有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，在所述陰極層上依次層疊有機(jī)阻擋層、硼化物層、濕氣吸收層和散熱層。本發(fā)明采用的封裝材料廉價(jià)，制備工藝簡單，易大面積制備，WVTR達(dá)到10－5g/m2·day；利用本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件制備得到的OLED發(fā)光器件，壽命達(dá)到10,700小時(shí)以上。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層,發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0004]柔性產(chǎn)品是有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)展趨勢，但目前普遍存在壽命短，因此封裝的好壞直接影響器件的壽命。本發(fā)明的主要目的在于提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，該技術(shù)工藝簡單，防水氧能力(WVTR)強(qiáng)，對柔性O(shè)LED器件的壽命有顯著的提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006]具體的技術(shù)方案如下:
[0007]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，在所述陰極層上依次層疊有機(jī)阻擋層、硼化物層、濕氣吸收層和散熱層。
[0008]在其中一些實(shí)施例中，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉，厚度為200-300nm。
[0009]在其中一些實(shí)施例中，所述硼化物層的材質(zhì)為AlB2、LaB6、VB2、NbB、TiB2 *MoB，厚度為 IOOnm ~200nm。
[0010]在其中一些實(shí)施例中，所述濕氣吸收層的材質(zhì)為CaO、BaO, SrO或MgO，厚度為IOOnm ~200nm。
[0011] 在其中一些實(shí)施例中，所述散熱層的材質(zhì)為鋁、銀、銅中的一種或幾種，厚度為200 ~500nm。
[0012]在其中一些實(shí)施例中，所述陽極基底為ITO玻璃基板，所述陽極基底的厚度為IOOnm;所述空穴注入層的材質(zhì)為摻雜30%Mo03的N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺，所述空穴注入層厚度為IOnm ;所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述空穴傳輸層的厚度為30nm ;所述發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜5wt%S(2-苯基吡啶)合銥的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述發(fā)光層厚度為20nm ;所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉，所述電子傳輸層的厚度為IOnm ;所述電子注入層的材質(zhì)為摻雜30wt%CsN3的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，所述電子注入層的厚度為20nm ;所述陰極層為Al,所述陰極層的厚度為lOOnm。
[0013]在其中一些實(shí)施例中，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還封裝有金屬箔片；所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝于所述金屬箔片和所述陽極基底內(nèi)。
[0014]本發(fā)明的還提供上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
[0015]具體的技術(shù)方案如下:
[0016]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0017]( I)在陽極基底的陽極層表面依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0018](2)采用真空蒸鍍的方式在陰極層上制備有機(jī)阻擋層，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉；
[0019](3)采用磁控濺射 的方法在有機(jī)阻擋層上制備硼化物層，所述硼化物層的材質(zhì)為AlB2' LaB6' VB2、NbB, TiB2 或 MoB ；
[0020](4)采用磁控濺射的方法在硼化物層上制備濕氣吸收層，所述濕氣吸收層的材質(zhì)為 CaO、BaO、SrO 或 MgO ；
[0021](5)采用真空蒸鍍的方法在濕氣吸收層上制備散熱層，所述散熱層的材質(zhì)為鋁、銀、銅中的一種或幾種；
[0022]經(jīng)過上述步驟制備得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0023]在其中一些實(shí)施例中，所述步驟(2)中真空蒸鍍的真空度為lX10_5Pa~I X IO-3Pa,蒸鍍速度為0.5A/S ~ 5人/S;所述步驟(3)中磁控濺射的真空度為I X IO-4Pa~I X 10_3Pa ;所述步驟(4)中磁控濺射的真空度為I X 10_4Pa~I X 10_3Pa ;所述步驟(5)中真空蒸鍍的真空度為I X KT5Pa~I X 10_3Pa，蒸鍍速度為lA/s ~5A/s.[0024]在其中一些實(shí)施例中，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還封裝有金屬箔片；在所述金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用光波長為365nm的UV光進(jìn)行固化，UV光強(qiáng)15~25mW/cm2，曝光時(shí)間300~400s ;將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述金屬箔片和陽極基底內(nèi)。
[0025]本發(fā)明的有益效果是:
