有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊的陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，在所述陰極層上交替涂覆至少一層有機(jī)阻擋層和一層無機(jī)阻擋層；所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜1-5mol％酞菁的金屬酞菁化合物組成的混合物，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化物。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，在現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光器件基礎(chǔ)上采用廉價(jià)的有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層交替涂覆進(jìn)行封裝，提高了膜層防水氧能力，有效地減少了外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件制備工藝簡(jiǎn)單，易大面積制備。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件領(lǐng)域，特別是涉及有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting Diode,0LED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在銦錫氧化物(Indium TinOxides, ΙΤ0)玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。其發(fā)光機(jī)理和過程是從陰、陽(yáng)兩極分別注入電子和空穴，被注入的電子和空穴在有機(jī)層內(nèi)傳輸，并在發(fā)光層內(nèi)復(fù)合，從而激發(fā)發(fā)光層分子產(chǎn)生單態(tài)激子，單態(tài)激子福射衰減而發(fā)光。
[0003]OLED器件具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動(dòng)了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前沿。
[0004]但是，由于外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，導(dǎo)致有機(jī)功能材料失效及電極性能的下降，所以目前有機(jī)電致發(fā)光器件普遍存在壽命短的缺陷，若使有機(jī)電致發(fā)光器件達(dá)到足夠的使用壽命，最為關(guān)鍵的就是對(duì)器件進(jìn)行有效的封裝，因此封裝的好壞直接影響器件的壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要提供一種防水、氧能力強(qiáng)的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0006]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，在所述陰極層上交替涂覆至少一層有機(jī)阻擋層和一層無機(jī)阻擋層；所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜l-5m0l%酞菁的金屬酞菁化合物組成的混合物，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化物。
[0007]酞菁是一個(gè)大環(huán)化合物，環(huán)內(nèi)有一個(gè)空穴，可以容納鐵、銅、鈷、鋁、鋅等金屬元素，并結(jié)合生成金屬配合物，即金屬酞菁化合物，金屬原子取代了位于該平面分子中心的兩個(gè)氫原子。由于金屬元素生成配位化合物，所以在金屬酞菁分子中只有16個(gè)π電子，又由于分子的共軛作用，使得與金屬原子相連的共價(jià)鍵和配位鍵在本質(zhì)上是等同的，因此金屬酞菁化合物具有良好的光限幅性能。在金屬酞菁化合物中摻雜l-5mol%酞菁可以達(dá)到協(xié)同互補(bǔ)作用，使得它們?cè)谟袡C(jī)電致發(fā)光器件的光譜區(qū)具有良好的光敏性。
[0008]在其中一些實(shí)施例中，所述有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層均為4-6層。
[0009]在其中一些實(shí)施例中，每層所述有機(jī)阻擋層的厚度為100~200nm，每層所述無機(jī)阻擋層的厚度為50~lOOnm。
[0010]在其中一些實(shí)施例中，所述氧化物為Ti02、Mg0、Si02、Zr02、Zn0*Al203。
[0011]在其中一些實(shí)施例中，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為TiO2，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜5m0l%酞菁的酞菁銅組成的混合物。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陰極層為三明治結(jié)構(gòu)，兩個(gè)外層的材質(zhì)為ZnS，中間層的材質(zhì)為Ag,每個(gè)所述外層的厚度為30nm,所述中間層的厚度為10nm。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層的材質(zhì)為摻雜30wt% MoO3的NW -二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4' -二胺，所述空穴注入層的厚度為IOnm;所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述空穴傳輸層的厚度為30nm ;所述發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜5被％三(2-苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯,所述發(fā)光層的厚度20nm ;所述電子傳輸層的材質(zhì)為4, 7- 二苯基-1,10-菲羅啉，所述電子傳輸層的厚度為IOnm ;所述電子注入層的材質(zhì)為摻雜30wt% CsN3的4,7- 二苯基-1，10-菲羅啉，所述電子注入層的厚度為20nm。
