有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu)：陽極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、有機(jī)阻擋層、無機(jī)阻擋層、濕氣吸收層和散熱層。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的無機(jī)阻擋層的材質(zhì)采用碲化物和硫化物的混合物，具有致密性高，防水防氧能力強(qiáng)等特點(diǎn)，濕氣吸收層的材質(zhì)采用氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶和氧化鎂中的至少一種，能夠吸收空氣中的水汽。無機(jī)阻擋層和濕氣吸收層協(xié)同作用，能夠減少水汽和氧氣進(jìn)入有機(jī)電致發(fā)光器件，相對于傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，這種有機(jī)電致發(fā)光器件具有較長的使用壽命。本發(fā)明還公開了一種上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電致發(fā)光領(lǐng)域，特別是涉及有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light Emitting Display, 0LED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件，其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0004]柔性有機(jī)電致發(fā)光器件是有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)展趨勢，傳統(tǒng)的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件，采用金屬材料作為陰極層，由于金屬在蒸鍍制備時(shí)，容易存在針孔和缺陷，這樣導(dǎo)致水汽和氧氣容易從針孔和缺陷處向有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)部滲透，導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件失效，因此封裝的好壞直接影響有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
[0005]傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件對水汽和氧氣的阻擋性能不佳，使用壽命不長。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]基于此，有必要提供一種使用壽命較長的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0007]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu):陽極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、有機(jī)阻擋層、無機(jī)阻擋層、濕氣吸收層和散熱層；
[0008]所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為碲化物和硫化物的混合物，所述硫化物占所述無機(jī)阻擋層的重量百分比為10%~30%;
[0009]所述濕氣吸收層的材質(zhì)為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶和氧化鎂中的至少一種；
[0010]所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種；
[0011]所述散熱層的材質(zhì)為鋁、銀和銅中的至少一種。
[0012]在一個(gè)實(shí)施例中，所述締化物為締化鋪、締化秘、締化鎘、締化銦、締化錫和締化鉛中的一種。
[0013]在一個(gè)實(shí)施例中，所述硫化物為二硫化鑰、二硫化鉭、二硫化鎢、三硫化二銻、硫化鋪和硫化鋒中的一種。
[0014]在一個(gè)實(shí)施例中，所述無機(jī)阻擋層的厚度為100nnT200nm ;所述有機(jī)阻擋層的厚度為 200nm~300nm。
[0015]在一個(gè)實(shí)施例中，所述濕氣吸收層的厚度為100nnT500nm;所述散熱層的厚度為200nm~500nm。
[0016]在一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、有機(jī)阻擋層、無機(jī)阻擋層、濕氣吸收層和散熱層封裝于所述陽極導(dǎo)電基板上。
[0017]在一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋為金屬箔片。
[0018]在一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了三氧化鑰的N，N’-二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺，所述三氧化鑰占所述空穴注入層的重量百分比為25%;
[0019]所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺；
[0020]所述發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了三(2-苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述三(2-苯基吡啶)合銥占所述發(fā)光層的重量百分比為5% ；
[0021]所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉；
[0022]所述電子注入層的材質(zhì)為摻雜了疊氮化銫的4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉，所述疊氮化銫占所述電子注入層的重量百分比為25%。 [0023]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0024]提供陽極導(dǎo)電基板；
[0025]在所述陽極導(dǎo)電基板的陽極導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0026]在所述陰極層上真空蒸鍍形成有機(jī)阻擋層；
