發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟：提供共晶焊接設(shè)備，提供電阻測(cè)量?jī)x，該電阻測(cè)量?jī)x包括電阻探針、恒流電源及配套電腦；提供發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片的頂部及底部?jī)蓚?cè)分別設(shè)有電極；提供基板；發(fā)光二極管芯片與基板的頂面貼合；發(fā)光二極管芯片與基板之間發(fā)生共晶焊接過(guò)程；電阻測(cè)量?jī)x的電阻探針與該發(fā)光二極管芯片的電極接合并測(cè)量光二極管芯片與基板的電阻值，當(dāng)測(cè)得的電阻值與預(yù)設(shè)的電阻值一致時(shí)，所述共晶焊接設(shè)備完成對(duì)發(fā)光二極管芯片與基板之間的共晶焊接過(guò)程。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的制造方法能夠?qū)崟r(shí)檢測(cè)發(fā)光二極管芯片與基板共晶焊接的效果。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，通常將發(fā)光二極管芯片封裝后粘著于一金屬基板上。同時(shí)，為了能夠?qū)⒎庋b后的發(fā)光二極管芯片固定于該基板上，發(fā)光二極管芯片與基板之間通常會(huì)經(jīng)由銀膠等粘結(jié)材料粘接。因此，在該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，發(fā)光二極管芯片與基板間的界面層較多，導(dǎo)致發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的熱量不能快速、及時(shí)地散發(fā)掉，進(jìn)而影響其生命周期及發(fā)光效率?，F(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通過(guò)將發(fā)光二極管芯片共晶焊接于基板上，從而有效地減小了發(fā)光二極管芯片與基板之間的界面層，使發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的熱量能夠直接經(jīng)由具有導(dǎo)熱效率較高的金屬共晶層及基板傳導(dǎo)出去。
[0003]共晶工藝中首先通過(guò)在發(fā)光二極管芯片的底面、基板的頂面上鍍有金屬層，發(fā)光二極管芯片由一真空吸嘴把持住并壓置于基板的頂面上，再通過(guò)在特定溫度下烘烤進(jìn)行共晶焊接(eutectic bonding)而形成金屬共晶層。然而,在特定溫度下烘烤的時(shí)間通常是一定的，只有在烘烤完成后才能對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行檢測(cè)，無(wú)法對(duì)共晶焊接的過(guò)程進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，效率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，有必要提供一種較佳的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中可以實(shí)時(shí)檢測(cè)發(fā)光二極管芯片與基板共晶焊接的效果。
[0005]一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟:步驟一，提供共晶焊接設(shè)備，該共晶焊接設(shè)備包括烘烤裝置、設(shè)置于烘烤裝置內(nèi)的支撐臺(tái)及吸嘴，提供電阻測(cè)量?jī)x，該電阻測(cè)量?jī)x包括電阻探針、恒流電源及配套電腦，其中所述電阻探針容置于所述吸嘴內(nèi)；步驟二，提供發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片的頂部及底部?jī)蓚?cè)分別設(shè)有電極；步驟三，提供基板承載于共晶焊接設(shè)備的支撐臺(tái)上；步驟四，通過(guò)吸嘴吸取并攜帶發(fā)光二極管芯片至與基板的頂面緊密貼合；步驟五，所述烘烤裝置對(duì)發(fā)光二極管芯片及基板進(jìn)行烘烤使得該發(fā)光二極管芯片與基板之間發(fā)生共晶焊接過(guò)程；步驟六，所述電阻測(cè)量?jī)x的電阻探針與該發(fā)光二極管芯片的電極接合，使得電阻測(cè)量?jī)x與發(fā)光二極管芯片及基板電導(dǎo)通并測(cè)量光二極管芯片與基板的電阻值，所述電阻測(cè)量?jī)x的配套電腦實(shí)時(shí)記錄所測(cè)得的電阻值，當(dāng)該測(cè)得的電阻值與預(yù)設(shè)的電阻值一致時(shí)，所述共晶焊接設(shè)備完成對(duì)發(fā)光二極管芯片與基板之間的共晶焊接過(guò)程。
[0006]一種由所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法所制造的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括基板、設(shè)置于基板上的發(fā)光二極管芯片及形成于發(fā)光二極管芯片與基板之間的共晶金屬層。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中利用共晶焊接設(shè)備將發(fā)光二極管芯片通過(guò)共晶焊接方式結(jié)合于基板上，從而有效地減小了發(fā)光二極管芯片與基板之間的界面層，使發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的熱量能夠直接經(jīng)由具有導(dǎo)熱效率較高的基板傳導(dǎo)出去，提高了發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的散熱效率。同時(shí)，在共晶焊接過(guò)程中，利用所述電阻測(cè)量?jī)x的電阻探針測(cè)量所述發(fā)光二極管芯片與基板二者的電阻值，當(dāng)測(cè)得的電阻值與預(yù)設(shè)的電阻值一致時(shí)，所述共晶焊接設(shè)備完成對(duì)發(fā)光二極管芯片與基板之間的共晶焊接過(guò)程，從而實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)檢測(cè)發(fā)光二極管芯片與基板共晶焊接的效果。
