專利名稱：顯示板和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在薄膜晶體管的溝道部中利用了氧化物半導(dǎo)體的顯示板和顯示裝置。
背景技術(shù)：
在日本特開2010-170119號公報中，公開了在薄膜晶體管(以下稱為TFT)的溝道部中利用氧化物半導(dǎo)體的液晶顯示板。氧化物半導(dǎo)體容易由于紫外線而劣化。在日本特開2010-170119號公報中，在透明基板上形成有防止光照射到氧化物半導(dǎo)體的遮光層。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在液晶顯示板的透明基板上，形成有由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的電極。優(yōu)選的是電極的電阻較小。例如，為了實現(xiàn)良好的畫面質(zhì)量，希望公共電極的電阻較低，公共電極的電位在液晶顯示板的整個區(qū)域內(nèi)均勻。本發(fā)明的目的在于提供一種顯示板和顯示裝置，能抑制光照射到氧化物半導(dǎo)體，且能降低由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的電極的電阻。(I)本發(fā)明的顯示板包括:形成有薄膜晶體管透明基板；半導(dǎo)體層，其構(gòu)成上述薄膜晶體管的溝道部，并以氧化物半導(dǎo)體為材料；電極，其由透明導(dǎo)電材料形成在上述透明基板上，并位于上述半導(dǎo)體層的上方；以及遮光導(dǎo)體，其具有比上述透明導(dǎo)電材料高的導(dǎo)電率，且由具有遮光性的材料形成在上述電極上，并覆蓋上述半導(dǎo)體層。另外，本發(fā)明的顯示裝置包含上述顯示板。根據(jù)本發(fā)明，利用遮光導(dǎo)體，能抑制光照射到氧化物半導(dǎo)體，且能降低由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的電極的電阻。(2)在本發(fā)明的一個實施方式中，上述薄膜晶體管是設(shè)于上述透明基板的像素上的晶體管，上述電極是公共電極。根據(jù)該實施方式，能抑制公共電極的電位變不均勻。(3)也可以是，在上述透明基板上形成有與上述薄膜晶體管連接的柵電極線，且上述遮光導(dǎo)體沿著上述柵電極線延伸。根據(jù)該構(gòu)造，能抑制柵電極線的延伸方向的公共電極的電位變不均勻。另外，能抑制由于形成遮光導(dǎo)體而降低像素的開口率。(4)并且，也可以是，上述半導(dǎo)體層整體位于上述遮光導(dǎo)體與上述柵電極線重疊的區(qū)域。根據(jù)該構(gòu)造，能更有效地抑制光照射到半導(dǎo)體層。(5)并且，也可以是，在上述透明基板上形成有像素電極，上述遮光導(dǎo)體和上述公共電極形成在比上述像素電極低的層。根據(jù)該構(gòu)造，與遮光導(dǎo)體和公共電極形成在比像素電極高的層中的構(gòu)造相比，能減小遮光導(dǎo)體與半導(dǎo)體層的距離。其結(jié)果是能更有效地抑制光照射到半導(dǎo)體層。(6)并且，也可以是，在上述透明基板上形成有利用光取向形成的取向膜，且上述遮光導(dǎo)體形成在比上述取向膜低的層。根據(jù)該構(gòu)造，能抑制在形成取向膜的工序中利用的光照射到半導(dǎo)體層。(7)在本發(fā)明的其他實施方式中，也可以是，在上述透明基板的顯示區(qū)域形成有電極線，上述薄膜晶體管是形成在上述顯示區(qū)域外側(cè)的區(qū)域即周緣區(qū)域，且與上述電極線的端部連接的晶體管。并且，也可以是，上述遮光導(dǎo)體和形成了上述遮光導(dǎo)體的上述電極覆蓋形成在上述周緣區(qū)域的上述薄膜晶體管的上述半導(dǎo)體層。根據(jù)該實施方式，能抑制光照射到構(gòu)成形成在透明基板的周緣區(qū)域上的電路的薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。(8)在該實施方式中，也可以是，在上述透明基板的上述顯示區(qū)域形成有公共電極。并且，也可以是，形成有上述遮光導(dǎo)體的上述電極形成在上述透明基板的上述周緣區(qū)域，并與上述公共電極連接。根據(jù)該構(gòu)造，能以形成在周緣區(qū)域的電極遮擋由于形成在透明基板的周緣區(qū)域的薄膜晶體管的驅(qū)動而形成的無用電場。其結(jié)果是，例如在液晶顯示板中，能抑制無用電場影響像素區(qū)域的液晶層的運動。