有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結構：陽極導電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層以及由若干層有機阻擋層和無機阻擋層交替層疊組成的混合阻擋層。上述有機電致發(fā)光器件的無機阻擋層的材質(zhì)為硅化物和氧化物的混合物，硅化物占混合物總質(zhì)量的10%~30%，具有很高的致密性，能夠防止水汽和氧氣進入有機電致發(fā)光器件。相對于傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件，這種有機電致發(fā)光器件具有較長的使用壽命。本發(fā)明還公開了一種上述有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電致發(fā)光領域，特別是涉及有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002]有機電致發(fā)光器件(Organic Light Emitting Display, 0LED)是基于有機材料的一種電流型半導體發(fā)光器件，其典型結構是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。當電極上加有電壓時，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點，被業(yè)內(nèi)人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術，OLED技術在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長速度驚人，目前已經(jīng)到達了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0004]傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件，采用金屬材料作為陰極層，由于金屬在蒸鍍制備時，容易存在針孔和缺陷，這樣導致水汽和氧氣容易從針孔和缺陷處向發(fā)光器件內(nèi)部滲透，導致器件失效，因此封裝的好壞直接影響有機電致發(fā)光器件的壽命。
[0005]傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件對水汽和氧氣的阻擋性能不佳，使用壽命不長。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]基于此，有必要提供一種使用壽命較長的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0007]—種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結構:
[0008]陽極導電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層以及由若干層有機阻擋層和無機阻擋層交替層疊組成的混合阻擋層，一層所述有機阻擋層與所述陰極層直接接觸；
[0009]所述無機阻擋層的材質(zhì)為硅化物和氧化物的混合物，所述硅化物占所述混合物總質(zhì)量的10%~30% ；所述硅化物為二硅化鉻、二硅化鉭、二硅化鉿、二硅化鈦、二硅化鑰和二硅化鎢中的至少一種；所述氧化物為氧化鎂、三氧化二鋁、二氧化鈦、氧化鋯、二氧化鉿和五氧化二鉭中的至少一種；
[0010]所述有機阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種。
[0011]在一個實施方式中，所述有機阻擋層及無機阻擋層交替層疊的次數(shù)為4飛次。
[0012]在一個實施方式中,所述有機阻擋層的厚度為200nnT300nm。
[0013]在一個實施方式中，所述無機阻擋層的厚度為100nnTl50nm。
[0014]在一個實施方式中，所述空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了三氧化鑰的N，N’-二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺，所述三氧化鑰占所述空穴注入層的重量百分比為30% ；
[0015]所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺；
[0016]所述發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了三(2-苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述三(2-苯基吡啶)合銥占所述發(fā)光層的重量百分比為5% ；
[0017]所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉；
[0018]所述電子注入層的材質(zhì)為摻雜了疊氮化銫的4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉，所述疊氮化銫占所述電子注入層的重量百分比為30%。
[0019]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0020]提供陽極導電基板；
[0021]在所述陽極導電基板的陽極導電層上真空蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0022]在所述陰極層上真空蒸鍍制備由若干層有機阻擋層和無機阻擋層交替層疊組成的混合阻擋層，一層所述有機阻擋層與所述陰極層直接接觸；
[0023]所述無機阻擋層的材質(zhì)為硅化物和氧化物的混合物，所述硅化物占所述混合物總質(zhì)量的10%~30% ；所述硅化物為二硅化鉻、二硅化鉭、二硅化鉿、二硅化鈦、二硅化鑰和二硅化鎢中的至少一種；所述氧化物為氧化鎂、三氧化二鋁、二氧化鈦、氧化鋯、二氧化鉿和五氧化二鉭中的至少一種；
[0024]所述有機阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種。
