有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極及阻擋層，所述阻擋層包括依次層疊的有機(jī)阻擋膜及無機(jī)阻擋膜，所述有機(jī)阻擋膜的材料選自酞菁銅、NPB、Alq3、m-MTDATA及BCP中的至少一種，所述無機(jī)阻擋膜的材料包括氧化物及混合在所述氧化物中的碳化物，所述氧化物選自MgAl2O4、Bi2Ti4O11、CrNiO4、CoCr2O4、Fe2LuO4及Y3Al5O12中的至少一種，所述碳化物選自SiC、WC、TaC、BC、TiC及HfC中的至少一種。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光器件受到濕氣和潮氣侵蝕后，會(huì)引起有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)部元件的材料發(fā)生老化進(jìn)而失效，從而所述有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較短。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種壽命較長的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極及阻擋層，所述阻擋層包括依次層疊的有機(jī)阻擋膜及無機(jī)阻擋膜，所述陰極與所述有機(jī)阻擋膜直接接觸；所述有機(jī)阻擋膜的材料選自酞菁銅、N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯 _4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺及4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉中的至少一種，所述無機(jī)阻擋膜的材料包括氧化物及混合在所述氧化物中的碳化物，所述氧化物選自MgAl2O4, Bi2Ti4O11, CrNiO4, CoCr2O4, Fe2LuO4 及 Y3Al5O12 中的至少一種，所述碳化物選自 SiC,W、TaC, BC、TiC及HfC中的至少一種。
[0006]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述無機(jī)阻擋膜中所述碳化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述阻擋層的層數(shù)為4-6，多個(gè)所述阻擋層依次層疊。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)阻擋膜的厚度為200nnT300nm，所述無機(jī)阻擋膜的厚度為 100nnT200nm。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料包括1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及摻雜在所述1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的三(2-苯基吡啶)合銥，所述三(2-苯基吡啶)合銥的質(zhì)量百分含量為5%;
[0010]所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照25wt%的摻雜濃度摻雜入N，N’_ 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺中組成的慘雜混合材料；
[0011]所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺；
[0012]所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉；
[0013]所述電子注入 層的材質(zhì)為CsN3按照25wt%的摻雜濃度摻入4，7_ 二苯基_1，10-菲羅啉中組成的混合材料。
[0014]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0015]在陽極基底的陽極層上依次真空蒸鍍層疊形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極 '及[0016]在所述陰極上形成阻擋層，所述阻擋層包括依次層疊的有機(jī)阻擋膜及無機(jī)阻擋膜，所述陰極與所述有機(jī)阻擋膜直接接觸；所述有機(jī)阻擋膜的材料選自酞菁銅、N, N’-二苯基-N，N’-二 (1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺及4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉中的至少一種，所述無機(jī)阻擋膜的材料包括氧化物及混合在所述氧化物中的碳化物，所述氧化物選自MgAl204、Bi2Ti4O11,CrNiO4、CoCr204、Fe2LuO4 及 Y3Al5O12 中的至少一種，所述碳化物選自 SiC、WC、TaC、BC、TiC 及HfC中的至少一種。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述阻擋層的層數(shù)為4-6，多個(gè)所述阻擋層依次層疊。
[0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)阻擋膜由真空蒸鍍制備，蒸鍍時(shí)，真空度為I X 10? ~I X 10_3Pa，蒸發(fā)速度0.5A ~ 5A/S.[0019]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述無機(jī)阻擋膜由磁控濺射制備，本底真空度為I X KT5Pa ~IXlO-3Pa0
[0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)阻擋膜的厚度為200nnT300nm，所述無機(jī)阻擋膜的厚度為 100nnT200nm。
[0021]上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，通過制備阻擋層，有機(jī)阻擋膜與無機(jī)阻擋膜配合，致密性高，防水氧能力較強(qiáng)，可以有效的阻擋水氣的腐蝕，從而有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長。
【專利附圖】

【附圖說明】 [0022]圖1為一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光的制備方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0025]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的具有陽極圖案的陽極10、功能層20、陰極30及阻擋層40。
[0026]陽極基底10為導(dǎo)電玻璃，起到襯底和陽極導(dǎo)電作用，其中，玻璃為基底，ITO為陽極層，也可以是IZ0、AZ0、FT0。優(yōu)選為ITO玻璃，ITO層的厚度為lOOnm。陽極基底10也可是IZO玻璃、AZO玻璃、FTO玻璃。