[0015]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0016](1)、在陽(yáng)極基底的陽(yáng)極層表面依次層疊真空蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0017](2)、在所述陰極層上真空蒸鍍有機(jī)阻擋層；其中，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜1-5mo I %酞菁的金屬酞菁化合物組成的混合物；
[0018](3)、把步驟(2)制得的樣品、氟化物和氧化物一同放入磁控濺射設(shè)備中，在所述有機(jī)阻擋層上磁控濺射制備無機(jī)阻擋層；其中，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化物；
[0019](4)、多次交替重復(fù)步驟(2)和步驟(3);
[0020]待上述工藝步驟結(jié)束后，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0021]在其中一個(gè)實(shí)施例中，步驟⑵所述真空蒸鍍中，真空度為1 X 10_5Pa-l X 10_3Pa，蒸鍍速度為0.5A/s-5A/s。
[0022]在其中一個(gè)實(shí)施例中，步驟(3)所述磁控濺射中，真空度為1 X 10_5Pa-l X 10_3Pa，磁控派射時(shí)還包括通入流量為5~IOsccm的気氣。
[0023]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，在現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光器件基礎(chǔ)上采用有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層交替涂覆進(jìn)行封裝。無機(jī)阻擋層采用氧化物材質(zhì)，而有機(jī)阻擋層采用摻雜酞菁的金屬酞菁化合物材質(zhì)，膜層穩(wěn)定性高，平整度好，有利于無機(jī)物在上面成膜，有效地減少了外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)。
[0024]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的封面透光率達(dá)78%以上，水蒸氣透過率(WaterVapor Transmission Rate,簡(jiǎn)稱 WVTR)達(dá)到 lCT4g/m2.day,本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命(T70@1000cd/m2)達(dá)到了 6000小時(shí)以上。
[0025]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件采用廉價(jià)的封裝材料進(jìn)行封裝，制備工藝簡(jiǎn)單，易大面積制備，適用于以玻璃基底制備的OLED器件以及塑料或金屬為基底制備的柔性O(shè)LED器件，特別適用于柔性O(shè)LED器件的應(yīng)用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)不意圖；[0027]附圖標(biāo)記:10、陽(yáng)極基底，20、功能層，201、空穴注入層，202、空穴傳輸層，203、發(fā)光層,204、電子傳輸層,205、電子注入層,30、陰極層,40、有機(jī)阻擋層,50、無機(jī)阻擋層。
【具體實(shí)施方式】
[0028]如圖1所示，為本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括:
[0029](I)陽(yáng)極基底10 ；
[0030](2)功能層20，位于陽(yáng)極基底10(包括襯底和起陽(yáng)極導(dǎo)電作用的陽(yáng)極層)和陰極層30(電源為器件提供電子)之間，包括依次層疊的空穴注入層201(注入空穴，有利于空穴從陽(yáng)極注入到傳輸材料中)、空穴傳輸層202 (傳輸空穴,有利于空穴傳輸?shù)桨l(fā)光材料中)、發(fā)光層203(電子和空穴在此層中復(fù)合，然后將能量轉(zhuǎn)移給發(fā)光分子發(fā)光)、電子傳輸層204 (傳輸電子,有利于電子傳輸?shù)桨l(fā)光材料中)、和電子注入層205 (注入電子,有利于電子從陽(yáng)極注入到傳輸材料中)，所述空穴注入層201位于所述陽(yáng)極基底10之上；
[0031](3)陰極層 30;
[0032](4)有機(jī)阻擋層40，涂覆在所述陰極層30上；有機(jī)阻擋層40的材質(zhì)為摻雜l-5mol %酞菁的金屬酞菁化合物組成的混合物，有機(jī)阻擋層40為4-6層，每層厚度為100nm_200nm ；
[0033](5)無機(jī)阻擋層50，涂覆在所述有機(jī)阻擋層40上；無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化物，所述氧化物為Ti02、Mg0、Si02、Zr02、Zn0或Al2O3 ;無機(jī)阻擋層50為4_6層，每層厚度為50~lOOnm。