[0025]在一個實施方式中，所述有機阻擋層和無機阻擋層交替層疊的次數(shù)為4飛次。
[0026]在一個實施方式中，所述有機阻擋層真空蒸鍍制備時，其真空度為I X IO-5Pa^l X 10?,蒸發(fā)速度為0.5A~5A/s;所述無機阻擋層磁控濺射制備時，其真空度為 I X KT5Pa~I X KT3Pa。
[0027]在一個實施方式中,所述有機阻擋層的厚度為200nnT300nm。
[0028]在一個實施方式中，所述無機阻擋層的厚度為100nnTl50nm。
[0029]上述有機電致發(fā)光器件包含由若干層有機阻擋層和無機阻擋層交替層疊組成的混合阻擋層，無機阻擋層和有機阻擋層交替層疊時，有機阻擋層能夠很好地緩解無機阻擋層之間的應力，并且無機阻擋層的材質(zhì)為硅化物和氧化物的混合物，硅化物占混合物總質(zhì)量的10%~30%，具有很高的致密性，能夠防止水汽和氧氣進入有機電致發(fā)光器件。相對于傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件，這種有機電致發(fā)光器件具有較長的使用壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖；
[0031]圖2為圖1所示的有機電致發(fā)光器件中的混合阻擋層的結構示意圖；
[0032]圖3為如圖1和2所示的有機電致發(fā)光器件制備方法流程圖。
【具體實施方式】
[0033]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0034]如圖1所示的一實施方式的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結構:陽極導電基板110、空穴注入層120、空穴傳輸層130、發(fā)光層140、電子傳輸層150、電子注入層160、陰極層170和混合阻擋層180。
[0035]混合阻擋層180由若干層有機阻擋層和無機阻擋層交替層疊組成，一層有機阻擋層與陰極層直接接觸。
[0036]在一個較優(yōu)的實施方式中，有機阻擋層及無機阻擋層交替層疊的次數(shù)可以為4-6次，并且有機阻擋層與陰極層170直接接觸。
[0037]如圖2所示，混合阻擋層180由有機阻擋層181和無機阻擋層182交替層疊4次組成。每次有機阻擋層181和無機阻擋層182交替層疊一次后，就構成一個重復單元183 ；這樣，若干個重復單元183 (如，有機阻擋層181、無機阻擋層182，有機阻擋層181、無機阻擋層182，……，如此交替重復)再次層疊后就構成了混合阻擋層180。
[0038]無機阻擋層的材質(zhì)可以為硅化物和氧化物的混合物，硅化物占混合物總質(zhì)量的10%~30%。相比單純硅化物或氧化物，無機阻擋層的材質(zhì)為硅化物和氧化物的混合物，由于硅化物和氧化物的晶格匹配，可互相補充缺陷，同時可以降低膜層應力。
[0039]無機阻擋 層的厚度可以為100nnTl50nm。
[0040]有機阻擋層的材質(zhì)可以為酞菁銅(CuPc)、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、8-羥基喹啉鋁(4193)、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)和4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)中的至少一種。
[0041]有機阻擋層的厚度為200nnT300nm。
[0042]有機阻擋層具有柔韌性，能夠緩減陰極層170和無機阻擋層之間、無機阻擋層和無機阻擋層之間的應力，使有機電致發(fā)光器件不容易產(chǎn)生裂紋或者空隙。
[0043]陽極導電基板110的材質(zhì)包括陽極導電層和基板，其基板可以為玻璃基板或有機薄膜基板，陽極導電層的材質(zhì)可以為導電氧化物，如，氧化銦錫(ΙΤ0)、摻鋁氧化鋅(ΑΖ0)、摻銦氧化鋅(ΙΖ0)或摻氟氧化錫(FT0)，這些導電氧化物被制備在玻璃基板上，簡稱ITO玻璃、AZO玻璃、IZO玻璃、FTO玻璃。陽極導電基板可以自制，也可以市購獲得?？梢愿鶕?jù)需要選擇其他合適的材料作為陽極導電基板110。此外，還可以在陽極導電基板110上制備所需的有機電致發(fā)光器件的陽極圖形。
[0044]陽極導電基板110的厚度為70nnT200nm。
[0045]空穴注入層120的材質(zhì)可以為摻雜了三氧化鑰的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺，三氧化鑰占空穴注入層120的重量百分比可以為30%。空穴注入層120的作用為注入空穴，有利于空穴從陽極注入到傳輸材料中。
[0046]空穴傳輸層130的材質(zhì)可以為4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺?？昭▊鬏攲?30的作用為傳輸空穴，有利于空穴傳輸?shù)桨l(fā)光材料中。
[0047]發(fā)光層140的材質(zhì)可以為摻雜了三(2-苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，三(2-苯基吡啶)合銥占發(fā)光層140的重量百分比可以為5%。電子和空穴在發(fā)光層140中復合，然后將能量轉移給發(fā)光分子發(fā)光。
[0048]電子傳輸層150的材質(zhì)可以為4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉。電子傳輸層150的作用為傳輸電子，有利于電子傳輸?shù)桨l(fā)光材料中。
[0049]電子注入層160的材質(zhì)可以為摻雜了疊氮化銫的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，疊氮化銫占電子注入層160的重量百分比可以為30%。電子注入層160的作用為注入電子，有利于電子從陽極注入到傳輸材料中。