[0027]功能層20形成于基底10表面。功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層?？梢岳斫?，也可根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0028]本實(shí)施方式中，空穴注入層起到注入空穴的作用，有利于空穴從陽極注入到傳輸材料中?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧习∟，N' -二(1-萘基)_N，N' - 二苯基-1,1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm。
[0029]空穴傳輸層起傳輸空穴的作用，有利于空穴傳輸?shù)桨l(fā)光材料中。空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm。
[0030]電子和空穴在發(fā)光層復(fù)合，然后將能量轉(zhuǎn)移給發(fā)光分子發(fā)光。發(fā)光層的材料包括1,3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及摻雜在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)。Ir(ppy)3的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。
[0031]電子傳輸層起傳輸電子的作用,有利于電子傳輸?shù)桨l(fā)光材料中。電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。
[0032]電子注入層起注入電子的作用，有利于電子從陽極注入到傳輸材料中。電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3)。CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。
[0033]需要說明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據(jù)需要采用其他材料。
[0034]陰極30形成于功能層20的電子注入層表面。陰極的厚度為lOOnm。陰極30的材料為鋁(Al)。
[0035]阻擋層40形成于陰極30表面。阻擋層40包括依次層疊的有機(jī)阻擋膜42及無機(jī)阻擋膜44 ;陰極與有機(jī)阻擋膜直接接觸。
[0036]有機(jī)阻擋膜42形成于陰極30表面。有機(jī)阻擋膜42的材料選自酞菁銅(CuPc)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)及4，7 — 二苯基一1，10 —鄰菲羅啉(BCP)中的至少一種。有機(jī)阻擋膜42的厚度為200nnT300nm。
[0037]無機(jī)阻擋膜44形成于有機(jī)阻擋膜42表面。無機(jī)阻擋膜44的材料包括氧化物及混合在氧化物中的碳化物。氧化物選自MgAl204、Bi2Ti40n、CrNi04、CoCr204、Fe2Lu04及Y3Al5O12中的至少一種。碳化物選自SiC、WC、TaC、BC、TiC及HfC中的至少一種。碳化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%。無機(jī)阻擋膜44的厚度為100nnT200nm。
[0038]本實(shí)施方式中，阻擋層50為4層飛層。多層阻擋層50依次層疊。
[0039]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100，通過制備阻擋層40，有機(jī)阻擋膜42提供無機(jī)阻擋膜襯底和應(yīng)力緩沖作用，無機(jī)阻擋膜作為水氧阻隔層，有機(jī)阻擋膜42與無機(jī)阻擋膜44配合，致密性高，防水氧能力較強(qiáng)，可以有效的阻擋水氣的腐蝕，從而有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長。
[0040]請(qǐng)同時(shí)參閱圖2，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0041]步驟S110、在陽極基底10的陽極層(其材質(zhì)一般為IT0、AZO、IZO、FT0，優(yōu)選ITO)上依次真空蒸鍍層疊形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極。
[0042]功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。
[0043]陽極10為導(dǎo)電玻璃基板。優(yōu)選導(dǎo)電玻璃基板，其中，玻璃為基底，導(dǎo)電氧化物，如ITO、IZO、AZO、FTO為陽極，與玻璃組合后簡稱ITO玻璃、AZO玻璃、AZO玻璃、FTO玻璃；更優(yōu)選為ITO玻璃，ITO層的厚度為lOOnm。
[0044]陽極10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極10表面的含氧量以提高陽極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0045]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基-1,1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?X 10_5Pa，
蒸發(fā)速度為0.lA/s.[0046]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹? X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為0.1A/S。
[0047]發(fā)光層的材料包括1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及摻雜在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。Ir(ppy)3的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_^，蒸發(fā)速度為0.2人&
[0048]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為IOnm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_^，蒸發(fā)速度為0.1人反
[0049]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%,蒸發(fā)速度為0.2人1
[0050]需要說明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據(jù)需要采用其他材料，當(dāng)然也可根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0051]步驟S120、在功能層20表面形成陰極30。
[0052]陰極30的材料為鋁(Al)。陰極30的厚度為lOOnm。陰極30由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10?,蒸發(fā)速度為5A/S?