(9)并且，也可以是，上述顯示板包含:第一薄膜晶體管，其設(shè)于上述透明基板的上述顯示區(qū)域的像素中；半導(dǎo)體層，其構(gòu)成上述第一薄膜晶體管的溝道部，并由氧化物半導(dǎo)體形成；第一遮光導(dǎo)體，其形成在上述公共電極上，并覆蓋上述第一薄膜晶體管的上述半導(dǎo)體層；第二薄膜晶體管，其作為形成在上述透明基板的周緣區(qū)域的上述薄膜晶體管發(fā)揮作用；以及第二遮光導(dǎo)體，其作為覆蓋構(gòu)成上述第二薄膜晶體管的上述半導(dǎo)體層的上述遮光導(dǎo)體發(fā)揮作用，且與上述第一遮光導(dǎo)體連接。根據(jù)該構(gòu)造，能抑制光照射到形成在顯示區(qū)域的第一薄膜晶體管的半導(dǎo)體層，且也能抑制光照射到形成在透明基板的周緣區(qū)域的第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。(10)并且，也可以是，上述第一遮光導(dǎo)體在上述電極線的延伸方向上延伸，上述第二遮光導(dǎo)體在與上述電極線的延伸方向正交的方向上擴(kuò)展。根據(jù)該構(gòu)造，能抑制電極線的延伸方向和與之正交的方向這兩個方向的公共電極的電位變不均勻。(11)也可以是，在(7)的實施方式中，進(jìn)一步地，在上述透明基板的周緣區(qū)域形成有:形成在比上述半導(dǎo)體層低的層中的第一柵電極線、以及在上述透明基板的厚度方向與上述第一柵電極線對置，并作為形成了上述遮光導(dǎo)體的上述電極發(fā)揮作用的第二柵電極線。根據(jù)該構(gòu)造，能提高形成在透明基板的周緣區(qū)域的薄膜晶體管的性能。(12)也可以是，上述顯示板還包含:第一薄膜晶體管，其設(shè)于上述透明基板的上述顯示區(qū)域的像素中；半導(dǎo)體層，其構(gòu)成上述第一薄膜晶體管的溝道部，并由氧化物半導(dǎo)體形成；電極，其形成在上述透明基板的上述顯示區(qū)域；第一遮光導(dǎo)體，其形成在上述顯示區(qū)域的上述電極上，并覆蓋上述第一薄膜晶體管的上述半導(dǎo)體層；第二薄膜晶體管，其作為形成在上述透明基板的周緣區(qū)域的上述薄膜晶體管發(fā)揮作用；以及第二遮光導(dǎo)體，其形成在上述第二柵電極線上，并覆蓋構(gòu)成上述第二薄膜晶體管的上述半導(dǎo)體層。根據(jù)該構(gòu)造，能抑制光照射到形成在顯示區(qū)域的第一薄膜晶體管的半導(dǎo)體層，且也能抑制光照射到形成在透明基板的周緣區(qū)域的第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。


圖1是本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置的示意圖。圖2是構(gòu)成本發(fā)明第一實施方式的液晶顯示板的第一透明基板的俯視圖。圖3是將圖2中示出的II1-1II線作為切斷面的上述液晶顯示板的剖視圖。圖4是將圖2中示出的IV-1V線作為切斷面的上述液晶顯示板的剖視圖。圖5是將圖2中示出的V-V線作為切斷面的第一透明基板的剖視圖。圖6是將圖2中示出的V1-VI線作為切斷面的第一透明基板的剖視圖。
圖7是構(gòu)成本發(fā)明第二實施方式的液晶顯示板的第一透明基板的俯視圖。圖8是將圖7中示出的VII1-VIII線作為切斷面的第一透明基板的剖視圖。標(biāo)號說明I液晶顯示板，2、3薄膜晶體管，4液晶層，IOUlO第一透明基板，11柵電極線，12源電極線，12a源電極，13a漏電極，14半導(dǎo)體層，15像素電極，16公共電極，17遮光導(dǎo)體，21柵極絕緣膜，22第一保護(hù)絕緣膜，23第二保護(hù)絕緣膜，24絕緣膜，25絕緣膜，27取向膜，31柵電極線，32源電極線，32a源電極，33漏電極線，33a漏電極，34半導(dǎo)體層，36周緣公共電極，37遮光導(dǎo)體，40第二透明基板，41濾色片，42黑矩陣，100液晶顯示裝置，136柵電極線，137遮光導(dǎo)體。
具體實施例方式以下，參照