[0027]在所述有機(jī)阻擋層表面依次磁控濺射制備無機(jī)阻擋層和濕氣吸收層；
[0028]在所述濕氣吸收層表面真空蒸鍍制備散熱層；
[0029]其中，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為碲化物和硫化物的混合物，所述硫化物占所述無機(jī)阻擋層的重量百分比為10%~30% ；
[0030]所述濕氣吸收層的材質(zhì)為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶和氧化鎂中的至少一種；
[0031]所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種；
[0032]所述散熱層的材質(zhì)為鋁、銀和銅中的至少一種。
[0033]在一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層真空蒸鍍制備時(shí)，真空度為3父10々&，蒸發(fā)速度為0.1人/5;
[0034]所述有機(jī)阻擋層真空蒸鍍制備時(shí)，其真空度為I X 10_5Pa~l X 10?,蒸發(fā)速度為
0.5 A~5 A/s;
[0035]所述無機(jī)阻擋層和濕氣吸收層磁控濺射制備時(shí)，其真空度為I X KT4Pa~I X KT3Pa ;以及
[0036]所述散熱層真空蒸鍍制備時(shí)，其真空度為lX10_5Pa~lX10_3Pa，蒸發(fā)速度為I A~5 A/s。上述有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊陽極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、有機(jī)阻擋層、無機(jī)阻擋層、濕氣吸收層和散熱層，無機(jī)阻擋層的材質(zhì)采用碲化物和硫化物的混合物，具有致密性高，防水防氧能力強(qiáng)等特點(diǎn)，濕氣吸收層的材質(zhì)采用氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶和氧化鎂中的至少一種，能夠吸收空氣中的水汽。無機(jī)阻擋層和濕氣吸收層協(xié)同作用，能夠減少水汽和氧氣進(jìn)入有機(jī)電致發(fā)光器件，相對于傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，這種有機(jī)電致發(fā)光器件具有較長的使用壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】[0039]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0040]如圖1所示的一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu):陽極導(dǎo)電基板110、空穴注入層115、空穴傳輸層120、發(fā)光層125、電子傳輸層130、電子注入層135、陰極層140、有機(jī)阻擋層145、無機(jī)阻擋層150、濕氣吸收層155和散熱層160。
[0041]陽極導(dǎo)電基板110的材質(zhì)包括陽極導(dǎo)電層和基板，其基板可以為玻璃基板或有機(jī)薄膜基板，陽極導(dǎo)電層的材質(zhì)可以為導(dǎo)電氧化物，如，氧化銦錫(ΙΤ0)、摻鋁氧化鋅(ΑΖ0)、摻銦氧化鋅(ΙΖ0)或摻氟氧化錫(FT0)，這些導(dǎo)電氧化物被制備在玻璃基板上，簡稱ITO玻璃、AZO玻璃、IZO玻璃、FTO玻璃。陽極導(dǎo)電基板可以自制，也可以市購獲得。在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)需要選擇其他合適的材料作為陽極導(dǎo)電基板110。在實(shí)際應(yīng)用中，可以在陽極導(dǎo)電基板110上制備所需的有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形。陽極導(dǎo)電基板的厚度可以為70nm~200nmo
[0042]空穴注入層115的材質(zhì)可以為摻雜了三氧化鑰的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺，三氧化鑰占空穴注入層115的重量百分比可以為25%~30%。空穴注入層115的作用為有利于空穴從陽極注入到傳輸材料中。
[0043]空穴傳輸層120的材質(zhì)可以為4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺?？昭▊鬏攲?20的作用為傳輸空穴，有利于空穴傳輸?shù)桨l(fā)光材料中。
[0044]發(fā)光層125的材質(zhì)可以為摻雜了三(2-苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，三(2-苯基吡啶)合銥占發(fā)光層125的重量百分比可以為5%。電子和空穴在發(fā)光層125中復(fù)合，然后將能量轉(zhuǎn)移給發(fā)光分子發(fā)光。
[0045]電子傳輸層130的材質(zhì)可以為4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉。電子傳輸層130的作用為傳輸電子，有利于電子傳輸?shù)桨l(fā)光材料中。
[0046]電子注入層135的材質(zhì)可以為摻雜了疊氮化銫的4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉，疊氮化銫占電子注入層135的重量百分比可以為25%~30%。電子注入層135的作用為注入電子，有利于電子從陽極注入到傳輸材料中。
[0047]有機(jī)電致發(fā)光器件100中包含有空穴注入層115、空穴傳輸層120、電子傳輸層130和電子注入層135能夠降低有機(jī)電致發(fā)光器件的工作電壓和提高有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0048]陰極層140的材質(zhì)可以為鋰(Li)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、銀(Ag)、釤(Sm)、鐿(Yb)、鋁(Al)或其合金。
[0049]陰極層140的厚度可以為20nnT100nm。在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)需要選擇合適的陰極層140的材質(zhì)和厚度。