[0053]步驟S130、在陰極30表面形成阻擋層40。
[0054]阻擋層40形成于陰極30表面。阻擋層40包括依次層疊的有機(jī)阻擋膜42及無機(jī)阻擋膜44。
[0055]有機(jī)阻擋膜42形成于陰極30表面。有機(jī)阻擋膜42的材料選自酞菁銅(CuPc)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)及4，7 — 二苯基一1，10 —鄰菲羅啉(BCP)中的至少一種。有機(jī)阻擋膜42的厚度為200nnT300nm。有機(jī)阻擋膜42由真空蒸鍍制備，真空度為I X KT5Pa~I X 10_3Pa,蒸發(fā)速度0.5A ~ 5A/s,
[0056]無機(jī)阻擋膜44形成于有機(jī)阻擋膜42表面。無機(jī)阻擋膜44的材料包括氧化物及混合在氧化物中的碳化物。氧化物選自MgAl204、Bi2Ti40n、CrNi04、CoCr204、Fe2Lu04及Y3Al5O12中的至少一種。碳化物選自SiC、WC、TaC、BC、TiC及HfC中的至少一種。碳化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%。無機(jī)阻擋膜44的厚度為100nnT200nm。無機(jī)阻擋膜44由磁控濺射制備，本底真空度為I X KT5Pa~I X 10?ο
[0057]優(yōu)選的，阻擋層50為4層飛層。多層阻擋層50依次層疊。
[0058]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，制備工藝簡單，容易大批量制備。
[0059]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0060]實(shí)施例1
[0061]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (CuPc/MgAl204:SiC)6的有機(jī)電致發(fā)光器件；其中，相應(yīng)層中“:”表示摻雜，括弧內(nèi)百分比數(shù)據(jù)表示前者在整個(gè)層中的摻雜質(zhì)量百分比，“/”表示層疊，下述各實(shí)施例類似。
[0062]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:[0063]1、在陽極上形成功能層。
[0064]陽極為導(dǎo)電玻璃基板。優(yōu)選為ITO玻璃，ITO層的厚度為lOOnm。
[0065]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0066]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 人/s,,
[0067]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?\10_中&，蒸發(fā)速度為0.1A/s[0068]發(fā)光層的材料包括1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及摻雜在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。Ir (ppy) 3的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3*10-5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/s?
[0069]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為IOnm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3*10-5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/s[0070]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3*10-5Pa,蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0071]2、在功能層表面形成陰極。
[0072]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3*10-5Pa,蒸發(fā)速度為5入/5?
[0073]3、在陰極表面蒸鍍阻擋層。
[0074]阻擋層包括依次層疊的有機(jī)阻擋膜及無機(jī)阻擋膜。
[0075]有機(jī)阻擋膜形成于陰極表面。有機(jī)阻擋膜的材料為CuPc。有機(jī)阻擋膜的厚度為300nm。有機(jī)阻擋膜由真空蒸鍍制備，真空度為I X KT5Pa,蒸發(fā)速度5人/Su
[0076]無機(jī)阻擋膜形成于有機(jī)阻擋膜表面。無機(jī)阻擋膜的材料包括MgAl2O4及混合在MgAl2O4中的SiC。SiC的質(zhì)量百分含量為20%。無機(jī)阻擋膜的厚度為170nm。無機(jī)阻擋膜由磁控濺射制備，本底真空度為I X 10_5Pa。
[0077]阻擋層共有六層。六層阻擋層依次疊加。
[0078]實(shí)施例2
[0079]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (NPB/Bi2Ti4011:WC)6的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0080]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0081]1、在陽極上形成功能層。
[0082]陽極為導(dǎo)電玻璃基板。優(yōu)選為ITO玻璃，ITO層的厚度為lOOnm。
[0083]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈桑鞠浜娓?。[0084]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s,,
[0085]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為0.1A/S。
[0086]發(fā)光層的材料包括1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及摻雜在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。Ir (ppy) 3的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2人/s,,
[0087]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為IOnm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_%，蒸發(fā)速度為0.1農(nóng)/811