[0026]本發(fā)明提出了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝技術(shù)，旨在解決柔性O(shè)LED封裝面臨的問題，促進(jìn)柔性O(shè)LED產(chǎn)品的發(fā)展。本發(fā)明提出的OLED器件封裝技術(shù)適用于以玻璃基底制備的OLED器件以及塑料或金屬為基底制備的柔性O(shè)LED器件，該技術(shù)特別適用于柔性O(shè)LED器件的應(yīng)用。
[0027]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括括依次層疊的陽極層、功能層和陰極層，在所述陰極層上依次層疊有機(jī)阻擋層、硼化物層、濕氣吸收層、散熱層和金屬箔片。具有如下特
占-
^ \\\.[0028]I)有機(jī)阻擋層可真空蒸鍍制作；
[0029]2)采用硼化物層作為無機(jī)阻擋層，致密性高，防水氧能力強(qiáng)；
[0030]3)采用濕氣吸收層吸收濕氣，降低濕氣對器件產(chǎn)生的破壞；[0031]4)采用金屬層作為散熱層，提高器件散熱能力，延長器件壽命；
[0032]5)采用金屬箔片作為封裝蓋，提高器件散熱能力，將封裝對光效的影響降到最低。
[0033]本發(fā)明的一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該方法采用的封裝材料廉價(jià)，制備工藝簡單，易大面積制備，WVTR達(dá)到10 —5g/m2.day ;利用本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件制備得到的OLED發(fā)光器件，壽命達(dá)到11，000小時(shí)以上(T70@1000cd/m2)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖。
[0035]附圖標(biāo)記說明:
[0036]101、陽極基底；102、空穴注入層；103、空穴傳輸層；104、發(fā)光層；105、電子傳輸層；106、電子注入層；107、陰極層；108、有機(jī)阻擋層；109、硼化物層；110、濕氣吸收層；
111、散熱層；112、金屬箔片。
【具體實(shí)施方式】
[0037]以下通過實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。
[0038]參考圖1，本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底101 (襯底和陽極電極作用)、空穴注入層102 (注入空穴，有利于空穴從陽極注入到傳輸材料中)、空穴傳輸層103 (傳輸空穴，有利于空穴傳輸?shù)桨l(fā)光材料中)、發(fā)光層104 (電子和空穴在此層中復(fù)合，然后將能量轉(zhuǎn)移給發(fā)光分子發(fā)光)、電子傳輸層105 (傳輸電子,有利于電子傳輸?shù)桨l(fā)光材料中)、電子注入層106 (注入電子，有利于電子從陽極注入到傳輸材料中)和陰極層107 (電源為器件提供電子)，在所述陰極層107上依次層疊有機(jī)阻擋層108 (采用有機(jī)物作為阻擋層)、硼化物層109 (采用硼化物作為阻擋層)、濕氣吸收層110 (吸收水汽層)和散熱層111(散發(fā)器件產(chǎn)生的熱量)。
[0039](I)陽極基底101為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜(優(yōu)選為ITO玻璃基板)，厚度為IOOnm ；
[0040](2)空穴注入層102的材質(zhì)為摻雜30°觀003的隊(duì)^-二苯基4州’-二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺，厚度為IOnm ；
[0041](3)空穴傳輸層103的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺，厚度為30nm ;
[0042](4)發(fā)光層104的材質(zhì)為摻雜5被％三(2_苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度為20nm ；
[0043](5)電子傳輸層105的材質(zhì)為4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉，厚度為IOnm ；
[0044](6)電子注入層106的材質(zhì)為摻雜30wt%CsN3的4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen),厚度為 20nm ；
[0045](7)陰極層107的材質(zhì)為Al，厚度為IOOnm ；
[0046](8)有機(jī)阻擋層108的材質(zhì)為CuPc (酞菁銅)、NPB (N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺)、六193(8-羥基喹啉鋁)、111-]\01^丁六(4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)或BCP(4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉)，厚度為200-300nm ；
[0047](9)硼化物層 109 的材質(zhì)為 A1B2、LaB6' VB2、NbB, TiB2 或 MoB,厚度為 IOOnm ~200nm ；[0048](10)濕氣吸收層110的材質(zhì)為CaO、BaO, SrO或MgO，厚度為IOOnm~200nm ；
[0049](11)散熱層111的材質(zhì)為鋁、銀、銅中的一種或幾種，厚度為200~500nm。
[0050]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0051 ] (1)在陽極基底的陽極層表面依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0052](2)采用真空蒸鍍的方式在陰極層上制備有機(jī)阻擋層，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉；
[0053]真空蒸鍍的真空度為I X KT5Pa~1 X 10?,蒸鍍速度為0.5人/s ~ 5A/S；
[0054](3)采用磁控濺射的方法在有機(jī)阻擋層上制備硼化物層，所述硼化物層的材質(zhì)為AlB2' LaB6' VB2、NbB, TiB2 或 MoB ；
[0055]磁控濺射的真空度為1 X KT4Pa~1 X KT3Pa ；
[0056](4)采用磁控濺射的方法在硼化物層上制備濕氣吸收層，所述濕氣吸收層的材質(zhì)為 CaO、BaO、SrO 或 MgO ；
