物為 MgO、Al2O3' TiO2, ZrO2,HfO2或Ta2O5，所述碲化物在所述碲氧化合物層中的摻雜質(zhì)量濃度為10~30%。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)阻擋層的數(shù)量為4~6層，所述碲氧化合物層的數(shù)量與所述有機(jī)阻擋層的數(shù)量相同，所述有機(jī)阻擋層與所述碲氧化合物層交替設(shè)置。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)阻擋層的厚度為200~300nm。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述碲氧化合物層的厚度為100~200nm。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照25wt%的摻雜濃度摻雜入N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，1'-聯(lián)苯_4，4' -二胺中組成的摻雜混合材料；
[0012]所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺；[0013]所述發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜入1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中組成的摻雜混合材料；
[0014]所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉；
[0015]所述電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照25wt%的摻雜濃度摻入4，7_ 二苯基_1，10-菲羅啉中組成的混合材料。
[0016]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0017]在陽(yáng)極基板的陽(yáng)極層上依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極層；
[0018]采用真空蒸發(fā)的方式在所述陰極層上制備有機(jī)阻擋層，所述有機(jī)阻擋層的材料為酞菁銅、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1‘ -聯(lián)苯-4，4' - 二胺、8-羥基喹啉-鋁、4，4'，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉；
[0019]采用磁控濺射的方式在所述有機(jī)阻擋層上制備碲氧化合物層，所述碲氧化合物層包括氧化物和摻雜在所述氧化物中的碲化物，所述碲化物為Sb2Te3、Bi2Te, CdTe、In2Te3、SnTe或PbTe, 所述氧化物為MgO、A1203、Ti02、ZrO2^HfO2或Ta2O5,所述締化物在所述締氧化合物層中的摻雜質(zhì)量濃度為10~30%。
[0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述制備方法還包括重復(fù)制備所述有機(jī)阻擋層及所述碲氧化合物層的步驟，共制得4~6層所述有機(jī)阻擋層以及與所述摻有機(jī)阻擋層交替設(shè)置且數(shù)量相同的所述碲氧化合物層。
[0021]在其中一個(gè)實(shí)施例中，制備所述有機(jī)阻擋層過(guò)程中，蒸發(fā)速度為0.5A~5A/s,制得的所述有機(jī)阻擋層的厚度為200~300nm。
[0022]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述碲氧化合物層的厚度為100~200nm。
[0023]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照25wt%的摻雜濃度摻雜AN1N1- 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，1'-聯(lián)苯_4，4' -二胺中組成的摻雜混合材料；
[0024]所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺；
[0025]所述發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜入1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中組成的摻雜混合材料；
[0026]所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉；
[0027]所述電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照25wt%的摻雜濃度摻入4，7_ 二苯基_1，10-菲羅啉中組成的混合材料。
[0028]上述有機(jī)電致發(fā)光器件在陰極層上設(shè)置有有機(jī)阻擋層及碲氧化合物層，有機(jī)阻擋層及碲氧化合物層構(gòu)成水氧阻擋層，具有較好的防氧防水功能，分層設(shè)置的水氧阻擋層可以有效防止水氧逐漸滲透，阻擋水氧的效果更好。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能可達(dá)l(T4g/m2.天,封裝效果好,壽命可達(dá)5300小時(shí)以上。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備流程示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0031]下面主要結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0032]如圖1所示，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極基板110 (襯底和陽(yáng)極導(dǎo)電作用)、空穴注入層120 (注入空穴，有利于空穴從陽(yáng)極注入到傳輸材料中)、空穴傳輸層130 (傳輸空穴,有利于空穴傳輸?shù)桨l(fā)光材料中)、發(fā)光層140 (電子和空穴在此層中復(fù)合，然后將能量轉(zhuǎn)移給發(fā)光分子發(fā)光)、電子傳輸層150 (傳輸電子，有利于電子傳輸?shù)桨l(fā)光材料中)、電子注入層160 (注入電子，有利于電子從陽(yáng)極注入到傳輸材料中)、陰極層170 (電源為器件提供電子)及水氧阻擋層180 (阻擋水氧的物質(zhì)層)。