[0088]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_%，蒸發(fā)速度為0.2人^
[0089]2、在功能層表面形成陰極。
[0090]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3 X KT5Pa,蒸發(fā)速度為5 A/S.[0091]3、在陰極表面蒸鍍阻擋層。
[0092]阻擋層包括依次層疊的有機(jī)阻擋膜及無機(jī)阻擋膜。
[0093]有機(jī)阻擋膜形成于陰極表面。有機(jī)阻擋膜的材料為NPB。有機(jī)阻擋膜的厚度為250nm。有機(jī)阻擋膜由真空蒸鍍制備，真空度為5 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度2A/S。
[0094]無機(jī)阻擋膜形成于有機(jī)阻擋膜表面。無機(jī)阻擋膜的材料包括Bi2Ti4O11及混合在Bi2Ti4O11中的WC。WC的質(zhì)量百分含量為30%。無機(jī)阻擋膜的厚度為200nm。無機(jī)阻擋膜由磁控濺射制備，本底真空度為I X 10_5Pa。
[0095]阻擋層共有六層。六層阻擋層依次疊加。
[0096]實(shí)施例3
[0097]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (Alq3/CrNi04:TaC)6的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0098]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0099]1、在陽極上形成功能層。
[0100]陽極為導(dǎo)電玻璃基板。優(yōu)選為ITO玻璃，ITO層的厚度為lOOnm。
[0101]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0102]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1A/s:,
[0103]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為OJA/S。
[0104]發(fā)光層的材料包括1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及摻雜在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。Ir(ppy)3的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2人/S,,
[0105]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為IOnm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_%，蒸發(fā)速度為0.1^
[0106]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X KT5Pa,蒸發(fā)速度為0.2人/S。
[0107]2、在功能層表面形成陰極。
[0108]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3 X KT5Pa,蒸發(fā)速度為5 A/S.[0109]3、在陰極表面蒸鍍阻擋層。
[0110]阻擋層包括依次層疊的有機(jī)阻擋膜及無機(jī)阻擋膜。
[0111]有機(jī)阻擋膜形成于陰極表面。有機(jī)阻擋膜的材料為Alq3。有機(jī)阻擋膜的厚度為200nm。有機(jī)阻擋膜由真空蒸鍍制備，真空度為5X KT5Pa,蒸發(fā)速度0.5Ai
[0112]無機(jī)阻擋膜形成于有機(jī)阻擋膜表面。無機(jī)阻擋膜的材料包括CrNiO4及混合在CrNiO4中的TaC。TaC的質(zhì)量百分含量為10%。無機(jī)阻擋膜的厚度為lOOnm。無機(jī)阻擋膜由磁控濺射制備，本底真空度為I X 10?.[0113]阻擋層共有六層。六層阻擋層依次疊加。
[0114]實(shí)施例4
[0115]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (m-MTDATA/CoCr204:BC) 5的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0116]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0117]1、在陽極上形成功能層。
[0118]陽極為導(dǎo)電玻璃基板。優(yōu)選為ITO玻璃，ITO層的厚度為lOOnm。
[0119]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0120]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 Α,/Sa
[0121]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3\10_^，蒸發(fā)速度為0.1人/1
[0122]發(fā)光層的材料包括1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及摻雜在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。Ir (ppy) 3的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2人/s,,
[0123]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為IOnm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3*10_^，蒸發(fā)速度為0.1人反，
[0124]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3*10-%，蒸發(fā)速度為0.2人/8?
[0125]2、在功能層表面形成陰極。
[0126]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3 X KT5Pa,蒸發(fā)速度為5人/S。
[0127]3、在陰極表面蒸鍍阻擋層。
[0128]阻擋層包括依次層疊的有機(jī)阻擋膜及無機(jī)阻擋膜。
[0129]有機(jī)阻擋膜形成于陰極表面。有機(jī)阻擋膜的材料為m-MTDATA。有機(jī)阻擋膜的厚度為250nm。有機(jī)阻擋膜由真空蒸鍍制備，真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/s?