本發(fā)明的一實施方式。圖1是本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置100的示意圖。如圖1所示,液晶顯示裝置100具有液晶顯示板1、以及把光照射到液晶顯示板I背面的背光裝置102。另外，液晶顯示裝置100具有控制器103、柵極驅(qū)動電路104、以及源極驅(qū)動電路105。圖像信號從外部裝置被輸入到控制器103中?？刂破?03根據(jù)圖像信號生成定時控制信號，并輸出到柵極驅(qū)動電路104中。柵極驅(qū)動電路104按照定時控制信號，對后述的柵電極線11施加?xùn)艠O電壓。另外，控制器103根據(jù)圖像信號生成表示液晶顯示板I各像素的灰階值的信號，并把該信號輸出到源極驅(qū)動電路105中。源極驅(qū)動電路105按照輸入的信號，對后述的源電極線12施加與灰階值對應(yīng)的像素電壓。[第一實施方式]圖2是構(gòu)成第一實施方式的液晶顯示板I的第一透明基板10的俯視圖。圖3和圖4分別是將圖2中示出的II1-1II線、IV-1V線作為切斷面的液晶顯示板I的剖視圖。在圖2中示出了形成有像素的顯示區(qū)域和第一透明基板10的周緣區(qū)域(顯示區(qū)域外側(cè)的區(qū)域)。在圖2中，示出了形成在周緣區(qū)域且構(gòu)成柵極驅(qū)動電路104(具體而言為移位寄存器電路)的薄膜晶體管3。如圖3和圖4所示，液晶顯示板I具有相互對置的第一透明基板10和第二透明基板40。透明基板10、40例如是玻璃基板或塑料基板。在第一透明基板10與第二透明基板40之間形成有液晶層4。如圖3所示，在第二透明基板40上形成有濾色片41。濾色片41設(shè)置在各像素中。相鄰的兩個濾色片41以黑矩陣42劃分。如圖1和圖2所示，在第一透明基板10的顯示區(qū)域形成有多條柵電極線11和多條源電極線12。源電極線12與柵電極線11在相互正交的方向上延伸，并形成為格子狀。各像素由相鄰的兩條源電極線12和相鄰的兩條柵電極線11包圍。柵極電壓從形成在周緣區(qū)域的薄膜晶體管3施加到柵電極線11上。柵極電壓被依次施加到多條柵電極線11上。與各像素的灰階值對應(yīng)的像素電壓從源極驅(qū)動電路105施加到源電極線12上。電極線11、12例如由Cu或Al形成。如圖3所示，該例的柵電極線11形成在第一透明基板10上。S卩，柵電極線11形成在形成于第一透明基板10上的層疊構(gòu)造的最底層。柵電極線11由柵極絕緣膜21覆蓋。柵極絕緣膜21例如是氮化膜(例如SiNx)。柵極絕緣膜21的材料不一定限于此。在柵極絕緣膜21上形成第一保護(hù)絕緣膜22，且在第一保護(hù)絕緣膜22上形成有第二保護(hù)絕緣膜23。第一保護(hù)絕緣膜22和第二保護(hù)絕緣膜23是用于保護(hù)后述的半導(dǎo)體層14的絕緣膜。源電極線12形成在第二保護(hù)絕緣膜23上。如圖3所示，在各像素中形成有像素電極15、以及與像素電極15連接的薄膜晶體管2(以下稱為TFT)。液晶顯示板I為IPS (In-PlaneSwitching:平面轉(zhuǎn)換)方式的板。因此，在第一透明基板10上，除了像素電極15之外，還形成有公共電極16。一個公共電極16跨多個像素(例如全部像素)。像素電極15和公共電極16由透明導(dǎo)電材料(例如ITO (Indium Tin Oxide:銦錫氧化物)或氧化鋅等)形成。像素電極15與公共電極16在第一透明基板10的厚度方向上對置。在該例中，像素電極15形成在比公共電極16高的層，即比公共電極16更接近液晶層4的層。在各像素電極15中形成有狹縫。另一方面，在該例的公共電極16中不形成這樣的狹縫，而在整個區(qū)域內(nèi)具有均勻的厚度。如圖3和圖4所示，TFT2具有構(gòu)成溝道部的半導(dǎo)體層14。另外，TFT2具有形成在半導(dǎo)體層14上的源電極12a和漏電極13a。源電極12a從源電極線12延伸。漏電極13a與像素電極15連接。半導(dǎo)體層14由氧化物半導(dǎo)體形成。具體而言，半導(dǎo)體層14由透明非晶質(zhì)(amorphous)氧化物半導(dǎo)體形成。透明非晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體例如是包含In、Ga、以及Zn的半導(dǎo)體(例如InGaZn04)。如圖4所示，半導(dǎo)體層14形成在第一保護(hù)絕緣膜22上，并由第二保護(hù)絕緣膜23覆蓋。源電極12a和漏電極13a通過形成在第二保護(hù)絕緣膜23中的通孔與半導(dǎo)體層14接觸。保護(hù)絕緣膜22、23例如是氧化膜(例如氧化硅)。利用氧化膜能適當(dāng)?shù)乇Ｗo(hù)氧化物半導(dǎo)體。公共電極16包含位于半導(dǎo)體層14的上方的部分(即位于液晶層4與半導(dǎo)體層14之間的部分)，并覆蓋半導(dǎo)體層14。如圖3和圖4所示，在公共電極16上形成有遮光導(dǎo)體17。S卩,遮光導(dǎo)體17形成在公共電極16的液晶層4 一側(cè)。遮光導(dǎo)體17與公共電極16相互接觸。遮光導(dǎo)體17由具有遮光性的材料形成，且該材料具有比公共電極16的材料即透明導(dǎo)電材料高的導(dǎo)電率。