[0033]陽(yáng)極基板110的基底一般為玻璃，其上的陽(yáng)極層，也就是導(dǎo)電層的材質(zhì)一般為IT0、IZ0、AZ0、FT0等，優(yōu)選ITO ;在玻璃表面制備有ΙΤ0、IZ0、AZ0、FT0層的，簡(jiǎn)稱ITO玻璃、IZO玻璃、AZO玻璃、FTO玻璃。
[0034]120130140150160空穴注入層120、空穴傳輸層130、電子傳輸層150、電子注入層160等功能層采用常用的材料制備。如空穴注入層120可以通過(guò)MoO3按照25wt%的摻雜濃度摻入N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1’ -聯(lián)苯-4，4' -二胺(NPB)中得到；空穴傳輸層130可以為4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA);電子傳輸層150可以為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen);電子注入層160可以通過(guò)CsN3按照25wt%的摻雜濃度摻入Bphen中得到。此外，在其他實(shí)施方式中，該有機(jī)電致發(fā)光器件100還可以不包括空穴注入層120、空穴傳輸層130、電子傳輸層150及電子注入層160或者只包括上述其中一種、兩種或二種功能層。
[0035]發(fā)光層140可以采用常用的材料制備，如發(fā)光層140的主體材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)，其中，客體材料在主體材料中的摻雜濃度5wt%。
[0036]陰極層170可以采用非透明金屬材料制備，如鋁、鎳或金等，還可以采用具有介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)的透明材料制備，如IT0/Ag/IT0、ZnS/Ag/ZnS等。在本實(shí)施方式中，陰極層170的材料優(yōu)選鋁。
[0037]水氧阻擋層180包括依次層疊設(shè)置的有機(jī)阻擋層182及碲氧化合物層184。有機(jī)阻擋層182的材料為酞菁銅(CuPc)、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1_萘基)_1，1’ -聯(lián)苯-4,4' -二胺(ΝΡΒ)、8-羥基喹啉-鋁(Alq3)、4，f，4"-三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)。有機(jī)阻擋層182的厚度為200~300nm。碲氧化合物層184包括氧化物和摻雜在氧化物中的碲化物，其中，碲化物為 Sb2Te3' Bi2Te、CdTe、In2Te3' SnTe 或 PbTe，氧化物為 MgO、Al2O3' TiO2、ZrO2、HfO2 或 Ta2O5,碲化物在碲氧化合物層184中的摻雜質(zhì)量濃度為10~30%。碲氧化合物層184的厚度為100 ~200nm。
[0038] 有機(jī)阻擋層182與碲氧化合物層184的數(shù)量相同，可以為I層或多層，優(yōu)選4~6層，也即水氧阻擋層180可以由4~6層的有機(jī)阻擋層182與4~6層的碲氧化合物層184交替疊設(shè)而成。
[0039]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100在陰極層170上設(shè)置有有機(jī)阻擋層182及碲氧化合物層184，有機(jī)阻擋層182及碲氧化合物層184構(gòu)成水氧阻擋層180，具有較好的防氧防水功能，分層設(shè)置的水氧阻擋層180可以有效防止水氧逐漸滲透，阻擋水氧的效果更好。上述有機(jī)電致發(fā)光器件100的防水性能可達(dá)10_4g/m2.天，封裝效果好，壽命可達(dá)6500小時(shí)以上。
[0040]此外，本實(shí)施方式還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，如圖2所示，包括如下步驟:
[0041]步驟S110，在陽(yáng)極基板的陽(yáng)極層上依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層與陰極層。
[0042]在制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層之前，優(yōu)選的，還包括對(duì)陽(yáng)極基板進(jìn)行清洗的步驟，尤其是ITO玻璃基板。該清洗的步驟包括在超聲清洗機(jī)中對(duì)陽(yáng)極基板依次使用丙酮、乙醇、去離子水及乙醇清洗，每次洗滌5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈桑娓珊蠹纯伞?br> [0043]步驟S120，采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備有機(jī)阻擋層。有機(jī)阻擋層的材料為酞菁銅、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1’ -聯(lián)苯-4，4' - 二胺、8-羥基喹啉-鋁、4，4'，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉。
[0044]優(yōu)選的，在本實(shí)施方式的制備有機(jī)阻擋層過(guò)程中，蒸發(fā)速度為0.5人~5A/S,制得的有機(jī)阻擋層的厚度為200~300nm。
[0045]步驟S130，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備碲氧化合物層。碲氧化合物層包括氧化物和摻雜在氧化物中的碲化物，其中，碲化物為Sb2Te3、Bi2Te、CdTe、In2Te3、SnTe或PbTe，氧化物為MgO、A1203、TiO 2, ZrO2, HfO2或Ta2O5，碲化物在碲氧化合物層144中的摻雜質(zhì)量濃度為10~30%。