[0130]無機(jī)阻擋膜形成于有機(jī)阻擋膜表面。無機(jī)阻擋膜的材料包括CoCr2O4及混合在CoCr2O4中的BC。BC的質(zhì)量百分含量為20%。無機(jī)阻擋膜的厚度為170nm。無機(jī)阻擋膜由磁控濺射制備，本底真空度為5X10_5Pa。
[0131]阻擋層共有五層。五層阻擋層依次疊加。
[0132]實(shí)施例5
[0133]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (BCP/Fe2Lu04:TiC) 5的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0134]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0135]1、在陽極上形成功能層。
[0136]陽極為導(dǎo)電玻璃基板。優(yōu)選為ITO玻璃，ITO層的厚度為lOOnm。
[0137]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈桑鞠浜娓伞?br> [0138]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.lA/s.[0139]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為0.1 A/s。
[0140]發(fā)光層的材料包括1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及摻雜在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。Ir (ppy) 3的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_中&，蒸發(fā)速度為0.2人/5,,
[0141]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_^，蒸發(fā)速度為0,:1^
[0142]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為{).2八/5
[0143]2、在功能層表面形成陰極。[0144]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為5 A./S.[0145]3、在陰極表面蒸鍍阻擋層。
[0146]阻擋層包括依次層疊的有機(jī)阻擋膜及無機(jī)阻擋膜。
[0147]有機(jī)阻擋膜形成于陰極表面。有機(jī)阻擋膜的材料為BCP。有機(jī)阻擋膜的厚度為250nm。有機(jī)阻擋膜由真空蒸鍍制備，真空度為5X KT5Pa,蒸發(fā)速度IH
[0148]無機(jī)阻擋膜形成于有機(jī)阻擋膜表面。無機(jī)阻擋膜的材料包括Fe2LuO4及混合在Fe2LuO4中的TiC。TiC的質(zhì)量百分含量為20%。無機(jī)阻擋膜的厚度為160nm。無機(jī)阻擋膜由磁控濺射制備，本底真空度為5X10_5Pa。
[0149]阻擋層共有五層。五層阻擋層依次疊加。
[0150]實(shí)施例6[0151]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (CuPc/Y3Al5012:HfC)4的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0152]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0153]1、在陽極上形成功能層。
[0154]陽極為導(dǎo)電玻璃基板。優(yōu)選為ITO玻璃，ITO層的厚度為lOOnm。
[0155]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0156]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.lA/s,
[0157]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹? X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為0JA/S。
[0158]發(fā)光層的材料包括1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及摻雜在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。Ir (ppy) 3的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3乂10_^，蒸發(fā)速度為0.2^
[0159]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為IOnm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_%，蒸發(fā)速度為().11/3?
[0160]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2人/s.,
[0161]2、在功能層表面形成陰極。
[0162]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為5人/S11
[0163]3、在陰極表面蒸鍍阻擋層。
[0164]阻擋層包括依次層疊的有機(jī)阻擋膜及無機(jī)阻擋膜。
[0165]有機(jī)阻擋膜形成于陰極表面。有機(jī)阻擋膜的材料為CuPc。有機(jī)阻擋膜的厚度為250nm。有機(jī)阻擋膜由真空蒸鍍制備，真空度為1 X 10_3Pa，蒸發(fā)速度2A/s,
[0166]無機(jī)阻擋膜形成于有機(jī)阻擋膜表面。無機(jī)阻擋膜的材料包括Fe2LuO4及混合在Y3Al5O12中的HfC。HfC的質(zhì)量百分含量為20%。無機(jī)阻擋膜的厚度為150nm。無機(jī)阻擋膜由磁控濺射制備，本底真空度為1 X 10_3Pa。
[0167]阻擋層共有四層。四層阻擋層依次疊加。
[0168]對(duì)比例
[0169]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (CuPc) 4的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0170]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0171]1、在陽極上形成功能層。
[0172]陽極為導(dǎo)電玻璃基板。優(yōu)選為ITO玻璃，ITO層的厚度為lOOnm。
[0173]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0174]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.lA/s,
[0175]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為O J A/S。
[0176]發(fā)光層的材料包括1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及摻雜在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。Ir (ppy) 3的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為0.2A/S。