[0057]磁控濺射的真空度為1 X KT4Pa~1 X KT3Pa ；
[0058](5)采用真空蒸鍍的方法在濕氣吸收層上制備散熱層，所述散熱層的材質(zhì)為鋁、銀、銅中的一種或幾種；
[0059]真空蒸鍍的真空度為1 X KT5Pa~1 X 10?,蒸鍍速度為1人/s ~ 5A/s；
[0060]經(jīng)過上述步驟制備得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0061](6)金屬箔片的覆蓋:在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光(光波長λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)15~25mW/cm2，曝光時(shí)間300~400s，將步驟(5)制備得到的有機(jī)電致發(fā)光器件封裝于金屬箔片及陽極基底內(nèi)。
[0062]上述陽極基底的基底一般為玻璃，其上的陽極層，也就是導(dǎo)電層的材質(zhì)一般為IT0、IZ0、AZ0、FT0等，優(yōu)選ITO ;在玻璃表面制備有it0、IZ0、AZ0、FT0層的，簡稱ITO玻璃、IZO玻璃、AZO玻璃、FTO玻璃。
[0063]實(shí)施例1:
[0064]本實(shí)施例所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底101、空穴注入層102、空穴傳輸層103、發(fā)光層104、電子傳輸層105、電子注入層106和陰極層107,在所述陰極層上依次層疊有機(jī)阻擋層108、硼化物層109、濕氣吸收層110和散熱層111。
[0065](I)陽極基底101為ITO玻璃基板，厚度為IOOnm ；
[0066](2)空穴注入層102的材質(zhì)為摻雜30%Mo03的N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)_1，1’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺，厚度為IOnm ；
[0067](3)空穴傳輸層103的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺，厚度為30nm ;
[0068](4)發(fā)光層104的材質(zhì)為摻雜5被％三(2_苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度為20nm ；
[0069](5)電子傳輸層105的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，厚度為IOnm;
[0070](6)電子注入層106的材質(zhì)為摻雜30被。/(^乂的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen),厚度為 20nm ；
[0071](7)陰極層107的材質(zhì)為Al，厚度為IOOnm ；[0072](8)有機(jī)阻擋層108的材質(zhì)為CuPc (酞菁銅)，厚度300nm ；
[0073](9)硼化物層109的材質(zhì)為AlB2,厚度為IOOnm ；
[0074](10)濕氣吸收層110的材質(zhì)為CaO，厚度為IOOnm ；
[0075](11)散熱層111的材質(zhì)為鋁，厚度為200nm。
[0076]本實(shí)施例所述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0077]( I)在陽極基底的陽極層表面依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層:
[0078]a、陽極基底101的制備:ΙΤ0玻璃基板前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用；對洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ΙΤ0厚度為IOOnm ；
[0079]b、采用真空蒸鍍的方法在陽極基底的陽極層表面上依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層:
[0080]空穴注入層102的制備:將MoO3摻雜入NPB中，摻雜濃度30wt%，厚度10nm，真空度 3 X 10_5Pa，蒸鍍速度0.1A/S；
[0081]空穴傳輸層103的制備:采用4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度3X 10_5Pa，蒸鍍速度0.lA/s，蒸鍍厚度30nm ；
[0082]發(fā)光層104的制備:主體材料采用1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯(TPBI )，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，摻雜濃度5wt%，真空度3 X 10_5Pa，蒸鍍速度0.2A/S,蒸鍍厚度20nm ；
[0083]電子傳輸層105的制備:蒸鍍一層作為電子傳輸材料，真空度3 X 10_5Pa，蒸鍍速度
0.1A/S,蒸鍍厚度IOnm ；
[0084]電子注入層106的制備:將CsN3摻入4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)中，摻雜濃度30wt%，真空度3X 10_5Pa，蒸鍍速度0.2A/s5蒸鍍厚度20nm ；
[0085]C、陰極層107的制備:采用蒸鍍的方法在電子注入層上制備陰極層Al，厚度為IOOnm,真空度為3 X 10_5Pa，蒸鍍速度為5A/s;
[0086](2)有機(jī)阻擋層108的制備:；采用真空蒸鍍的方式在陰極層上制備一層CuPc (酞菁銅)，即得有機(jī)阻擋層，真空蒸鍍的真空度I X IO-5Pa,蒸鍍速度丨A/S，厚度300nm ；
[0087](3)硼化物層109的制備:在有機(jī)阻擋層上采用磁控濺射的方法制備一層AlB2,即得硼化物層，本底真空度I X 10_4Pa，厚度IOOnm ；
[0088](4)濕氣吸收層109的制備:在硼化物層上采用磁控濺射的方法制備一層CaO，即得濕氣吸收層，磁控濺射本底的真空度為lX10_4Pa，濺射厚度IOOnm ；
