一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、有機(jī)阻擋層及硒氮化合物層。該上述有機(jī)電致發(fā)光器件在陰極層上設(shè)置有有機(jī)阻擋層及硒氮化合物層，有機(jī)阻擋層及硒氮化合物層構(gòu)成水氧阻擋層，具有較好的防氧防水功能，分層設(shè)置的水氧阻擋層可以有效防止水氧逐漸滲透，阻擋水氧的效果更好。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能可達(dá)10-4g/m2·天，封裝效果好，壽命可達(dá)6500小時(shí)以上。此外，本發(fā)明還涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制備一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作為發(fā)光層，發(fā)光層上方設(shè)有一層低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為在照明和顯示器件市場上具有廣闊的應(yīng)用前景。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。
[0004]但有機(jī)電致發(fā)光材料對(duì)氧氣及水汽侵入特別敏感。因?yàn)檠鯕馐谴銣鐒?，?huì)使發(fā)光的量子效率顯著下降，氧氣對(duì)空穴傳輸層的氧化作用也會(huì)使其傳輸能力下降。水汽的影響更顯而易見，其主要破壞方式是有機(jī)化合物的水解作用，使其穩(wěn)定性大大下降，從而導(dǎo)致OLED器件失效，降低OLED器件的壽命。因而，有效抑制OLED器件在長期工作過程中的退化和失效，以使其穩(wěn)定工作達(dá)到足夠的壽命，對(duì)封裝材料的阻隔性提出了極高的要求，而起密封保護(hù)作用的封裝技術(shù)就成了解決OLED器件壽命問題的一個(gè)突破點(diǎn)。
[0005]封裝技術(shù)是通過形成結(jié)構(gòu)致密的隔層，對(duì)封裝區(qū)內(nèi)的核心部件實(shí)現(xiàn)物理保護(hù)。但傳統(tǒng)的封裝技術(shù)普遍存在壽 命短的缺陷，防水氧效果差，限制了 OLED器件的進(jìn)一步應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]基于此，有必要提供一種防水氧效果較好的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0007]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、有機(jī)阻擋層及硒氮化合物層，其中，所述有機(jī)阻擋層的材料為酞菁銅、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉-鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉；所述硒氮化合物層包括氮化合物和摻雜在所述氮化合物中的硒化合物，所述硒化合物為 Sb2Se3、MoSe2, Bi2Se3^ NbSe2, TaSe2 或 Cu2Se,所述氮化合物為 Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN，所述硒化合物在所述硒氮化合物層中的摻雜質(zhì)量濃度為10~30%。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)阻擋層的數(shù)量為4飛層，所述硒氮化合物層的數(shù)量與所述有機(jī)阻擋層的數(shù)量相同，所述有機(jī)阻擋層與所述硒氮化合物層交替設(shè)置。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)阻擋層的厚度為20(T300nm。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述硒氮化合物層的厚度為10(Tl50nm。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照25wt%的摻雜濃度摻雜入N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺中組成的摻雜混合材料；
[0012]所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺；
[0013]所述發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜入1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中組成的摻雜混合材料；
[0014]所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉；
[0015]所述電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照25wt%的摻雜濃度摻入4，7_ 二苯基_1，10-菲羅啉中組成的混合材料。
[0016]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0017]在陽極基板的陽極層上依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極層；
[0018]采用真空蒸發(fā)的方式在所述陰極層上制備有機(jī)阻擋層，所述有機(jī)阻擋層的材料為酞菁銅、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉-鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉；
[0019]采用磁控濺射的方式在所述有機(jī)阻擋層上制備硒氮化合物層，所述硒氮化合物層包括氮化合物和摻雜在所述氮化合物中的硒化合物，所述硒化合物為Sb2Se3、M0Se2、Bi2Se3、NbSe2, TaSe2或Cu2Se,所述氮化合物為Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN，所述硒化合物在所述硒氮化合物層中的摻雜質(zhì)量濃度為10-30%。