[0008]下面參照附圖，結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。
[0010]圖2是圖1中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S104中元件示意圖。
[0011]圖3是圖1中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S106中元件示意圖。
[0012]圖4是圖1中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中發(fā)光二極管芯片與基板之間貼合度與電阻值的關(guān)系示意圖。
[0013]圖5是圖1中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法所制造的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0014]主要元件符號(hào)說(shuō)明
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟: 步驟一，提供共晶焊接設(shè)備，該共晶焊接設(shè)備包括烘烤裝置、設(shè)置于烘烤裝置內(nèi)的支撐臺(tái)及吸嘴，提供電阻測(cè)量?jī)x，該電阻測(cè)量?jī)x包括電阻探針、恒流電源及配套電腦，其中所述電阻探針容置于所述吸嘴內(nèi)； 步驟二，提供發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片的頂部及底部?jī)蓚?cè)分別設(shè)有電極； 步驟三，提供基板承載于共晶焊接設(shè)備的支撐臺(tái)上； 步驟四，通過(guò)吸嘴吸取并攜帶發(fā)光二極管芯片至與基板的頂面緊密貼合； 步驟五，所述烘烤裝置對(duì)發(fā)光二極管芯片及基板進(jìn)行烘烤使得該發(fā)光二極管芯片與基板之間發(fā)生共晶焊接過(guò)程； 步驟六，所述電阻測(cè)量?jī)x的電阻探針與該發(fā)光二極管芯片的電極接合，使得電阻測(cè)量?jī)x與發(fā)光二極管芯片及基板電導(dǎo)通并測(cè)量光二極管芯片與基板的電阻值，所述電阻測(cè)量?jī)x的配套電腦實(shí)時(shí)記錄所測(cè)得的電阻值，當(dāng)該測(cè)得的電阻值與預(yù)設(shè)的電阻值一致時(shí)，所述共晶焊接設(shè)備完成對(duì)發(fā)光二極管芯片與基板之間的共晶焊接過(guò)程。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于:所述發(fā)光二極管芯片的底面上進(jìn)一步鍍有第一金屬層。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于:所述第一金屬層的材質(zhì)是Au、Sn、In、Al、Ag、B1、Be、Cu或其合金。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于:所述基板的頂面上進(jìn)一步鍍有第二金屬層。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于:所述第二金屬層的材質(zhì)是Au、Sn、In、Al、Ag、B1、Be、Cu或其合金。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于:所述支撐臺(tái)固定于一傳送帶上，以實(shí)現(xiàn)流水線作業(yè)。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于:所述電阻探針上加設(shè)有自動(dòng)傳感裝置，當(dāng)電阻探針接近發(fā)光二極管芯片時(shí)實(shí)行自動(dòng)減速。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于:所述電阻探針的材質(zhì)為碳化鶴、鋼或合金。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于:所述基板的材質(zhì)為娃、招或銅。
10.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括基板、設(shè)置于基板上的發(fā)光二極管芯片及形成于發(fā)光二極管芯片與基板之間的共晶金屬層，其特征在于:所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)由如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法所制造。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK103904190SQ201210572550
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月26日
【發(fā)明者】賴(lài)志成 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司