[0089](5)散熱層110的制備:在濕氣吸收層上采用真空蒸鍍的方法制備一層鋁，真空蒸鍍的真空度為I X IO-5Pa,蒸鍍速度IA/S，厚度為200nm，即得散熱層，經(jīng)過上述步驟制備得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0090](6)金屬箔片的覆蓋:在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光(光波長λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)20mW/cm2，曝光時(shí)間350s，將步驟(5)制備得到的有機(jī)電致發(fā)光器件封裝于金屬箔片和陽極基底內(nèi)。
[0091]實(shí)施例2:[0092]本實(shí)施例所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，在所述陰極層上依次層疊有機(jī)阻擋層、硼化物層、濕氣吸收層和散熱層。
[0093](I)陽極基底為ITO玻璃基板，厚度為IOOnm ；
[0094](2)空穴注入層的材質(zhì)為摻雜30%Mo03的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺，厚度為IOnm ；
[0095](3)空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺，厚度為30nm ;
[0096](4)發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜5被％三(2_苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度為20nm ；
[0097](5)電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，厚度為IOnm;
[0098](6)電子注入層的材質(zhì)為摻雜30wt%CsN3的4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，厚度為20nm ；
[0099](7)陰極層的材質(zhì)為Al,厚度為IOOnm ；
[0100](8)有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為NPB (N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4’-二胺)，厚度為 250nm;
[0101](9)硼化物層的材質(zhì)為LaB6，厚度為120nm ；
[0102](10)濕氣吸收層的材質(zhì)為BaO，厚度為200nm ；
[0103](11)散熱層的材質(zhì)為銀，厚度為500nm。
[0104]本實(shí)施例所述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0105]( I)在陽極基底的陽極層表面依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層:
[0106]陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層的制備方法同實(shí)施例1步驟(1);
[0107](2)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸鍍的方式在陰極層上制備一層NPB (N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺)，即得有機(jī)阻擋層，真空蒸鍍的真空度5 X 10?,蒸鍍速度2A/S，厚度250nm ；
[0108](3)硼化物層的制備:在有機(jī)阻擋層上采用磁控濺射的方法制備一層LaB6,即得硼化物層，本底真空度5X10_4Pa，厚度120nm;
[0109](4)濕氣吸收層的制備:在硼化物層上采用磁控濺射的方法制備一層BaO，即得濕氣吸收層，磁控濺射本底的真空度為5X 10_4Pa，濺射厚度200nm ；
[0110](5)散熱層的制備:在濕氣吸收層上采用真空蒸鍍的方法制備一層銀，真空蒸鍍的真空度為5\10_%，蒸鍍速度5人/5，厚度為500nm，即得散熱層，經(jīng)過上述步驟制備得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0111](6)金屬箔片的覆蓋:在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光(光波長λ = 365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)25mW/cm2，曝光時(shí)間400s，將步驟(5)制備得到的有機(jī)電致發(fā)光器件封裝于金屬箔片和陽極基底內(nèi)。
[0112]實(shí)施例3:
[0113]本實(shí)施例所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，在所述陰極層上依次層疊有機(jī)阻擋層、硼化物層、濕氣吸收層和散熱層。
[0114](I)陽極基底為ITO玻璃基板，厚度為IOOnm;
[0115](2)空穴注入層的材質(zhì)為摻雜30%Mo03的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，1’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺，厚度為IOnm ；
[0116](3)空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺，厚度為30nm;
[0117](4)發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜5被％三(2_苯基吡啶)合銥的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度為20nm ；
[0118](5)電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，厚度為IOnm;
[0119](6)電子注入層的材質(zhì)為摻雜30wt%CsN3的4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，厚度為20nm ；
[0120](7)陰極層的材質(zhì)為Al,厚度為IOOnm ；
[0121](8)有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為Alq3 (8_羥基喹啉鋁)，厚度為200nm ；
[0122](9)硼化物層的材質(zhì)為VB2,厚度為200nm ；
[0123](10)濕氣吸收層的材質(zhì)為SrO,厚度為150nm ;
[0124](11)散熱層的材質(zhì)為銅，厚度為300nm。