[0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述制備方法還包括重復(fù)制備所述有機(jī)阻擋層及所述硒氮化合物層的步驟，共制得4飛層所述有機(jī)阻擋層以及與所述摻有機(jī)阻擋層交替設(shè)置且數(shù)量相同的所述硒氮化合物層。
[0021]在其中一個(gè)實(shí)施例中，制備所述有機(jī)阻擋層過程中，蒸發(fā)速度為0.5人~5人/s,制得的所述有機(jī)阻擋層的厚度為20(T300nm。
[0022]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述硒氮化物層的厚度為10(Tl50nm。
[0023]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照25wt%的摻雜濃度摻雜入N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺中組成的摻雜混合材料；
[0024]所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺；
[0025]所述發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜入1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中組成的摻雜混合材料；
[0026]所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉；
[0027]所述電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照25wt%的摻雜濃度摻入4，7_ 二苯基_1，10-菲羅啉中組成的混合材料。
[0028]上述有機(jī)電致發(fā)光器件在陰極層上設(shè)置有有機(jī)阻擋層及硒氮化合物層，有機(jī)阻擋層及硒氮化合物層構(gòu)成水氧阻擋層，具有較好的防氧防水功能，分層設(shè)置的水氧阻擋層可以有效防止水氧逐漸滲透，阻擋水氧的效果更好。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能可達(dá)10_4g/m2.天，封裝效果好，壽命可達(dá)6500小時(shí)以上。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面主要結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0032]如圖1所示，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊設(shè)置的陽極基板110 (襯底和陽極導(dǎo)電作用)、空穴注入層120 (注入空穴，有利于空穴從陽極注入到傳輸材料中)、空穴傳輸層130 (傳輸空穴,有利于空穴傳輸?shù)桨l(fā)光材料中)、發(fā)光層140 (電子和空穴在此層中復(fù)合，然后將能量轉(zhuǎn)移給發(fā)光分子發(fā)光)、電子傳輸層150 (傳輸電子，有利于電子傳輸?shù)桨l(fā)光材料中)、電子注入層160 (注入電子，有利于電子從陽極注入到傳輸材料中)、陰極層170 (電源為器件提供電子)及水氧阻擋層180 (阻擋水氧的物質(zhì)層)。
[0033]陽極基板110的基底一般為玻璃，其上的陽極層，也就是導(dǎo)電層的材質(zhì)一般為IT0、IZ0、AZ0、FT0等，優(yōu)選ITO ;在玻璃表面制備有ΙΤ0、IZ0、AZ0、FT0層的，簡稱ITO玻璃、IZO玻璃、AZO玻璃、FTO玻璃。
[0034]空穴注入層120、空穴傳輸層130、電子傳輸層150、電子注入層160等功能層采用常用的材料制備。如空穴注入層120可以通過MoO3按照25wt%的摻雜濃度摻入N，N’ - 二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯_4，4’-=K(NPB)中得到；空穴傳輸層130可以為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA);電子傳輸層150可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen);電子注入層160可以通過CsN3按照25wt%的摻雜濃度摻入Bphen中得到。此外，在其他實(shí)施方式中，該有機(jī)電致發(fā)光器件100還可以不包括空穴注入層120、空穴傳輸層130、電子傳輸層150及電子注入層160或者只包括上述其中一種、兩種或三種功能層。
[0035]發(fā)光層140可以采用常用的材料制備，如發(fā)光層140的主體材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)，其中，客體材料在主體材料中的摻雜濃度5wt%。
[0036]陰極層170可以采用非透明金屬材料制備，如鋁、鎳或金等，還可以采用具有介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)的透明材料制備，如IT0/Ag/IT0、ZnS/Ag/ZnS等。在本實(shí)施方式中，陰極層170的材料優(yōu)選鋁。
[0037]水氧阻擋層180包括依次層疊設(shè)置的有機(jī)阻擋層182及硒氮化合物層184。有機(jī)阻擋層182的材料為酞菁銅(CuPc)、N，N’-二苯基-N，N’-二(1_萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、8-羥基喹啉-鋁(4193)、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)。有機(jī)阻擋層182的厚度為20(T300nm。硒氮化合物層184包括氮化合物和摻雜在氮化合物中的硒化合物。其中，硒化合物為 Sb2Se3、MoSe2、Bi2Se3、NbSe2、TaSe2 或 Cu2Se,氮化合物為 Si3N4、AlN、BN、HfN、TaN或TiN。硒化合物在硒氮化合物層184中的摻雜質(zhì)量濃度為10-30%。硒氮化合物層184的厚度為 100~l50nm。
[0038]有機(jī)阻擋層182與硒氮化合物層184的數(shù)量相同，可以為I層或多層，優(yōu)選4飛層，也即水氧阻擋層180可以由4飛層的有機(jī)阻擋層182與硒氮化合物層184交替疊設(shè)而成。