[0050]有機(jī)阻擋層145的材質(zhì)可以為酞菁銅(CuPc)、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、8-羥基喹啉鋁(4193)、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)和4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)中的至少一種。有機(jī)阻擋層145的材質(zhì)為CuPc、NPB, Alq3、m-MTDATA和BCP中的至少一種時(shí)，有機(jī)阻擋層145具有柔韌性，能夠增加陰極層140和無機(jī)阻擋層150的力學(xué)性能，使有機(jī)電致發(fā)光器件不容易產(chǎn)生裂紋或者空隙。
[0051]有機(jī)阻擋層145的厚度可以為200nnT300nm。
[0052]無機(jī)阻擋層150的材質(zhì)可以為碲化物和硫化物的混合物。其中碲化物占無機(jī)阻擋層150的重量百分比為10%~30%。
[0053]碲化物可以為碲化銻(Sb2Te3)、碲化鉍(Bi2Te)、碲化鎘(CdTe)、碲化銦(In2Te3)、碲化錫(SnTe)和碲化鉛(PbTe)中的一種。
[0054]硫化物可以為二硫化鑰(MoS2)、二硫化鉭(TaS2)、二硫化鎢(WS2)、三硫化二銻(Sb2S3 )、硫化鎘(CdS)和硫化鋅(ZnS)中的一種。
[0055]無機(jī)阻擋層150的材質(zhì)采用碲化物和硫化物的混合物，致密性高，能夠很好地防止水汽和氧氣進(jìn)入有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0056]無機(jī)阻擋層150的厚度可以為100nnT200nm。
[0057]濕氣吸收層155的材質(zhì)可以為氧化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)、氧化鍶(SrO)和氧化鎂(MgO)中的至少一種。濕氣吸收層155的厚度為100ηπ-500ηπι。濕氣吸收層155的材質(zhì)采用Ca0、Ba0、Sr0和MgO中的至少一種，能夠吸收進(jìn)入有機(jī)電致發(fā)光器件的水汽，降低水汽對有機(jī)電致發(fā)光器件產(chǎn)生的破壞。
[0058]散熱層160的材質(zhì)可以為鋁(Al)、銀(Ag)和銅(Cu)中的至少一種。散熱層160的厚度為200nnT500nm。金屬鋁、銀和銅具有較高的導(dǎo)熱系數(shù)，能夠?qū)⒂袡C(jī)電致發(fā)光器件工作時(shí)產(chǎn)生的熱量及時(shí)的散發(fā)出來，提高有機(jī)電致發(fā)光器件的散熱能力，延長使用壽命。
[0059]有機(jī)電致發(fā)光器件100還可以包括封裝蓋。封裝蓋將空穴注入層115、空穴傳輸層120、發(fā)光層125、電子傳輸層130、電子注入層135、陰極層140、有機(jī)阻擋層145、無機(jī)阻擋層150、濕氣吸收層155和散熱層160封裝于陽極導(dǎo)電基板110上。
[0060]封裝蓋可以為金屬箔片。采用金屬箔片作為封裝蓋，能夠提高有機(jī)電致發(fā)光器件100的散熱能力，將封裝對光效的影響降到最低。
[0061]上述有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu):陽極導(dǎo)電基板110、空穴注入層115、空穴傳輸層120、發(fā)光層125、電子傳輸層130、電子注入層135、陰極層140、有機(jī)阻擋層145、無機(jī)阻擋層150、濕氣吸收層155和散熱層160，無機(jī)阻擋層150的材質(zhì)采用碲化物和硫化物的混合物，具有致密性高，防水防氧能力強(qiáng)等特點(diǎn)，濕氣吸收層155的材質(zhì)采用Ca0、Ba0、Sr0和MgO中的至少一種，能夠吸收空氣中的水汽。無機(jī)阻擋層150和濕氣吸收層155協(xié)同作用，能夠減少水汽和氧氣進(jìn)入有機(jī)電致發(fā)光器件,相對于傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，這種有機(jī)電致發(fā)光器件具有較長的使用壽命。
[0062]如圖2所示，上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0063]S10、提供陽極導(dǎo)電基板110。
[0064]包括陽極導(dǎo)電層和基板，其基板可以為玻璃基板或有機(jī)薄膜基板，陽極導(dǎo)電層的材質(zhì)可以為導(dǎo)電氧化物，如，氧化銦錫(ΙΤ0)、摻鋁氧化鋅(ΑΖ0)、摻銦氧化鋅(IZO)或摻氟氧化錫(FTO)，這些導(dǎo)電氧化物被制備在玻璃基板上，簡稱ITO玻璃、AZO玻璃、IZO玻璃、FTO玻璃。陽極導(dǎo)電基板可以自制，也可以市購獲得。在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)需要選擇其他合適的材料作為陽極導(dǎo)電基板110。在實(shí)際應(yīng)用中，可以在陽極導(dǎo)電基板110上制備所需的有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形。
[0065]陽極導(dǎo)電基板110的厚度可以為70nnT200nm。
[0066]將陽極導(dǎo)電基板110依次進(jìn)行如下處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次清洗時(shí)間為5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈桑嫦淇靖纱?。對洗凈后的陽極導(dǎo)電基板110還可以進(jìn)行表面活化處理，以增加陽極導(dǎo)電基板110的導(dǎo)電層表面的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)。
[0067]S20、在陽極導(dǎo)電基板110的陽極導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成空穴注入層115、空穴傳輸層120、發(fā)光層125、電子傳輸層130、電子注入層135和陰極層140。
[0068]空穴注入層115的材質(zhì)可以為摻雜了三氧化鑰的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺，三氧化鑰占空穴注入層115的重量百分比可以為25%~30%。
[0069]空穴傳輸層120的材質(zhì)可以為4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺。