[0125]本實(shí)施例所述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0126]( I)在陽極基底的陽極層表面依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層:
[0127]陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層的制備方法同實(shí)施例1步驟(1);
[0128](2)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸鍍的方式在陰極層上制備一層Alq3 (8_羥基喹啉鋁)，即得有機(jī)阻擋層，真空蒸鍍的真空度5X 10_5Pa，蒸鍍速度0.5A/S,厚度200nm ；
[0129](3)硼化物層的制備:在有機(jī)阻擋層上采用磁控濺射的方法制備一層HfSi2,即得硼化物層，本底真空度5X 10_4Pa，厚度200nm ；
[0130](4)濕氣吸收層的制備:在硼化物層上采用磁控濺射的方法制備一層SrO，即得濕氣吸收層，磁控濺射本底的真空度為5X10_4Pa，濺射厚度150nm ；
[0131](5)散熱層的制備:在濕氣吸收層上采用真空蒸鍍的方法制備一層銅，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸鍍速度2A/S,厚度為300nm，即得散熱層，經(jīng)過上述步驟制備得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0132](6)金屬箔片的覆蓋:在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光(光波長λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)15mW/cm2，曝光時(shí)間300s，將步驟(5)制備得到的有機(jī)電致發(fā)光器件封裝于金屬箔片和陽極基底內(nèi)。
[0133]實(shí)施例4:
[0134]本實(shí)施例所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，在所述陰極層上依次層疊有機(jī)阻擋層、硼化物層、濕氣吸收層和散熱層。
[0135](I)陽極基底為ITO玻璃基板，厚度為IOOnm ；
[0136](2)空穴注入層的材質(zhì)為摻雜30%Mo03的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺，厚度為IOnm ；[0137](3)空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺，厚度為30nm ;
[0138](4)發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜5被％三(2_苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度為20nm ；
[0139](5)電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，厚度為IOnm;
[0140](6)電子注入層的材質(zhì)為摻雜30wt%CsN3的4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，厚度為20nm ；[0141](7)陰極層的材質(zhì)為Al,厚度為IOOnm;
[0142](8)有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為m-MTDATA (4，4’，4 "-三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)，厚度為250nm;
[0143](9)硼化物層的材質(zhì)為NbB，厚度為IOOnm ；
[0144](10)濕氣吸收層的材質(zhì)為MgO,厚度為IOOnm;
[0145](11)散熱層的材質(zhì)為銅招合金，銅招比例為3:1,厚度為500nm。
[0146]本實(shí)施例所述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0147]( I)在陽極基底的陽極層表面依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層:
[0148]陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層的制備方法同實(shí)施例1步驟(1);
[0149](2)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸鍍的方式在陰極層上制備一層m-MTDATA(4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)，即得有機(jī)阻擋層，真空蒸鍍的真空度5X 10_5Pa，蒸鍍速度2A/S，厚度250nm。
[0150](3)硼化物層的制備:在有機(jī)阻擋層上采用磁控濺射的方法制備一層NbB，即得硼化物層，本底真空度2 X10_4Pa，厚度IOOnm ；
[0151](4)濕氣吸收層的制備:在硼化物層上采用磁控濺射的方法制備一層MgO，即得濕氣吸收層，磁控濺射本底的真空度為5X10_4Pa，濺射厚度IOOnm ；
[0152](5)散熱層的制備:在濕氣吸收層上采用真空蒸鍍的方法制備一層銅鋁合金，銅鋁比例為3:1，真空蒸鍍的真空度為5父10_%，蒸鍍速度2人/$厚度為500nm，即得散熱層，經(jīng)過上述步驟制備得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0153](6)金屬箔片的覆蓋:在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光(光波長λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)20mW/cm2，曝光時(shí)間350s，將步驟(5)制備得到的所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝于金屬箔片和陽極基底內(nèi)。
[0154]實(shí)施例5:
[0155]本實(shí)施例所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，在所述陰極層上依次層疊有機(jī)阻擋層、硼化物層、濕氣吸收層和散熱層。
[0156](I)陽極基底為ITO玻璃基板，厚度為IOOnm ；