遮光導(dǎo)體17的材料例如為Cu、Al、Cr、Mo等。由于遮光導(dǎo)體17良好的導(dǎo)電率，能降低公共電極16的電阻。其結(jié)果是能抑制公共電極16的電位變不均勻。如圖2所示，遮光導(dǎo)體17呈沿著柵電極線11延伸的線狀。因此，能防止柵電極線11的延伸方向(圖2的X方向)的公共電極16的電位產(chǎn)生不均勻。另外，遮光導(dǎo)體17位于柵電極線11的上方。即，遮光導(dǎo)體17形成在與柵電極線11重疊的位置。根據(jù)遮光導(dǎo)體17的該布局，能抑制遮光導(dǎo)體17成為使像素的開口率下降的主要原因。該例的遮光導(dǎo)體17的長度與柵電極線11的長度相對應(yīng)。換句話說，遮光導(dǎo)體17具有與柵電極線11相等的長度。因此，能更有效地抑制公共電極16的電位變不均勻。如上所述，遮光導(dǎo)體17的材料具有遮光性。遮光導(dǎo)體17位于半導(dǎo)體層14的上方，且覆蓋該半導(dǎo)體層14。即，遮光導(dǎo)體17形成在與半導(dǎo)體層14重疊的位置。其結(jié)果是，能利用遮光導(dǎo)體17抑制光照射到半導(dǎo)體層14。第一透明基板10在其最上層，即與液晶層4接觸的層上具有取向膜27。該例的取向膜27利用光取向形成。S卩，利用光(具體而言為紫外線)對構(gòu)成取向膜27的分子進(jìn)行取向。遮光導(dǎo)體17和公共電極16形成在比取向膜27低的層，即比取向膜27更接近半導(dǎo)體層14和第一透明基板10的層。因此，在利用紫外線形成取向膜27的制造工序中，能抑制紫外線照射到半導(dǎo)體層14。S卩，在第一保護(hù)絕緣膜22上形成半導(dǎo)體層14和后述的半導(dǎo)體層34。接著，在半導(dǎo)體層14、34上形成第二保護(hù)絕緣膜23，并在第二保護(hù)絕緣膜23上形成源電極線12、漏電極13a、后述的源電極線32、以及漏電極線33。接著，依次形成后述的絕緣膜24、公共電極16、遮光導(dǎo)體17、絕緣膜25、以及像素電極15。最后，在像素電極15上形成取向膜27，并利用紫外線對取向膜27的分子進(jìn)行取向。這時，利用遮光導(dǎo)體17抑制紫外線照射到半導(dǎo)體層14。如圖2和圖3所示，半導(dǎo)體層14位于柵電極線11的上方。g卩，半導(dǎo)體層14形成在比柵電極線11更接近液晶層4的層，且位于與柵電極線11重疊的位置。柵電極線11也由具有遮光性的材料(例如上述的Cu或Al)形成。因此，柵電極線11也防止光照射到半導(dǎo)體層14。如圖4所示，遮光導(dǎo)體17和柵電極線11這兩者具有比半導(dǎo)體層14大的寬度。而且，半導(dǎo)體層14整體位于遮光導(dǎo)體17與柵電極線11重疊的區(qū)域。由此，能更可靠地防止光照射到半導(dǎo)體層14。如圖2和圖4所示，該例的遮光導(dǎo)體17的寬度與柵電極線11的寬度相對應(yīng)。換句話說，遮光導(dǎo)體17的寬度與柵電極線11的寬度相等。因此，能有效地抑制光照射到半導(dǎo)體層14，而不降低取決于柵電極線11的寬度的開口率。此外，也可以是，遮光導(dǎo)體17的寬度大于柵電極線11。根據(jù)該構(gòu)造，能更有效地抑制外部光、用于取向膜27的形成的紫外線照射到半導(dǎo)體層14。如圖3所示，該構(gòu)造對遮光導(dǎo)體17與半導(dǎo)體層14的距離大于柵電極線11與半導(dǎo)體層14的距離的構(gòu)造尤其有效。另夕卜，能更有效地抑制外部光、紫外線在柵電極線11上反射并射向半導(dǎo)體層14。相反地，也可以是，柵電極線11的寬度大于遮光導(dǎo)體17的寬度。根據(jù)該構(gòu)造，能更有效地抑制來自背光裝置102的光照射到半導(dǎo)體層14。另外，能更有效地抑制來自背光裝置102的光在遮光導(dǎo)體17上反射并射向半導(dǎo)體層14。如圖3和圖4所示，遮光導(dǎo)體17和公共電極16形成在比像素電極15低的層。即，與像素電極15相比，遮光導(dǎo)體17和公共電極16形成在接近半導(dǎo)體層14和第一透明基板10的層中。在這樣的構(gòu)造中，與遮光導(dǎo)體17和公共電極16形成在比像素電極15高的層中的構(gòu)造相比，遮光導(dǎo)體17與半導(dǎo)體層14的距離變小。其結(jié)果是，能更有效地抑制外部光、用于取向膜27的形成的紫外線照射到半導(dǎo)體層14。在該例中，如圖3所示，在第二保護(hù)絕緣膜23上形成有絕緣膜24。公共電極16形成在絕緣膜24上。公共電極16和遮光導(dǎo)體17由絕緣膜25覆蓋。