[0046]優(yōu)選的，在本實(shí)施方式中制備的碲氧化合物層的厚度為100~200nm。
[0047]有機(jī)阻擋層及碲氧化合物層構(gòu)成水氧阻擋層，當(dāng)需要制備多層水氧阻擋層時(shí)，可以在首次制備完碲氧化合物層后再重復(fù)步驟S120和步驟S130數(shù)次即可。
[0048]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中，所述陰極層的制備還包括:在電子注入層蒸鍍完畢后，先在電子注入層的表面蒸鍍一層ZnS層，隨后在ZnS層表面蒸鍍一層Ag層,最后在再Ag層表面蒸鍍一層ZnS層，完后制得陰極層。
[0049]上述制備方法原理簡(jiǎn)單，對(duì)設(shè)備要求低，可廣泛推廣應(yīng)用。
[0050]以下為實(shí)施例部分
[0051]實(shí)施例1:
[0052]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI (5wt%)/Bphen/CsN3: Bphen (30wt%)/Al 陰極層/CuPc/Sb2Te3:MgO (30wt%),其中，相應(yīng)層中“:”表示摻雜，括弧內(nèi)百分比數(shù)據(jù)表示前者在整個(gè)層中的摻雜質(zhì)量百分比，“/”表示層疊，具體制備過(guò)程如下:
[0053]a) ITO玻璃基板前處理:在超聲清洗機(jī)中依次使用丙酮、乙醇、去離子水、乙醇清洗，每次洗滌5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干；再?duì)洗凈后的ITO玻璃基板進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)。ITO玻璃基板的厚度為IOOnm0
[0054]b)有機(jī)功能層的制備:[0055]空穴注入層:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜濃度30wt%，在ITO玻璃基板上采用真空蒸鍍的方式制備厚度為IOnm的空穴注入層，制備過(guò)程中真空度3父10-%，蒸發(fā)速度0.1人/5;
[0056]空穴傳輸層:采用4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，采用真空蒸鍍的方式在空穴注入層上蒸發(fā)厚度30nm的空穴傳輸層，其中，制備過(guò)程中真空度 3X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.lA/s;
[0057]發(fā)光層:主體材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)，客體材料在主體材料中的摻雜濃度5wt%，采用真空蒸發(fā)的方式在空穴傳輸層上蒸發(fā)厚度為20nm的發(fā)光層，其中制備過(guò)程中真空度3父10-%，蒸發(fā)速度0.2人/5;
[0058]電子傳輸層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在發(fā)光層上蒸鍍一層厚度為IOnm的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，其中，制備過(guò)程中真空度3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1 A/S;
[0059]電子注入層的制備:將CsN3摻入Bphen中作為電子注入材料，摻雜濃度30wt%，在電子傳輸層上采用真空蒸發(fā)的方式蒸鍍一層厚度為20nm的電子注入層，其中，制備過(guò)程中真空度3父10-^，蒸發(fā)速度0.21/8。
[0060]c)陰極層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在電子注入層上蒸發(fā)一層厚度為IOOnm的Al作為陰極層，其中，制備過(guò)程中真空度3父10^^，蒸發(fā)速度5~3。
[0061]d)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層厚度300nm的CuPc作為有機(jī)阻擋層，其中，制備過(guò)程中真空度I X 10?,蒸發(fā)速度5 A /S
[0062]e)碲氧化合物層的制備:碲氧化合物層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，一種為Sb2Te3，另一種為MgO，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備厚度200nm的碲氧化合物層，其中，濺射過(guò)程中本底真空度為lX10_5Pa，Sb2Te3在整個(gè)碲氧化合物層中的摻雜濃度為30wt%。
[0063]交替重復(fù)步驟d)和e) 6次。
[0064]實(shí)施例2:
[0065]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al 陰極層/NPB/Bi2Te:Al203 ( 10wt%),其中，相應(yīng)層中“:”表示摻雜，括弧內(nèi)百分比數(shù)據(jù)表示前者在整個(gè)層中的摻雜質(zhì)量百分比，“/”表示層疊，具體制備過(guò)程如下:
[0066]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0067]d)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層厚度250nm的NPB作為有機(jī)阻擋層，其中，制備過(guò)程中真空度5 X 10?,蒸發(fā)速度2 A /S。
[0068]e)碲氧化合物層的制備:碲氧化合物層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，一種為Bi2Te,另一種為Al2O3，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備厚度IOOnm的碲氧化合物層，其中，濺射過(guò)程中本底真空度為IX 10_5Pa，Bi2Te在整個(gè)碲氧化合物層中的摻雜濃度為10wt%。