[0050]有機電致發(fā)光器件中包含有空穴注入層120、空穴傳輸層130、電子傳輸層150和電子注入層160能夠降低有機電致發(fā)光器件的工作電壓和提高有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0051]陰極層170的材質(zhì)可以為鋰(Li)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、銀(Ag)、釤(Sm)、鐿(Yb)、鋁(Al)或其合金。陰極層170厚度可以為20nnT100nm。
[0052]上述有機電致發(fā)光器件包含由若干層有機阻擋層和無機阻擋層交替層疊組成的混合阻擋層180，并且無機阻擋層的材質(zhì)為硅化物和氧化物的混合物，硅化物占混合物總質(zhì)量的10%~30%，從而使得無機阻擋層具有很高的致密性，能夠防止水汽和氧氣進入有機電致發(fā)光器件。相對于傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件，上述有機電致發(fā)光器件具有較長的使用壽命。
[0053]如圖3所示上述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0054]S10、提供陽極導電基板110。
[0055]陽極導電基板110的材質(zhì)包括陽極導電層和基板，其基板可以為玻璃基板或有機薄膜基板，陽極導電層的材質(zhì)可以為導電氧化物，如，氧化銦錫(ΙΤ0)、摻鋁氧化鋅(ΑΖ0)、摻銦氧化鋅(ΙΖ0)或摻氟氧化錫(FT0)，這些導電氧化物被制備在玻璃基板上，簡稱ITO玻璃、AZO玻璃、IZO玻璃、FTO玻璃。陽極導電基板可以自制，也可以市購獲得。在實際應用中，可以根據(jù)需要選擇其他合適的材料作為陽極導電基板110。在實際應用中，可以在陽極導電基板110上制備所需的有機電致發(fā)光器件的陽極圖形。陽極導電基板110的厚度可以為 70nm~200nm。
[0056]將陽極導電基板110依次進行如下處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機進行清洗，每次清洗時間為5分鐘，然后用氮氣吹干，烘箱烤干待用。對洗凈后的陽極導電基板110還可以進行表面活化處理，以增加陽極導電基板110的導電層表面的含氧量，提高導電層表面的功函數(shù)。
[0057]S20、在陽極導電基板110的陽極導電層上真空蒸鍍形成空穴注入層120、空穴傳輸層130、發(fā)光層140、電子傳輸層150、電子注入層160和陰極層170。
[0058]空穴注入層120的材質(zhì)可以為摻雜了三氧化鑰的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺，三氧化鑰占空穴注入層120的重量百分比可以為30%?？昭ㄗ⑷雽?20的作用為注入空穴，有利于空穴從陽極注入到傳輸材料中。
[0059]空穴傳輸層130的材質(zhì)可以為4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺?？昭▊鬏攲?30的作用為傳輸空穴，有利于空穴傳輸?shù)桨l(fā)光材料中。
[0060]發(fā)光層140的材質(zhì)可以為摻雜了三(2-苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，三(2-苯基吡啶)合銥占發(fā)光層140的重量百分比可以為5%。電子和空穴在發(fā)光層140中復合，然后將能量轉移給發(fā)光分子發(fā)光。
[0061]電子傳輸層150的材質(zhì)可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉。電子傳輸層150的作用為傳輸電子，有利于電子傳輸?shù)桨l(fā)光材料中。
[0062]電子注入層160的材質(zhì)可以為摻雜了疊氮化銫的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，疊氮化銫占電子注入層160的重量百分比可以為30%。電子注入層160的作用為注入電子，有利于電子從陽極注入到傳輸材料中。
[0063]有機電致發(fā)光器件中包含有空穴注入層120、空穴傳輸層130、電子傳輸層150和電子注入層160能夠降低有機電致發(fā)光器件的工作電壓和提高有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0064]陰極層170的材質(zhì)可以為L1、Mg、Ca、Ag、Sm、Yb、Al或其合金。
[0065]陰極層170的厚度可以為20nnT100nm。在實際運用中，可以根據(jù)需要選擇合適的陰極層170的材質(zhì)和厚度。
[0066]S30、在陰極層170上真空蒸鍍制備由若干層有機阻擋層和無機阻擋層交替層疊組成的混合阻擋層180。
[0067]在一個較優(yōu)的實施方式中，有機阻擋層181及無機阻擋層182交替層疊的次數(shù)可以為4飛次，并且有機阻擋層與陰極層170直接接觸?；旌献钃鯇?80由若干層有機阻擋層181和無機阻擋層182交替層疊組成，每次有機阻擋層181和無機阻擋層182交替層疊一次后，就構成一個重復單元183 ;這樣，若干個重復單元183 (如，有機阻擋層181、無機阻擋層182，有機阻擋層181、無機阻擋層182，……，如此交替重復)再次層疊后就構成了混合阻擋層180。
[0068]下述實施例中，為方便描述，混合阻擋層180中，緊貼陰極層170的有機阻擋層為第一有機阻擋層，第一有機阻擋層面上的無機阻擋層為第一無機阻擋層，在第一無機阻擋層表面制備第二有機阻擋層，緊接著在第二有機阻擋層表面制備第二無機阻擋層，依次類推。
[0069]無機阻擋層的材質(zhì)可以為硅化物和氧化物的混合物，硅化物占混合物總質(zhì)量的10%~30%。相比單純硅化物或氧化物，無機阻擋層的材質(zhì)為硅化物和氧化物的混合物，由于硅化物和氧化物的晶格匹配，可互相補充缺陷，同時可以降低膜層應力。
[0070]無機阻擋層的厚度可以為100nnTl50nm。
[0071]有機阻擋層的材質(zhì)可以為酞菁銅(CuPc)、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、8-羥基喹啉鋁(4193)、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)和4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)中的至少一種。