絕緣膜24、25例如是氮化膜(例如氮化硅)。像素電極15形成在絕緣膜25上，并由取向膜27覆蓋。在絕緣膜24、25上形成有通孔hi。在公共電極16上形成有開口以避開該通孔hi的位置。像素電極15通過該通孔hi與漏電極13a的端部連接。說明第一透明基板10的周緣區(qū)域的構(gòu)造。圖5是將圖2中示出的V-V線作為切斷面的第一透明基板10的剖視圖，圖6是將圖2中示出的V1-VI線作為切斷面的第一透明基板10的剖視圖。如圖2所示，在第一透明基板10的周緣區(qū)域，形成有構(gòu)成柵極驅(qū)動電路104的移位寄存器電路的薄膜晶體管(以下稱為TFT3)。另外，在周緣區(qū)域形成有作為TFT3的柵極發(fā)揮作用的柵電極線31。該例的柵電極線31與柵電極線11在同一方向上延伸。柵電極線31由柵極絕緣膜21覆蓋(參照圖5和圖6)。TFT3與柵電極線11的端部連接。詳細(xì)地說，如圖2所示，在周緣區(qū)域，形成有夾著柵電極線11、相互位于相反側(cè)的漏電極線33和源電極線32。TFT3通過漏電極線33與柵電極線11的端部連接。此外，該漏電極線33和源電極線32也與上述的漏電極13a和源電極線12同樣地形成在第二保護(hù)絕緣膜23上。如圖6所示，漏電極33a通過形成在保護(hù)絕緣膜22、23以及柵極絕緣膜21上的通孔h2與柵電極線11連接。如圖5所示，TFT3具有構(gòu)成溝道部的半導(dǎo)體層34。半導(dǎo)體層34位于柵電極線31的上方。即，半導(dǎo)體層34形成在與柵電極線31重疊的位置。柵電極線31具有大于半導(dǎo)體層34的寬度，且半導(dǎo)體層34的整個區(qū)域與柵電極線31重疊。柵電極線31與柵電極線11同樣地，由具有遮光性的材料(例如Cu或Al)形成。因此，柵電極線31防止光照射到半導(dǎo)體層34。在該例中，半導(dǎo)體層34形成在第一保護(hù)絕緣膜22上，并由第二保護(hù)絕緣膜23覆
至JHL ο如圖5所示，TFT3具有源電極32a和漏電極33a。源電極32a從源電極線32起朝向漏電極線33延伸。漏電極33a從漏電極線33起朝向源電極線32延伸。電極32a、33a形成在第二保護(hù)絕緣膜23上(參照圖6)，通過形成在第二保護(hù)絕緣膜23的通孔與半導(dǎo)體層34連接。如圖5所示，該例的TFT3具有相互平行的多個源電極32a和相互平行的多個漏電極33a。源電極32a和漏電極33a在柵電極線31的延伸方向交替配置。根據(jù)該構(gòu)造，能提高TFT3的操作性能。例如，能增加TFT3的操作速度，增加流過TFT3的電流。另外，也可以是，TFT3不一定包含交替配置的多個源電極32a和多個漏電極33a。半導(dǎo)體層34與半導(dǎo)體層14同樣地由氧化物半導(dǎo)體形成。即，半導(dǎo)體層34由透明非晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體形成。在周緣區(qū)域，形成有由與公共電極16同樣的透明導(dǎo)電材料形成的電極36。電極36包含位于半導(dǎo)體層34的上方的部分(位于與半導(dǎo)體層34重疊的區(qū)域的部分)，并覆蓋半導(dǎo)體層34。該例的電極36與公共電極16連接(以下把電極36稱為周緣公共電極)。因此，能用周緣公共電極36遮擋包含TFT3的柵極驅(qū)動電路104產(chǎn)生的無用的電場，結(jié)果，能抑制無用的電場影響像素區(qū)域的液晶層4的驅(qū)動。周緣公共電極36形成在與公共電極16相同的層。即，周緣公共電極36形成在絕緣膜24上。因此，周緣公共電極36可在形成公共電極16的工序與公共電極16 —起形成。如圖5所示，在周緣公共電極36上形成有遮光導(dǎo)體37 (以下把遮光導(dǎo)體37稱為周緣遮光導(dǎo)體)。周緣遮光導(dǎo)體37與周緣公共電極36相互接觸。周緣遮光導(dǎo)體37與遮光導(dǎo)體17同樣，由具有比公共電極16、36的材料即透明導(dǎo)電材料高的導(dǎo)電率、且具有遮光性的材料形成。由于遮光導(dǎo)體37良好的導(dǎo)電率，能降低公共電極16、36的電阻。其結(jié)果是，能抑制公共電極16、36的電位變不均勻。如圖2所示，周緣遮光導(dǎo)體37與遮光導(dǎo)體17連接。即，多個遮光導(dǎo)體17從周緣遮光導(dǎo)體37起在柵電極線11的延伸方向上延伸。因此，能更有效地抑制公共電極16、36的電位變不均勻。周緣遮光導(dǎo)體37形成在與遮光導(dǎo)體17相同的層。因此，周緣遮光導(dǎo)體37可在形成遮光導(dǎo)體17的工序與遮光導(dǎo)體17 —起形成。