[0039]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100在陰極層170上設(shè)置有有機(jī)阻擋層182及硒氮化合物層184，有機(jī)阻擋層182及硒氮化合物層184構(gòu)成水氧阻擋層180，具有較好的防氧防水功能，分層設(shè)置的水氧阻擋層180可以有效防止水氧逐漸滲透，阻擋水氧的效果更好。上述有機(jī)電致發(fā)光器件100的防水性能可達(dá)10_4g/m2.天，封裝效果好，壽命可達(dá)6500小時(shí)以上。
[0040]此外，本實(shí)施方式還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，如圖2所示，包括如下步驟:[0041]步驟S110，在陽極基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層與陰極層。
[0042]在制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極層之前，優(yōu)選的，還包括對(duì)陽極基板進(jìn)行清洗的步驟，尤其是ITO玻璃基板。該清洗的步驟包括在超聲清洗機(jī)中對(duì)陽極基板依次使用丙酮、乙醇、去離子水及乙醇清洗，每次洗滌5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘干后即可?br> [0043]其中，陰極層的制備還包括:在電子注入層蒸鍍完畢后，先在電子注入層的表面蒸鍍一層ZnS層，隨后在ZnS層表面蒸鍍一層Ag層,最后在再Ag層表面蒸鍍一層ZnS層,完后制得陰極層。
[0044]步驟S120，采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的材料為酞菁銅、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉-鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉。
[0045]優(yōu)選的，在本實(shí)施方式的制備有機(jī)阻擋層過程中，蒸發(fā)速度為0.5人~5A/S,制得的有機(jī)阻擋層的厚度為20(T300nm。
[0046]步驟S130，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備硒氮化合物層，硒氮化合物層包括氮化合物和摻雜在氮化合物中的硒化合物，硒化合物為Sb2Se3、M0Se2、Bi2Se3、NbSe2、TaSe2或Cu2Se,氮化合物為Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN，硒化合物在硒氮化合物層中的摻雜質(zhì)量濃度為10~30%。
[0047]優(yōu)選的，在本實(shí)施方式中制備的硒氮化合物層的厚度為10(Tl50nm。 [0048]有機(jī)阻擋層及硒氮化合物層構(gòu)成水氧阻擋層，當(dāng)需要制備多層水氧阻擋層時(shí)，可以在首次制備完硒氮化合物層后再重復(fù)步驟S120和步驟S130數(shù)次即可。
[0049]上述制備方法原理簡單，對(duì)設(shè)備要求低，可廣泛推廣應(yīng)用。
[0050]以下為實(shí)施例部分
[0051]實(shí)施例1:
[0052]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI (5wt%)/Bphen/CsN3: Bphen (30wt%)/Al 陰極層 /CuPc/Sb2Se3: Si3N4 (30wt%),其中，相應(yīng)層中“:”表示摻雜，括弧內(nèi)百分比數(shù)據(jù)表示前者在整個(gè)層中的摻雜質(zhì)量百分比，“/”表示層疊，具體制備過程如下:
[0053]a) ITO玻璃基板前處理:在超聲清洗機(jī)中依次使用丙酮、乙醇、去離子水、乙醇清洗，每次洗滌5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干；再?duì)洗凈后的ITO玻璃基板進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)。ITO玻璃基板的厚度為IOOnm0
[0054]b)有機(jī)功能層的制備:
[0055]空穴注入層:將MoO3摻雜入NPB中作為空穴注入材料，摻雜濃度30wt%，在ITO玻璃基板上采用真空蒸鍍的方式制備厚度為IOnm的空穴注入層，制備過程中真空度3父10-午&，蒸發(fā)速度0.1人/3;
[0056]空穴傳輸層:采用4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，采用真空蒸鍍的方式在空穴注入層上蒸發(fā)厚度30nm的空穴傳輸層，其中，制備過程中真空度 3X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.lA/s;[0057]發(fā)光層:主體材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)，客體材料在主體材料中的摻雜濃度5wt%，采用真空蒸發(fā)的方式在空穴傳輸層上蒸發(fā)厚度為20nm的發(fā)光層，其中制備過程中真空度3父10-午&，蒸發(fā)速度0.2人/5;
[0058]電子傳輸層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在發(fā)光層上蒸鍍一層厚度為IOnm的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層，其中，制備過程中真空度3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1人/s;
[0059]電子注入層的制備:將CsN3摻入Bphen中作為電子注入材料，摻雜濃度30wt%，在電子傳輸層上采用真空蒸發(fā)的方式蒸鍍一層厚度為20nm的電子注入層，其中，制備過程中真空度3父10-^，蒸發(fā)速度0.2人&
[0060]c)陰極層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在電子注入層上蒸發(fā)一層厚度為IOOnm的Al作為陰極層，其中，制備過程中真空度3 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度5 A/S.[0061]d)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層厚度300nm的CuPc作為有機(jī)阻擋層，其中，制備過程中真空度I X 10?,蒸發(fā)速度5 A /S?