[0072]有機阻擋層的厚度為200nnT300nm。
[0073]有機阻擋層具有柔韌性，能夠緩減陰極層170和無機阻擋層之間、無機阻擋層和無機阻擋層之間的應力，使有機電致發(fā)光器件不容易產(chǎn)生裂紋或者空隙。
[0074]無機阻擋層可以采用磁控濺射法，在本底真空度為I X KT5Pa~I X KT3Pa的條件下形成。
[0075]有機阻擋層可以采用真空蒸鍍法，在真空度為lX10_5Pa~lX10_3Pa，蒸發(fā)速度為0.5人~5 A/s的條件下形成。
[0076]上述有機電致發(fā)光器件的制備方法適用于以玻璃、塑料或金屬為基底的柔性有機電致發(fā)光器件的制備。[0077]上述有機電致發(fā)光器件的制備方法具有封裝材料廉價，制備工藝簡單，易大面積制備等優(yōu)點。制備得到的有機電致發(fā)光器件防水氧能力(water vapor transmissionrate, WVTR)強，WVTR可以達到10_4g/m2.day,同時對有機電致發(fā)光器件的壽命有顯著的提高，使用壽命可以達到5000小時以上(T70@1000cd/m2)。
[0078]下面為具體實施例部分。
[0079]實施例1
[0080]提供厚度為IOOnm的ITO玻璃基板作為陽極導電基板，并對其進行如下處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機進行清洗，每次清洗時間為5分鐘，然后用氮氣吹干，烘箱烤干待用。對洗凈后的ITO玻璃還需進行表面活化處理，以增加導電層表面的含氧量，提高導電層表面的功函數(shù)。[0081]在真空度為3X10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在ITO基板上形成空穴注入層。空穴注入的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的NPB，其中MoO3占空穴注入層的重量百分比為30%，形成的空穴注入層的厚度為10nm。
[0082]在真空度為3 X KT5Pa的條件下，以0.1人/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在空穴注入層上形成空穴傳輸層?？昭▊鬏攲拥牟馁|(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，形成的空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0083]在真空度為3 X KT5Pa的條件下，以0.2A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在空穴傳輸層上形成發(fā)光層。發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。其中，Ir(ppy)3占發(fā)光層的重量百分比為5%，形成的發(fā)光層的厚度為20nm。
[0084]在真空度為3X 10_5Pa的條件下，以0.lA/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在發(fā)光層上形成電子傳輸層。電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen),形成的電子傳輸層的厚度為10nm。
[0085]在真空度為3X 10_5Pa的條件下，以0.2A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在電子傳輸層上形成電子注入層。電子注入層的材質(zhì)為摻雜了疊氮化銫(CsN3)的Bphen，其中，CsN3占電子注入層的重量百分比為30%，形成的電子注入層的厚度為20nm。
[0086]在真空度為3X KT5Pa的條件下，以5A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在電子注入層上形成陰極層。陰極層的材質(zhì)為鋁(Al)，形成的陰極層的厚度為lOOnm。
[0087]在真空度為lX10_5Pa的條件下，以5A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在陰極層上形成第一有機阻擋層。第一有機阻擋層的材質(zhì)為CuPc，形成的第一有機阻擋層的厚度為 300nm。
[0088]在本底真空度為I X IO-5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第一有機阻擋層上形成第一無機阻擋層。第一無機阻擋層的材質(zhì)為胃5“和1%0，其中，WSi2占第一無機阻擋層的重量百分比為20%。第一無機阻擋層的厚度為150nm。
[0089]在真空度為I X IO-5Pa的條件下，以5A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一無機阻擋層成上形成第二有機阻擋層。第二有機阻擋層的材質(zhì)為CuPc，形成的第二有機阻擋層的厚度為300nm。
[0090]在本底真空度為I X IO-5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第二有機阻擋層上形成第二無機阻擋層。第二無機阻擋層的材質(zhì)為胃5“和1%0，其中，WSi2占第二無機阻擋層的重量百分比為20%。第二無機阻擋層的厚度為150nm。
[0091]在真空度為IXlO-5Pa的條件下，以5A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第二無機阻擋層成上形成第三有機阻擋層。第三有機阻擋層的材質(zhì)為CuPc，形成的第三有機阻擋層的厚度為300nm。
[0092]在本底真空度為I X IO-5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第三有機阻擋層上形成第三無機阻擋層。第三無機阻擋層的材質(zhì)為15“和1%0，其中，WSi2占第三無機阻擋層的重量百分比為20%。第三無機阻擋層的厚度為150nm。