如上所述，周緣遮光導(dǎo)體37由具有遮光性的材料形成。如圖5和圖6所示，周緣遮光導(dǎo)體37位于半導(dǎo)體層34的上方，且覆蓋該半導(dǎo)體層34。S卩，周緣遮光導(dǎo)體37包含位于與半導(dǎo)體層34重疊的位置的部分。因此，能防止光照射到半導(dǎo)體層34。在該例中，周緣遮光導(dǎo)體37位于比取向膜27低的層。因此，能防止利用于取向膜27的形成的紫外線照射到半導(dǎo)體層34。該例的周緣公共電極36和周緣遮光導(dǎo)體37在與柵電極線11的延伸方向正交的方向(圖2的Y方向)，即源電極線12的延伸方向上擴(kuò)展。如上所述，形成在顯示區(qū)域的遮光導(dǎo)體17在柵電極線11的延伸方向上延伸。即，周緣公共電極36和周緣遮光導(dǎo)體37在與遮光導(dǎo)體17以及柵電極線11的延伸方向正交的方向上擴(kuò)展。因此，能抑制在圖2示出的X方向和Y方向這兩方的公共電極16的電位變不均勻。另外，通過利用周緣遮光導(dǎo)體37，降低沿著源電極線12延伸的公共電極16的電阻的電線(經(jīng)由通孔與公共電極連接的公共電極線)不一定需要在顯示區(qū)域的內(nèi)側(cè)。其結(jié)果是，能夠增加像素的開口率。并且，相鄰的兩條柵電極線31之間的部分也由周緣遮光導(dǎo)體37覆蓋。因此，能更有效地抑制光照射到半導(dǎo)體層34。另外，本實施方式對如下構(gòu)造的液晶顯示板是有利的。即，公共電極線位于周緣區(qū)域且沿著顯示區(qū)域的側(cè)緣形成。另外，該公共電極線形成在源電極線12的層或柵電極線11的層。周緣區(qū)域的TFT3形成在公共電極線的外側(cè)。在該構(gòu)造中，由于TFT3位于外側(cè)，TFT3與顯示區(qū)域的間隔為公共電極線的寬度，在左右方向的周緣區(qū)域的寬度變大。在本實施方式中，由于降低公共電極16電阻的周緣遮光導(dǎo)體37形成在公共電極16上，與上述構(gòu)造相t匕，能把TFT3的位置形成在靠近顯示區(qū)域的側(cè)緣。其結(jié)果是，能縮窄周緣區(qū)域的寬度，即液晶顯示板10的側(cè)緣與顯示區(qū)域的側(cè)緣的距離。該例的周緣遮光導(dǎo)體37的長度(Y方向的長度)與源電極線12的長度對應(yīng)。換句話說，周緣遮光導(dǎo)體37的長度與源電極線12的長度相等。另外，如圖5所示，半導(dǎo)體層34的整個區(qū)域與周緣遮光導(dǎo)體37重疊。由此，能更可靠地抑制光照射到半導(dǎo)體層34。[第二實施方式]圖7是構(gòu)成本發(fā)明第二實施方式的液晶顯示板的第一透明基板110的俯視圖。圖8是將圖7中示出的VII1-VIII線作為切斷面的第一透明基板110的剖視圖。在這些圖中，在與第一實施方式相同的位置附上相同的附圖標(biāo)記。第一透明基板110的構(gòu)造在形成于周緣區(qū)域的電極和遮光導(dǎo)體方面與第一透明基板10不同，而其他方面與第一透明基板10相同。即，在第一透明基板110的顯示區(qū)域形成有柵電極線11、源電極線12、TFT2、像素電極15、公共電極16、以及遮光導(dǎo)體17。另外，在第一透明基板110的周邊區(qū)域形成有TFT3。在第一透明基板110的周緣區(qū)域形成有柵電極線136 (以下的第二柵電極線)。第二柵電極線136在第一透明基板110的厚度方向上與柵電極線31 (以下稱為第一柵電極線)對置，并在柵電極線31的延伸方向上延伸。TFT3位于第一柵電極線31與第二柵電極線136之間。在柵電極線31、136這兩方上施加驅(qū)動TFT3的柵極電壓。根據(jù)該構(gòu)造，能提高TFT3的操作性能。例如，能增加TFT3的操作速度，增加流過TFT3的電流。第二柵電極線136與上述的公共電極16同樣地，由透明導(dǎo)電材料形成。第二柵電極線136位于與公共電極16相同的層。即，該例的第二柵電極線136形成在絕緣膜24上。在與形成公共電極16的工序相同的工序中，第二柵電極線136與該公共電極16 —起形成。此外，柵電極線136不與公共電極16連接。在柵電極線136上形成有遮光導(dǎo)體137。遮光導(dǎo)體137與遮光導(dǎo)體37同樣地，由具有比柵電極線136的材料即透明導(dǎo)電材料高的導(dǎo)電率、且具有遮光性的材料形成。由于遮光導(dǎo)體137良好的導(dǎo)電率，能降低第二柵電極線136的電阻。此外，遮光導(dǎo)體137位于與形成在顯示區(qū)域的遮光導(dǎo)體17相同的層。遮光導(dǎo)體137在與形成遮光導(dǎo)體17的工序相同的工序與該遮光導(dǎo)體17 —起形成。