[0177]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為IOnm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10-5PA，蒸發(fā)速度為0.1A/S:
[0178]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為OAk
[0179]2、在功能層表面形成陰極。
[0180]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為5 A/S,
[0181]3、在陰極表面蒸鍍阻擋層。
[0182]阻擋層為依次層疊的有機(jī)阻擋膜。
[0183]有機(jī)阻擋膜形成于陰極表面。有機(jī)阻擋膜的材料為CuPc。有機(jī)阻擋膜的厚度為250nm。有機(jī)阻擋膜由真空蒸鍍制備，真空度為1 X 10_3Pa，蒸發(fā)速度2 A/S-
[0184]阻擋層共有四層。四層阻擋層依次疊加。
[0185]本發(fā)明實(shí)施例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)、美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜、美國吉時(shí)利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能、日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測試亮度和色度。
[0186]請(qǐng)參閱表1，表1所示為實(shí)施例f實(shí)施例6的有機(jī)電致發(fā)光器件的水氣穿透率(Water Vapor Transmission Rate)的測試結(jié)果。從表1中可以看出實(shí)施例實(shí)施例6制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水氣穿透率均小于5.4X 10_4g/m2/day，防水效果較好，可以有效減少外部水氣對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
[0187]表1
[0188]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極及阻擋層，所述阻擋層包括依次層疊的有機(jī)阻擋膜及無機(jī)阻擋膜，所述陰極與所述有機(jī)阻擋膜直接接觸； 所述有機(jī)阻擋膜的材料選自酞菁銅、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺及4，7 一二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉中的至少一種， 所述無機(jī)阻擋膜的材料包括氧化物及混合在所述氧化物中的碳化物，所述氧化物選自MgAl2O4, Bi2Ti4O11, CrNiO4, CoCr2O4, Fe2LuO4 及 Y3Al5O12 中的至少一種，所述碳化物選自 SiC,W、TaC, BC、TiC及HfC中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述無機(jī)阻擋膜中所述碳化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述阻擋層的層數(shù)為4~6層，多個(gè)所述阻擋層依次層疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述有機(jī)阻擋膜的厚度為200nnT300nm,所述無機(jī)阻擋膜的厚度為100nnT200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述發(fā)光層的材料包括I,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及摻雜在所述1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的三(2-苯基吡啶)合銥，所述三(2-苯基吡啶)合銥的質(zhì)量百分含量為5%; 所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3按照25wt%的摻雜濃度摻雜入N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺中組成的慘雜混合材料； 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺； 所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉； 所述電子注入層的材質(zhì)為CsN3按照25wt%的摻雜濃度摻入4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉中組成的混合材料。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽極基底的陽極層上依次真空蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；及 在所述陰極上形成阻擋層，所述阻擋層包括依次層疊的有機(jī)阻擋膜及無機(jī)阻擋膜，所述陰極與所述有機(jī)阻擋膜直接接觸；其中，所述有機(jī)阻擋膜的材料選自酞菁銅、N, N’-二苯基-N，N’-二 (1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺及4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉中的至少一種，所述無機(jī)阻擋膜的材料包括氧化物及混合在所述氧化物中的碳化物，所述氧化物選自MgAl204、Bi2Ti4O11,CrNiO4、CoCr204、Fe2LuO4 及 Y3Al5O12 中的至少一種，所述碳化物選自 SiC、WC、TaC、BC、TiC 及HfC中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述阻擋層的層數(shù)為4飛，多個(gè)所述阻擋層依次層疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述有機(jī)阻擋膜由真空蒸鍍制備，蒸鍍時(shí)，真空度為lX10_5Pa~lX10_3Pa，蒸發(fā)速度().5A~5A/Se
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述無機(jī)阻擋膜由磁控濺射制備，本底真空度為lX10-5Pa~lX10-3Pa。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述有機(jī)阻擋膜的厚度為200nm~300nm,所述無機(jī)阻擋膜的厚度為100nm~200nm。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK103904249SQ201210572611
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月25日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司