[0070]發(fā)光層125的材質(zhì)可以為摻雜了三(2-苯基吡啶)合銥的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，三(2-苯基吡啶)合銥占發(fā)光層125的重量百分比可以為5% ；
[0071]電子傳輸層130的材質(zhì)可以為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉；
[0072]電子注入層135的材質(zhì)可以為摻雜了疊氮化銫的4，7- 二苯基_1，10-菲羅啉，疊氮化銫占電子注入層135的重量百分比可以為25%~30%。
[0073]有機(jī)電致發(fā)光器件100中包含有空穴注入層115、空穴傳輸層120、電子傳輸層130和電子注入層135能夠降低有機(jī)電致發(fā)光器件的工作電壓和提高有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0074]陰極層140的材質(zhì)可以為L1、Mg、Ca、Ag、Sm、Yb、Al或其合金。
[0075]陰極層140的厚度可以為20nnT100nm。在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)需要選擇合適的陰極層140的材質(zhì)和厚度。
[0076]S30、在陰極層140上真空蒸鍍形成有機(jī)阻擋層145。
[0077]有機(jī)阻擋層145的材質(zhì)可以為酞菁銅(CuPc)、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4’，4 "-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)和4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)中的至少一種。有機(jī)阻擋層145的材質(zhì)為CuPc、NPB, Alq3、m-MTDATA和BCP中的至少一種時(shí)，從而使得有機(jī)阻擋層145具有柔韌性，能夠緩減陰極層140和無機(jī)阻擋層150之間的應(yīng)力，使有機(jī)電致發(fā)光器件100不容易產(chǎn)生裂紋或者空隙。
[0078]有機(jī)阻擋層145的厚度可以為200nnT300nm。
[0079]有機(jī)阻擋層145采用真空蒸鍍的方式制備，在真空度為I X 10_5Pa~l X 10?,蒸發(fā)速度為0.5人~5A/s的條件下形成。
[0080]S40、在有機(jī)阻擋層145表面依次磁控濺射制備無機(jī)阻擋層150和濕氣吸收層155。
[0081]無機(jī)阻擋層150的材質(zhì)可以為碲化物和硫化物的混合物，其中碲化物占無機(jī)阻擋層150的重量百分比為10%~30%。無機(jī)阻擋層150的材質(zhì)采用碲化物和硫化物的混合物，致密性高，能夠很好地防止水汽和氧氣進(jìn)入有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0082]碲化物可以為Sb2Te3、Bi2Te、CdTe, In2Te3、SnTe 和 PbTe 中的一種。
[0083]硫化物可以為MoS2、TaS2、WS2、Sb2S3、CdS 和 ZnS 中的一種
[0084]無機(jī)阻擋層150的厚度可以為100nnT200nm。
[0085]無機(jī)阻擋層150采用磁控濺射制備，在本底真空度為I X KT4Pa~I X KT3Pa的條件下形成。
[0086]濕氣吸收層155材質(zhì)可以為CaO、BaO> SrO和MgO中的至少一種。
[0087]濕氣吸收層155的厚度可以為100nnT500nm。
[0088]濕氣吸收層155可以采用磁控濺射制備，在本底真空度為IX 10_4Pa~IX 10_3Pa的條件下形成。
[0089]S50、在濕氣吸收層155表面真空蒸鍍制備散熱層160。
[0090]散熱層160的材質(zhì)可以為鋁、銀和銅中的至少一種。
[0091]散熱層160的厚度可以為200nnT500nm。
[0092]散熱層160可以采用真空蒸鍍制備，在真空度為lX10_5Pa~lX10_3Pa，蒸發(fā)速度為1/15//;?的條件下形成。
[0093]在步驟S50中，還可以使用封裝蓋將空穴注入層115、空穴傳輸層120、發(fā)光層125、電子傳輸層130、電子注入層135、陰極層140、有機(jī)阻擋層145、無機(jī)阻擋層150、濕氣吸收層155和散熱層160封裝于陽極導(dǎo)電基板上。
[0094]可以將封裝蓋覆蓋在散熱層160上，接著在封裝蓋邊緣涂布封裝膠，用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)15mW/cnT25mW/cm2，曝光時(shí)間300s~400s，得到有機(jī)電致發(fā)光器件 100。
[0095]封裝蓋可以為金屬箔片。采用金屬箔片作為封裝蓋，能夠提高有機(jī)電致發(fā)光器件100的散熱能力，將封裝對光效的影響降到最低。
[0096]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法適用于以玻璃、塑料或金屬為基底的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件的制備。
[0097]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法具有封裝材料廉價(jià)，制備工藝簡單，易大面積制備等優(yōu)點(diǎn)。制備得到的有機(jī)電致發(fā)光器件防水氧能力(water vapor transmissionrate, WVTR)強(qiáng)，WVTR可以達(dá)到10_5g/m2.day,同時(shí)對有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命有顯著的提高，使用壽命可以達(dá)到10，500小時(shí)以上(T70@1000cd/m2)。
[0098]下面為具體實(shí)施例部分。
[0099]實(shí)施例1
[0100]提供厚度為 IOOnm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對其進(jìn)行如下處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次清洗時(shí)間為5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用。對洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電層表面的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)。[0101]在真空度為3X10_5Pa的條件下，以0.1人/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在ιτο基板上形成空穴注入層；空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的NPB，其中MoO3占空穴傳輸層的重量百分比為30%，形成的空穴傳輸層的厚度為10nm。