[0069]交替重復(fù)步驟d)和e) 6次。
[0070]實(shí)施例3:
[0071]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al 陰極層/Alq3/CdTe:Ti02 ( 20wt%),其中，相應(yīng)層中“:”表示摻雜，括弧內(nèi)百分比數(shù)據(jù)表示前者在整個(gè)層中的摻雜質(zhì)量百分比，“/”表示層疊，具體制備過(guò)程如下:
[0072]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0073]d)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層厚度200nm的Alq3作為有機(jī)阻擋層，其中，制備過(guò)程中真空度5\10-中&，蒸發(fā)速度0.5人/3。
[0074]e)碲氧化合物層的制備:碲氧化合物層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，一種為CdTe，另一種為TiO2，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備厚度160nm的碲氧化合物層，其中，濺射過(guò)程中本底真空度為IX 10_5Pa，CdTe在整個(gè)碲氧化合物層中的摻雜濃度為20wt%。
[0075]交替重復(fù)步驟d)和e) 6次。
[0076]實(shí)施例4:
[0077]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI (5wt%) /Bphen/CsN3: Bphen (30wt%) /Al 陰極層 /m-MTDATA/In2Te3:Zr02(20wt%)，其中，相應(yīng)層中“:”表示摻雜，括弧內(nèi)百分比數(shù)據(jù)表示前者在整個(gè)層中的摻雜質(zhì)量百分比，“/”表示層疊，具體制備過(guò)程如下:
[0078]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0079]d)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層厚度250nm的m-MTDATA作為有機(jī)阻擋層，其中，制備過(guò)程中真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2人/S。
[0080]e)碲氧化合物層的制備:碲氧化合物層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，一種為In2Te3，另一種為ZrO2，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備厚度150nm的碲氧化合物層，其中，濺射過(guò)程中本底真空度為5X10_5Pa，In2Te3在整個(gè)碲氧化合物層中的摻雜濃度為20wt%。
[0081]交替重復(fù)步驟d)和e) 5次。
[0082]實(shí)施例5:
[0083]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI (5wt%) /Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al 陰極層/BCP/SnTe:Hf02 ( 20wt%),其中，相應(yīng)層中“:”表示摻雜，括弧內(nèi)百分比數(shù)據(jù)表示前者在整個(gè)層中的摻雜質(zhì)量百分比，“/”表示層疊，具體制備過(guò)程如下:
[0084]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0085]d)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層厚度250nm的BCP作為有機(jī)阻擋層，其中，制備過(guò)程中真空度5 X 10?,蒸發(fā)速度I A/s。
[0086]e)碲氧化合物層的制備:碲氧化合物層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，一種為SnTe，另一種為HfO2，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備厚度150nm的碲氧化合物層，其中，濺射過(guò)程中本底真空度為5X 10_5Pa，SnTe在整個(gè)碲氧化合物層中的摻雜濃度為20wt%。
[0087]交替重復(fù)步驟d)和e) 5次。
[0088]實(shí)施例6:
[0089]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI (5wt%)/Bphen/CsN3: Bphen (30wt%)/Al 陰極層/CuPc/PbTe: Ta2O5 (20wt%),其中，相應(yīng)層中“:”表示摻雜，括弧內(nèi)百分比數(shù)據(jù)表示前者在整個(gè)層中的摻雜質(zhì)量百分比，“/”表示層疊，具體制備過(guò)程如下:[0090]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0091]d)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層厚度250nm的CuPc作為有機(jī)阻擋層，其中，制備過(guò)程中真空度I X 10_3Pa，蒸發(fā)速度2A/S。
[0092]e)碲氧化合物層的制備:碲氧化合物層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，一種為PbTe，另一種為Ta2O5，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備厚度120nm的碲氧化合物層，其中，濺射過(guò)程中本底真空度為IX 10_3Pa，PbTe在整個(gè)碲氧化合物層中的摻雜濃度為20wt%。
[0093]交替重復(fù)步驟d)和e) 4次。