[0034]當(dāng)有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層超過兩層時(shí)，所述有機(jī)阻擋層40和無機(jī)阻擋層50交
替涂覆。
[0035]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0036]S1、在陽(yáng)極基底10的陽(yáng)極層表面依次層疊真空蒸鍍功能層20 (包括空穴注入層201、空穴傳輸層202、發(fā)光層203、電子傳輸層204、電子注入層205)和陰極層30 ；
[0037]S2、在所述陰極層30上真空蒸鍍有機(jī)阻擋層40 ;其中，所述有機(jī)阻擋層40的材質(zhì)為摻雜l-5m0l%酞菁的金屬酞菁化合物組成的混合物；所述真空蒸鍍中，真空度為I X KT5Pa-1 X 10?,蒸鍍速度0.5A/S-5A/S;
[0038]S3、把步驟(2)制得的樣品、氟化物和氧化物一同放入磁控濺射設(shè)備中，在所述有機(jī)阻擋層40上磁控濺射制備無機(jī)阻擋層50 ;其中，所述無機(jī)阻擋層50的材質(zhì)為氧化物；所述磁控濺射中，真空度為lX10_5Pa_lX10_3Pa，磁控濺射時(shí)還包括通入流量為5~IOsccm的氬氣；
[0039]S4、多次交替重復(fù)步驟⑵和步驟(3)；
[0040]待上述工藝步驟結(jié)束后，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0041]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中，所述陰極層30的制備還包括:在電子注入層205蒸鍍完畢后,先在電子注入層205的表面蒸鍍一層ZnS層，隨后在ZnS層表面蒸鍍一層Ag層，最后再在Ag層表面蒸鍍一層ZnS層，完后制得陰極層30。
[0042]上述陽(yáng)極基底10的基底一般為玻璃，其上的陽(yáng)極層，也就是導(dǎo)電層，陽(yáng)極層的材質(zhì)一般為IT0、IZ0、AZ0、FT0等，優(yōu)選ITO ;在玻璃表面制備有ΙΤ0、IZ0、AZ0、FT0層的，簡(jiǎn)稱ITO玻璃、IZO玻璃、AZO玻璃、FTO玻璃。[0043]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的闡述。
[0044]實(shí)施例1有機(jī)電致發(fā)光器件
[0045]包括:
[0046](1)陽(yáng)極基底；
[0047](2)功能層，位于陽(yáng)極基底和陰極層之間，包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層，所述空穴注入層位于所述陽(yáng)極基底之上；
[0048](3)陰極層；
[0049](4)有機(jī)阻擋層，涂覆在所述陰極層上；有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜5m0l% H2Pc的CuPc組成的混合物，有機(jī)阻擋層為6層，每層厚度為200nm ；[0050](5)無機(jī)阻擋層，涂覆在所述有機(jī)阻擋層上；無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為TiO2 ;無機(jī)阻擋層為6層，每層厚度為lOOnm。
[0051]所述有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層交替涂覆。
[0052]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件是由以下步驟制備而得:
[0053](1)、制備陽(yáng)極基板(ITO玻璃基板)
[0054]先將ITO玻璃基板依次用丙酮、乙醇、去離子水、乙醇在超聲波清洗機(jī)中進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈桑嫦淇靖纱?；?duì)洗凈后的ITO玻璃基板還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ITO玻璃基板的厚度為IOOnm ；
[0055](2)制備功能層(依次為空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層，其中空穴注入層位于陽(yáng)極基板之上)
[0056]a空穴注入層
[0057]在ITO玻璃基板上真空蒸鍍空穴注入層，所述空穴注入層的材質(zhì)為摻雜30wt%的MoO3N, N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' -聯(lián)苯 _4，4' -二胺(NPB)，真空度為I X 10_5Pa，蒸鍍速度為0.lA/s,空穴注入層的厚度為IOnm ；
[0058]b空穴傳輸層
[0059]在空穴注入層的表面真空蒸鍍空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為4,4' ,4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，真空度為I X10_5Pa，蒸鍍速度為0.1A/S,蒸鍍厚度為30nm ;
[0060]c發(fā)光層
[0061]在空穴傳輸層的表面真空蒸鍍發(fā)光層，所述發(fā)光層的主體材料米用I,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5wt %，真空度為I X 10_5Pa，蒸鍍速度為0.2A/S ,蒸鍍厚度為20nm ；
[0062]d電子傳輸層
[0063]在發(fā)光層的表面真空蒸鍍一層4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，真空度為1X10-%，蒸鍍速度為0.:1A/S，蒸鍍厚度為IOnm ；