[0093]在真空度為I X IO-5Pa的條件下，以5A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第三無機阻擋層成上形成第四有機阻擋層。第四有機阻擋層的材質(zhì)為CuPc，形成的第四有機阻擋層的厚度為300nm。
[0094]在本底真空度為lX10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第四有機阻擋層上形成第四無機阻擋層。第四無機阻擋層的材質(zhì)為胃5“和1%0，其中，WSi2占第四無機阻擋層的重量百分比為20%。第四無機阻擋層的厚度為150nm。
[0095]在真空度為IX 10_5Pa的條件下，以5A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第四無機阻擋層成上形成第五有機阻擋層。第五有機阻擋層的材質(zhì)為CuPc，形成的第五有機阻擋層的厚度為300nm。
[0096]在本底真空度為I X IO-5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第五有機阻擋層上形成第五無機阻擋層。第五無機阻擋層的材質(zhì)為15“和1%0，其中，WSi2占第五無機阻擋層的重量百分比為20%。第五無機阻擋層的厚度為150nm。
[0097]在真空度為I X IO-5Pa的條件下，以5A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第五無機阻擋層成上形成第六有機阻擋層。第六有機阻擋層的材質(zhì)為CuPc，形成的第六有機阻擋層的厚度為300nm。
[0098]在本底真空度為I X IO-5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第六有機阻擋層上形成第六無機阻擋層。第六無機阻擋層的材質(zhì)為13“和1%0，其中，WSi2占第六無機阻擋層的重量百分比為20%。第六無機阻擋層的厚度為150nm。得到有機電致發(fā)光器件。
[0099]實施例2
[0100]實施例2和實施例1的有機電致發(fā)光器件的制備方法基本相同，其不同之處如下:
[0101]在真空度為5X10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在陰極層上形成第一有機阻擋層。第一有機阻擋層的材質(zhì)為NPB，形成的第一有機阻擋層的厚度為 250nm。
[0102]在本底真空度為lX10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第一有機阻擋層上形成第一無機阻擋層。第一無機阻擋層的材質(zhì)為此312和八1203，其中，MoSi2占第一無機阻擋層的重量百分比為30%。第一無機阻擋層的厚度為150nm。
[0103]在真空度為5X 10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一無機層上形成第二有機阻擋層。第二有機阻擋層的材質(zhì)為NPB，形成的第二有機阻擋層的厚度為250nm。
[0104]在本底真空度為lX10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第二有機阻擋層上形成第二無機阻擋層。第二無機阻擋層的材質(zhì)為此312和八1203，其中，MoSi2占第二無機阻擋層的重量百分比為30%。第二無機阻擋層的厚度為150nm。
[0105]在真空度為5X 10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第二無機層上形成第三有機阻擋層。第三有機阻擋層的材質(zhì)為NPB，形成的第三有機阻擋層的厚度為250nm。
[0106]在本底真空度為lX10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第三有機阻擋層上形成第三無機阻擋層。第三無機阻擋層的材質(zhì)為此5丨2和么1203，其中，MoSi2占第三無機阻擋層的重量百分比為30%。第三無機阻擋層的厚度為150nm。
[0107]在真空度為5X 10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第三無機層上形成第四有機阻擋層。第四有機阻擋層的材質(zhì)為NPB，形成的第四有機阻擋層的厚度為250nm。
[0108]在本底真空度為lX10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第四有機阻擋層上形成第四無機阻擋層。第四無機阻擋層的材質(zhì)為此512和八1203，其中，MoSi2占四無機阻擋層的重量百分比為30%。第四無機阻擋層的厚度為150nm。
[0109]在真空度為5X 10_5Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第四無機層上形成第五有機阻擋層。第五有機阻擋層的材質(zhì)為NPB，形成的第五有機阻擋層的厚度為250nm。
[0110]在本底真空度為lX10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第五有機阻擋層上形成第五無機阻擋層。第五無機阻擋層的材質(zhì)為此512和么1203，其中，MoSi2占第五無機阻擋層的重量百分比為30%。第五無機阻擋層的厚度為150nm。
[0111]在真空度為5X10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第五無機層上形成第六有機阻擋層。第六有機阻擋層的材質(zhì)為NPB，形成的第六有機阻擋層的厚度為250nm。
[0112]在本底真空度為lX10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第六有機阻擋層上形成第六無機阻擋層。第六無機阻擋層的材質(zhì)為此312和八1203，其中，MoSi2占第六無機阻擋層的重量百分比為30%。第六無機阻擋層的厚度為150nm。得到有機電致發(fā)光器件。