[0157](2)空穴注入層的材質(zhì)為摻雜30%Mo03的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺，厚度為IOnm ；
[0158](3)空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺，厚度為30nm ;
[0159](4)發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜5被％三(2_苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度為20nm ；
[0160](5)電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，厚度為IOnm;
[0161](6)電子注入層的材質(zhì)為摻雜30wt%CsN3的4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，厚度為20nm ；
[0162](7)陰極層的材質(zhì)為Al,厚度為IOOnm ；
[0163](8)有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為BCP (4，7 — 二苯基一1，10 —鄰菲羅啉)，厚度為250nm ;
[0164](9)硼化物層的材質(zhì)為TiB2，厚度為150nm ；
[0165](10)濕氣吸收層的材質(zhì)為CaO,厚度為200nm ；
[0166](11)散熱層的材質(zhì)為招，厚度為300nm。
[0167]本實(shí)施例所述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0168]( I)在陽極基底的陽極層表面依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層:
[0169]陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層的制備方法同實(shí)施例1步驟(1);
[0170](2)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸鍍的方式在陰極層上制備一層BCP (4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉)，即得有機(jī)阻擋層，真空蒸鍍的真空度5 X 10_5Pa，蒸鍍速度】A/s,厚度 250nm。
[0171](3)硼化物層的制備:在有機(jī)阻擋層上采用磁控濺射的方法制備一層TiB2,即得硼化物層，本底真空度5X10_4Pa，厚度150nm;
[0172](4)濕氣吸收層的制備:在硼化物層上采用磁控濺射的方法制備一層CaO，即得濕氣吸收層，磁控濺射本底的真空度為5X 10_4Pa，濺射厚度200nm ；
[0173](5)散熱層的制備:在濕氣吸收層上采用真空蒸鍍的方法制備一層鋁，真空蒸鍍的真空度為5乂10_^，蒸鍍速度21/8,厚度為300nm，即得散熱層，經(jīng)過上述步驟制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0174](6)金屬箔片的覆蓋:在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光(光波長λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)20mW/cm2，曝光時(shí)間340s，將步驟(5)制備得到的所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝于金屬箔片和陽極基底內(nèi)。
[0175]實(shí)施例6:
[0176]本實(shí)施例所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，在所述陰極層上依次層疊有機(jī)阻擋層、硼化物層、濕氣吸收層和散熱層。
[0177](I)陽極基底為ITO玻璃基板，厚度為IOOnm ；
[0178](2)空穴注入層的材質(zhì)為摻雜30%Mo03的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺，厚度為IOnm ；
[0179](3)空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺，厚度為30nm ;
[0180](4)發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜5被％三(2_苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度為20nm ；
[0181](5)電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，厚度為IOnm;
[0182](6)電子注入層的材質(zhì)為摻雜30wt%CsN3的4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，厚度為20nm ；
[0183](7)陰極層的材質(zhì)為Al，厚度為IOOnm ；
[0184](8)有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為CuPc (酞菁銅)，厚度為250nm ；
[0185](9)硼化物層的材質(zhì)為MoB，厚度為120nm ；
[0186](10)濕氣吸收層的材質(zhì)為BaO,厚度為150nm ；
[0187](11)散熱層的材質(zhì)為銀，厚度為300nm。
[0188]本實(shí)施例所述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0189](1)在陽極基底的陽極層表面依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層:
[0190]陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層的制備方法同實(shí)施例1步驟(1);
[0191](2)有機(jī)阻擋層的制備:采用真空蒸鍍的方式在陰極層上制備一層CuPc(酞菁銅)，即得有機(jī)阻擋層，真空蒸鍍的真空度I X 10?,蒸鍍速度2A/S,厚度250nm。
[0192](3)硼化物層的制備:在有機(jī)阻擋層上采用磁控濺射的方法制備一層MoB，即得硼化物層，本底真空度I X10_3Pa，厚度120nm ；