[0064]e電子注入層
[0065]在電子傳輸層的表面真空蒸鍍電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜30wt% CsN3的Bphen，真空度為I X 10_5Pa，蒸鍍速度為0.21/s,蒸鍍厚度為20nm ；
[0066](3)制備陰極層
[0067]在電子注入層的表面蒸鍍透明陰極層ZnS/Ag/ZnS，所述陰極層為三明治結(jié)構(gòu)，兩個(gè)外層的材質(zhì)為ZnS，中間層的材質(zhì)為Ag，每個(gè)所述外層的厚度為30nm，所述中間層的厚度為10nm。真空度為I X10_5Pa，蒸鍍速度為I A/S。
[0068](4)、制備有機(jī)阻擋層
[0069]在陰極層的表面真空蒸鍍有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜5m0l% H2Pc的CuPc組成的混合物，真空度為I X 10_5Pa，蒸鍍速度為lA/S有機(jī)阻擋層的厚度為200nm ；
[0070](5)、制備無機(jī)阻擋層
[0071]在有機(jī)阻擋層表面磁控濺射制備無機(jī)阻擋層，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)TiO2，真空度為I X10_5Pa，通入Ar，流量為lOsccm，無機(jī)阻擋層的厚度為IOOnm ；
[0072](6)、交替重復(fù)步驟⑷和步驟(5)6次，即得。
[0073]實(shí)施例2有機(jī)電致發(fā)光器件
[0074]包括:
[0075](I)陽(yáng)極基底；同實(shí)施例1 ;
[0076](2)功能層；同實(shí)施例1 ;
[0077](3)陰極層；同實(shí)施例1 ;
[0078](4)有機(jī)阻擋層， 涂覆在所述陰極層上；有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜3m0l% H2Pc的ZnPc組成的混合物，有機(jī)阻擋層為6層，每層厚度為150nm ；
[0079](5)無機(jī)阻擋層，涂覆在所述有機(jī)阻擋層上；無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為MgO ;無機(jī)阻擋層為6層，每層厚度為50nm。
[0080]所述有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層交替涂覆。
[0081]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件是由以下步驟制備而得:
[0082](I)、制備陽(yáng)極基底(ITO玻璃基板)
[0083]同實(shí)施例1步驟(1)。
[0084](2)制備功能層
[0085]同實(shí)施例1步驟(2)。
[0086](3)制備陰極層
[0087]同實(shí)施例1步驟(3)。
[0088](4)、制備有機(jī)阻擋層
[0089]在陰極層的表面真空蒸鍍有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜3m0l% H2Pc的ZnPc組成的混合物，真空度為5X 10_5Pa，蒸鍍速度為0.5A/S，有機(jī)阻擋層的厚度為150nm ；
[0090](5)、制備無機(jī)阻擋層
[0091]在有機(jī)阻擋層表面磁控濺射制備無機(jī)阻擋層，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為MgO，真空度為I X10_5Pa，通入Ar，流量為5sCCm，無機(jī)阻擋層的厚度為50nm ；
[0092](6)、交替重復(fù)步驟(4)和步驟(5)6次，即得。
[0093]實(shí)施例3有機(jī)電致發(fā)光器件
[0094]包括:
[0095](I)陽(yáng)極基底；同實(shí)施例1 ;
[0096](2)功能層；同實(shí)施例1 ;
[0097](3)陰極層；同實(shí)施例1 ;
[0098](4)有機(jī)阻擋層，涂覆在所述陰極層上；有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜lm0l% H2Pc的FePc組成的混合物，有機(jī)阻擋層為6層，每層厚度為IOOnm ；
[0099](5)無機(jī)阻擋層，涂覆在所述有機(jī)阻擋層上；無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為SiO2 ;無機(jī)阻擋層為6層，每層厚度為70nm。
[0100]所述有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層交替涂覆。
[0101]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件是由以下步驟制備而得:
[0102](I)、制備陽(yáng)極基底(ΙΤ0玻璃基板)
[0103]同實(shí)施例1步驟(1)。
[0104](2)制備功能層
[0105]同實(shí)施例1步驟(2)。
[0106](3)制備陰極層
[0107]同實(shí)施例1步驟(3)。
[0108](4)、制備有機(jī)阻擋 層
[0109]在陰極層的表面真空蒸鍍有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜lm0l% H2Pc的FePc組成的混合物，真空度為5X 10_5Pa，蒸鍍速度力2人/s,有機(jī)阻擋層的厚度為IOOnm ；
[0110](5)、制備無機(jī)阻擋層
[0111]在有機(jī)阻擋層表面磁控濺射制備無機(jī)阻擋層，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為SiO2，真空度為I XlO-5Pa,通入Ar，流量為7sCCm，無機(jī)阻擋層的厚度為70nm ；