[0113]實施例3
[0114]實施例3和實施例1的有機電致發(fā)光器件的制備方法基本相同，其不同之處如下:
[0115]在真空度為5X10_5Pa的條件下，以0.5A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在陰極層上形成第一有機阻擋層。第一有機阻擋層的材質(zhì)為Alq3，形成的第一有機阻擋層的厚度為200nm。
[0116]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第一有機阻擋層上形成第一無機阻擋層。第一無機阻擋層的材質(zhì)為TiSi2和TiO2，其中，TiSi2占第一無機阻擋層的重量百分比為10%。第一無機阻擋層的厚度為l00nm。
[0117]在真空度為5 X KT5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一無機層上形成第二有機阻擋層。第二有機阻擋層的材質(zhì)為Alq3，形成的第二有機阻擋層的厚度為200nm。
[0118]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第二有機阻擋層上形成第二無機阻擋層。第二無機阻擋層的材質(zhì)為TiSi2和TiO2，其中，TiSi2占第二無機阻擋層的重量百分比為10%。第二無機阻擋層的厚度為lOOnm。
[0119]在真空度為5 X KT5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第二無機層上形成第三有機阻擋層。第三有機阻擋層的材質(zhì)為Alq3，形成的第三有機阻擋層的厚度為200nm。
[0120]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第三有機阻擋層上形成第三無機阻擋層。第三無機阻擋層的材質(zhì)為TiSi2和TiO2，其中，TiSi2占第三無機阻擋層的重量百分比為10%。第三無機阻擋層的厚度為lOOnm。
[0121]在真空度為5 X KT5Pa的條件下，以0.5人/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第三無機層上形成第四有機阻擋層。第四有機阻擋層的材質(zhì)為Alq3，形成的第四有機阻擋層的厚度為200nm。
[0122]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第四有機阻擋層上形成第四無機阻擋層。第四無機阻擋層的材質(zhì)為TiSi2和TiO2，其中，TiSi2占第四無機阻擋層的重量百分比為10%。第四無機阻擋層的厚度為lOOnm。
[0123]在真空度為5X10_5Pa的條件下，以0.5 A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第四無機層上形成第五有機阻擋層。第五有機阻擋層的材質(zhì)為Alq3，形成的第五有機阻擋層的厚度為200nm。
[0124]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第五有機阻擋層上形成第五無機阻擋層。第五無機阻擋層的材質(zhì)為TiSi2和TiO2，其中，TiSi2占第五無機阻擋層的重量百分比為10%。第五無機阻擋層的厚度為lOOnm。
[0125]在真空度為5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第五無機層上形成第六有機阻擋層。第六有機阻擋層的材質(zhì)為Alq3，形成的第六有機阻擋層的厚度為200nm。
[0126]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第六有機阻擋層上形成第六無機阻擋層。第六無機阻擋層的材質(zhì)為TiSi2和TiO2，其中，TiSi2占第六無機阻擋層的重量百分比為10%。第六無機阻擋層的厚度為lOOnm。得到有機電致發(fā)光器件。
[0127]實施例4
[0128]實施例4和實施例1的有機電致發(fā)光器件的制備方法基本相同，其不同之處如下:
[0129]在真空度為5X10_5Pa的條件下，以2人4的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在陰極層上形成第一有機阻擋層。第一有機阻擋層的材質(zhì)為m-MTDATA，形成的第一有機阻擋層的厚度為250nm。
[0130]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第一有機阻擋層上形成第一無機阻擋層。第一無機阻擋層的材質(zhì)為HfSi2和ZrO2，其中，HfSi2占第一無機阻擋層的重量百分比為20%。第一無機阻擋層的厚度為120nm。
[0131]在真空度為5 X KT5Pa的條件下，以2人/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一無機層上形成第二有機阻擋層。第二有機阻擋層的材質(zhì)為m-MTDATA，形成的第二有機阻擋層的厚度為250nm。
[0132]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第二有機阻擋層上形成第二無機阻擋層。第二無機阻擋層的材質(zhì)為HfSi2和ZrO2，其中，HfSi2占第二無機阻擋層的重量百分比為20%。第二無機阻擋層的厚度為120nm。
[0133]在真空度為5X 10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第二無機層上形成第三有機阻擋層。第三有機阻擋層的材質(zhì)為m-MTDATA，形成的第三有機阻擋層的厚度為250nm。
[0134]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第三有機阻擋層上形成第三無機阻擋層。第三無機阻擋層的材質(zhì)為HfSi2和ZrO2，其中，HfSi2占第三無機阻擋層的重量百分比為20%。第三無機阻擋層的厚度為120nm。