[0102]在真空度為3X10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在空穴注入層上形成空穴傳輸層?？昭▊鬏攲拥牟馁|(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，形成的空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0103]在真空度為3X 10_5Pa的條件下，以0.2A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在空穴傳輸層上形成發(fā)光層。發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。其中，三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)占發(fā)光層的重量百分比為5%，形成的發(fā)光層的厚度為20nm。
[0104]在真空度為3X 10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在發(fā)光層上形成電子傳輸層。電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen),形成的電子傳輸層的厚度為10nm。
[0105] 在真空度為3X 10_5Pa的條件下，以0.2Α/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在電子傳輸層上形成電子注入層。電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 CsN3的8?化11，其中，CsN3占電子注入層的重量百分比為30%，形成的電子注入層的厚度為20nm。
[0106]在真空度為3X 10_5Pa的條件下，以5A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在電子注入層上形成陰極層。陰極層的材質(zhì)為鋁(Al)，形成的陰極層的厚度為lOOnm。
[0107]在真空度為I X IO-5Pa的條件下，以5A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在陰極層上形成有機(jī)阻擋層。有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為CuPc，形成的有機(jī)阻擋層的厚度為300nm。
[0108]在本底真空度為lX10_4Pa的條件下，采用磁控濺射法在有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層。無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為Sb2Te3和MoS2，其中，MoS2占無機(jī)阻擋層的重量百分比為20%。形成的無機(jī)阻擋層的厚度為lOOnm。
[0109]在本底真空度為lX10_4Pa的條件下，采用磁控濺射法在無機(jī)阻擋層上形成濕氣吸收層。濕氣吸收層的材質(zhì)為CaO。形成的濕氣吸收層的厚度為lOOnm。
[0110]在真空度為IX 10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在濕氣吸收層上形成散熱層。散熱層的材質(zhì)為金屬鋁。形成的散熱層的厚度為200nm。得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0111]實(shí)施例2
[0112]實(shí)施例2的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法和實(shí)施例1基本相同，不同之處在于:
[0113]在進(jìn)行了表面活化處理的ITO玻璃上制備所需的有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形。
[0114]在真空度為5X10_5Pa的條件下，以2A&的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在陰極層上形成有機(jī)阻擋層。有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為NPB，形成的有機(jī)阻擋層的厚度為250nm。
[0115]在本底真空度為5X10_4Pa的條件下，采用磁控濺射法在有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層。無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為Bi2Te和TaS2，其中，TaS2占無機(jī)阻擋層的重量百分比為15%。形成的無機(jī)阻擋層的厚度為120nm。
[0116]在本底真空度為5X10_4Pa的條件下，采用磁控濺射法在無機(jī)阻擋層上形成濕氣吸收層。濕氣吸收層的材質(zhì)為BaO。形成的濕氣吸收層的厚度為200nm。
[0117]在真空度為5X 10_5Pa的條件下，以5A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在濕氣吸收層上形成散熱層。散熱層的材質(zhì)為金屬銀。形成的散熱層的厚度為500nm。
[0118]在散熱層上覆蓋一層金屬箔片，并在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光(入=365nm)進(jìn)行固化，其中，光強(qiáng)為25mW/cm2，曝光時(shí)間為400s，得到封裝好的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0119]實(shí)施例3
[0120]實(shí)施例3的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法和實(shí)施例1基本相同，不同之處在于:
[0121]在真空度為5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在陰極層上形成有機(jī)阻擋層。有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為Alq3，形成的有機(jī)阻擋層的厚度為200nm。[0122]在本底真空度為5X10_4Pa的條件下，采用磁控濺射法在有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層。無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為CdTe和WS2。其中，WS2占無機(jī)阻擋層的重量百分比為30%。形成的無機(jī)阻擋層的厚度為200nm。
[0123]在本底真空度為5X10_4Pa的條件下，采用磁控濺射法在無機(jī)阻擋層上形成濕氣吸收層。濕氣吸收層的材質(zhì)為SrO。形成的濕氣吸收層的厚度為150nm。
[0124]在真空度為IX KT3Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在濕氣吸收層上形成散熱層。散熱層的材質(zhì)為金屬銅。形成的散熱層的厚度為300nm。
[0125]在散熱層上覆蓋一層金屬箔片，并在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光(入=365nm)進(jìn)行固化，其中，光強(qiáng)為15mW/cm2，曝光時(shí)間為300s，得到封裝好的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0126]實(shí)施例4
[0127]實(shí)施例4的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法和實(shí)施例1基本相同，不同之處在于:
[0128]在真空度為5X 10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在陰極層上形成有機(jī)阻擋層。有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為m-MTDATA。形成的有機(jī)阻擋層的厚度為250nm。
[0129]在本底真空度為5X10_4Pa的條件下，采用磁控濺射法在有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層。無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為In2TedPSb2S315其中，Sb2S3占無機(jī)阻擋層的重量百分比為10%O形成的無機(jī)阻擋層的厚度為lOOnm。
[0130]在本底真空度為5X10_4Pa的條件下，采用磁控濺射法在無機(jī)阻擋層上形成濕氣吸收層。濕氣吸收層的材質(zhì)為MgO。形成的濕氣吸收層的厚度為lOOnm。
[0131]在真空度為5 X KT5Pa的條件下，以3A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在濕氣吸收層上形成散熱層。散熱層的材質(zhì)為銅鋁合金，銅和鋁重量比為3:1。形成的散熱層的厚度為500nmo
[0132]在散熱層上覆蓋一層金屬箔片，并在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光(入=365nm)進(jìn)行固化，其中，光強(qiáng)為20mW/cm2，曝光時(shí)間為350s，得到封裝好的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0133]實(shí)施例5
[0134]實(shí)施例5的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法和實(shí)施例1基本相同，不同之處在于:
[0135]在真空度為5X 10_5Pa的條件下，以IΑ/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在陰極層上形成有機(jī)阻擋層。有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為BCP，形成的有機(jī)阻擋層的厚度為250nm。
[0136]在本底真空度為5X10_4Pa的條件下，采用磁控濺射法在有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層。無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為SnTe和CdS。其中，CdS占無機(jī)阻擋層的重量百分比為20%。形成的無機(jī)阻擋層的厚度為150nm。
[0137]在本底真空度為5X10_4Pa的條件下，采用磁控濺射法在無機(jī)阻擋層上形成濕氣吸收層。濕氣吸收層的材質(zhì)為CaO。形成的濕氣吸收層的厚度為200nm。
[0138]在真空度為5 X KT5Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在濕氣吸收層上形成散熱層。散熱層的材質(zhì)為金屬鋁。形成的散熱層的厚度為300nm。
[0139]在散熱層上覆蓋一層金屬箔片，并在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光(入=365nm)進(jìn)行固化，其中，光強(qiáng)為20mW/cm2，曝光時(shí)間為340s，得到封裝好的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0140]實(shí)施例6
[0141]實(shí)施例6的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法和實(shí)施例1基本相同，不同之處在于:
[0142]在真空度為lX10_3Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在陰極層上形成有機(jī)阻擋層。有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為CuPc。形成的有機(jī)阻擋層的厚度為250nm。
[0143]在本底真空度為lX10_3Pa的條件下，采用磁控濺射法在有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層。無機(jī)阻擋層的材 質(zhì)為PbTe和ZnS，其中，ZnS占無機(jī)阻擋層的重量百分比為20%。形成的無機(jī)阻擋層的厚度為120nm。