[0112](6)、交替重復(fù)步驟(4)和步驟(5)6次，即得。
[0113]實(shí)施例4有機(jī)電致發(fā)光器件
[0114]包括:
[0115](I)陽(yáng)極基底；同實(shí)施例1 ；
[0116](2)功能層；同實(shí)施例1 ;
[0117](3)陰極層；同實(shí)施例1 ;
[0118](4)有機(jī)阻擋層，涂覆在所述陰極層上；有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜3m0l% H2Pc的CoPc組成的混合物，有機(jī)阻擋層為5層，每層厚度為150nm ；
[0119](5)無機(jī)阻擋層，涂覆在所述有機(jī)阻擋層上；無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為ZrO2 ;無機(jī)阻擋層為5層，每層厚度為lOOnm。
[0120]所述有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層交替涂覆。
[0121]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件是由以下步驟制備而得:
[0122](I)、制備陽(yáng)極基底(ITO玻璃基板)
[0123]同實(shí)施例1步驟(1)。
[0124](2)制備功能層
[0125]同實(shí)施例1步驟(2)。
[0126](3)制備陰極層
[0127]同實(shí)施例1步驟(3)。
[0128](4)、制備有機(jī)阻擋層
[0129]在陰極層的表面真空蒸鍍有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜3m0l% H2Pc的CoPc組成的混合物，真空度為5 X 10_5Pa，蒸鍍速度為3人/S，有機(jī)阻擋層的厚度為150nm ；
[0130](5)、制備無機(jī)阻擋層[0131]在有機(jī)阻擋層表面磁控濺射制備無機(jī)阻擋層，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為ZrO2，真空度為5 X10_5Pa，通入Ar，流量為lOsccm，無機(jī)阻擋層的厚度為IOOnm ；
[0132](6)、交替重復(fù)步驟⑷和步驟(5)5次，即得。
[0133]實(shí)施例5有機(jī)電致發(fā)光器件
[0134]包括:
[0135](I)陽(yáng)極基底；同實(shí)施例1 ;
[0136](2)功能層；同實(shí)施例1 ;
[0137](3)陰極層；同實(shí)施例1 ;
[0138](4)有機(jī)阻擋層，涂覆在所述陰極層上；有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜3m0l% H2Pc的MnPc組成的混合物,有機(jī)阻擋層為5層,每層厚度為150nm ；
[0139](5)無機(jī)阻擋層，涂覆在所述有機(jī)阻擋層上；無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為ZnO ;無機(jī)阻擋層為5層，每層厚度為80nm。
[0140]所述有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層交替涂覆。
[0141]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件是由以下步驟制備而得:
[0142](I)、制備陽(yáng)極基 底(ITO玻璃基板)
[0143]同實(shí)施例1步驟(1)。
[0144](2)制備功能層
[0145]同實(shí)施例1步驟(2)。
[0146](3)制備陰極層
[0147]同實(shí)施例1步驟(3)。
[0148](4)、制備有機(jī)阻擋層
[0149]在陰極層的表面真空蒸鍍制備有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜3m0l% H2Pc的MnPc組成的混合物，真空度為5X 10_5Pa，蒸鍍速度為1A/S，有機(jī)阻擋層的厚度為150nm ；
[0150](5)、制備無機(jī)阻擋層
[0151]在有機(jī)阻擋層表面磁控濺射制備無機(jī)阻擋層，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為ZnO組成的混合物，真空度為5X10_5Pa，通入Ar，流量為5sCCm，無機(jī)阻擋層的厚度為80nm ；
[0152](6)、交替重復(fù)步驟⑷和步驟(5)5次，即得。
[0153]實(shí)施例6有機(jī)電致發(fā)光器件
[0154]包括:
[0155](I)陽(yáng)極基底；同實(shí)施例1 ;
[0156](2)功能層；同實(shí)施例1 ;
[0157](3)陰極層；同實(shí)施例1 ;
[0158](4)有機(jī)阻擋層，涂覆在所述陰極層上；有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜3m0l% H2Pc的NiPc組成的混合物，有機(jī)阻擋層為4層，每層厚度為150nm ；
[0159](5)無機(jī)阻擋層，涂覆在所述有機(jī)阻擋層上；無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為Al2O3 ;無機(jī)阻擋層為4層，每層厚度為70nm。
[0160]所述有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層交替涂覆。
[0161]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件是由以下步驟制備而得:
[0162](I)、制備陽(yáng)極基底(ITO玻璃基板)[0163]同實(shí)施例1步驟(1)。