遮光導(dǎo)體137不與遮光導(dǎo)體17連接。遮光導(dǎo)體137的尺寸與第二柵電極線136的尺寸對應(yīng)。即，遮光導(dǎo)體137與第二柵電極線136具有實質(zhì)相同的寬度(在Y方向的寬度)。另外，遮光導(dǎo)體137與第二柵電極線136具有實質(zhì)相同的長度。此外，也可以是，遮光導(dǎo)體137的寬度稍小于第二柵電極線136的寬度。如上所述，遮光導(dǎo)體137由具有遮光性的材料形成。遮光導(dǎo)體137覆蓋半導(dǎo)體層34。由此，能抑制光照射到半導(dǎo)體層34。例如，能抑制外部光、利用于取向膜27的形成的紫外線照射到半導(dǎo)體層34。在該例中，遮光導(dǎo)體137和第一柵電極線31這兩方具有比半導(dǎo)體層34大的寬度。而且，半導(dǎo)體層34的整個區(qū)域位于遮光導(dǎo)體137與第一柵電極線31重疊的位置。由此，能更有效地抑制光照射到半導(dǎo)體層34。該例的遮光導(dǎo)體137具有與第一柵電極線31的寬度對應(yīng)的寬度。換句話說，遮光導(dǎo)體137的寬度與第一柵電極線31的寬度相等。由此，能確保針對半導(dǎo)體層34的遮光功倉泛。此外，也可以是，遮光導(dǎo)體137具有大于第一柵電極線31的寬度。根據(jù)該構(gòu)造，能更有效地抑制外部光、利用于取向膜27的形成的紫外線照射到半導(dǎo)體層34。另外，也可以是，遮光導(dǎo)體137的寬度小于第一柵電極線31。如上所述，在液晶顯示板I的第一透明基板10、110上形成有:半導(dǎo)體層14、34，構(gòu)成TFT2、3的溝道部并以氧化物半導(dǎo)體為材料；電極16、36、136，由透明導(dǎo)電材料形成，并位于半導(dǎo)體層14、34上方；以及遮光導(dǎo)體17、37、137，具有比透明導(dǎo)電材料高的導(dǎo)電率，且由具有遮光性的材料形成在電極16、36、136上，并覆蓋半導(dǎo)體層14、34。根據(jù)該構(gòu)造，能降低電極16、36、136的電阻，并抑制光照射到半導(dǎo)體層14、34。此外，本發(fā)明并不限于以上說明的實施方式，可進(jìn)行各種變更。例如，也可以是，在第一透明基板10的周緣區(qū)域不一定形成遮光導(dǎo)體17、37、137。另外，也可以是，在周緣區(qū)域形成有覆蓋構(gòu)成源極驅(qū)動電路105的TFT的半導(dǎo)體層的遮光導(dǎo)體。另外，本發(fā)明也適用于VA(Virtical Alignment:垂直取向)方式、TN(TwistedNematic:扭曲向列)方式等公共電極形成在第二透明基板40上的方式的液晶顯示板。該情況下，也可僅在周緣區(qū)域形成遮光導(dǎo)體(具體而言為上述的遮光導(dǎo)體37或遮光導(dǎo)體137)。另外，也可以是，在形成于第一透明基板上的像素電極的每一個上形成遮光導(dǎo)體。另夕卜，本發(fā)明不僅適用于液晶顯示板，也可適用于有機EL板(ElectroLuminescence Panel:電致發(fā)光板)。在該情況下,通過在有機EL板的以透明導(dǎo)電材料形成的電極上形成遮光導(dǎo)體，也能降低電極的電阻。
權(quán)利要求
1.一種顯示板，其特征在于，包括: 形成有薄膜晶體管的透明基板； 半導(dǎo)體層，其構(gòu)成上述薄膜晶體管的溝道部，并以氧化物半導(dǎo)體為材料； 電極，其由透明導(dǎo)電材料形成在上述透明基板上，并位于上述半導(dǎo)體層的上方；以及遮光導(dǎo)體，其具有比上述透明導(dǎo)電材料高的導(dǎo)電率，且由具有遮光性的材料形成在上述電極上，并覆蓋上述半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示板，其特征在于， 上述薄膜晶體管是設(shè)于上述透明基板的像素上的晶體管， 上述電極是公共電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示板，其特征在于， 在上述透明基板上形成有與上述薄膜晶體管連接的柵電極線， 上述遮光導(dǎo)體沿著上述柵電極線延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示板，其特征在于， 上述半導(dǎo)體層整體由上述遮光導(dǎo)體與上述柵電極線覆蓋。