[0135]在真空度為5X 10_5Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第三無機層上形成第四有機阻擋層。第四有機阻擋層的材質(zhì)為m-MTDATA，形成的第四有機阻擋層的厚度為250nm。[0136]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第四有機阻擋層上形成第四無機阻擋層。第四無機阻擋層的材質(zhì)為HfSi2和ZrO2，其中，HfSi2占第四無機阻擋層的重量百分比為20%。第四無機阻擋層的厚度為120nm。
[0137]在真空度為5X 10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第四無機層上形成第五有機阻擋層。第五有機阻擋層的材質(zhì)為m-MTDATA，形成的第五有機阻擋層的厚度為250nm。
[0138]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第五有機阻擋層上形成第五無機阻擋層。第五無機阻擋層的材質(zhì)為HfSi2和ZrO2，其中，HfSi2占第五無機阻擋層的重量百分比為20%。第五無機阻擋層的厚度為120nm。得到有機電致發(fā)光器件。
[0139]實施例5
[0140]實施例5和實施例1的有機電致發(fā)光器件的制備方法基本相同，其不同之處如下:
[0141]在真空度為5X KT5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在陰極層上形成第一有機阻擋層。第一有機阻擋層的材質(zhì)為BCP，形成的第一有機阻擋層的厚度為250nmo
[0142]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第一有機阻擋層上形成第一無機阻擋層。第一無機阻擋層的材質(zhì)為TaSi2和HfO2，其中，TaSi2占第一無機阻擋層的重量百分比為15%。第一無機阻擋層的厚度為130nm。
[0143]在真空度為5X KT5Pa的條件下，以IA 的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一無機層上形成第二有機阻擋層。第二有機阻擋層的材質(zhì)為BCP，形成的第二有機阻擋層的厚度為250nm。
[0144]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第二有機阻擋層上形成第二無機阻擋層。第二無機阻擋層的材質(zhì)為TaSi2和HfO2，其中，TaSi2占第二無機阻擋層的重量百分比為15%。第二無機阻擋層的厚度為130nm。
[0145]在真空度為5X10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第二無機層上形成第三有機阻擋層。第三有機阻擋層的材質(zhì)為BCP，形成的第三有機阻擋層的厚度為250nm。
[0146]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第三有機阻擋層上形成第三無機阻擋層。第三無機阻擋層的材質(zhì)為TaSi2和HfO2，其中，TaSi2占第三無機阻擋層的重量百分比為15%。第三無機阻擋層的厚度為130nm。
[0147]在真空度為5X10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第三無機層上形成第四有機阻擋層。第四有機阻擋層的材質(zhì)為BCP，形成的第四有機阻擋層的厚度為250nm。
[0148]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第四有機阻擋層上形成第四無機阻擋層。第四無機阻擋層的材質(zhì)為TaSi2和HfO2，其中，TaSi2占第四無機阻擋層的重量百分比為15%。第四無機阻擋層的厚度為130nm。
[0149]在真空度為5X10_5Pa的條件下，以lA/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第四無機層上形成第五有機阻擋層。第五有機阻擋層的材質(zhì)為BCP，形成的第五有機阻擋層的厚度為250nm。
[0150]在本底真空度為5X10_5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第五有機阻擋層上形成第五無機阻擋層。第五無機阻擋層的材質(zhì)為TaSi2和HfO2，其中，TaSi2占第五無機阻擋層的重量百分比為15%。第五無機阻擋層的厚度為130nm。得到有機電致發(fā)光器件。
[0151]實施例6
[0152]實施例6和實施例1的有機電致發(fā)光器件的制備方法基本相同，其不同之處如下:
[0153]在真空度為IX 10_3Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在陰極層上形成第一有機阻擋層。第一有機阻擋層的材質(zhì)為CuPc，形成的第一有機阻擋層的厚度為 250nm。
[0154]在本底真空度為lX10_3Pa的條件下，采用磁控濺射法在第一有機阻擋層上形成第一無機阻擋層。第一無機阻擋層的材質(zhì)為CrSi2和Ta2O5，其中，CrSi2占第一無機阻擋層的重量百分比為15%。第一無機阻擋層的厚度為120nm。
[0155]在真空度為IX 10_3Pa的條件下，以2人作的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一無機層上形成第二有機阻擋層。第二有機阻擋層的材質(zhì)為CuPc，形成的第二有機阻擋層的厚度為250nm。
[0156]在本底真空度為lX10_3Pa的條件下，采用磁控濺射法在第二有機阻擋層上形成第二無機阻擋層。第二無機阻擋層的材質(zhì)為CrSi2和Ta2O5，其中，CrSi2占第二無機阻擋層的重量百分比為15%。第二無機阻擋層的厚度為120nm。
[0157]在真 空度為IX 10_3Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第二無機層上形成第三有機阻擋層。第三有機阻擋層的材質(zhì)為CuPc，形成的第三有機阻擋層的厚度為250nm。