[0062]e)硒氮化合物層的制備:硒氮化合物層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，一種為Sb2Se3，另一種為Si3N4，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備厚度150nm的硒氮化合物層，其中，濺射過程中本底真空度為lX10_5Pa，Sb2Se3在整個(gè)硒氮化合物層中的摻雜濃度為30wt%。
[0063]交替重復(fù)步驟d)和e) 6次。
[0064]實(shí)施例2:
[0065]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI (5wt%) /Bphen/CsN3: Bphen (30wt%)/Al 陰極層/NPB/MoSe2:AlN (10wt%),其中，相應(yīng)層中“:”表示摻雜，括弧內(nèi)百分比數(shù)據(jù)表示前者在整個(gè)層中的摻雜質(zhì)量百分比，“/”表示層疊，具體制備過程如下:
[0066]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0067]d)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層厚度250nm的NPB作為有機(jī)阻擋層，其中，制備過程中真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2 A /s.[0068]e)硒氮化合物層的制備:硒氮化合物層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，一種為MoSe2,另一種為A1N，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備厚度IOOnm的硒氮化合物層，其中，濺射過程中本底真空度為I X 10_5Pa，MoSe2在整個(gè)硒氮化合物層中的摻雜濃度為10wt%。
[0069]交替重復(fù)步驟d)和e) 6次。
[0070]實(shí)施例3:
[0071]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al 陰極層/Alq3/Bi2Se3:BN (23wt%),其中，相應(yīng)層中“:”表示摻雜，括弧內(nèi)百分比數(shù)據(jù)表示前者在整個(gè)層中的摻雜質(zhì)量百分比，“/”表示層疊，具體制備過程如下:
[0072]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0073]d)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層厚度200nm的Alq3作為有機(jī)阻擋層，其中，制備過程中真空度5\10_中&，蒸發(fā)速度().5人/5,.[0074]e)硒氮化合物層的制備:硒氮化合物層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，一種為Bi2Se3，另一種為BN，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備厚度120nm的硒氮化合物層，其中，濺射過程中本底真空度為I X 10_5Pa，Bi2Se3在整個(gè)硒氮化合物層中的摻雜濃度為23wt%。
[0075]交替重復(fù)步驟d)和e) 6次。
[0076]實(shí)施例4:
[0077]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI (5wt%) /Bphen/CsN3: Bphen (30wt%) /Al 陰極層 /m_MTDATA/NbSe2:HfN(20wt%)，其中，相應(yīng)層中“:”表示摻雜，括弧內(nèi)百分比數(shù)據(jù)表示前者在整個(gè)層中的摻雜質(zhì)量百分比，“/”表示層疊，具體制備過程如下:
[0078]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0079]d)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層厚度250nm的m-MTDATA作為有機(jī)阻擋層，其中，制備過程中真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/s?