[0193](4)濕氣吸收層的制備:在硼化物層上采用磁控濺射的方法制備一層BaO，即得濕氣吸收層，磁控濺射本底的真空度為lX10_3Pa，濺射厚度150nm ；
[0194](5)散熱層的制備:在濕氣吸收層上采用真空蒸鍍的方法制備一層銀，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸鍍速度3A/S,厚度為300nm，即得散熱層，經(jīng)過上述步驟制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0195](6)金屬箔片的覆蓋:在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光(光波長λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)18mW/cm2，曝光時(shí)間360s，將步驟(5)制備得到的所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝于金屬箔片和陽極基底內(nèi)。
[0196]實(shí)施例7
[0197]實(shí)施例1-6制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如下表所示:
[0198]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，其特征在于，在所述陰極層上依次層疊有機(jī)阻擋層、硼化物層、濕氣吸收層和散熱層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉，厚度為 200-300nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述硼化物層的材質(zhì)為AlB2' LaB6' VB2、NbB, TiB2 或 MoB,厚度為 1OOnm ~200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述濕氣吸收層的材質(zhì)為 CaO、BaO, SrO 或 MgO，厚度為 IOOnm ~200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散熱層的材質(zhì)為鋁、銀、銅中的一種或幾種，厚度為200~500nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極基底為ITO玻璃基板，所述陽極基底的厚度為IOOnm ;所述空穴注入層的材質(zhì)為摻雜30%Mo03的N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺，所述空穴注入層厚度為IOnm ；所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述空穴傳輸層的厚度為30nm ;所述發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜5被％三(2_苯基吡啶)合銥的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述發(fā)光 層厚度為20nm ;所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉，所述電子傳輸層的厚度為IOnm ;所述電子注入層的材質(zhì)為摻雜30wt%CsN3的4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉，所述電子注入層的厚度為20nm;所述陰極層的材質(zhì)為Al，所述陰極層的厚度為IOOnm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述所述有機(jī)電致發(fā)光器件還封裝有金屬箔片；所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝于所述金屬箔片和所述陽極基底內(nèi)。
8.—種權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟: (1)在陽極基底的陽極層表面依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層； (2)采用真空蒸鍍的方式在陰極層上制備有機(jī)阻擋層，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、.4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉； (3)采用磁控濺射的方法在有機(jī)阻擋層上制備硼化物層，所述硼化物層的材質(zhì)為A1B2、LaB6、VB2、NbB、TiB2 或 MoB ； (4)采用磁控濺射的方法在硼化物層上制備濕氣吸收層，所述濕氣吸收層的材質(zhì)為CaO、BaO、SrO 或 MgO ； (5)采用真空蒸鍍的方法在濕氣吸收層上制備散熱層，所述散熱層的材質(zhì)為鋁、銀、銅中的一種或幾種； 經(jīng)過上述步驟即得所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的透明有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中真空蒸鍍的真空度為IX KT5Pa~I X KT3Pa,蒸鍍速度為0.5A/S ~5A/s;所述步驟(3)中磁控濺射的真空度為lX10_4Pa~lX10_3Pa;所述步驟(4)中磁控濺射的真空度為IX KT4Pa~IX KT3Pa;所述步驟(5)中真空蒸鍍的真空度為I X KT5Pa~lX10_3Pa，蒸鍍速度為 iA/s~5A/s?
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還封裝有金屬箔片；在所述金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用光波長為365nm的UV光進(jìn)行固化，UV光強(qiáng)15~25mW/cm2，曝光時(shí)間300~400s，將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝于所述金屬箔片和 陽極基底內(nèi)。
【文檔編號】H01L51/54GK103904247SQ201210572589
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月25日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司