[0144]在本底真空度為lX10_3Pa的條件下，采用磁控濺射法在無機(jī)阻擋層上形成濕氣吸收層。濕氣吸收層的材質(zhì)為BaO。形成的濕氣吸收層的厚度為150nm。
[0145]在真空度為5 X KT5Pa的條件下，以3A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在濕氣吸收層上形成散熱層。散熱層的材質(zhì)為金屬銀。形成的散熱層的厚度為300nm。
[0146]在散熱層上覆蓋一層金屬箔片，并在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光(入=365nm)進(jìn)行固化，其中，光強(qiáng)為18mW/cm2，曝光時(shí)間為360s，得到封裝好的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0147]下表為實(shí)施例f實(shí)施例6制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣透過率(WVTR)和使
用壽命的數(shù)據(jù)。
[0148]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu):陽極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、有機(jī)阻擋層、無機(jī)阻擋層、濕氣吸收層和散熱層； 所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為碲化物和硫化物的混合物，所述硫化物占所述無機(jī)阻擋層的重量百分比為10%~30% ； 所述濕氣吸收層的材質(zhì)為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶和氧化鎂中的至少一種； 所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種； 所述散熱層的材質(zhì)為鋁、銀和銅中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述碲化物為碲化銻、碲化秘、締化鋪、締化鋼、締化錫和締化鉛中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述硫化物為二硫化鑰、二硫化組、二硫化鶴、二硫化二鋪、硫化鋪和硫化鋒中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無機(jī)阻擋層的厚度為100nnT200nm ;所述有機(jī)阻擋層的厚度為200nnT300nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述濕氣吸收層的厚度為100nm^500nm ;所述散熱層的厚 度為200nnT500nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、有機(jī)阻擋層、無機(jī)阻擋層、濕氣吸收層和散熱層封裝于所述陽極導(dǎo)電基板上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋為金屬箔片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了三氧化鑰的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺，所述三氧化鑰占所述空穴注入層的重量百分比為25% ； 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺； 所述發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了三(2-苯基吡啶)合銥的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述三(2-苯基吡啶)合銥占所述發(fā)光層的重量百分比為5% ； 所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉； 所述電子注入層的材質(zhì)為摻雜了疊氮化銫的4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉，所述疊氮化銫占所述電子注入層的重量百分比為25%。
9.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供陽極導(dǎo)電基板； 在所述陽極導(dǎo)電基板的陽極導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層； 在所述陰極層上真空蒸鍍形成有機(jī)阻擋層； 在所述有機(jī)阻擋層表面依次磁控濺射制備無機(jī)阻擋層和濕氣吸收層； 在所述濕氣吸收層表面真空蒸鍍制備散熱層； 其中，所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為碲化物和硫化物的混合物，所述硫化物占所述無機(jī)阻擋層的重量百分比為10%~30% ； 所述濕氣吸收層的材質(zhì)為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶和氧化鎂中的至少一種； 所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和.4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種； 所述散熱層的材質(zhì)為鋁、銀和銅中的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于， 所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層真空蒸鍍制備時(shí)，真空度為3 X 10?,蒸發(fā)速度為0.1A/S； 所述有機(jī)阻擋層真空蒸鍍制備時(shí)，其真空度為lX10_5Pa~lX10_3Pa，蒸發(fā)速度為.0.5A-5A/S； 所述無機(jī)阻擋層和濕氣吸收層磁控濺射制備時(shí)，其真空度為lX10_4Pa~lX10_3Pa ;以及 所述散熱層真空蒸鍍 制備時(shí)，其真空度為I X 10_5Pa~l X 10?,蒸發(fā)速度為I人~5A/s。
【文檔編號】H01L51/52GK103904248SQ201210572596
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月25日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司