[0164](2)制備功能層
[0165]同實(shí)施例1步驟(2)。
[0166](3)制備陰極層
[0167]同實(shí)施例1步驟(3)。
[0168](4)、制備有機(jī)阻擋層
[0169]在陰極層的表面真空蒸鍍有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜3m0l% H2Pc的NiPc組成的混合物，真空度為I X 10_3Pa，蒸鍍速度為5A/S有機(jī)阻擋層的厚度為150nm ；
[0170](5)、制備無機(jī)阻擋層
[0171]在有機(jī)阻擋層表面磁控濺射制備無機(jī)阻擋層，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為Al2O3，真空度為I X10_3Pa，通入Ar，流量為7sCCm，無機(jī)阻擋層的厚度為70nm ；
[0172](6)、交替重復(fù)步驟⑷和步驟(5)4次，即得。
[0173]對(duì)實(shí)施例1-6的有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行了水蒸氣透過率(WVTR)、使用壽命和透過率的測(cè)試，結(jié)果如表1所示:
[0174]表1實(shí)施例1-6的測(cè)試結(jié)果
[0175]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，其特征在于，在所述陰極層上交替涂覆至少一層有機(jī)阻擋層和一層無機(jī)阻擋層；所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜l-5mol%酞菁的金屬酞菁化合物組成的混合物，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層均為4-6層，每層所述有機(jī)阻擋層的厚度為100~200nm，每層所述無機(jī)阻擋層的厚度為 50 ~lOOnm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化物為Ti02、MgO> Si02、ZrO2> ZnO 或 Al2O30
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為TiO2，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜5m0l%酞菁的酞菁銅組成的混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極層為三明治結(jié)構(gòu)，兩個(gè)外層的材質(zhì)為ZnS，中間層的材質(zhì)為Ag，每個(gè)所述外層的厚度為30nm，所述中間層的厚度為10nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為摻雜30wt% MoO3的化⑷-二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，1'-聯(lián)苯_4，4' -二胺，所述空穴注入層的厚度為IOnm;所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述空穴傳輸層的厚度為30nm;所述發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜5被％三(2-苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述發(fā)光層的厚度20nm;所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉，所述電子傳輸層的厚度為IOnm ;所述電子注入層的材質(zhì)為摻雜30wt% CsN3的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，所述電子注入層的厚度為20nm。
8.—種權(quán)利要求1-7任一所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟: (1)、在陽(yáng)極基底的陽(yáng)極層表面依次層疊真空蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層； (2)、在所述陰極層上真空蒸鍍有機(jī)阻擋層；其中，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜1-5mo l%酞菁的金屬酞菁化合 物組成的混合物； (3)、把步驟(2)制得的樣品、氟化物和氧化物一同放入磁控濺射設(shè)備中，在所述有機(jī)阻擋層上磁控濺射制備無機(jī)阻擋層；其中，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化物； (4)、多次交替重復(fù)步驟(2)和步驟(3)； 待上述工藝步驟結(jié)束后，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述真空蒸鍍中，真空度為1X10-5Pa-1 X 10?,蒸鍍速度為0.5人/S-5A/S.
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述磁控濺射中，真空度為I X IO-5Pa-1 X10_3Pa，磁控濺射時(shí)還包括通入流量為5~10sccm的IS氣。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK103904245SQ201210572565
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月25日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司