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示板，其特征在于， 在上述透明基板上形成有像素電極， 上述遮光導(dǎo)體和上述公共電極形`成在比上述像素電極低的層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示板，其特征在于， 在上述透明基板上形成有利用光取向形成的取向膜， 且上述遮光導(dǎo)體形成在比上述取向膜低的層上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示板，其特征在于， 在上述透明基板的顯示區(qū)域形成有電極線， 上述薄膜晶體管是形成在上述顯示區(qū)域外側(cè)的區(qū)域即周緣區(qū)域上、且與上述電極線的端部連接的晶體管， 上述遮光導(dǎo)體和形成有上述遮光導(dǎo)體的上述電極覆蓋形成在上述周緣區(qū)域上的上述薄膜晶體管的上述半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示板，其特征在于， 在上述透明基板的上述顯示區(qū)域形成有公共電極， 形成了上述遮光導(dǎo)體的上述電極形成在上述透明基板的上述周緣區(qū)域，并與上述公共電極連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示板，其特征在于，具有: 第一薄膜晶體管，其設(shè)于上述透明基板的上述顯示區(qū)域的像素中； 半導(dǎo)體層，其構(gòu)成上述第一薄膜晶體管的溝道部，并由氧化物半導(dǎo)體形成； 第一遮光導(dǎo)體，其形成在上述公共電極上，并覆蓋上述第一薄膜晶體管的上述半導(dǎo)體層； 第二薄膜晶體管，其作為形成在上述透明基板的周緣區(qū)域的上述薄膜晶體管發(fā)揮作用；以及 第二遮光導(dǎo)體，其作為覆蓋構(gòu)成上述第二薄膜晶體管的上述半導(dǎo)體層的上述遮光導(dǎo)體發(fā)揮作用，且與上述第一遮光導(dǎo)體連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示板，其特征在于， 上述第一遮光導(dǎo)體在上述電極線的延伸方向上延伸， 上述第二遮光導(dǎo)體在與上述電極線的延伸方向正交的方向上擴(kuò)展。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示板，其特征在于， 在上述透明基板的周緣區(qū)域形成有:形成在比上述半導(dǎo)體層低的層上的第一柵電極線；以及在上述透明基板的厚度方向與上述第一柵電極線對置、并作為形成了上述遮光導(dǎo)體的上述電極發(fā)揮作用的第二柵電極線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示板，其特征在于，包括: 第一薄膜晶體管，其設(shè)于上述透明基板的上述顯示區(qū)域的像素中； 半導(dǎo)體層，其構(gòu)成上述第一薄膜晶體管的溝道部，并由氧化物半導(dǎo)體形成； 電極，其形成在上述透明基板的上述顯示區(qū)域； 第一遮光導(dǎo)體，其形成在上述顯示區(qū)域的上述電極上，并覆蓋上述第一薄膜晶體管的上述半導(dǎo)體層； 第二薄膜晶體管，其作為形成在上述透明基板的周緣區(qū)域的上述薄膜晶體管發(fā)揮作用；以及 第二遮光導(dǎo)體，其形成在上述第二柵電極線上，并覆蓋構(gòu)成上述第二薄膜晶體管的上述半導(dǎo)體層。
13.—種顯示裝置，其包含權(quán)利要求1所述的顯示板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示板和顯示裝置。第一透明基板(10)上形成有構(gòu)成TFT(2)的溝道部并以氧化物半導(dǎo)體為材料的半導(dǎo)體層(14)；由透明導(dǎo)電材料形成、并位于半導(dǎo)體層(14)上方的電極(16)；以及具有比透明導(dǎo)電材料高的導(dǎo)電率、由具有遮光性的材料形成在電極(16)上、并覆蓋半導(dǎo)體層(14)的遮光導(dǎo)體(17)。根據(jù)該構(gòu)造，能抑制光照射到構(gòu)成溝道部的氧化物半導(dǎo)體，且能降低由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的電極的電阻。
文檔編號H01L23/552GK103165626SQ20121055858
公開日2013年6月19日 申請日期2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月12日
發(fā)明者喜田和夫 申請人:松下液晶顯示器株式會社