[0094]表1為上述各實(shí)施例的防水氧性能檢測(cè)數(shù)據(jù):
[0095]表1
[0096]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、有機(jī)阻擋層及碲氧化合物層，其中，所述有機(jī)阻擋層的材料為酞菁銅、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1 -聯(lián)苯-4，4' - 二胺、8-羥基喹啉-鋁、4，4'，4 "-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉；所述碲氧化合物層包括氧化物和摻雜在所述氧化物中的碲化物，所述碲化物為Sb2Te3、Bi2Te, CdTe, In2Te3、SnTe或PbTe，所述氧化物為MgO、A1203、TiO2, Zr02、Hf02或Ta2O5，所述碲化物在所述碲氧化合物層中的摻雜質(zhì)量濃度為10~30%。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層的數(shù)量為4~6層，所述碲氧化合物層的數(shù)量與所述有機(jī)阻擋層的數(shù)量相同，所述有機(jī)阻擋層與所述碲氧化合物層交替設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層的厚度為200 ~300nmo
4.如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述碲氧化合物層的厚度為 100 ~200nm。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照25wt%的摻雜濃度摻雜入N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1 -聯(lián)苯-4，4' - 二胺中組成的摻雜混合材料； 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺； 所述發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜入1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑- 2-基)苯中組成的摻雜混合材料； 所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉； 所述電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照25wt%的摻雜濃度摻入4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉中組成的混合材料。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 在陽(yáng)極基板的陽(yáng)極層上依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極層； 采用真空蒸發(fā)的方式在所述陰極層上制備有機(jī)阻擋層，所述有機(jī)阻擋層的材料為酞菁銅、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4，4' - 二胺、8-羥基喹啉-鋁、4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉； 采用磁控濺射的方式在所述有機(jī)阻擋層上制備碲氧化合物層，所述碲氧化合物層包括氧化物和摻雜在所述氧化物中的碲化物，所述碲化物為Sb2Te3、Bi2Te、CdTe、In2Te3^SnTe或PbTe，所述氧化物為MgO、A1203、TiO2, ZrO2, HfO2或Ta2O5，所述碲化物在所述碲氧化合物層中的摻雜質(zhì)量濃度為10~30%。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，還包括重復(fù)制備所述有機(jī)阻擋層及所述碲氧化合物層的步驟，共制得4~6層所述有機(jī)阻擋層以及與所述摻有機(jī)阻擋層交替設(shè)置且數(shù)量相同的所述碲氧化合物層。
8.如權(quán)利要求6或7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，制備所述有機(jī)阻擋層過(guò)程中，蒸發(fā)速度為0.5人~5A/S，制得的所述有機(jī)阻擋層的厚度為200~300nm。
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述碲氧化合物層的厚度為100~200nm。
10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照25wt%的摻雜濃度摻雜入N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' _聯(lián)苯-4，4' _ 二胺中組成的慘雜混合材料； 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺； 所述發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜入1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中組成的摻雜混合材料； 所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉； 所述電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照25wt%的摻雜濃度摻入4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉中組成的混合 材料。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103904251SQ201210572615
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月25日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司