[0158]在本底真空度為lX10_3Pa的條件下，采用磁控濺射法在第三有機阻擋層上形成第三無機阻擋層。第三無機阻擋層的材質(zhì)為CrSi2和Ta2O5，其中，CrSi2占第三無機阻擋層的重量百分比為15%。第三無機阻擋層的厚度為120nm。
[0159]在真空度為1X 10_3Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第三無機層上形成第四有機阻擋層。第四有機阻擋層的材質(zhì)為CuPc，形成的第四有機阻擋層的厚度為250nm。
[0160]在本底真空度為lX10_3Pa的條件下，采用磁控濺射法在第四有機阻擋層上形成第四無機阻擋層。第四無機阻擋層的材質(zhì)為CrSi2和Ta2O5，其中，CrSi2占第四無機阻擋層的重量百分比為15%。第四無機阻擋層的厚度為120nm。得到有機電致發(fā)光器件。
[0161]下表為實施例f實施例6制備的有機電致發(fā)光器件的水蒸氣透過率(WVTR)和使
用壽命的數(shù)據(jù)。
[0162]
【權利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的如下結構: 陽極導電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層以及由若干層有機阻擋層和無機阻擋層交替層疊組成的混合阻擋層，一層所述有機阻擋層與所述陰極層直接接觸； 所述無機阻擋層的材質(zhì)為硅化物和氧化物的混合物，所述硅化物占所述混合物總質(zhì)量的10%~30% ;所述硅化物為二硅化鉻、二硅化鉭、二硅化鉿、二硅化鈦、二硅化鑰和二硅化鎢中的至少一種；所述氧化物為氧化鎂、三氧化二鋁、二氧化鈦、氧化鋯、二氧化鉿和五氧化二鉭中的至少一種； 所述有機阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機阻擋層及無機阻擋層交替層疊的次數(shù)為4飛次。
3.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機阻擋層的厚度為200nm~300nmo
4.根據(jù)權利要求 1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無機阻擋層的厚度為100nm~150nmo
5.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了三氧化鑰的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺，所述三氧化鑰占所述空穴注入層的重量百分比為30% ； 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺； 所述發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了三(2-苯基吡啶)合銥的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述三(2-苯基吡啶)合銥占所述發(fā)光層的重量百分比為5% ； 所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉； 所述電子注入層的材質(zhì)為摻雜了疊氮化銫的4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉，所述疊氮化銫占所述電子注入層的重量百分比為30%。
6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供陽極導電基板； 在所述陽極導電基板的陽極導電層上真空蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層； 在所述陰極層上真空蒸鍍制備由若干層有機阻擋層和無機阻擋層交替層疊組成的混合阻擋層，一層所述有機阻擋層與所述陰極層直接接觸； 所述無機阻擋層的材質(zhì)為硅化物和氧化物的混合物，所述硅化物占所述混合物總質(zhì)量的10%~30%;所述硅化物為二硅化鉻、二硅化鉭、二硅化鉿、二硅化鈦、二硅化鑰和二硅化鎢中的至少一種；所述氧化物為氧化鎂、三氧化二鋁、二氧化鈦、氧化鋯、二氧化鉿和五氧化二鉭中的至少一種； 所述有機阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1‘ -聯(lián)苯-4，4' - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4'，4 "-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和.4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種。
7.根據(jù)權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機阻擋層和無機阻擋層交替層疊的次數(shù)為4~6次。
8.根據(jù)權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機阻擋層真空蒸鍍制備時，其真空度為1X10-5Pa~1X10-3Pa，，蒸發(fā)速度為0.5A~5A/s;所述無機阻擋層磁控濺射制備時，其真空度為1 X 10-5Pa~1 X 10-3Pa。
9.根據(jù)權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機阻擋層的厚度為200nm~300nm。
10.根據(jù)權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述無機阻擋層的厚度為100nm~150nm。
【文檔編號】H01L51/52GK103904240SQ201210572054
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2012年12月25日 優(yōu)先權日:2012年12月25日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司