[0080]e)硒氮化合物層的制備:硒氮化合物層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，一種為NbSe2,另一種為HfN，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備厚度140nm的硒氮化合物層，其中，濺射過程中本底真空度為5X 10_5Pa，NbSe2在整個(gè)硒氮化合物層中的摻雜濃度為20wt%。
[0081]交替重復(fù)步驟d)和e) 5次。
[0082]實(shí)施例5:
[0083]本實(shí)施例的有 機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI (5wt%) /Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al 陰極層/BCP/TaSe2:TaN (20wt%),其中，相應(yīng)層中“:”表示摻雜，括弧內(nèi)百分比數(shù)據(jù)表示前者在整個(gè)層中的摻雜質(zhì)量百分比，“/”表示層疊，具體制備過程如下:
[0084]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0085]d)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層厚度250nm的BCP作為有機(jī)阻擋層，其中，制備過程中真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度I人
[0086]e)硒氮化合物層的制備:硒氮化合物層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，一種為TaSe2,另一種為TaN，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備厚度130nm的硒氮化合物層，其中，濺射過程中本底真空度為5X 10_5Pa，TaSe2在整個(gè)硒氮化合物層中的摻雜濃度為20wt%。
[0087]交替重復(fù)步驟d)和e) 5次。
[0088]實(shí)施例6:
[0089]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI (5wt%)/Bphen/CsN3: Bphen (30wt%)/Al 陰極層/CuPc/Cu2Se:TiN (20wt%),其中，相應(yīng)層中“:”表示摻雜，括弧內(nèi)百分比數(shù)據(jù)表示前者在整個(gè)層中的摻雜質(zhì)量百分比，“/”表示層疊，具體制備過程如下:
[0090]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0091]d)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層厚度250nm的CuPc作為有機(jī)阻擋層，其中，制備過程中真空度I X 10_3Pa，蒸發(fā)速度2A/S。
[0092]e)硒氮化合物層的制備:硒氮化合物層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，一種為Cu2Se,另一種為TiN，采用磁控濺射的方式在有機(jī)阻擋層上制備厚度120nm的硒氮化合物層，其中，濺射過程中本底真空度為IX 10_3Pa，Cu2Se在整個(gè)硒氮化合物層中的摻雜濃度為20wt%。
[0093]交替重復(fù)步驟d)和e) 4次。[0094]表1為上述各實(shí)施例的防水氧性能檢測數(shù)據(jù):
[0095]表1
[0096]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、有機(jī)阻擋層及硒氮化合物層，其中，所述有機(jī)阻擋層的材料為酞菁銅、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, 1’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉-鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉；所述硒氮化合物層包括氮化合物和摻雜在所述氮化合物中的硒化合物，所述硒化合物為Sb2Se3、MoSe2, Bi2Se3、 NbSe2, TaSe2或Cu2Se,所述氮化合物為Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN，所述硒化合物在所述硒氮化合物層中的摻雜質(zhì)量濃度為10~30%。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層的數(shù)量為4~6層，所述硒氮化合物層的數(shù)量與所述有機(jī)阻擋層的數(shù)量相同，所述有機(jī)阻擋層與所述硒氮化合物層交替設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層的厚度為200~300nmo
4.如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述硒氮化合物層的厚度為 100~150nm。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照25wt%的摻雜濃度摻雜入N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，1’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺中組成的摻雜混合材料； 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺； 所述發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜入1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中組成的摻雜混合材料； 所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉； 所述電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照25wt%的摻雜濃度摻入4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉中組成的混合材料。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 在陽極基板的陽極層上依次真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極層； 采用真空蒸發(fā)的方式在所述陰極層上制備有機(jī)阻擋層，所述有機(jī)阻擋層的材料為酞菁銅、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、8-羥基喹啉-鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉； 采用磁控濺射的方式在所述有機(jī)阻擋層上制備硒氮化合物層，所述硒氮化合物層包括氮化合物和摻雜在所述氮化合物中的硒化合物，所述硒化合物為Sb2Se3、MoSe2、Bi2Se3、NbSe2, TaSe2或Cu2Se,所述氮化合物為Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN，所述硒化合物在所述硒氮化合物層中的摻雜質(zhì)量濃度為10-30%。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，還包括重復(fù)制備所述有機(jī)阻擋層及所述硒氮化合物層的步驟，共制得4飛層所述有機(jī)阻擋層以及與所述摻有機(jī)阻擋層交替設(shè)置且數(shù)量相同的所述硒氮化合物層。
8.如權(quán)利要求6或7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，制備所述有機(jī)阻擋層過程中，蒸發(fā)速度為0.5人~5A/S,制得的所述有機(jī)阻擋層的厚度為200~300nm。
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述硒氮化物層的厚度為100-l50nm。
10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照25wt%的摻雜濃度摻雜入N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺中組成的摻雜混合材料； 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺； 所述發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜入1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中組成的摻雜混合材料； 所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉； 所述電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照25wt%的摻雜濃度摻入4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉中組成的混合材料。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103904244SQ201210572544
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月25日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司